互补金属氧化物半导体图像传感器的制作方法

1.本实用新型实施例涉及半导体技术领域，尤其涉及一种互补金属氧化物半导体图像传感器。


背景技术：

2.随着互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor，cmos)图像传感器技术的飞速发展，cmos图像传感器的在应用已经从手机双摄、3d相机、无人机、生物识别扩展到汽车、安防、医疗、物联网等领域。
3.目前cmos图像传感器从前照式cmos图像传感器发展到背照式cmos图像传感器，背照式cmos图像传感器因其导电互连单元位于感光区域的非入光面，从而增加了cmos图像传感器的感光面积，并且提升了弱光环形下的灵敏度。
4.但是，随着背照式cmos图像传感器中感光区域的面积不断减小，背照式cmos图像传感器的获取的图像的真实度不高。


技术实现要素：

5.有鉴于此，本实用新型实施例提供了一种互补金属氧化物半导体图像传感器，以提高图像传感器的获取的图像的真实度。
6.本实用新型实施例提供了一种互补金属氧化物半导体图像传感器，包括：
7.第一衬底，所述第一衬底的第一表面设置有感光区和像素电路区；
8.n个像素单元，n个所述像素单元位于所述第一衬底的第一表面，所述n的取值包括大于或等于1的整数；所述像素单元包括光电二极管和像素电路，所述光电二极管位于所述感光区，所述像素电路位于所述像素电路区，所述像素电路包括第一栅极结构和悬浮漏极，所述光电二极管与所述悬浮漏极电连接；
9.导电互连单元，所述导电互连单元覆盖所述第一衬底的第一表面，所述导电互连单元用于将所述像素单元的电信号引出；
10.第二衬底，所述第二衬底位于所述导电互连单元远离所述第一衬底一侧的表面；
11.光反射电容单元，所述光反射电容单元位于所述第二衬底的表面，所述光反射电容单元通过所述导电互连单元与所述悬浮漏极电连接，所述光反射电容单元用于将从所述第一衬底的第二表面入射的光反射至所述感光区，且用于调节所述悬浮漏极的电容值。
12.本实施例的技术方案，设置了光反射电容单元，光反射电容单元通过导电互连单元与悬浮漏极(悬浮节点fd)电连接，增加了悬浮节点处的等效电容值，进而增大了光电二极管产生的光生电荷在悬浮节点转换的电压值，提高了cmos图像传感器中光生载流子的转换为电压信号的转换率和图像传感器的动态范围，进而提高了cmos图像传感器的获取的图像的真实度。相比光反射电容单元位于导电互连单元内的技术方案，本实施例中的技术方案将第二衬底位于导电互连单元远离第一衬底一侧的表面，光反射电容单元设置在第二衬底的表面，光反射电容单元的尺寸无需受到导电互连单元的尺寸的限制，可以根据第一衬
底内感光区的将光反射电容单元做的更大，以至于光反射电容单元在第一衬底的投影尽可能覆盖感光区在第一衬底的投影，便于将从第一衬底的第二表面入射的光反射至感光区，以增加光生载流子的数量，进一步提高了cmos图像传感器的获取的图像的真实度。且相比光反射电容单元位于导电互连单元内的技术方案，将光反射电容单元设置在第二衬底的表面，降低了cmos图像传感器的制备工艺的难度，降低了生产成本。
附图说明
13.图1为本实用新型实施例提供的一种互补金属氧化物半导体图像传感器的结构示意图；
14.图2为图1中像素单元内光电二极管和像素电路的电路结构示意图；
15.图3为本实用新型实施例提供的另一种互补金属氧化物半导体图像传感器的结构示意图；
16.图4为图3中像素单元内光电二极管和像素电路的电路结构示意图；
17.图5为本实用新型实施例提供的一种互补金属氧化物半导体图像传感器的制备方法的流程示意图；
18.图6
