一种半导体封装用TO-251HL引线框架及其制作方法与流程

一种半导体封装用to-251hl引线框架及其制作方法
技术领域
1.本发明涉及半导体封装技术领域，具体为一种半导体封装用to-251hl引线框架及其制作方法。


背景技术：

2.引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料(金丝、铝丝、铜丝)实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，是电子信息产业中重要的基础材料。
3.通常to-251封装用框架是用单一厚度0.5mm的铜基材制造，不能满足powerpak用于功率mosfet的大电流作业的能力要求，散热效果差，导致难以消除电路板的热应力，不能满足大电流需求，影响产品的整体可靠性，为此提出一种半导体封装用to-251hl引线框架及其制作方法。


技术实现要素：

4.(一)解决的技术问题
5.针对现有技术的不足，本发明提供了一种半导体封装用to-251hl引线框架及其制作方法，以解决上述背景技术中提出的问题。
6.(二)技术方案
7.为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种半导体封装用to-251hl引线框架，包括引线框架本体，引线框架本体由引线框单体组成，引线框单体由异形铜材制成，包括位于上部的散热片部分和下部的外引脚部分，且散热片部分的厚度为0.8mm，外引脚部分的厚度为0.5mm，外引脚部分的上部一体式连接有内引线，内引线与散热片部分相连接，散热片部分的顶端一体式连接有顶筋，外引脚部分的顶端和底端分别横向一体式连接有中筋和底筋，引线框单体的数量不少于两组，且相邻的两组引线框单体之间通过对应位置的顶筋、中筋和底筋的一体式连接实现引线框架本体的组合。
8.优选的，所述散热片部分为方形，中部留设有装片基面；
9.散热片部分的左右两侧以及底部边缘内侧均冲压开设有压槽，且位于两侧的压槽外部还压设有压边阶。
10.优选的，所述外引脚部分由三根纵向开设的单引线组成，且内引线的开设位置与数量与外引脚部分相适配。
11.优选的，所述内引线的两侧线脚的顶部均开设有内引线弯脚，且内引线弯脚与散热片部分之间不接触；
12.内引线的中部线脚与散热片部分的下边缘相连接。
13.优选的，所述顶筋的下部和底筋的表面中部均开设有定位孔，且相邻两组底筋的下边缘还开设有切口。
14.一种半导体封装用to-251hl引线框架的制作方法
15.包括以下步骤：
16.s1、冲压模具的制造
17.根据引线框架的形状制造与之形状和尺寸相适配的模具；
18.s2、基材的选取
19.选取kfc材质且为“t”型结构的异型铜材基板；
20.s3、初成型冲制
21.使用冲压机械，采用双排冲制的方式对异型铜材基板进行成型冲制，得到初框架成品；
22.s4、终成型冲制
23.采用下沉冲压工艺将初框架成品的散热片部分与内引线的中部线脚连接部分进行冲压，得到成品的引线框架本体；
24.s5、局部镀银操作
25.将成品的引线框架本体的内引线弯脚与装片基面部分表面进行镀银操作。
26.(三)有益效果
27.与现有技术相比，本发明提供了一种半导体封装用to-251hl引线框架及其制作方法，具备以下有益效果：
28.本发明to-251hl在原to-251框架的基础上，改0.5mm厚的基材为引线脚0.5mm厚，散热在0.8mm厚的异型铜材，满足powerpak用于功率mosfet时需有更小的有效接通电阻值以及更大的电流作业能力的要求，同时具有更好的散热效果，能消除电路板的热应力，从而提高了该产品的整体可靠性，能满足该产品用于电源以及电机的需求。
附图说明
29.图1为本发明引线框架本体的结构示意图；
30.图2为本发明引线框单体的结构放大示意图；
31.图3为本发明引线框单体的侧视结构示意图；
32.图4为本发明引线框架本体的化学成分数据表(％)；
33.图5为本发明引线框架本体的物理性质数据表；
34.图6为本发明引线框架本体的机械性能数据表。
35.图中：1、引线框架本体；2、引线框单体；21、散热片部分；22、外引脚部分；3、内引线；31、内引线弯脚；4、顶筋；5、中筋；6、底筋；7、装片基面；8、压槽；9、压边阶；10、定位孔；11、切口。
具体实施方式
36.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
37.本发明提供一个技术方案，一种半导体封装用to-251hl引线框架，包括引线框架
本体1，请参阅附图1、2和3，引线框架本体1由引线框单体2组成，引线框单体2由异形铜材制成，包括位于上部的散热片部分21和下部的外引脚部分22，且散热片部分21的厚度为0.8mm，原有0.5mm厚的铜材改为0.5mm和0.8mm厚的异型铜材，提高散热及承受负载的能力，满足powerpak用于功率mosfet时需有更小的有效接通电阻值以及更大的电流作业能力的要求，同时具有更好的散热效果，能消除电路板的热应力，从而提高了该产品的整体可靠性，外引脚部分22的厚度为0.5mm，外引脚部分22的上部一体式连接有内引线3，内引线3与散热片部分21相连接，散热片部分21的顶端一体式连接有顶筋4，外引脚部分22的顶端和底端分别横向一体式连接有中筋5和底筋6，引线框单体2的数量不少于两组，且相邻的两组引线框单体2之间通过对应位置的顶筋4、中筋5和底筋6的一体式连接实现引线框架本体1的组合。
38.散热片部分21为方形，中部留设有装片基面7；
39.散热片部分21的左右两侧以及底部边缘内侧均冲压开设有压槽8，且位于两侧的压槽8外部还压设有压边阶9。
40.外引脚部分22由三根纵向开设的单引线组成，且内引线3的开设位置与数量与外引脚部分22相适配。
41.内引线3的两侧线脚的顶部均开设有内引线弯脚31，且内引线弯脚31与散热片部分21之间不接触；
42.内引线3的中部线脚与散热片部分21的下边缘相连接。
43.顶筋4的下部和底筋6的表面中部均开设有定位孔10，且相邻两组底筋6的下边缘还开设有切口11。
44.一种半导体封装用to-251hl引线框架的制作方法
45.包括以下步骤：
46.s1、冲压模具的制造
47.根据引线框架本体1的形状制造与之形状和尺寸相适配的模具；
48.s2、基材的选取
49.选取kfc材质且为“t”型结构的异型铜材基板，具体基材数据请参阅附图4、5和6；
50.s3、初成型冲制
51.使用冲压机械，采用双排冲制的方式对异型铜材基板进行成型冲制，得到初框架成品；
52.s4、终成型冲制
53.采用下沉冲压工艺将初框架成品的散热片部分21与内引线3的中部线脚连接部分进行冲压，避免造成废品率增加和结构损伤，得到成品的引线框架本体1；
54.s5、局部镀银操作
55.将成品的引线框架本体1的内引线弯脚31与装片基面7部分表面进行镀银操作。
56.本产品成本基本不增加的情况下，极大地提高元件的各项参数指标，应用范围更广，更可靠。
57.需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖
非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。
58.尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。