一种TiN薄膜、制备方法及其作为红外隐身薄膜的应用与流程

技术特征：
1.一种tin薄膜，其特征在于，所述tin薄膜具有微纳米结构，所述tin薄膜具有[200]晶面。2.一种根据权利要求1所述的tin薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：通过高温真空热处理tin薄膜以使得tin薄膜的择优取向由[111]晶面变为[200]晶面。3.根据权利要求2所述的tin薄膜的制备方法，其特征在于，所述高温真空热处理的所需温度为200～800℃，所需保温时间为0.5～1.5h。4.根据权利要求2所述的tin薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：s1将基底进行超声清洗得到清洗后的基底，再将清洗后的基底进行烘干得到烘干后的基底；s2将烘干后的基底放入磁溅射室内，对磁溅射室内进行二步法真空抽取；s3当磁溅射室内真空气压达到≥5.0
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pa后，通入氩气调节预溅射气压，对靶材进行预溅射以能够除去靶材表面附着的污染物；s4当对靶材进行预溅射结束后，同时通入氩气和氮气，将溅射室内的气压调至所需的工作气压，进行溅射镀膜得到具有[111]晶面的tin薄膜；s5对具有[111]晶面的tin薄膜进行高温真空热处理后，再自然冷却至室温得到具有[200]晶面的tin薄膜。5.根据权利要求4述的tin薄膜的制备方法，其特征在于，步骤s1将基底依次放置于去离子水、丙酮、无水乙醇和去离子水中进行超声清洗，进行超声清洗时间为10～20min。6.根据权利要求4所述的tin薄膜的制备方法，其特征在于，步骤s3中通入氩气流量为80～120sccm，调节预溅射气压为0.2～0.8pa,对靶材进行预溅射功率为100～140w，对靶材进行预溅射时间为10～20min。7.根据权利要求4所述的tin薄膜的制备方法，其特征在于，步骤s4中通入氩气的流量为80～120sccm，通入氮气流量为10～30sccm，在进行溅射镀膜过程中，基底不加热，进行溅射镀膜的功率为100～140w，进行溅射镀膜的气压为0.2～0.8pa，进行溅射镀膜的时间为50～70min。8.根据权利要求4所述的tin薄膜的制备方法，其特征在于，步骤s5先将tin薄膜放入真空热处理器后，抽真空使得真空热处理器内的真空度气压达到1
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pa。9.根据权利要求8所述的tin薄膜的制备方法，其特征在于，步骤s5当真空热处理器内的真空度气压达到1
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pa，再以2～5℃/min升温速率升高真空热处理器内的加热温度以能够达到对tin薄膜进行真空热处理时所需的温度。10.一种如权利要求1所述tin薄膜作为红外隐身薄膜的应用，将所述tin薄膜涂覆于航天器表面上。

技术总结
本发明提供一种Ti N薄膜、制备方法及其作为红外隐身薄膜的应用，所述Ti N薄膜具有微纳米结构，所述Ti N薄膜具有[200]晶面；其制备工艺简单，不仅能够提高Ti N薄膜的耐熔、耐磨和耐腐蚀性能，而且能够有效降低了T i N薄膜的红外发射率，使得T i N薄膜的红外隐身性能得到有效提高。到有效提高。到有效提高。


技术研发人员：崔雄华 张磊 杨哲一 崔锦文 王弘喆
受保护的技术使用者：西安热工研究院有限公司
技术研发日：2022.04.08
技术公布日：2022/7/29