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图17为本实用新型实施例提供的一种互补金属氧化物半导体图像传感器的制备方法各步骤对应的流程图；
19.图18为图5中步骤160包括的流程示意图；
20.图19为本实用新型实施例提供的另一种互补金属氧化物半导体图像传感器的制备方法的流程示意图。
具体实施方式
21.下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本实用新型，而非对本实用新型的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本实用新型相关的部分而非全部结构。
22.正如上述背景技术中所述，随着背照式cmos图像传感器中感光区域的面积不断减小，背照式cmos图像传感器的获取的图像的真实度不高。实用新型人经过仔细研究发现，随着背照式cmos图像传感器中感光区域的面积不断减小，光生载流子的数量也在大量减少，从而导致背照式cmos图像传感器的动态范围也在减少，进而导致背照式cmos图像传感器的获取的图像的真实度不高。
23.针对上述技术问题，本实用新型实施例提供了如下技术方案：
24.图1为本实用新型实施例提供的一种互补金属氧化物半导体图像传感器的结构示意图。图2为图1中像素单元内光电二极管和像素电路的电路结构示意图。参见图1和图2，该互补金属氧化物半导体图像传感器包括：第一衬底10，第一衬底10的第一表面100设置有感光区11和像素电路区12；n个像素单元20，n个像素单元20位于第一衬底10的第一表面100，n的取值包括大于或等于1的整数；像素单元20包括光电二极管pd和像素电路21，光电二极管pd位于感光区11，像素电路21位于像素电路区12，像素电路21包括第一栅极结构210和悬浮漏极211，光电二极管pd与悬浮漏极211电连接；导电互连单元30，导电互连单元30覆盖第一衬底10的第一表面100，导电互连单元30用于将像素单元20的电信号引出；第二衬底40，第
二衬底40位于导电互连单元30远离第一衬底10一侧的表面；光反射电容单元ca，光反射电容单元ca位于第二衬底40的表面，光反射电容单元ca通过导电互连单元30与悬浮漏极211电连接，光反射电容单元ca用于将从第一衬底10的第二表面101入射的光反射至感光区11，且用于调节悬浮漏极211的电容值。
25.可选的，导电互连单元30包括绝缘层31，通过图形化工艺在绝缘层31内形成平行于x方向的凹槽结构和平行于y方向的凹槽结构，在x方向的凹槽结构内填充导电材料形成导电连接层33，在平行于y方向的凹槽结构内填充导电材料形成导电栓塞32，导电连接层33和导电栓塞32可以实现将像素单元20的电信号引出，并且可以实现光反射电容单元ca与悬浮漏极211之间的电连接。
26.示例性的，参见图2，像素单元20包括光电二极管pd和像素电路21。像素电路21包括传输晶体管tg、复位晶体管rg、源跟随器晶体管sf和行选择晶体管sel，图1中的悬浮漏极211等效为图2中像素电路21中的悬浮节点fd，第一栅极结构210等效为图2中像素电路21中的传输晶体管tg的栅极。光反射电容单元ca的一个极板与悬浮节点fd电连接，用于调节悬浮节点fd的电容值，进而调节cmos图像传感器的动态范围。需要说明的是，在图1中的感光区11没有示出光电二极管pd的具体结构示意图。在图1中的像素电路区12，仅仅示出了第一栅极结构210和等效为图2中像素电路21中的悬浮节点fd的悬浮漏极211。悬浮漏极211和光电二极管pd是通过对第一衬底10的掺杂形成的。
