阵列基板、阵列基板的制作方法及显示面板与流程

技术特征：
1.一种阵列基板，包括衬底基板以及依次形成在所述衬底基板上的第一金属层、第一绝缘层、第二金属层和钝化层；其特征在于，所述衬底基板包括显示区和环绕所述显示区设置的非显示区；所述第一金属层包括位于所述非显示区上薄膜晶体管的第一栅极，所述第二金属层包括位于所述非显示区上薄膜晶体管的第一极和第二极，所述第一极和所述第二极间隔设置，所述第一极与所述第一栅极在所述衬底基板上的正投影至少存在部分交叠以形成第一电容；所述阵列基板还包括位于所述钝化层远离所述衬底基板一侧的电极层，所述电极层包括位于所述非显示区的补偿电极，所述补偿电极与所述第一极通过第一过孔电连接，且所述补偿电极与所述第一极在所述衬底基板上的正投影至少存在部分交叠以形成第二电容。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述补偿电极与所述第一栅极在所述衬底基板上的正投影至少存在部分交叠。3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一过孔与所述第一栅极在所述衬底基板上的正投影不存在交叠。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述补偿电极在所述衬底基板上的正投影位于所述第一极在所述衬底基板上正投影的内部。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述补偿电极在所述第一极上的交叠面积与所述第一极在所述第一栅极上的交叠面积的比值范围为0.7-1。6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括位于非显示区中的时钟信号线，所述时钟信号线与所述第二极连接；所述第一过孔设于所述非显示区中所述钝化层靠近所述时钟信号线的一侧。7.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括平坦化层，所述平坦化层设于所述钝化层远离所述衬底基板的一侧，所述平坦化层远离所述衬底基板的一侧设有所述补偿电极。8.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一衬底基板，所述衬底基板包括显示区以及环绕所述显示区设置的非显示区；在所述衬底基板上形成第一金属薄膜并通过第一道光罩制程形成第一金属层，所述第一金属层包括形成于所述非显示区上薄膜晶体管的第一栅极；在所述第一金属层和所述衬底基板上覆盖形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层形成第二金属薄膜，并通过第二道光罩制程形成第二金属层，所述第二金属层包括形成于所述非显示区上薄膜晶体管的第一极和第二极，所述第一极和所述第二极间隔设置，所述第一极与所述第一栅极在所述衬底基板上的正投影至少存在部分交叠以形成第一电容；在所述第二金属层和所述第一绝缘层上覆盖钝化层，通过第三道光罩制程形成第一过孔，所述第一过孔贯穿所述钝化层并暴露出部分所述第一极；在所述钝化层上形成电极层，并通过第四道光罩制程形成补偿电极，所述补偿电极通
过第一过孔与所述第一极电性连接，所述补偿电极与所述第一极在所述衬底基板上的正投影至少存在部分交叠以形成第二电容。9.根据权利要求8所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在形成所述补偿电极之前还包括如下步骤：在所述钝化层远离所述衬底基板的一侧形成平坦化层，并通过所述第三道光罩制程在所述平坦化层上形成所述第一过孔。10.一种显示面板，其特征在于，包括对置基板和权利要求1-7任一项所述的阵列基板，所述对置基板与所述阵列基板对盒设置。

技术总结
本公开具体涉及一种阵列基板、阵列基板的制作方法及显示面板，阵列基板包括衬底基板以及依次形成在衬底基板上的第一金属层、第一绝缘层、第二金属层和钝化层；衬底基板包括显示区和环绕显示区设置的非显示区；第一金属层包括位于非显示区上薄膜晶体管的第一栅极，第二金属层包括位于非显示区上薄膜晶体管的第一极和第二极，第一极和第二极间隔设置，第一极与第一栅极在衬底基板上的正投影至少存在部分交叠以形成第一电容；阵列基板还包括位于钝化层远离衬底基板一侧的电极层，电极层包括位于非显示区的补偿电极，补偿电极与第一极通过第一过孔电连接，且补偿电极与第一极在衬底基板上的正投影至少存在部分交叠以形成第二电容，以实现窄边框显示。以实现窄边框显示。以实现窄边框显示。


技术研发人员：卢昭阳 郑浩旋
受保护的技术使用者：惠科股份有限公司
技术研发日：2022.04.25
技术公布日：2022/7/29