高亮发光二极管芯片及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种高亮发光二极管芯片，其特征在于，所述高亮发光二极管芯片包括：衬底(10)、第一半导体层(21)、发光层(22)、第二半导体层(23)、电流阻挡层(30)、透明导电层(40)、第一电极(51)和第二电极(52)；所述衬底(10)、所述第一半导体层(21)、所述发光层(22)、所述第二半导体层(23)和所述电流阻挡层(30)依次层叠，所述透明导电层(40)位于所述电流阻挡层(30)表面且延伸至所述第二半导体层(23)表面，所述第二电极(52)位于所述透明导电层(40)的表面，所述第二电极(52)在所述衬底(10)上的正投影位于所述电流阻挡层(30)位于所述衬底(10)上的正投影内，所述第一电极(51)与所述第一半导体层(21)相连；所述第二电极(52)包括焊盘(521)和手指条(522)，所述手指条(522)的一端与所述焊盘(521)相连，从所述焊盘(521)至所述手指条(522)的方向上，所述电流阻挡层(30)在垂直于所述衬底(10)的承载面的方向上的厚度逐渐减小。2.根据权利要求1所述的高亮发光二极管芯片，其特征在于，所述电流阻挡层(30)包括相连的块状区(31)和条状区(32)，所述第二电极(52)的焊盘(521)在所述衬底(10)上的正投影位于所述块状区(31)在所述衬底(10)上的正投影内，所述第二电极(52)的手指条(522)在所述衬底(10)上的正投影位于所述条状区(32)在所述衬底(10)上的正投影内。3.根据权利要求2所述的高亮发光二极管芯片，其特征在于，所述电流阻挡层(30)远离所述衬底(10)的表面为平面。4.根据权利要求3所述的高亮发光二极管芯片，其特征在于，所述电流阻挡层(30)远离所述衬底(10)的表面与所述电流阻挡层(30)靠近所述衬底(10)的表面之间的夹角为0
°
至45
°
。5.根据权利要求2所述的高亮发光二极管芯片，其特征在于，所述电流阻挡层(30)远离所述衬底(10)的表面为凹面。6.根据权利要求2所述的高亮发光二极管芯片，其特征在于，所述电流阻挡层(30)远离所述衬底(10)的表面呈阶梯状。7.根据权利要求2所述的高亮发光二极管芯片，其特征在于，所述块状区(31)呈环状。8.根据权利要求1至7任一项所述的高亮发光二极管芯片，其特征在于，在垂直于所述衬底(10)的承载面的方向上，所述电流阻挡层(30)厚度最大的位置的厚度不大于5μm。9.根据权利要求1至7任一项所述的高亮发光二极管芯片，其特征在于，所述电流阻挡层(30)具有露出所述第二半导体层(23)的过孔，所述第二电极(52)通过所述过孔与所述第二半导体层(23)连接。10.一种高亮发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底上依次形成第一半导体层、发光层、第二半导体层和电流阻挡层；在所述电流阻挡层上制作透明导电层，所述透明导电层位于所述电流阻挡层表面且延伸至所述第二半导体层表面；制作第一电极和第二电极，所述第一电极与所述第一半导体层相连，所述第二电极位于所述透明导电层的表面，所述第二电极在所述衬底上的正投影位于所述电流阻挡层位于所述衬底上的正投影内，所述第二电极包括焊盘和手指条，所述手指条的一端与所述焊盘相连，从所述焊盘至所述手指条的方向上，所述电流阻挡层在垂直于所述衬底的承载面的
方向上的厚度逐渐减小。

技术总结
本公开提供了一种高亮发光二极管芯片及其制备方法。该高亮发光二极管芯片包括：衬底、第一半导体层、发光层、第二半导体层、电流阻挡层、透明导电层、第一电极和第二电极；衬底、第一半导体层、发光层、第二半导体层和电流阻挡层依次层叠，透明导电层位于电流阻挡层表面且延伸至第二半导体层表面，第二电极位于透明导电层的表面，第二电极在衬底上的正投影位于电流阻挡层位于衬底上的正投影内，第一电极与第一半导体层相连；第二电极包括焊盘和手指条，手指条的一端与焊盘相连，从焊盘至手指条的方向上，电流阻挡层在垂直于衬底的承载面的方向上的厚度逐渐减小。本公开能改善电极上与外接电路连接的焊盘易损坏的问题，提升芯片的可靠性。性。性。


技术研发人员：刘小星 尹灵峰 张威 魏柏林 卫婷 马国强
受保护的技术使用者：华灿光电（浙江）有限公司
技术研发日：2022.03.28
技术公布日：2022/7/29