27.cmos图像传感器的工作原理如下：光从第一衬底10的第二表面101入射，导电互连单元30位于背光面(第一衬底10的第一表面100)，可以增加cmos图像传感器的感光面积，并且提升了弱光环形下的灵敏度。光电二极管pd处于反向偏置状态，复位晶体管rg的栅极在复位脉冲信号的控制下导通，悬浮节点fd的电压复位至电源电压vdd。此时传输晶体管tg处于截止状态，光电二极管pd产生的光生电荷在耗尽区内积累。复位脉冲过后，传输晶体管tg的栅极在传输脉冲的控制下导通，光电二极管pd产生的光生电荷流进悬浮节点fd。行选择晶体管sel导通，像素单元20的电压采集电路与行选择晶体管sel电连接，像素单元20的电压采集电路将悬浮节点fd的电压值经过源跟随器晶体管sf放大后，通过像素单元20的电压采集电路读出。悬浮节点fd的电容越大，对于光电二极管pd产生的光生电荷的存储能力越大，光电二极管pd产生的光生电荷在悬浮节点fd转换的电压值越大。
28.本实施例中，设置了光反射电容单元ca，光反射电容单元ca通过导电互连单元30与悬浮漏极211(悬浮节点fd)电连接，增加了悬浮节点fd处的等效电容值，进而增大了光电二极管pd产生的光生电荷在悬浮节点fd转换的电压值，提高了cmos图像传感器中光生载流子的转换为电压信号的转换率和图像传感器的动态范围，进而提高了cmos图像传感器的获取的图像的真实度。相比光反射电容单元ca位于导电互连单元30内的技术方案，本实施例中的技术方案将第二衬底40位于导电互连单元30远离第一衬底10一侧的表面，光反射电容单元ca设置在第二衬底40的表面，光反射电容单元ca的尺寸无需受到导电互连单元30的尺寸的限制，可以根据第一衬底10内感光区11的尺寸将光反射电容单元ca做的更大，以至于光反射电容单元ca在第一衬底10的投影尽可能覆盖感光区11在第一衬底10的投影，便于将从第一衬底10的第二表面101入射的光反射至感光区11，以增加光生载流子的数量，进一步提高了cmos图像传感器的获取的图像的真实度。且相比光反射电容单元ca位于导电互连单元30内的技术方案，将光反射电容单元ca设置在第二衬底40的表面，降低了cmos图像传感
器的制备工艺的难度，降低了生产成本。
29.可选的，在上述技术方案的基础上，光反射电容单元ca在第一衬底10的投影覆盖感光区11在第一衬底10的投影，便于将从第一衬底10的第二表面101入射的光完全反射至感光区11，以增加光生载流子的数量，进一步提高了cmos图像传感器的获取的图像的真实度。
30.图3为本实用新型实施例提供的另一种互补金属氧化物半导体图像传感器的结构示意图。图4为图3中像素单元内光电二极管和像素电路的电路结构示意图。可选，在上述技术方案的基础上，参见图3和图4，像素电路21还包括第二栅极结构212，第二栅极结构212作为电容控制晶体管dcg的栅极。
31.需要说明的是，在图3中的像素电路区12，仅仅示出了第一栅极结构210、第二栅极结构212和等效为图2中像素电路21中的悬浮节点fd的悬浮漏极211。
32.示例性的，参见图4，像素电路21包括传输晶体管tg、复位晶体管rg、源跟随器晶体管sf、行选择晶体管sel和电容控制晶体管dcg，图3中的悬浮漏极211等效为图2中像素电路21中的悬浮节点fd，第一栅极结构210等效为图4中像素电路21中的传输晶体管tg的栅极。第二栅极结构212等效为图4中像素电路21中的电容控制晶体管dcg的栅极。光反射电容单元ca的一个极板与悬浮节点fd电连接，用于调节悬浮节点fd的电容值。
