显示面板的制作方法及显示面板与流程

1.本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板的制作方法及显示面板。


背景技术：

2.自主发光的有机发光二极管显示器(organic light-emitting diode，oled)的透明阴极因为透光需求，制作厚度较薄，造成方阻较大，面板电流压降(ir drop)严重，导致显示面板有明显的亮度不均匀现象，严重影响了oled显示装置的显示效果。目前oled大尺寸面板设计一般使用背板辅助阴极引入的方法，主要是通过形成under cut(底切结构)连接阴极降低ir drop，而现有oled显示面板制程中，作为阴极的支撑层在under cut形成过程中会出现后退，导致支撑层的支撑效果下降，存在塌陷风险。


技术实现要素：

3.本发明目的在于，解决现有under cut制程存在阴极塌陷风险的问题。
4.为实现上述目的，本发明提供一种显示面板的制作方法，包括：
5.提供衬底基板；
6.在所述衬底基板上依次形成薄膜晶体管层、辅助电极层、钝化层和平坦化层；
7.在所述平坦化层表面形成贯通所述平坦化层和所述钝化层以暴露至少部分所述薄膜晶体管层的源极的第一接触孔；
8.在所述平坦化层表面形成贯通所述平坦化层和所述钝化层以暴露部分所述辅助电极层的第二接触孔；
9.在所述平坦化层表面形成阳极层，所述阳极层通过第一接触孔与所述源极电连接，所述阳极层通过第二接触孔沉积至所述辅助电极层表面；
10.在所述阳极层表面形成光阻层，在所述光阻层表面形成与所述第二接触孔相对应的第一开孔；
11.蚀刻去除沉积在所述辅助电极层表面的阳极层以在所述阳极层表面形成与所述第一开孔相对应的第二开孔；
12.蚀刻覆盖所述辅助电极层的至少部分钝化层以形成暴露至少部分所述辅助电极层的底切腔体；
13.去除所述光阻层；
14.蚀刻所述阳极层形成阳极；
15.去除剩余阳极层。
16.可选的，所述去除剩余阳极层的步骤包括保留沉积于所述第二接触孔内壁的阳极层。
17.可选的，所述第二接触孔包括形成于所述平坦化层表面的凹槽以及形成于所述凹槽底面的、与所述底切腔体连通的第一通孔，所述凹槽的内径由远离所述辅助电极层一端向靠近所述辅助电极层一端逐渐减小，所述阳极层沉积于所述凹槽内壁，所述阳极层上的
第二开孔的内径大于或者等于所述第一通孔的内径。
18.可选的，所述第一通孔在所述辅助电极层表面的正投影面积小于所述底切腔体在所述辅助电极层表面的正投影面积。
19.可选的，所述在所述衬底基板上依次形成薄膜晶体管层、辅助电极层、钝化层和平坦化层的步骤中还包括：在所述钝化层表面形成第二支撑层；所述平坦化层覆盖所述第二支撑层，所述第二支撑层位于所述辅助电极层上方；所述第二接触孔贯通所述平坦化层、所述第二支撑层和所述钝化层。
20.可选的，所述第二接触孔包括形成于所述平坦化层的第二通孔和形成于所述第二支撑层并与所述第二通孔连通的第三通孔，所述第二通孔的内径由远离所述辅助电极层一端向靠近所述辅助电极层一端逐渐减小，所述第三通孔的内径小于所述第二通孔靠近所述辅助电极层一端端口的内径。
21.可选的，所述第三通孔在所述辅助电极层表面的正投影面积小于所述底切腔体在所述辅助电极层表面的正投影面积。
22.可选的，位于所述第三通孔外侧的所述第二支撑层形成对部分所述底切腔体的遮盖。
23.可选的，在所述去除剩余阳极层的步骤之后还包括：
24.在所述平坦化层表面形成像素定义层；
25.在所述像素定义层表面形成暴露至少部分所述阳极的第一过孔；
26.在所述像素定义层表面形成暴露所述第二接触孔的第二过孔；
27.在所述像素定义层表面蒸镀形成有机发光层，所述有机发光层通过第一过孔沉积至所述阳极表面，所述有机发光层通过所述第二过孔和所述第二接触孔沉积至所述辅助电极层表面；
28.在所述有机发光层表面蒸镀形成阴极，所述阴极通过所述第二过孔和所述第二接触孔与所述辅助电极层搭接。
29.为实现上述目的，本发明还提供一种显示面板，所述显示面板由如前所述的制作方法制作形成。
