技术特征：
1.一种半导体封装用to-251hl引线框架，其特征在于：包括引线框架本体，所述引线框架本体由引线框单体组成，引线框单体由异形铜材制成，包括位于上部的散热片部分和下部的外引脚部分，且散热片部分的厚度为0.8mm，外引脚部分的厚度为0.5mm，外引脚部分的上部一体式连接有内引线，内引线与散热片部分相连接，散热片部分的顶端一体式连接有顶筋，外引脚部分的顶端和底端分别横向一体式连接有中筋和底筋，引线框单体的数量不少于两组，且相邻的两组引线框单体之间通过对应位置的顶筋、中筋和底筋的一体式连接实现引线框架本体的组合。2.根据权利要求1所述的一种半导体封装用to-251hl引线框架，其特征在于：所述散热片部分为方形，中部留设有装片基面；散热片部分的左右两侧以及底部边缘内侧均冲压开设有压槽，且位于两侧的压槽外部还压设有压边阶。3.根据权利要求1所述的一种半导体封装用to-251hl引线框架，其特征在于：所述外引脚部分由三根纵向开设的单引线组成，且内引线的开设位置与数量与外引脚部分相适配。4.根据权利要求1所述的一种半导体封装用to-251hl引线框架，其特征在于：所述内引线的两侧线脚的顶部均开设有内引线弯脚，且内引线弯脚与散热片部分之间不接触；内引线的中部线脚与散热片部分的下边缘相连接。5.根据权利要求1所述的一种半导体封装用to-251hl引线框架，其特征在于：所述顶筋的下部和底筋的表面中部均开设有定位孔，且相邻两组底筋的下边缘还开设有切口。6.根据权利要求1-5所述的一种半导体封装用to-251hl引线框架，其特征在于：制作方法包括以下步骤：s1、冲压模具的制造根据引线框架的形状制造与之形状和尺寸相适配的模具；s2、基材的选取选取kfc材质且为“t”型结构的异型铜材基板；s3、初成型冲制使用冲压机械，采用双排冲制的方式对异型铜材基板进行成型冲制，得到初框架成品；s4、终成型冲制采用下沉冲压工艺将初框架成品的散热片部分与内引线的中部线脚连接部分进行冲压，得到成品的引线框架本体；s5、局部镀银操作将成品的引线框架本体的内引线弯脚与装片基面部分表面进行镀银操作。
技术总结
本发明涉及半导体封装技术领域，且公开了一种半导体封装用TO-251HL引线框架，包括引线框架本体，包括位于上部的散热片部分和下部的外引脚部分，且散热片部分的厚度为0.8mm，外引脚部分的厚度为0.5mm，包括以下步骤：S1、冲压模具的制造；S2、基材的选取；S3、初成型冲制；S4、终成型冲制；S5、局部镀银操作。本发明TO-251HL在原TO-251框架的基础上，改0.5mm厚的基材为引线脚0.5mm厚，散热在0.8mm厚的异型铜材，满足powerPAK用于功率MOSFET时需有更小的有效接通电阻值以及更大的电流作业能力的要求，同时具有更好的散热效果，能消除电路板的热应力，从而提高了该产品的整体可靠性，能满足该产品用于电源以及电机的需求。足该产品用于电源以及电机的需求。足该产品用于电源以及电机的需求。
技术研发人员：沈健 陈奉明 高迎阳
受保护的技术使用者：泰州东田电子有限公司
技术研发日：2022.03.31
技术公布日：2022/7/29
再多了解一些
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