33.cmos图像传感器的工作原理如下：光从第一衬底10的第二表面101入射，导电互连单元30位于背光面(第一衬底10的第一表面100)，可以增加cmos图像传感器的感光面积，并且提升了弱光环形下的灵敏度。光电二极管pd处于反向偏置状态，复位晶体管rg的栅极在复位脉冲信号的控制下导通，悬浮节点fd的电压复位至电源电压vdd。此时传输晶体管tg处于截止状态，光电二极管pd产生的光生电荷在耗尽区内积累。复位脉冲过后，传输晶体管tg的栅极在传输脉冲的控制下导通，光电二极管pd产生的光生电荷流进悬浮节点fd。行选择晶体管sel导通，像素单元20的电压采集电路与行选择晶体管sel电连接，像素单元20的电压采集电路将悬浮节点fd的电压值经过源跟随器晶体管sf放大后，通过像素单元20的电压采集电路读出。悬浮节点fd的电容越大，对于光电二极管pd产生的光生电荷的存储能力越大，光电二极管pd产生的光生电荷在悬浮节点fd转换的电压值越大。
34.电容控制晶体管dcg的栅极在电容控制信号的控制下，处于导通状态时悬浮节点fd的等效电容值大于处于截止状态时悬浮节点fd的等效电容值，便于根据cmos图像传感器的灵敏度来调节电容控制信号，进而调节电容控制晶体管dcg的工作状态，在实现降低cmos图像传感器功耗的基础上，达到灵活控制cmos图像传感器的动态范围的技术效果。
35.可选的，在上述技术方案的基础上，参见图3，光反射电容单元ca包括第一多晶硅电极41、介质层42和第二多晶硅电极43组成的叠层结构；
36.或者，光反射电容单元ca包包括第一金属电极41、介质层42和第二金属电极43组成的叠层结构。
37.需要说明的是，在本实施例中，第一多晶硅电,和第一金属电极的区别在于材料不同，因此采用相同附图标记41，第二多晶硅电极和第二金属电极的区别在于材料不同，因此采用相同附图标记43。
38.具体的，第一多晶硅电极41、介质层42和第二多晶硅电极43组成的叠层结构中，第一多晶硅电极41和第二多晶硅电极43对于光线的透光率很小，便于将从第一衬底10的第二
表面101入射的光完全反射至感光区11，以增加光生载流子的数量，进一步提高了图像传感器的获取的图像的真实度。
39.或者，第一金属电极41、介质层42和第二金属电极43组成的叠层结构中，第一金属电极41和第二金属电极43组成对于光线的透光率很小，便于将从第一衬底10的第二表面101入射的光完全反射至感光区11，以增加光生载流子的数量，进一步提高了图像传感器的获取的图像的真实度。
40.可选的，在上述技术方案的基础上，参见图3，互补金属氧化物半导体图像传感器还包括滤光片50和微透镜阵列60，滤光片50位于第一衬底10的第二表面101，微透镜阵列60位于滤光片50背离第一衬底10一侧的表面。
41.具体的，滤光片50用于实现预设波长的光从第一衬底10的第二表面101入射，微透镜阵列60用于提高光进入第一衬底10感光区11的入射率。
42.可选的，在上述技术方案的基础上，互补金属氧化物半导体图像传感器还包括至少两个绝缘隔离沟槽结构70，绝缘隔离沟槽结构70用于隔离像素单元20。
43.具体的，绝缘隔离沟槽结构70实现像素单元20的电隔离，避免不同像素单元20的电信号互相干扰。
44.可选的，在上述技术方案的基础上，参见图3，互补金属氧化物半导体图像传感器还包括导电键合层80，导电键合层80位于导电互连单元30和光反射电容单元ca之间。
45.具体的，导电键合层80位于导电互连单元30和光反射电容单元ca之间，一方面可以实现导电互连单元30和光反射电容单元ca之间的固定连接，另引一方面，导电键合层80可以实现导电互连单元30和光反射电容单元ca之间的电信号的传递。示例性的，导电键合层80可以选取导电性能良好的金属铜。
46.本实用新型实施例还提供了一种互补金属氧化物半导体图像传感器的制备方法。图5为本实用新型实施例提供的一种互补金属氧化物半导体图像传感器的制备方法的流程示意图。图6
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图17为本实用新型实施例提供的一种互补金属氧化物半导体图像传感器的制备方法各步骤对应的流程图。参见图5，该互补金属氧化物半导体图像传感器的制备方法包括如下步骤：
