用于真空环境的高亮度含硼电子束发射器的制作方法

用于真空环境的高亮度含硼电子束发射器
1.分案申请的相关信息
2.本技术是申请日为2017年6月20日，申请号为“201780034257.0”，发明名称为“用于真空环境的高亮度含硼电子束发射器”的发明专利申请的分案申请。
3.相关申请案的交叉参考
4.本技术案主张2016年6月30日申请且指派为第62/356,738号美国申请案的临时专利申请案的优先权，所述申请案的全部揭示内容以引用的方式并入本文中。
技术领域
5.本发明涉及由硼化物化合物制造的电子发射器。


背景技术：

6.碱土和稀土硼化物化合物可用于热离子发射。这些材料具有使硼化物化合物阴极优于钨热离子阴极的物理和化学性质。六硼化镧(lab6)阴极已用于扫描式电子显微镜(sem)设计、透射电子显微镜、电子束光刻系统和其它光电系统中的热离子电子发射器。虽然提升光电系统性能(尤其在低光束能量)，但这些硼化物化合物阴极需要真空技术的复杂改进来减少氧化相关的损害。
7.在典型阴极操作温度下，硼化物化合物(例如lab6)非常容易与氧化物和水分发生反应。之前系统使用冷阱、溅射离子泵、真空密封、焊接金属波纹管和密封技术来维持硼化物化合物阴极周围的真空环境。硼化物化合物热离子发射器也需要改进来提供发射稳定性。例如，采用独立韦内(wehnelt)偏压供应来将有效发射面积减小到仅阴极尖端，这是因为介电薄膜在阴极上随时间累积。对于纯度和清洁度问题，需要特定材料使用硼化物化合物阴极来提供热离子操作。
8.即使凭借这些改进，lab6的热离子发射电子枪组合件仍尚未达到操作平衡，且操作期间的温度不足以吸收内部水分。lab6阴极环境中的水分的高分压对阴极造成质量损失、侵蚀和损害。阴极的不适当操作环境可导致质量损失加速。
9.lab6尚未用作为三极管电子枪配置中的大发射面积热离子发射器。由三极管电子枪配置中的空间电荷效应限制源极亮度。用于防止非预期的“马耳他十字(maltese cross)”形电子发射的韦内电势可部分阻挡来自阳极的提取电势。当用作热离子发射器(例如，在约1800k)时，阴极材料经由硼化物材料或成形氧化物的氧化和升华经历质量损失。升华过程导致阴极的形状和发射特性改变，且发射器材料的发射表面或块体的部分可随时间损失。任何升华或蒸发氧化物可变为导致光学器件的不稳定性的绝缘薄膜。
10.在低温下操作阴极可减小来自阴极的硼化物材料的质量损失率。低温减少在韦内电极(例如，lab6)的背侧上的材料沉积。但是，在高真空环境中低温下的金属(例如，la、hf)或其它稀土硼化物阴极发射器的操作会使发射表面轻易受有机污染物的分压毒侵。
11.因此，需要经改进的金属硼化物电子发射器。


技术实现要素：

12.在第一方面中，提供一种设备。所述设备包括含有金属硼化物材料的发射器。所述发射器具有拥有1μm或更小的半径的至少部分圆形尖端。
13.所述金属硼化物材料可包含选自由碱金属、碱土金属、过渡金属、镧系元素和锕系元素组成的列表的物种。所述金属硼化物材料可为金属六硼化物材料。所述金属硼化物材料可包含lab6。所述金属硼化物材料可具有《100》晶体定向。
14.所述发射器可具有小于1mm2的发射面积。圆形尖端可具有700nm或更小的半径、450nm或更小的半径或100nm或更小的半径。所述发射器可具有小于1μm2的发射面积。所述至少部分圆形尖端可包含平坦发射小面。
15.在第二方面中，提供一种方法。所述方法包括提供含有金属硼化物材料的发射器；施加电场到所述发射器；和从所述发射器产生电子束。所述发射器具有拥有1μm或更小的半径的至少部分圆形尖端。
16.所述产生可在低温场发射模式、室温场发射模式、暖温场发射模式、热场模式和/或光阴极模式中发生。所述暖温场发射模式在高于周围温度且低于1000k的温度下操作。
17.所述产生可在10-9
托或更低的操作压力下或在10-11
托或更低的操作压力下发生。
18.在第三方面中，提供一种方法。所述方法包括从单晶棒移除材料，以形成含有金属硼化物材料的发射器。所述发射器具有拥有1μm或更小的半径的至少部分圆形尖端。
