1.本发明实施例涉及一种半导体制造技术，尤其涉及一种形成封装结构的设备以及方法。
背景技术：
：：2.三维集成电路(threedimensionalintegratedcircuit，3dic)技术是一种ic制造和系统整合(integration)的新兴方案，将混合技术结合，可实现小尺寸、高性能和低功耗的高密度整合。此外，3dic对于摩尔定律的极限是一种有希望的解决方案。垂直互连(interconnection)通常采用3d整合结构、芯片到芯片(chiptochip，c2c)接合、芯片到晶片(chiptowafer，c2w)接合、晶片到晶片(wafertowafer，w2w)接合、封装到基板接合等。尽管用于这种接合(bonding)的现有加工设备通常已经足以满足它们的预期目的，但仍不是在所有方面都完成令人满意的。技术实现要素：3.本公开一些实施例提供一种形成封装结构的设备，包括加工腔室、接合头、喷嘴以及吸盘座。加工腔室是用于接合第一封装部件及第二封装部件。接合头设置于加工腔室中，其中接合头包括与多个真空装置连通的多个真空管。喷嘴连接至接合头且配置以固持第二封装部件，其中喷嘴包括与真空管重叠的多个第一孔，喷嘴包括偏离第一孔的多个第二孔，并且第二孔与第二封装部件的至少两边缘重叠。吸盘座设置于加工腔室中且配置以固持和加热第一封装部件。4.本公开一些实施例提供一种形成封装结构的设备，包括加工腔室、接合头、喷嘴以及吸盘座。加工腔室是用于接合第一封装部件及第二封装部件。接合头设置于加工腔室中，其中接合头包括第一真空管以及第二针空管，第一真空管与第一真空装置连通，第二真空管与第二真空装置连通，并且第一真空装置和第二真空装置独立运作。喷嘴连接至接合头且配置以固持第二封装部件，其中喷嘴包括与第一真空管和第二真空管重叠的多个第一孔。吸盘座设置于加工腔室中且配置以固持和加热第一封装部件。5.本公开一些实施例提供一种形成封装结构的方法。所述方法包括将第一封装部件传送到加工腔室中。所述方法还包括将第一封装部件定位在吸盘座上。所述方法也包括使用吸盘座对第一封装部件进行加热。所述方法还包括用接合头固持第二封装部件，其中接合头通过多个真空管与多个真空装置连通，并且真空装置各自独立运作。此外，所述方法包括在加工腔室中接合第一封装部件与第二封装部件以形成封装结构。附图说明6.图1示出根据一些实施例的加工设备的示意图。7.图2示出根据一些实施例的接合头和喷嘴的剖面图。8.图3示出根据一些实施例的接合头的平面图。9.图4示出根据一些实施例的喷嘴的平面图。10.图5至图8示出根据一些实施例的形成封装结构的方法的中间步骤的剖面图。11.图9示出根据一些实施例的顶针的剖面图。12.图10示出根据一些实施例的吸盘座的剖面图。13.图11示出根据一些实施例的封装结构的剖面图。14.附图标记如下：15.10:加工设备16.20:第一封装部件17.22:助焊剂18.24:电连接器19.26:装置20.30:第二接合部件21.31:芯片元件22.32:装置23.33:模制材料24.34:电连接器25.50:封装结构26.100:加工腔室27.105:部件储存模块28.107:载具29.110:部件进料模块30.120:部件转移模块31.130:接合头32.132:真空管33.132a:第一真空管34.132b:第二真空管35.134:界面36.140:喷嘴37.142:第一孔38.143:沟槽39.144:第二孔40.146:下表面41.150:吸盘座42.151:顶表面43.152:顶针44.153:基部45.154:顶部46.155:开口47.158:温度控制元件48.160:加热模块49.170:冷却模块50.a:长度51.b:宽度52.h:高度53.w:宽度具体实施方式54.以下的公开内容提供许多不同的实施例或范例以实施本案的不同特征。以下描述具体的构件及其排列方式的实施例以阐述本公开。当然，这些实施例仅作为范例，而不该以此限定本公开的范围。例如，在说明书中叙述了一第一特征形成于一第二特征之上或上方，其可能包含第一特征与第二特征是直接接触的实施例，亦可能包含了有附加特征形成于第一特征与第二特征之间，而使得第一特征与第二特征可能未直接接触的实施例。