47.步骤110、提供第一衬底，其中，第一衬底的第一表面设置有感光区和像素电路区。
48.参见图6，提供第一衬底10，其中，第一衬底10的第一表面100设置有感光区11和像素电路区12。可选的，第一衬底10可以选择(100)晶面的超平面硅衬底。(100)晶面的界面电荷密度低，形成的cmos图像传感器的缺陷密度低，载流子迁移率高。需要说明的是，第一衬底10还可以选择其它半导体材料形成的衬底。
49.可选的，在上述技术方案的基础上，步骤120之前还包括在第一衬底的第一表面形成至少两个绝缘隔离沟槽结构，绝缘隔离沟槽结构用于隔离像素单元。
50.参见图7，步骤120之前还包括在第一衬底10的第一表面100形成至少两个绝缘隔离沟槽结构70，绝缘隔离沟槽结构70用于实现像素单元20的电隔离，避免不同像素单元20的电信号互相干扰。具体的，可以通过在第一衬底10的第一表面100形成至少两个沟槽，在沟槽内填充绝缘材料，以形成绝缘隔离沟槽结构70。
51.步骤120、在第一衬底的第一表面形成n个像素单元，n的取值包括大于或等于1的整数；其中，像素单元包括光电二极管和像素电路，光电二极管位于感光区，像素电路位于
像素电路区，像素电路包括第一栅极结构和悬浮漏极，光电二极管与悬浮漏极电连接，第一栅极结构作为传输晶体管的栅极。
52.在结合图4的基础上，参见图8，在第一衬底10的第一表面100形成n个像素单元20，n的取值包括大于或等于1的整数；其中，像素单元20包括光电二极管pd和像素电路21，光电二极管pd位于感光区11，像素电路21位于像素电路区12，像素电路21包括第一栅极结构210和悬浮漏极211，光电二极管pd与悬浮漏极211电连接，第一栅极结构210作为传输晶体管tg的栅极。具体的，悬浮漏极211和光电二极管pd是通过对第一衬底10的掺杂形成的。
53.cmos图像传感器的工作原理如下：光电二极管pd处于反向偏置状态，复位晶体管rg的栅极在复位脉冲信号的控制下导通，悬浮节点fd的电压复位至电源电压vdd。此时传输晶体管tg处于截止状态，光电二极管pd产生的光生电荷在耗尽区内积累。复位脉冲过后，传输晶体管tg的栅极在传输脉冲的控制下导通，光电二极管pd产生的光生电荷流进悬浮节点fd。行选择晶体管sel导通，像素单元20的电压采集电路与行选择晶体管sel电连接，像素单元20的电压采集电路将悬浮节点fd的电压值经过源跟随器晶体管sf放大后，通过像素单元20的电压采集电路读出。悬浮节点fd的电容越大，对于光电二极管pd产生的光生电荷的存储能力越大，光电二极管pd产生的光生电荷在悬浮节点fd转换的电压值越大。
54.可选的，在步骤120在第一衬底的第一表面形成n个像素单元包括：在所述感光区形成光电二极管、包括第一栅极结构和悬浮漏极的像素电路之后还包括形成第二栅极结构。
55.参见图9，在步骤120在第一衬底的第一表面形成n个像素单元20包括：在感光区11形成光电二极管pd、包括第一栅极结构210和悬浮漏极211的像素电路21之后还包括形成第二栅极结构212。
56.具体的，第二栅极结构212作为电容控制晶体管dcg的栅极。电容控制晶体管dcg的栅极在电容控制信号的控制下，处于导通状态时悬浮节点fd的等效电容值大于处于截止状态时悬浮节点fd的等效电容值，便于根据cmos图像传感器的灵敏度来调节电容控制信号，进而调节电容控制晶体管dcg的工作状态，在实现降低cmos图像传感器功耗的基础上，达到灵活控制cmos图像传感器的动态范围的技术效果。
57.步骤130、在第一衬底的第一表面形成导电互连单元，导电互连单元覆盖第一衬底的第一表面，导电互连单元用于将像素单元的电信号引出。