附图说明
19.为更完全理解对本发明的性质和目的标的物，应参考结合附图进行的以下具体实施方式，其中：
20.图1是根据本发明的电子发射系统的实施例的正视图；
21.图2是金属六硼化物的分子结构；
22.图3是根据本发明的方法的流程图；
23.图4是比较lab6的经降低亮度与提取器电压的图表；及
24.图5是比较lab6的经降低亮度与尖端顶点电场的图表。
具体实施方式
25.尽管在特定实施例方面描述所主张的标的物，但其它实施例(包含并不提供本文陈述的所有特征和优点的实施例)也在本发明的范围内。可在不脱离本发明的范围的情况下，做出各种结构、逻辑、过程步骤和电子改变。因此，仅参考所附权利要求书界定本发明的范围。
26.本文揭示的实施例提供具有高亮度、良好稳定性和长寿命的发射器。如本文揭示，发射器的发射面积从常规硼化物阴极减小以提高亮度。硼化物发射面积通常为数十到数百μm2。热离子发射表面的亮度部分由发射面积的大小指定。例如，典型发射器可具有20μm或更大的直径。如本文揭示的发射器可替代地具有小于1μm2的发射面积。发射面积的大小的减小可将亮度增加若干数量级。本文揭示的实施例可被改装成现有系统，这降低了重新设计成本。
27.图1是电子发射系统100的正视图，其包含发射器101和发射器安装机构102。电子
发射系统100经配置以发射电子到电子发射系统100周围的环境或空间中。发射器101具有第一区段103、第二区段104，和圆形尖端105。第一区段103可为圆柱形的。在不存在圆形尖端105的情况下，第二区段104可大体为截头圆锥形的。第二区段104可经放置在第一区段103的远端上。第二区段104可在第一区段103与圆形尖端105之间具有逐渐减小的宽度或直径。虽然第一区段104和第二区段105可大体为圆形的，但第一区段103和第二区段104二者都可归因于晶体结构而具有小面。经放置在第二区段104的远端上的圆形尖端105可大体为截断球形。圆形尖端105可至少部分或完全是圆形的。本文描述的所述形状外的其它形状是可能的。
28.第一区段103或第一区段103和第二区段104可被描述为发射器101的“轴件”。通过发射器安装机构102来固持发射器101的轴件。
29.发射器101、第一区段103、第二区段104或圆形尖端105的尺寸可变化。发射器101的轴件或发射器101自身可关于长度和直径二者处于纳米级或微米级。
30.发射器安装机构102的配置可从在图1中说明的配置变化。在实例中，发射器安装机构102使用位于陶瓷绝缘体上的钨发夹结构来支撑发射器尖端，其中所述绝缘体具有用于发夹结构脚部的电极。可加热发夹结构以提供闪蒸清洗或将发射器温度提高到热场发射(tfe)值(例如，约1,800k)。接地参考电力供应器可提供发射器的偏置电压，其可约为5kv。
31.施加电场到电子发射系统100或在所述系统中施加电场。可使用带电板或使用其它技术来施加电场。
32.圆形尖端105经配置以发射自由电子到电子发射系统100周围的被抽空空间中。如在图1的插图中可见，圆形尖端105具有半径106。可从在圆形尖端105的块体中的圆形尖端105的中心108到外表面107测量半径106。圆形尖端105可具有小于1μm的半径106，其包含到1.0nm的所有值及其之间的范围。例如，圆形尖端105可具有700nm或更小、450nm或更小或100nm或更小的半径106。半径大于0μm。
33.发射器101可具有小于1μm2的发射面积。此发射面积可为圆形尖端105的外表面107的部分。
34.圆形尖端105可为均匀圆形或不均匀圆形。圆形尖端105可包含平坦发射小面109。例如，可存在呈小《100》定向纳平面(nano-flat)的平坦发射小面109。此平坦发射小面109可用于产生经良好准直的电子束。在实例中，平坦发射小面109可提供小于1μm2的发射面积。
35.在其它实例中，圆形尖端105具有大体半球形或抛物形。这些形状可更宽阔地发散电子发射，这可导致通过电子器件中的更小、更亮电子部分。