另外，在本公开不同范例中可能使用重复的参考符号及/或标记，此重复为了简化与清晰的目的，并非用以限定所讨论的各个实施例及/或结构之间有特定的关系。55.以下描述了实施例的一些变化。在各种视图和说明性实施例中，相同的参考符号用于表示相同的元件。应理解的是，可以在所述方法之前、期间和之后提供额外的操作，并且对于所述方法的其他实施例，可以替换或消除所描述的一些操作。56.本公开提供了加工设备的实施例。加工设备包括具有多个真空管的接合头(bondinghead)，真空管连通不同的真空。如此一来，可更稳定地固持封装部件，并提高加工设备的产量。此外，加工设备还包括设置于吸盘座(chucktable)中的多个活动顶针(movablepins)。顶针是配置以接收封装部件并使其远离加热的吸盘座，从而保护封装部件上的助焊剂。另外，加工设备包括设置于吸盘座中的温度控制元件。温度控制元件可以足够快地控制吸盘座的温度，以保护封装部件上的助焊剂。57.图1示出根据一些实施例的加工设备10的示意图。在一些实施例中，加工设备10是配置以形成封装结构，例如进行接合工艺(bondingprocess)以接合第一封装部件20和第二接合部件30(如图8中所示)。在一些实施例中，加工设备10可用于芯片到晶片(c2w)接合工艺。在接合工艺中，第一封装部件20(例如，装置晶片或中介层晶片)的接合表面处的电连接器接合到第二封装部件30(例如，半导体芯片)的接合表面处的电连接器。58.在一些实施例中，加工设备10包括加工腔室100、部件进料(feeding)模块110以及部件转移模块120。加工腔室100是配置以在其中进行接合工艺。部件进料模块110是配置以供应及/或储存第二封装部件30，而部件转移模块120是配置以将第二封装部件30从部件进料模块110转移至加工腔室100。举例来说，在一些实施例中，部件转移模块120是机械手臂或任何其他合适的转移装置，其可以沿着水平、垂直及/或旋转方向中的任一者平稳地移动，以便在部件进料模块110与加工腔室100之间转移第二封装部件30。59.在一些实施例中，加工设备10还包括接合头130以及连接到接合头130的喷嘴140。在一些实施例中，接合头130与喷嘴140是配置以从部件转移模块120接收第二封装部件30。接合头130与喷嘴140的详细结构将在以下描述中说明。在一些实施例中，接合头130与喷嘴140可引入真空压力，以将第二封装部件30固持于其上。类似地，接合头130与喷嘴140可以沿着水平、垂直及/或旋转方向中的任一者平稳地移动，以便在加工腔室100中固持和移动第二封装部件30。60.在一些实施例中，加工设备10还包括设置在加工腔室100中的加热模块160。加热模块160是配置以在第二封装部件30的转移期间加热第二封装部件30。在一些实施例中，在第二封装部件30传送至加工腔室100中之后，加热模块160对第二封装部件30进行加热。在一些实施例中，加热模块160朝向第二封装部件30发射辐射。在一些实施例中，加热模块160是红外线(infrared，ir)灯模块，并且发射波长在约760nm至约1mm范围内的红外线。在进行接合工艺之前，加热模块160将第二封装部件30从室温加热到约250℃的温度。由此，第二封装部件30的温度可更快速地达到目标温度(例如，约250℃)，从而增加加工设备10的产量。在一些实施例中，加热模块160具有对应于单个第二封装部件30的表面积的加热面积。举例来说，加热模块160的加热面积不大于70x70mm2。由此，提高了加热模块160的加热效率，并将加热模块160的能量消耗控制在可接受的程度。61.加工设备10还包括连接至加热模块160的冷却模块170，用于控制加热模块160的温度，以便进一步控制第二封装部件30的温度。在一些实施例中，冷却模块170包括在冷却模块170内部循环的冷却剂(未显示)，并且冷却剂的流速在每分钟0至4升(literperminute，lpm)的范围内。在一些实施例中，冷却剂为任何适用于200℃以下的温度的冷却剂。举例来说，冷却剂可以包括蒸馏水。在一些实施例中，冷却剂的ph值在约6至约7的范围内。冷却模块170的布置有助于降低加热模块160过热而损坏第二封装部件30的可能性。62.在一些实施例中，加工设备10还包括多个部件储存模块105以及多个吸盘座150。