30.本发明的有益效果在于，本发明提供一种显示面板的制作方法及显示面板，与现有方法中通过光刻加湿蚀刻两道工艺形成under cut结构相比，本发明所述制作方法通过一道蚀刻工艺即可在钝化层上形成under cut结构，节约产能，并且通过平坦化层和阳极层的配合形成对有机发光层和阴极的双层支撑，增强对阴极和有机发光层的支撑强度，避免塌陷风险。
附图说明
31.图1是本发明一示例性实施例的显示面板的结构示意图；
32.图2是本发明一示例性实施例的显示面板的制作方法流程图；
33.图3a～图3j是本发明一示例性实施例的显示面板的制作方法流程示意图；
34.图4是本发明另一示例性实施例的显示面板的结构示意图；
35.图5a～图5i是本发明另一示例性实施例的显示面板的制作方法流程示意图；
36.图中部件编号如下：
37.100、100’、显示面板，100a、底切区，100b、驱动区，100c、电容区，100d、邦定区，110、衬底基板，111、缓冲层，112、层间绝缘层，113、辅助电极层，120、薄膜晶体管层，121、遮光层，122、第一电极板，123、半导体层，124、栅极绝缘层，125、栅极，126、第二电极板，127、漏极，128、源极，129、源漏极，130、钝化层，131、底切腔体，132、邦定开口，133、绑定金属层，140、平坦化层，141、第一接触孔，141a、141a’、第二接触孔，142、凹槽，143、第一通孔，1431、凸起，1432、第一支撑层，150、像素定义层，151、第一过孔，152、第二过孔，160、发光功能层，161、阳极，161a、阳极层，161b、光阻层，161c、第一开孔，161d、第二开孔，162、有机光阻层，163、阴极，170、第二支撑层，171、第二通孔。
具体实施方式
38.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
39.与现有方法中通过光刻 湿蚀刻两道工艺形成under cut结构相比，本发明所述制作方法通过一道蚀刻工艺即可在钝化层上形成under cut结构，节约产能，并且通过平坦化层和阳极层的配合形成对有机发光层和阴极的双层支撑，增强对阴极和有机发光层的支撑强度，避免塌陷风险。作为典型应用，所述显示面板可应用于oled大尺寸面板上，所述oled大尺寸面板包括手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑等。
40.本发明的一个实施例中，参照图1，本发明所提供的显示面板100包括衬底基板110、形成于所述衬底基板110上的薄膜晶体管层120、形成于薄膜晶体管层120上的钝化层130、形成于钝化层130上的平坦化层140、形成于平坦化层140上的像素定义层150和形成于像素定义层150上的发光功能层160，所述发光功能层160包括层叠设置的阳极161、有机发光层162和阴极163。
41.所述显示面板100包括间隔排布的底切区100a、驱动区100b、电容区100c和邦定区100d。
42.所述薄膜晶体管层120包括同层设置于衬底基板110上的遮光层121和第一电极板122，所述遮光层121对应所述驱动区100b，所述第一电极板122对应所述电容区100c，所述衬底基板110上设置有缓冲层111，缓冲层111覆盖遮光层121和第一电极板122，遮光层121为金属层，遮光层121与第一电极板122同层形成第一金属层m1；位于遮光层121上方的缓冲层111表面设置有半导体层123，所述半导体层123表面层叠设置有栅极绝缘层124和栅极125，位于第一电极板122上方的缓冲层111表面设置有第二电极板126，第一电极板122与第二电极板126形成电容结构。所述缓冲层111上形成有层间绝缘层112，所述层间绝缘层112表面设置有漏极127、源极128和源漏极129，所述漏极127和源极128对应驱动区100b，源漏极129对应电容区100c，漏极127和源极128分别与半导体层123电连接，源极128与遮光层121电连接。
43.对应底切区100a的层间绝缘层112上设置有辅助电极层113，对应邦定区100d的层间绝缘层112上设置有邦定电极层114，辅助电极层113、漏极127、源极128、源漏极129和邦定电极层114同层设置形成第二金属层m2。