36.为提供所要圆形尖端105，可控制表面结晶性。
37.减小圆形尖端105的直径或以其它方式改变圆形尖端105的半径增加发射光束的亮度。发射器的经降低亮度br定义为：
[0038][0039]
其中i是场发射电流，r
vs
是虚拟源的半径，ω是光束的立体角，且v
ext
是操作电压。亮度改变的方程式中的两个参数在尖端直径减小时改变。首先，较小尖端在尖端处具有电场的更大增强，所以发射给定电流所需的电压减小，且v
ext
的值减小，导致经减小br的更高
值。第二，小尖端直径具有更低的虚拟源大小r
vs
，导致经减小br的更高值。
[0040]
使用具有小于1μm或处于nm级的半径的圆形尖端105增大亮度。亮度通常随着半径减小而增加，这是因为从更小的表面积发射电子。具有小于100nm的半径的硼化物发射器将提供更高的亮度值。例如，对5nm、10nm、25nm、50nm和100nm的半径，发射器的发射表面积分别约为160nm2、630nm2、3,930nm2、15,710nm2和62,830nm2。
[0041]
圆形尖端105的发射面积可小于1mm2。圆形尖端105的发射面积可对应于圆形尖端105的整个表面积或仅对应于圆形尖端105的部分表面积。例如，发射面积可对应于平坦发射小面109。
[0042]
发射器101可由金属硼化物材料制成。例如，金属硼化物材料可为金属六硼化物材料，例如在图2中的所述材料。在图2中，以大球体m表示金属，且以小球体b表示硼。金属硼化物材料中的金属可包含选自由碱金属、碱土金属、过渡金属、镧系元素和锕系元素组成的列表的物种。发射器可包括本文揭示的金属硼化物材料、由所述材料组成，或基本上由所述材料组成。
[0043]
在实例中，金属硼化物材料为或包含lab6、csb6、ceb6、cab6，或其它金属六硼化物。金属硼化物材料可包含镧系元素族的其它稀土六硼化物。许多金属硼化物材料在发射器中类似地表现，这是因为其相应功函数是类似的，其各自大体以类似方式对应于表面污染物(例如，氧、水)，且其各自通常在相同的一般温度附近操作为热离子发射器。但是，金属硼化物具有不同挥发性。例如，ceb6比lab6更耐蒸发。在低温下操作发射器101可降低蒸发效应。
[0044]
金属六硼化物结构包含围绕金属(例如过渡金属或镧系元素金属)的硼团簇的笼状结构(如在图2中展示)，其提供低功函数。笼状结构的破裂可损害表面的电子密度。但是，除六硼化物外的其它金属硼化物结构可提供发射器中的可接受功函数。
[0045]
金属硼化物材料也可为超导mt4b4材料，其中m为sc、y、ln、th或u，且其中t为ru、os、co、rh或ir。例如，金属硼化物材料可为ceco4b4。
[0046]
发射器的亮度与材料的功函数成反比。在方程式1中，定义发射器材料的经减小亮度。场发射电流i与材料的功函数成反比。功函数的更低值产生更高的电流，且因此产生更高的亮度值。虚拟源大小r
vs
与提高到1/4的功函数成反比，所以虚拟源大小随着功函数减小而增大，但电流的增大占主导地位，导致对低功函数的净更高亮度。
[0047]
六硼化物通常具有约2ev的带隙能量。对高亮度场发射的可接受功函数通常为5ev或更低。六硼化物材料(例如lab6或ceb6)具有低于3ev的功函数。通过六硼化物材料实现的另一发射器材料电性质为介电常数。半导体的介电特性允许电场穿透所述材料，造成能带的费米(fermi)钉扎。此费米钉扎或退化性使导电带下降低于材料的费米能级，产生具有金属特性(即，高电子密度)的发射表面。
[0048]
金属硼化物材料中的杂质会影响功函数。可选择金属硼化物材料中的杂质能级来提供发射器中的可接受功函数。
[0049]
金属硼化物化学式可包含共价和/或离子键结原子，例如碱金属、碱土金属、过渡金属、镧系元素和锕系元素原子。在例子中，晶体的块体含有共价键且晶体的表面含有离子键。晶体中的其它键结配置是可能的。
[0050]