部件储存模块105是配置以供应及/或储存第一封装部件20。在一些实施例中，加工设备10还包括载具(例如，图5中所示的载具107)，用以将第一封装部件20从部件储存模块105转移到吸盘座150。吸盘座150是配置以固持第一封装部件20，以用于后续的接合工艺。在一些实施例中，吸盘座150与固持于其中的第一封装部件20被传送到加工腔室100中，以用于后续的接合工艺。虽然在本实施例中示出了多个部件储存模块105和吸盘座150，但是部件储存模块105与吸盘座150的数量不限于此，并可由本领域技术人员进行调整。在一些实施例中，吸盘座150由绝缘材料(例如，陶瓷材料或玻璃材料)制成，以便避免不必要的感应功率的吸收。63.图2示出根据一些实施例的接合头130和喷嘴140的剖面图。在一些实施例中，接合头130包括多个真空管132。真空管132还包括一第一真空管132a和多个第二真空管132b。在一些实施例中，第一真空管132a与真空装置(未显示)连通，该真空装置是固有地设置于接合头130中。第二真空管132b各自与外部真空装置(未显示)连通，该外部真空装置不同于设置于接合头130中的真空装置。应注意的是，上述所有的真空装置都可以相互独立运作。举例来说，真空装置供应的真空压力可以不同。在一些实施例中，真空装置的真空压力在0至约-95kpa的范围内，以便提供足够的力来固持第二封装部件30。由于额外的真空装置与接合头130连通，因此可以更快速且牢固地传送第二封装部件30。因此，加工设备10的产量增加，并且第二封装部件30的平坦度也得到改善。64.在一些实施例中，喷嘴140连接至接合头130，并且在喷嘴140与接合头130之间形成界面134。喷嘴140是配置以在喷嘴140的下表面146上接触并固持第二封装部件30。喷嘴140的下表面146与界面134相对。在一些实施例中，喷嘴140具有形成在界面134上的多个第一孔142，以及形成在喷嘴140的下表面146上的多个第二孔144。第一孔142与真空管132重叠，因此接合头130与喷嘴140连通。在一些实施例中，第二孔144偏离第一孔142。更具体而言，第二孔144偏离第二真空管132b下方的第一孔142，并与第二真空管132b下方的第一孔142连通。沟槽143被形成以连通未对准的第一孔142和第二孔144。在一些实施例中，沟槽143沿着界面134延伸并从界面134暴露，如图2中所示。在一些实施例中，沟槽143嵌入喷嘴140中。在一些实施例中，沟槽143的维度(例如，深度或宽度)在约0.1mm至约5mm的范围内。沟槽143的深度或宽度是在z方向或y方向上测量的。沟槽143是设计成连通第一孔142与第二孔144，使得第二孔144中也存在真空压力，用以固持第二封装部件30。如果沟槽143的维度太大，则固持第二封装部件30的真空压力将不足。另一方面，若沟槽143的维度太小，则第一孔142与第二孔144之间的连接将被阻碍。65.图3示出根据一些实施例的接合头130的平面图。所显示的平面图是从界面134来观看的，界面134大致平行于x-y平面。在一些实施例中，接合头130具有在长度方向(例如，x方向)上的长度a以及在宽度方向(例如，y方向)上的宽度b。由于接合头130包括多个真空管132(包括第一真空管132a和第二真空管132b)，所以长度a必须足够长以容纳所述真空管132。在一些实施例中，长度a大于宽度b(其大致等于约75mm)，因此接合头130的表面积大于75x75mm2。在一些实施例中，第一真空管132a位于两相邻的第二真空管132b之间距离的一半处。由此，固持第二封装部件30的力是更加均匀且可控的。在一些实施例中，第一真空管132a与相邻的其中一个第二真空管132b之间的距离不同于第一真空管132a与相邻的另一个第二真空管132b之间的距离。66.图4示出根据一些实施例的喷嘴140的平面图。所显示的平面图是从界面134来观看的，界面134大致平行于x-y平面。在一些实施例中，喷嘴140具有与第二封装部件30的边缘对齐的多个第二孔144，因此第二孔144呈直线排列(例如，大致平行于y方向)。在一些实施例中，第二孔144的数量大于第一孔142的数量。值得注意的是，第二封装部件30是位于与界面134相对的下表面146(显示于图2)上，因此第二封装部件30以虚线示出。