58.参见图10，在第一衬底10的第一表面100形成导电互连单元30，导电互连单元30覆盖第一衬底10的第一表面100，导电互连单元30用于将像素单元20的电信号引出。
59.可选的，在第一衬底10的第一表面100形成导电互连单元30包括：在第一衬底10的第一表面100形成绝缘层31，通过图形化工艺在绝缘层31内形成平行于x方向的凹槽结构和平行于y方向的凹槽结构。在平行于y方向的凹槽结构内填充导电材料形成导电栓塞32，导电连接层33和导电栓塞32可以实现将像素单元20的电信号引出，并且可以实现光反射电容单元ca与悬浮漏极211之间的电连接。
60.步骤140、提供第二衬底。
61.参见图11，提供第二衬底40。示例性的，第二衬底40也可以选择硅衬底，也可以选择其它半导体材料形成的衬底。示例性行的，第二衬底40可以选择(100)晶面的超平面硅衬底。(100)晶面的界面电荷密度低，形成的cmos图像传感器的缺陷密度低，载流子迁移率高。
62.步骤150、在第二衬底的表面形成光反射电容单元。
63.参见图12，在第二衬底40的表面形成光反射电容单元ca。
64.步骤160、将第二衬底放置在导电互连单元远离第一衬底一侧的表面，其中，光反射电容单元通过导电互连单元与悬浮漏极电连接，光反射电容单元用于将从第一衬底的第二表面入射的光反射至感光区，且用于调节悬浮漏极的电容值。
65.参见图14，将第二衬底40放置在导电互连单元30远离第一衬底10一侧的表面，其中，光反射电容单元ca通过导电互连单元30与悬浮漏极211电连接，光反射电容单元ca用于将从第一衬底10的第二表面101入射的光反射至感光区11，且用于调节悬浮漏极211的电容值。
66.本实施例中，设置了光反射电容单元ca，光反射电容单元ca通过导电互连单元30与悬浮漏极211(悬浮节点fd)电连接，增加了悬浮节点fd处的等效电容值，进而增大了光电二极管pd产生的光生电荷在悬浮节点fd转换的电压值，提高了cmos图像传感器中光生载流子的转换为电压信号的转换率和图像传感器的动态范围，进而提高了cmos图像传感器的获取的图像的真实度。相比光反射电容单元ca位于导电互连单元30内的技术方案，本实施例中的技术方案将第二衬底40位于导电互连单元30远离第一衬底10一侧的表面，光反射电容单元ca设置在第二衬底40的表面，光反射电容单元ca的尺寸无需受到导电互连单元30的尺寸的限制，可以根据第一衬底10内感光区11的尺寸将光反射电容单元ca做的更大，以至于光反射电容单元ca在第一衬底10的投影尽可能覆盖感光区11在第一衬底10的投影，便于将从第一衬底10的第二表面101入射的光反射至感光区11，以增加光生载流子的数量，进一步提高了cmos图像传感器的获取的图像的真实度。且相比光反射电容单元ca位于导电互连单元30内的技术方案，将光反射电容单元ca设置在第二衬底40的表面，降低了cmos图像传感器的制备工艺的难度，降低了生产成本。
67.图18为图5中步骤160包括的流程示意图。可选的，在上述技术方案的基础上，参见图18，步骤160将第二衬底放置在导电互连单元远离第一衬底一侧的表面包括：
68.步骤1601、在光反射电容单元背离第二衬底的表面形成导电键合层。
69.参见图13，在光反射电容单元ca背离第二衬底40的表面形成导电键合层80。示例性的，导电键合层80可以选取导电性能良好的金属铜。
70.步骤1602、通过键合工艺，将第二衬底放置在导电互连单元远离第一衬底一侧的表面，其中，导电键合层位于导电互连单元和光反射电容单元之间。
71.参见图14，通过键合工艺，将第二衬底40放置在导电互连单元30远离第一衬底10一侧的表面，其中，导电键合层80位于导电互连单元30和光反射电容单元ca之间。
