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五价金属元素掺杂氧化钼薄膜的制备方法及硅异质结太阳电池

2022-07-31 04:56:16 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种五价金属元素掺杂氧化钼薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:一、将钼粉溶解于无水乙醇中,然后滴入过氧化氢,搅拌至溶液呈蓝色,得到氧化钼溶液;二、称取五氧化二钒粉末、五氯化铌粉末或五氯化钽粉末,溶解于适量无水乙醇,搅拌至溶液澄清;三、取一定量的氧化钼溶液,按照一定摩尔比向其中滴入五氧化二钒溶液、五氯化铌溶液或五氯化钽溶液,超声至溶液澄清;四、将步骤三中的氧化钼溶液滴加到硅片表面,然后将硅片转移到匀胶机上旋涂,旋涂结束后将硅片转移到加热台退火处理,即可得到均匀致密的五价金属元素掺杂的氧化钼薄膜。2.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤三中五氧化二钒、五氯化铌或五氯化钽与氧化钼的摩尔比为0.01-0.20:1。3.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤四中旋涂的速度为500-8000rpm,旋涂的时间为10-60s。4.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤四中加热台退火处理的温度为60-200℃,加热台退火处理的时间为5-20min。5.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤二中搅拌至溶液澄清的搅拌时间为30min以上;所述步骤三中超声至溶液澄清的超声时间为30min以上。6.一种硅异质结太阳能电池,其特征在于,所述硅异质结太阳能电池从上至下依次包括银电极栅线、氮化硅钝化层、n型发射极、p型单晶硅衬底、空穴传输层和银电极,所述空穴传输层由权利要求1-5任意一项的制备方法制备而得的五价金属元素掺杂的氧化钼薄膜。

技术总结
本发明涉及五价金属元素掺杂氧化钼薄膜的制备方法及硅异质结太阳电池,制备方法包括:一、将钼粉溶解于无水乙醇中,然后滴入过氧化氢,搅拌至溶液呈蓝色,得到氧化钼溶液;二、称取五氧化二钒粉末、五氯化铌粉末或五氯化钽粉末,溶解于适量无水乙醇,搅拌至溶液澄清;三、取一定量的氧化钼溶液,按照一定摩尔比向其中滴入五氧化二钒溶液、五氯化铌溶液或五氯化钽溶液,超声至溶液澄清;四、将步骤三中的氧化钼溶液滴加到硅片表面,然后将硅片转移到匀胶机上旋涂,旋涂结束后将硅片转移到加热台退火处理,即可得到均匀致密的五价金属元素掺杂的氧化钼薄膜。本发明减少氧化钼中的氧空位,制备的硅异质结太阳能电池效率较高。制备的硅异质结太阳能电池效率较高。制备的硅异质结太阳能电池效率较高。


技术研发人员:王朋 刘粲 林宇昊 吴小平 徐凌波 林萍 崔灿
受保护的技术使用者:浙江理工大学
技术研发日:2022.03.31
技术公布日:2022/7/29
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