67.在一些实施例中，单个沟槽143形成在相应的第一孔142与第二孔144之间。由此，一个第一孔142通过不同的沟槽143与多个第二孔144连通。因此，第二孔144中也存在真空压力。在一些实施例中，多个第二孔144仅通过一个沟槽143与第一孔142连通。由于第二孔144与第二封装部件30的边缘对齐，因此第二封装部件30的边缘也由接合头130和喷嘴140牢固地固持。如此一来，可以更快速地固持第二封装部件30，从而增加加工设备10的产量。通过使用所公开的接合头130和喷嘴140，可以更有效地固持具有一定面积的第二封装部件30。在一些实施例中，第二封装部件30的面积不小于30x40mm2。响应于上述第二封装部件30的尺寸，第一封装部件20的面积不小于60x60mm2。第一封装部件20与第二封装部件30的面积可以在大致平行于x-y平面的平面中测量。然而，本公开不限于上述维度。68.图5至图8示出根据一些实施例的形成封装结构的方法的中间步骤的剖面图。如图5中所示，第一封装部件20由载具107固持和定位。载具107是配置以将第一封装部件20从部件储存模块105转移到吸盘座150。在一些实施例中，第一封装部件20包括多个电连接器24，并且助焊剂22形成于电连接器24上，用于接合到第二封装部件30(显示于图8)。在一些实施例中，吸盘座150具有顶表面151，并包括用于固持第一封装部件20的多个顶针(pins)152。在一些实施例中，吸盘座150被加热至约250℃以进行接合工艺。在一些实施例中，吸盘座150在从室温至约250℃的范围内。69.接下来，如图6中所示，顶针152相对于吸盘座150向上移动以接收第一封装部件20。在一些实施例中，顶针152的数量不少于三个。如此一来，第一封装部件20由顶针152稳定地固持。值得注意的是，吸盘座150的温度是相对高的(例如，约250℃)，而助焊剂22易受热影响。顶针152的移动有助于保持第一封装部件20远离加热的吸盘座150的顶表面151，因此降低了助焊剂22由于吸盘座150的高温而劣化的可能性。在一些实施例中，顶针152大致沿着垂直方向(即，z方向)向上移动。然而，顶针152也可以在任何方向上移动，只要顶针152能够将第一封装部件20固持在加热的吸盘座150的顶表面151上方即可。70.如图7中所示，顶针152相对于吸盘座150向下移动以将第一封装部件20放置在吸盘座150的顶表面151上。类似地，顶针152大致沿着垂直方向(即，z方向)向下移动。然而，顶针152也可以在任何方向上移动，只要顶针152能够将第一封装部件20直接放置在吸盘座150的顶表面151上。此时，顶针152的表面与吸盘座150的顶表面151大致齐平，并且顶针152容纳在吸盘座150中。由此，减少了第一封装部件20停留在吸盘座150的顶表面151上的时间。因此，助焊剂22可以尽可能避免热损坏。此外，顶针152的布置允许吸盘座150维持在接合工艺的目标温度而无需冷却。由于不需要重新加热吸盘座150，因此也可以减少接合工艺的时间。71.如图8中所示，接合头130与喷嘴140将第二封装部件30固持并定位在吸盘座150上方。在一些实施例中，第二封装部件30与第一封装部件20对准。也就是说，第二封装部件30落在第一封装部件20的范围内。在一些实施例中，第二封装部件30垂直地重叠第一封装部件20的顶表面。72.在一些实施例中，当第二封装部件30位于吸盘座150之上时，顶针152向下移动。如此一来，减少了整体加工时间，并增加了加工设备10的产量。在一些实施例中，在第二封装部件30位于吸盘座150之上之后，顶针152向下移动。由此，第一封装部件20在相对高温的吸盘座150上停留的时间可以减少，从而尽可能保护第一封装部件20上的助焊剂22免受热损坏。然后，对第一封装部件20和第二封装部件30进行接合工艺，以形成封装结构50，其将配合图11做进一步说明。73.在一些实施例中，接合头130将第二封装部件30压向第一封装部件20。第二封装部件30与第一封装部件20可以在接合工艺的目标温度(例如，约250℃)下通过电连接器(例如，图11中所示的电连接器24和电连接器34)接合在一起。在完成接合工艺之后，接合头130(和喷嘴140)从封装结构50移开，将封装结构50留在吸盘座150上。