44.钝化层130覆盖辅助电极层113、漏极127、源极128、源漏极129和邦定电极层114，与辅助电极层113相对应的钝化层130表面形成有底切腔体131，底切腔体131暴露至少部分辅助电极层113。对应邦定区100d的钝化层130表面开设有暴露至少部分邦定电极层114的邦定开口132，对应邦定开口132的钝化层表面130设置有邦定金属层133，邦定金属层133通过邦定开口132与邦定电极层114电连接。邦定金属层133形成第三金属层m3。
45.平坦化层140设置于与底切区100a、驱动区100b和电容区100c相对应的钝化层130表面，平坦化层140不覆盖对应邦定区100d的钝化层130表面，平坦化层140表面开设有暴露至少部分源极128的第一接触孔141，与辅助电极层113相对应的平坦化层140表面开设有一凹槽142，凹槽142底面开设有贯通平坦化层140并与底切腔体131连通的第一通孔143，所述凹槽142的内径由远离所述辅助电极层113一端向靠近所述辅助电极层113一端逐渐减小，形成凹槽142的倒梯形截面结构，位于第一通孔143外侧的钝化层130形成环形凸起1431，凸起1431形成对底切腔体131的部分遮挡，使得第一通孔143在所述辅助电极层113表面的正投影面积小于所述底切腔体131在所述辅助电极层113表面的正投影面积。在本实施例中，至少在两凸起1431的上表面分别设置有第一支撑层1432，即，第一支撑层1432至少覆盖凹槽142的内侧底面。在另一实施方式中，第一支撑层1432除覆盖凸起1431外，还覆盖与凸起1431相邻的凹槽142的侧壁内表面。
46.阳极161设置于与第一接触孔141相对应的平坦化层140表面，阳极161通过第一接触孔141与源极128电连接，第一支撑层1432与阳极161的材质相同，均为izo(氧化铟锌)与apc合金(银-钯-铜合金)的沉积结构，即，izo/apc/izo。像素定义层150设置于平坦化层140表面，像素定义层150表面开设有暴露至少部分阳极161的第一过孔151，像素定义层150表面开设有与凹槽142连通的第二过孔152，有机发光层162设置于所述像素定义层150表面，有机发光层162通过第一过孔151与阳极161电连接，有机发光层162通过第二过孔152、凹槽142和第一通孔143延伸至底切腔体131内侧并覆盖部分辅助电极层113表面。阴极163设置于有机发光层162表面，阴极163通过第二过孔152、凹槽142和第一通孔143延伸至底切腔体131内并与未被有机发光层162覆盖的辅助电极层113电连接。所述阳极161中的空穴和阴极163中的电子在电流电压的传导下在所述有机发光层162中相遇并结合，从而激发有机发光层162中的发光材料发光。
47.本实施例中，采用平坦化层140上的凹槽142与第一支撑层1432配合形成对有机发光层162和阴极163的双层支撑结构，保证对有机发光层162和阴极163的支撑强度和支撑稳定性，避免出现塌陷风险，而且，位于第一通孔143外侧的凸起1431形成对底切腔体131的部分遮挡，从而使得在蒸镀形成有机发光层162时，有机发光层162仅能覆盖部分辅助电极层113，在蒸镀形成阴极163时，阴极163可与未被有机发光层162覆盖的辅助电极层113电连接。
48.参照图2以及图3a～图3j，本实施例所述的显示面板100的制作方法包括如下步骤：
49.s1、提供衬底基板110；
50.s2、参照图3a，在所述衬底基板110上依次形成薄膜晶体管层120、辅助电极层113、钝化层130和平坦化层140；
51.s3、参照图3a，在所述平坦化层140表面形成贯通所述平坦化层140和所述钝化层
130以暴露至少部分所述薄膜晶体管层120的源极128的第一接触孔141；
52.s4、参照图3a，在所述平坦化层140表面形成贯通所述平坦化层140和所述钝化层130以暴露部分所述辅助电极层113的第二接触孔141a；
53.s5、参照图3b，在所述平坦化层140表面形成阳极层161a，所述阳极层161a通过第一接触孔141与所述源极128电连接，所述阳极层161a通过第二接触孔141a沉积至所述辅助电极层113表面；