在例子中，金属硼化物材料可包含不同金属硼化物的组合。
[0051]
在圆形尖端105的金属硼化物发射表面可由单晶体材料制成用于改进亮度。也可
使用非晶或多晶金属硼化物材料。在例子中，金属硼化物材料完全是晶体的。在另一例子中，金属硼化物材料部分是晶体的。
[0052]
发射器101中的金属硼化物材料的晶体定向可为《100》，如在图2中展示。《100》晶体定向具有lab6的最低功函数中的一者。也可使用具有小于约3.0ev的功函数的替代性结晶定向。例如，《310》表面是热稳定的且具有在2.50ev的lab6的任何单晶平面的最低功函数。按增大功函数的顺序的lab6的晶体定向为(210)、(100)、(110)、(111)和(211)。例如，(100)、(110)、(111)和(210)的lab6晶体定向分别产生2.3ev、2.5ev、3.3ev和2.2ev的功函数。具有增大的功函数的定向可难以生长，这是因为其较不热稳定且可在生长期间重新排序。非立方体面也可更易受碳污染影响。
[0053]
通过施加电场到电子发射系统100而产生电子。如在图3中可见，在200提供含有金属硼化物材料的具有拥有1μm或更小的半径的圆形尖端的发射器。在201施加电场到发射器。在202从发射器产生电子束。
[0054]
可使用来自约0.5kv到10kv的提取电压，包含到0.1kv之间的所有范围和值。例如，提取电压可为从约1kv至10kv或从约1.5kv到10kv。
[0055]
金属硼化物材料的电场可在从约1v/nm到4v/nm的范围中，包含到0.1v/nm之间的所有范围和值。可使用从1v/nm到4v/nm的电场范围，特定来说，其中金属硼化物材料具有高达3ev的功函数，虽然其它电场值是可能的。
[0056]
在实例中，lab6发射器可使用在从约1.5kv到10kv的范围中的提取电压和在从约1v/nm到3v/nm的范围中的电场。在例子中，电场在从约1.4v/nm到2.5v/nm的范围中。
[0057]
可控制发射器的稳定性。圆形尖端105小于典型系统，但圆形尖端105的更小面积或半径意味着更小颗粒或误差可造成不稳定性。因此，可在超清洁高真空或更好(例如，具有小于e-9
托的总分压的发射腔室环境)中操作电子发射系统100来提供高亮度和长寿命的组合。具有更高压力的其它真空参数也可搭配可接受稳定性、亮度和/或寿命使用。在图4和5中标绘在不同操作温度下经施加偏压电压和发射器尖端顶点电场而变化的具有圆形尖端的lab6发射器的亮度依据。建模结果展示，108a/(sr
·
m2·
v)的经降低亮度可凭借具有1μm且更小的半径的发射器尖端实现。
[0058]
在超清洁高真空环境中的操作提供金属硼化物发射器(包含lab6)的改进结果。lab6发射器中的多数质量损失与由不良真空造成的发射器环境中的反应气体的高分压相关。超清洁高真空操作将经由小直径发射器结构的蒸发或升华而降低质量损失，实现更稳定的操作和更长的发射器寿命。
[0059]
本文揭示的金属硼化物发射器可经配置以包含低温场发射模式、室温场发射模式、暖温场发射模式、热场模式或光阴极模式的不同模式中操作。也可使用本文揭示的金属硼化物发射器执行这些模式的组合。金属硼化物发射器可针对特定模式优化或用于每一特定模式中的参数可调整到金属硼化物发射器。例如，圆形尖端的尺寸可针对每一模式变化。
[0060]
对于低温、冷、暖或肖特基(schottky)发射，小于100nm的半径可为所要的。在光阴极的情况中，硼化物材料可为纳尖端发射器或可具有拥有处于埃级粗糙度的平坦表面。通过发射器吸收的光子可匹配材料的能量带隙。
[0061]
在任何场发射模式中，例如使用具有高正电压的电极施加电场到电子发射系统或施加电场于所述系统中。高正电压吸引电子，这使一些电子离开发射器的表面。当所施加的
电场足够高以降低圆形尖端-真空界面上的电势壁垒时，电子将穿隧通过表面壁垒且行进朝向偏置阳极(即，量子机械穿隧)。
[0062]