然后，封装结构50可被传送至另一加工设备以进行后续处理。接合头130可以移动以接收另一第二封装部件30并重复上述接合工艺，以下不再进一步说明。74.图9示出根据一些实施例的顶针152的剖面图。在一些实施例中，顶针152包括基部153和在基部153上方的顶部154。顶部154连接于基部153且较基部153宽，用于固持第一封装部件20。由此，在剖面图中观察时，顶针152具有t形。在一些实施例中，基部153的高度大于顶部154的高度。然而，本公开不以此为限。75.开口155形成在顶针152中，并穿透基部153和顶部154。在一些实施例中，开口155与真空装置(未显示)连通。由此，开口155中存在真空压力，并且第一封装部件20稳定地固持在顶针152上。在一些实施例中，顶部154具有宽度w，宽度w是在大致平行于x-y平面的方向上测量的。在一些实施例中，宽度w不小于约2mm，以便将第一封装部件20稳定地固持在顶针152上。如此一来，降低了第一封装部件20从顶针152落下的可能性，从而增加加工设备10的产量。在一些实施例中，顶针152具有高度h，高度h是在大致垂直于x-y平面的方向上测量的。在一些实施例中，高度h不小于约15mm，以便在不进行接合工艺时有效地使第一封装部件20远离加热的吸盘座150。值得注意的是，虽然未显示，但顶针152的俯视形状可以是圆形、矩形或任何其他合适的形状，并且本领域技术人员可以对顶针152进行任意的布置(例如，形状或位置)，只要能稳定地固持第一封装部件20即可。下面将不再进一步说明顶针152的布置的细节。76.图10示出根据一些实施例的吸盘座150的剖面图。在一些实施例中，吸盘座150包括温度控制元件158，其是配置以控制吸盘座150的温度。举例来说，温度控制元件158是热电芯片或任何其他合适的装置。在一些实施例中，温度控制元件158能够快速地控制吸盘座150的温度。如此一来，在进行接合工艺之前，当第一封装部件20放置于吸盘座150上时，温度控制元件158将吸盘座150保持在相对较低的温度(即，低于250℃，例如约200℃)。此降低了第一封装部件20上的助焊剂22由于吸盘座150的高温而劣化的可能性。当进行接合工艺时，吸盘座150由温度控制元件158加热至相对较高的温度(例如，约250℃)，以用于接合第二封装部件30。由此，接合工艺的能量消耗得到精确控制，并且工艺成本可以降低。在一些实施例中，温度控制元件158的宽度与第一封装部件20的宽度大致相同。然而，本公开不以此为限。在一些实施例中，温度控制元件158的宽度与第一封装部件20的宽度不同。77.图11示出根据一些实施例的封装结构50的剖面图。在一些实施例中，封装结构50通过接合第二封装部件30和第一封装部件20而形成。在一些实施例中，封装结构50的单位翘曲不大于约50μm。在一些实施例中，封装结构50的单位厚度不大于约500μm。在一些实施例中，封装结构50可由半导体材料形成，例如硅、硅锗、碳化硅、砷化镓或其他常用的半导体材料。在一些实施例中，第一封装部件20是装置晶片，并包括至少一装置26，例如图11中所示的两个装置26。装置26包括无源装置(例如，电阻器、电容器及电感器)或有源装置(例如，晶体管及二极管)。78.在一些实施例中，第一封装部件20具有多个裸片区域(未单独显示)，其可以从装置晶片中分割以形成分别类似于下面描述的第二封装部件30的半导体芯片。在这些实施例中，第一封装部件20的尺寸远大于第二封装部件30的尺寸。在一些实施例中，裸片区域可以在装置晶片中保持未分割(unsingulated)。在这些实施例中，第一封装部件20的尺寸大致对应于第二封装部件30的尺寸。79.在一些实施例中，第一封装部件20由介电材料形成，例如玻璃、氧化铝、氮化铝等或其组合。第一封装部件20中没有无源装置(例如，电阻器、电容器及电感器)或有源装置(例如，晶体管及二极管)。在一些实施例中，第一封装部件20是中介层晶片。换句话说，第二封装部件30可以接合到中介层晶片，而不是如上所述接合到装置晶片。中介层晶片是夹在最终封装结构(其可以是基板上晶片上芯片(chip-on-wafer-on-substrate，cowos)结构)中的封装部件(例如，如上所述的半导体芯片和一封装基板(未显示))之间，并配置以互连这些垂直地分离的封装部件。