54.s6、参照图3b，在所述阳极层161a表面形成光阻层161b，在所述光阻层161b表面形成与所述第二接触孔141a相对应的第一开孔161c；
55.s7、参照图3c，蚀刻去除沉积在所述辅助电极层113表面的阳极层161a以在所述阳极层161a表面形成与所述第一开孔161c相对应的第二开孔161d；
56.s8、参照图3d，蚀刻覆盖所述辅助电极层113的至少部分钝化层130以形成暴露至少部分所述辅助电极层113的底切腔体131；
57.s9、参照图3e和图3f，去除所述光阻层161b；
58.s10、参照图3g，蚀刻所述阳极层161a形成阳极161；
59.s11、去除剩余阳极层161a。
60.作为优选，在所述步骤s11中，参照图3g，保留沉积于所述第二接触孔141a内壁的阳极层161a。所述第二接触孔141a包括凹槽142和开设于凹槽142底面的第一通孔143，沉积于第二接触孔141a内壁的阳极层161a即如前所述的第一支撑层1432。
61.步骤s6中，光阻层161b覆盖阳极层161a以及邦定金属层133，采用光刻(ph)工艺在光阻层161b表面形成所述第一开孔161c，光刻工艺中所采用的光罩，与第一通孔143相对应的光罩区域为全透光区域，与阳极161相对应的光罩区域为全黑区域，与光阻层161b其他区域相对应的光罩区域为半透光区域。步骤s7中，采用湿蚀刻去除沉积在所述辅助电极层113表面的阳极层161a以形成第二开孔161d。步骤s8中，采用湿蚀刻去除部分钝化层130以形成底切腔体131，蚀刻液为氢氟酸。步骤s9中，采用干法灰化(dry-ash)去除光阻层161b，但保留与底切区100a相对应的光阻层161b以及与阳极161相对应的光阻层161b。步骤s10中，采用湿蚀刻形成阳极161并去除步骤s9中的剩余光阻层161b。
62.所述显示面板100的制作方法还包括：
63.s12、参照图3h，在所述平坦化层140表面形成像素定义层150；
64.s13、参照图3h，在所述像素定义层150表面形成暴露至少部分所述阳极161的第一过孔151；
65.s14、参照图3h，在所述像素定义层150表面形成暴露所述第二接触孔141a的第二过孔152；
66.s15、参照图3i，在所述像素定义层150表面蒸镀形成有机发光层162，所述有机发光层162通过第一过孔151沉积至所述阳极161表面，所述有机发光层162通过所述第二过孔152和所述第二接触孔141a沉积至所述辅助电极层113表面；
67.s16、参照图3j，在所述有机发光层162表面蒸镀形成阴极163，所述阴极163通过所述第二过孔152和所述第二接触孔141a与所述辅助电极层113搭接。
68.其中，形成有机发光层162的蒸镀角度与形成阴极163的蒸镀角度不同，例如有机发光层162的蒸镀角度为0～45
°
，阴极163的蒸镀角度为-45～0
°
。由于蒸镀角度的不同，结
合凸起1431和第一支撑层1432对辅助电极层113的遮挡，使得有机发光层162仅能覆盖部分辅助电极层113，并使得阴极163在覆盖有机发光层162的同时还可覆盖部分辅助电极层113，实现阴极163与辅助电极层113的电连接，降低压降。
69.本实施例所提供的显示面板的制作方法，通过一道蚀刻工艺即可在钝化层130上形成暴露至少部分辅助电极层113的底切腔体131，与现有通过光刻加蚀刻两道工艺才能形成底切腔体的工艺相比，节省了光刻的产能，避免了浪费。
70.在另一实施例中，参照图4，显示面板100’包括衬底基板110、形成于所述衬底基板110上的薄膜晶体管层120、形成于薄膜晶体管层120上的钝化层130、形成于钝化层130上的平坦化层140、形成于平坦化层140上的像素定义层150和形成于像素定义层150上的发光功能层160，所述发光功能层160包括层叠设置的阳极161、有机发光层162和阴极163。
71.所述显示面板100’包括间隔排布的底切区100a、驱动区100b、电容区100c和邦定区100d,与底切区100a相对应的所述钝化层130表面设置有第二支撑层170，第二支撑层170为金属层，第二支撑层170与邦定金属层133同层设置形成第三金属层m3。