低温场发射模式的操作温度可为从约0k到小于300k。在操作期间，系统的温度小于或等于发射器的温度。期望低温场发射降低经发射的电子的能量分布。可通过使在发射器的费米-狄拉克(fermi-dirac)分布变窄而降低能量展度(δe)。低温场发射模式可包含温度的周期性闪蒸以保持发射稳定。
[0063]
使用具有小于1μm或处于nm级的半径的圆形尖端105搭配低温场发射可增加亮度且在典型发射器温度(例如从约100℃到200℃的发射器温度)下提供稳定性。
[0064]
可搭配低温温度使用mt4b4金属硼化物材料以提供超导性质。
[0065]
室温场发射一般在65
°
f到100
°
f(18℃到38℃)操作。室温场发射操作模式可不需要硬件用于冷却(不同于低温场发射)且因此可具有更低实施成本。
[0066]
暖温场发射模式在大于环境且低于1000k的温度或在大于环境低于可在系统中检测到热离子发射的温度的温度下操作。发射器温度在系统的温度与可在系统中检测到热离子发射的温度之间。暖温场发射模式可归因于导电带中的更高数目个电子(此减少块体中的电子-空穴相互作用)和/或在发射器尖端的撞击分子的更少停留时间而提供经减小的电流扰动。暖场发射获益于降低非所需撞击分子(例如，h2o、h2、co、co2、o2、n2或碳氢化合物)的结合能，因此降低其在发射器表面上的停留时间。
[0067]
热场发射模式可使用更低提取电压来实现与例如室温场发射模式相同的亮度。热场发射模式中的发射器温度可约为1,800k。对于热场发射模式，发射器的弯曲尖端的半径可从0.5μm到1μm，但是其它半径是可能的。热场发射使更多能量电子可用于发射，但代价为因所附加到热能谱而增大的能量展度。热场发射模式的一个优势在于被吸附物的停留时间可显著缩减，且因此，束电流中的高频率噪声被减少。电子光学器件可经配置以降低能量展度。
[0068]
在光阴极模式中，特定频率的光落在发射器上。发生光电发射以产生电子流。因此，光子被吸收，电子移动到发射器的表面，且电子逃逸到真空。这可结合另一场发射模式或独立于另一场发射模式执行。
[0069]
一些光罩和晶片检验应用在整个检测时间期间要求具有最高可能的经降低亮度br(相对于光束能量正规化的亮度)和最低可能的能量展度(δe)以和低于1％的稳定性的电子源。场发射器的高频率电流波动可来源于真空中的残余气体分子的恒定吸附/脱附。均方根噪声与发射表面积的幂1.5成反比。随着尖端半径变越小，在相同真空条件下的越高噪声会发生。越低真空可降低噪声。在发射期间将圆形尖端加热到温度(例如，从约380k到1,000k)以移除挥发性物种，且防止挥发性物种剩余在表面上(降低分子停留时间)且维持清洁发射表面也可提供稳定发射。加热发射器也减小穿隧距离且增大电子能量，使之易于场发射。但是，加热发射器可使能量变宽或可造成更大的能量展度。
[0070]
经组合光阴极和场发射模式可使下列过程能够发生。光子被吸引，电子填充导电带，且电子移动到表面。施加热到发射器且电子凭借经施加电场逃逸到真空。光子能量通常应足够高以激发电子到导电带但小于电离能量。当优化激光递送时可需要考虑激光穿透深度。
[0071]
针对任何发射模式，金属硼化物材料的蒸发速率可避免在典型肖特基发射温度下
用作为小尖端半径场电子发射器(例如，在高于1500k的操作)。针对最佳寿命和稳定性，可使用热力学过程之间的物理平衡或通过所施加提取场的锐化。
[0072]
用于针对低温场发射型发射器、室温场发射型发射器、暖温场发射型发射器或光阴极模式操作硼化物场发射型发射器的最佳总压力为10-9
托或更低。此操作压力加总真空相关分子(例如，h2o、h2、co、co2、o2、n2或碳氢化合物)的所有分压。针对h2，分压限制可为10-12
托，而对于任何其它分子，分压可低于10-10
托。
[0073]
操作压力可随操作模式变化。例如，操作压力可随发射机构和表面活化能量变化。热场发射模式可在10-9
托或以下操作。低温场发射模式可在10-10
托或以下操作。低温场发射模式也可在10-11
托或以下操作。
[0074]