在这些实施例中，中介层晶片还具有电连接到形成于中介层晶片中的互连结构及/或贯穿基板通孔(均未显示)的电连接器24。此外，中介层晶片可以不具有如上所述的裸片区域。80.在一些实施例中，第二封装部件30是半导体芯片。举例来说，半导体芯片可以是逻辑芯片、存储器芯片、感测器芯片、数字芯片、模拟芯片、无线和射频芯片、电压调节器芯片、特定应用集成芯片(application-specificintegratedchip，asic)或任何其他类型的半导体芯片。在一些实施例中，第二封装部件30包括芯片元件31、至少一装置32、模制材料(moldingmaterial)33及多个电连接器34。芯片元件31的材料包括硅或任何其他合适的材料。装置32包括无源装置(例如，电阻器、电容器及电感器)或有源装置(例如，晶体管及二极管)。在一些实施例中，装置32彼此不同并具有不同的功能。81.在一些实施例中，模制材料33连接芯片元件31与装置32。模制材料33包括聚合物材料或其他合适的绝缘材料。电连接器34可以通过例如贯穿基板通孔(throughsubstratevias，tsvs)和互连结构(均未显示)电连接到装置32。电连接器34的材料可以包括cu、al、ti、ni、sn等或其组合，并且电连接器34的形成方法可以包括物理气相沉积(physicalvapordeposition，pvd)工艺、镀覆工艺(例如，电镀工艺或化学镀工艺)或其组合。82.本公开提供了加工设备的实施例。加工设备包括具有多个真空管的接合头，真空管连通不同的真空。如此一来，可更稳定地固持封装部件，并提高加工设备的产量。此外，加工设备还包括设置于吸盘座中的多个活动顶针。顶针是配置以接收封装部件并使其远离加热的吸盘座，从而保护封装部件上的助焊剂。另外，加工设备包括设置于吸盘座中的温度控制元件。温度控制元件可以足够快地控制吸盘座的温度，以保护封装部件上的助焊剂。此外，加工设备包括加热模块，以在进行接合工艺之前加热加工腔室中的封装部件，从而减少接合工艺的时间并提高加工设备的产量。83.根据本公开一些实施例，提供一种形成封装结构的设备，包括加工腔室、接合头、喷嘴以及吸盘座。加工腔室是用于接合第一封装部件及第二封装部件。接合头设置于加工腔室中，其中接合头包括与多个真空装置连通的多个真空管。喷嘴连接至接合头且配置以固持第二封装部件，其中喷嘴包括与真空管重叠的多个第一孔，喷嘴包括偏离第一孔的多个第二孔，并且第二孔与第二封装部件的至少两边缘重叠。吸盘座设置于加工腔室中且配置以固持和加热第一封装部件。84.在一些实施例中，吸盘座包括配置以固持第一封装部件的多个顶针，并且顶针可在吸盘座的顶表面上方移动。在一些实施例中，所述设备还包括加热模块，设置于加工腔室中且配置以加热第二封装部件，其中在第二封装部件定位在吸盘座上方之前，加热模块对第二封装部件进行加热。在一些实施例中，所述设备还包括冷却模块，连接至加热模块且配置以控制加热模块的温度。在一些实施例中，加热模块发射红外线辐射以加热第二封装部件，并且红外线辐射的波长在760nm至1mm的范围内。在一些实施例中，吸盘座包括温度控制元件，配置以控制吸盘座的温度。在一些实施例中，每个第二孔通过沟槽与其中一个第一孔连通。85.根据本公开另一些实施例，提供一种形成封装结构的设备，包括加工腔室、接合头、喷嘴以及吸盘座。加工腔室是用于接合第一封装部件及第二封装部件。接合头设置于加工腔室中，其中接合头包括第一真空管以及第二针空管，第一真空管与第一真空装置连通，第二真空管与第二真空装置连通，并且第一真空装置和第二真空装置独立运作。喷嘴连接至接合头且配置以固持第二封装部件，其中喷嘴包括与第一真空管和第二真空管重叠的多个第一孔。吸盘座设置于加工腔室中且配置以固持和加热第一封装部件。86.在一些实施例中，喷嘴包括通过多个沟槽与第一孔连通的多个第二孔，并且第二孔与第二封装部件的至少两边缘重叠。在一些实施例中，沟槽沿着接合头与喷嘴之间的界面延伸。在一些实施例中，所述设备还包括加热模块以及冷却模块，加热模块设置于加工腔室中且配置以加热第二封装部件，其中在第二封装部件定位在吸盘座上方之前，加热模块对第二封装部件进行加热，冷却模块连接至加热模块且配置以控制加热模块的温度。