72.第二支撑层170表面开设有与第一通孔143相对应的第二通孔171，第一通孔143的内径与第二通孔171的内径相同。凸起1431设置于位于第二通孔171两侧的第二支撑层170上，平坦化层140上的凹槽142与第二支撑层170配合形成对有机发光层162和阴极163的双层支撑结构，保证对有机发光层162和阴极163的支撑强度和支撑稳定性，避免出现塌陷风险，而且，位于第二通孔171外侧的第二支撑层170形成对底切腔体131的部分遮挡，从而使得在蒸镀形成有机发光层162时，有机发光层162仅能覆盖部分辅助电极层113，在蒸镀形成阴极163时，阴极163可与未被有机发光层162覆盖的辅助电极层113电连接。
73.参照图5a～图5i，本实施例所提供的显示面板100’的制备方法包括如下步骤：
74.s1、提供衬底基板110；
75.s2’、参照图5a，在所述衬底基板110上依次形成薄膜晶体管层120、辅助电极层113、钝化层130、第二支撑层170和平坦化层140；
76.s3’、参照图5a，在所述平坦化层140表面形成贯通所述平坦化层140和所述钝化层130以暴露至少部分所述薄膜晶体管层120的源极128的第一接触孔141；
77.s4’、参照图5a，在所述平坦化层140表面形成贯通所述平坦化层140、第二支撑层170和所述钝化层130以暴露部分所述辅助电极层113的第二接触孔141a’；
78.s5’、参照图5b，在所述平坦化层140表面形成阳极层161a，所述阳极层161a通过第一接触孔141与所述源极128电连接，所述阳极层161a通过第二接触孔141a’沉积至所述辅助电极层113表面；
79.s6’、参照图5b，在所述阳极层161a表面形成光阻层161b，在所述光阻层161b表面形成与所述第二接触孔141a’相对应的第一开孔161c；
80.s7、参照图5c，蚀刻去除沉积在所述辅助电极层113表面的阳极层161a以在所述阳极层161a表面形成与所述第一开孔161c相对应的第二开孔161d；
81.s8、参照图5d，蚀刻覆盖所述辅助电极层113的至少部分钝化层130以形成暴露至少部分所述辅助电极层113的底切腔体131；
82.s9、参照图5e，去除所述光阻层161b；
83.s10、参照图5f，蚀刻所述阳极层161a形成阳极161；
84.s11、去除剩余阳极层161a。
85.其中，本实施例所述第二接触孔141a’包括凹槽142、开设于凹槽142底面的第一通孔143以及开设于第二支撑层170上的第二通孔171。
86.步骤s6’中，光阻层161b覆盖阳极层161a以及邦定金属层133，采用光刻(ph)工艺在光阻层161b表面形成所述第一开孔161c，光刻工艺中所采用的光罩，与第一通孔143相对应的光罩区域为全透光区域，与阳极161相对应的光罩区域为全黑区域，与光阻层161b其他区域相对应的光罩区域为半透光区域。步骤s9中，采用干法灰化(dry-ash)去除光阻层161b，但保留与阳极161相对应的光阻层161b。步骤s10中，采用湿蚀刻形成阳极161并去除步骤s9中的剩余光阻层161b。
87.所述显示面板100’的制作方法还包括：
88.s12、参照图5g，在所述平坦化层140表面形成像素定义层150；
89.s13、参照图5g，在所述像素定义层150表面形成暴露至少部分所述阳极161的第一过孔151；
90.s14、参照图5g，在所述像素定义层150表面形成暴露所述第二接触孔141a的第二过孔152；
91.s15、参照图5h，在所述像素定义层150表面蒸镀形成有机发光层162，所述有机发光层162通过第一过孔151沉积至所述阳极161表面，所述有机发光层162通过所述第二过孔152和所述第二接触孔141a沉积至所述辅助电极层113表面；
92.s16、参照图5i，在所述有机发光层162表面蒸镀形成阴极163，所述阴极163通过所述第二过孔152和所述第二接触孔141a与所述辅助电极层113搭接。
93.以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出多个改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。