72.具体的，导电键合层80位于导电互连单元30和光反射电容单元ca之间，一方面可以实现导电互连单元30和光反射电容单元ca之间的固定连接，另引一方面，导电键合层80可以实现导电互连单元30和光反射电容单元ca之间的电信号的传递。
73.可选的，在上述技术方案的基础上，步骤150在第二衬底的表面形成光反射电容单元包括：在第二衬底的表面形成在第一衬底的投影覆盖感光区在第一衬底的投影的光反射电容单元。
74.在第二衬底40的表面形成在第一衬底10的投影覆盖感光区11在第一衬底10的投影的光反射电容单元ca。
75.具体的，光反射电容单元ca在第一衬底10的投影覆盖感光区11在第一衬底10的投影，便于将从第一衬底10的第二表面101入射的光完全反射至感光区11，以增加光生载流子的数量，进一步提高了cmos图像传感器的获取的图像的真实度。
76.可选的，在上述技术方案的基础上，步骤150在第二衬底的表面形成光反射电容单元包括：
77.在第二衬底的表面形成包括第一多晶硅电极、介质层和第二多晶硅电极组成的叠层结构的反射电容单元；
78.或者，在第二衬底的表面形成包括第一金属电极、介质层和第二金属电极组成的叠层结构的反射电容单元。
79.参见图13，第一多晶硅电极41、介质层42和第二多晶硅电极43组成的叠层结构中，第一多晶硅电极41和第二多晶硅电极43对于光线的透光率很小，便于将从第一衬底10的第二表面101入射的光完全反射至感光区11，以增加光生载流子的数量，进一步提高了图像传感器的获取的图像的真实度。或者，第一金属电极41、介质层42和第二金属电极43组成的叠层结构中，第一金属电极41和第二金属电极43组成对于光线的透光率很小，便于将从第一衬底10的第二表面101入射的光完全反射至感光区11，以增加光生载流子的数量，进一步提高了图像传感器的获取的图像的真实度。
80.图19为本实用新型实施例提供的另一种互补金属氧化物半导体图像传感器的制备方法的流程示意图。可选的，在上述技术方案的基础上，参见图19，在步骤160将第二衬底放置在导电互连单元远离第一衬底一侧的表面之后还包括：
81.步骤170、在第一衬底的第二表面形成滤光片。
82.参见图16，在第一衬底10的第二表面101形成滤光片50。具体的，滤光片50用于实现预设波长的光从第一衬底10的第二表面101入射。
83.可选的，在上述技术方案的基础上，参见图15，在步骤170之前还包括对第一衬底10的第二表面101进行减薄处理。
84.经过减薄处理的第一衬底10，可以减少光从第一衬底10的第二表面101到达感光区的路程，以减少对光的损耗，增加cmos图像传感器中光生载流子的数量。
85.步骤180、在滤光片背离第一衬底一侧的表面形成微透镜阵列。
86.参见图17，在滤光片50背离第一衬底10一侧的表面形成微透镜阵列60。
87.具体的，滤光片50用于实现预设波长的光从第一衬底10的第二表面101入射，微透镜阵列60用于提高光进入第一衬底10感光区的入射率。
88.注意，上述仅为本实用新型的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本实用新型不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本实用新型的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本实用新型进行了较为详细的说明，但是本实用新型不仅仅限于以上实施例，在不脱离本实用新型构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本实用新型的范围由所附的权利要求范围决定。