在一些实施例中，吸盘座包括多个顶针，配置以在吸盘座的顶表面上方固持第一封装部件，并且顶针是可移动的。在一些实施例中，每个顶针具有与真空装置连通的开口。在一些实施例中，吸盘座包括温度控制元件，配置以控制吸盘座的温度。87.根据本公开又另一些实施例，提供一种形成封装结构的方法。所述方法包括将第一封装部件传送到加工腔室中。所述方法还包括将第一封装部件定位在吸盘座上。所述方法也包括使用吸盘座对第一封装部件进行加热。所述方法还包括用接合头固持第二封装部件，其中接合头通过多个真空管与多个真空装置连通，并且真空装置各自独立运作。此外，所述方法包括在加工腔室中接合第一封装部件与第二封装部件以形成封装结构。88.在一些实施例中，所述方法还包括在接合第一封装部件与第二封装部件之前，在加工腔室中用加热模块预加热第二封装部件。在一些实施例中，所述方法还包括用连接至加热模块的冷却模块控制加热模块的温度。在一些实施例中，将第一封装部件定位在吸盘座上包括用多个顶针在吸盘座的顶表面上方固持第一封装部件。在一些实施例中，所述方法还包括在第一封装部件的加热期间，用温度控制元件控制吸盘座的温度。在一些实施例中，所述方法还包括使用连接至接合头的喷嘴固持第二封装部件，其中喷嘴包括与真空管重叠的多个第一孔，且喷嘴还包括偏离第一孔的多个第二孔，其中第二孔与第二封装部件的至少两边缘重叠。89.前述内文概述了许多实施例的特征，使本
技术领域：
：中技术人员可以从各个方面更佳地了解本公开。本
技术领域：
：中技术人员应可理解，且可轻易地以本公开为基础来设计或修饰其他工艺及结构，并以此达到相同的目的及/或达到与在此介绍的实施例等相同的优点。本
技术领域：
：中技术人员也应了解这些相等的结构并未背离本公开的发明精神与范围。在不背离本公开的发明精神与范围的前提下，可对本公开进行各种改变、置换或修改。当前第1页12当前第1页12
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：：2.三维集成电路(threedimensionalintegratedcircuit，3dic)技术是一种ic制造和系统整合(integration)的新兴方案，将混合技术结合，可实现小尺寸、高性能和低功耗的高密度整合。此外，3dic对于摩尔定律的极限是一种有希望的解决方案。垂直互连(interconnection)通常采用3d整合结构、芯片到芯片(chiptochip，c2c)接合、芯片到晶片(chiptowafer，c2w)接合、晶片到晶片(wafertowafer，w2w)接合、封装到基板接合等。尽管用于这种接合(bonding)的现有加工设备通常已经足以满足它们的预期目的，但仍不是在所有方面都完成令人满意的。技术实现要素：3.本公开一些实施例提供一种形成封装结构的设备，包括加工腔室、接合头、喷嘴以及吸盘座。加工腔室是用于接合第一封装部件及第二封装部件。接合头设置于加工腔室中，其中接合头包括与多个真空装置连通的多个真空管。喷嘴连接至接合头且配置以固持第二封装部件，其中喷嘴包括与真空管重叠的多个第一孔，喷嘴包括偏离第一孔的多个第二孔，并且第二孔与第二封装部件的至少两边缘重叠。吸盘座设置于加工腔室中且配置以固持和加热第一封装部件。4.本公开一些实施例提供一种形成封装结构的设备，包括加工腔室、接合头、喷嘴以及吸盘座。加工腔室是用于接合第一封装部件及第二封装部件。接合头设置于加工腔室中，其中接合头包括第一真空管以及第二针空管，第一真空管与第一真空装置连通，第二真空管与第二真空装置连通，并且第一真空装置和第二真空装置独立运作。喷嘴连接至接合头且配置以固持第二封装部件，其中喷嘴包括与第一真空管和第二真空管重叠的多个第一孔。吸盘座设置于加工腔室中且配置以固持和加热第一封装部件。5.本公开一些实施例提供一种形成封装结构的方法。所述方法包括将第一封装部件传送到加工腔室中。所述方法还包括将第一封装部件定位在吸盘座上。所述方法也包括使用吸盘座对第一封装部件进行加热。所述方法还包括用接合头固持第二封装部件，其中接合头通过多个真空管与多个真空装置连通，并且真空装置各自独立运作。此外，所述方法包括在加工腔室中接合第一封装部件与第二封装部件以形成封装结构。附图说明6.图1示出根据一些实施例的加工设备的示意图。7.