在热场发射，所附加热能可更轻易脱附污染，所以可存在对压力的经减小敏感性。如果被吸附物的结合能为高，那么低压用于降低被吸附物的撞击速率。
[0075]
在光阴极中，从照明源附加的能量可提供脱附任何表面污染物的能力，但此可取决于所使用的材料的表面活化能量。
[0076]
操作压力或其它真空参数影响发射器的污染或侵蚀。围绕发射器的环境的高颗粒计数(例如由水分造成的颗粒或其它颗粒)可导致质量损失加速。功函数发射区域可消失且发射可下降到接近零，这是因为仅高功函数表面暴露于提取场。发射材料的任何点蚀可经结晶破裂，这影响功函数。
[0077]
例如，当碳薄层形成在电子流发射表面上时，会出现发射表面的碳污染物(尤其在较低操作温度下)。碳污染物可起因于与有机物(例如，油或润滑剂)、来自抛光剂或清洁剂的残余物、来自棉花棒或清洁布的残余纤维或其它来源相关的挥发性真空系统。碳薄膜毒侵具有高功函数层的发射表面，这导致发射电流减小。
[0078]
在另一实例中，来自发射器的材料的氧化、升华或蒸发可归因于水分而发生。因此，耐火或电介质材料可在其它表面(包含内部表面、孔隙和阳极表面)上形成。
[0079]
在又一实例中，硼化物材料的氧化可毒侵硼化物材料。硼酸盐的形成可发生在发射器上或其中。
[0080]
为避免碳污染物、水分损害或氧化，控制围绕电子发射系统的真空环境。环境的操作压力可取决于操作模式。
[0081]
在使用前，可通过将超清洁超高真空环境加热到1600k达约30分钟而调节硼化物发射器以便从发射器表面移除任何氧化层。
[0082]
浮区技术可用于制备金属硼化物材料。金属硼化物材料可经塑形或使其大小减小。可使用各种方法制造金属硼化物发射器。可通过研磨或抛光单晶棒以形成锐化尖端而制造金属硼化物发射器。可通过电化学蚀刻单晶棒以形成锐化尖端而制造金属硼化物发射器。可通过将单晶棒暴露于反应环境中以选择性地移除材料以形成锐化尖端而制造金属硼化物发射器。可通过将单晶棒暴露于反应环境中以使用棒上的图案化侧壁涂层选择性地移除材料以促进形成锐化尖端而制造金属硼化物发射器。可通过生长单晶纳米颗粒或纳米线以用作为电子发射器而制造金属硼化物发射器。可通过将单晶纳米颗粒或纳米线附接到安装结构以用作为电子发射器而制造金属硼化物发射器。可通过电子束引发式沉积硼化物材料以形成小针而制造金属硼化物发射器。可通过氧气的高压中的热辅助式升华而制造金属硼化物发射器。可通过离子轰击制造金属硼化物发射器。也可执行这些各种制造技术的组
合。
[0083]
在例子中，使用沉积制造金属硼化物发射器。金属硼化物(例如lab6)可在特定条件下形成纤细、长纵横比的针。在实例中，少量污染材料(例如过渡金属)经沉积到更大晶种表面上。加热晶种和金属污染物使材料表面迁移。金属污染物催化硼化物材料生长成附接到大晶种的经定向单晶。晶种可充当固持器。
[0084]
在另一实例中，可执行从气体环境产生小针。支撑结构可为碳纳米管，其包含过渡金属。使用金属有机物化学气相沉积(mocvd)或其它工艺来产生这些结构。
[0085]
本发明的实施例可用于光罩和晶片检测和计量系统中。系统可经配置以提供所需真空环境规格。这些系统的实例包含：使用单个或多个电子源的电子束晶片或光罩检测系统；使用单个或多个电子源的电子束晶片或光罩复检系统；使用单个或多个电子源的电子束晶片或光罩计量系统；或对于使用单个或多个电子束产生x射线需要至少一个电子源以用于晶片或光罩计量、复检或检测的系统。来自发射器的电子流可经指向样本，例如半导体晶片或其它工件。电子流可行进通过提取电极和聚焦电极，以形成具有所需束能量和束电流的电子束。一或多个透镜可用于在样本上产生小电子束点。偏转仪可用于扫描电子束。样本可经放置在载台上，其能够相对于电子束扫描。当电子束撞击在样本上时，二次电子和反向散射电子可从样本发射，所述电子可经收集且加速朝向检测器。
[0086]
尽管已相对于一或多个特定实施例描述本发明，但将理解，可在不脱离本发明的范围的情况下做出本发明的其它实施例。因此，本发明视为仅受所附权利要求书和其合理解释限制。