图2示出根据一些实施例的接合头和喷嘴的剖面图。8.图3示出根据一些实施例的接合头的平面图。9.图4示出根据一些实施例的喷嘴的平面图。10.图5至图8示出根据一些实施例的形成封装结构的方法的中间步骤的剖面图。11.图9示出根据一些实施例的顶针的剖面图。12.图10示出根据一些实施例的吸盘座的剖面图。13.图11示出根据一些实施例的封装结构的剖面图。14.附图标记如下：15.10:加工设备16.20:第一封装部件17.22:助焊剂18.24:电连接器19.26:装置20.30:第二接合部件21.31:芯片元件22.32:装置23.33:模制材料24.34:电连接器25.50:封装结构26.100:加工腔室27.105:部件储存模块28.107:载具29.110:部件进料模块30.120:部件转移模块31.130:接合头32.132:真空管33.132a:第一真空管34.132b:第二真空管35.134:界面36.140:喷嘴37.142:第一孔38.143:沟槽39.144:第二孔40.146:下表面41.150:吸盘座42.151:顶表面43.152:顶针44.153:基部45.154:顶部46.155:开口47.158:温度控制元件48.160:加热模块49.170:冷却模块50.a:长度51.b:宽度52.h:高度53.w:宽度具体实施方式54.以下的公开内容提供许多不同的实施例或范例以实施本案的不同特征。以下描述具体的构件及其排列方式的实施例以阐述本公开。当然，这些实施例仅作为范例，而不该以此限定本公开的范围。例如，在说明书中叙述了一第一特征形成于一第二特征之上或上方，其可能包含第一特征与第二特征是直接接触的实施例，亦可能包含了有附加特征形成于第一特征与第二特征之间，而使得第一特征与第二特征可能未直接接触的实施例。另外，在本公开不同范例中可能使用重复的参考符号及/或标记，此重复为了简化与清晰的目的，并非用以限定所讨论的各个实施例及/或结构之间有特定的关系。55.以下描述了实施例的一些变化。在各种视图和说明性实施例中，相同的参考符号用于表示相同的元件。应理解的是，可以在所述方法之前、期间和之后提供额外的操作，并且对于所述方法的其他实施例，可以替换或消除所描述的一些操作。56.本公开提供了加工设备的实施例。加工设备包括具有多个真空管的接合头(bondinghead)，真空管连通不同的真空。如此一来，可更稳定地固持封装部件，并提高加工设备的产量。此外，加工设备还包括设置于吸盘座(chucktable)中的多个活动顶针(movablepins)。顶针是配置以接收封装部件并使其远离加热的吸盘座，从而保护封装部件上的助焊剂。另外，加工设备包括设置于吸盘座中的温度控制元件。温度控制元件可以足够快地控制吸盘座的温度，以保护封装部件上的助焊剂。57.图1示出根据一些实施例的加工设备10的示意图。在一些实施例中，加工设备10是配置以形成封装结构，例如进行接合工艺(bondingprocess)以接合第一封装部件20和第二接合部件30(如图8中所示)。在一些实施例中，加工设备10可用于芯片到晶片(c2w)接合工艺。在接合工艺中，第一封装部件20(例如，装置晶片或中介层晶片)的接合表面处的电连接器接合到第二封装部件30(例如，半导体芯片)的接合表面处的电连接器。58.在一些实施例中，加工设备10包括加工腔室100、部件进料(feeding)模块110以及部件转移模块120。加工腔室100是配置以在其中进行接合工艺。部件进料模块110是配置以供应及/或储存第二封装部件30，而部件转移模块120是配置以将第二封装部件30从部件进料模块110转移至加工腔室100。举例来说，在一些实施例中，部件转移模块120是机械手臂或任何其他合适的转移装置，其可以沿着水平、垂直及/或旋转方向中的任一者平稳地移动，以便在部件进料模块110与加工腔室100之间转移第二封装部件30。59.在一些实施例中，加工设备10还包括接合头130以及连接到接合头130的喷嘴140。在一些实施例中，接合头130与喷嘴140是配置以从部件转移模块120接收第二封装部件30。接合头130与喷嘴140的详细结构将在以下描述中说明。在一些实施例中，接合头130与喷嘴140可引入真空压力，以将第二封装部件30固持于其上。类似地，接合头130与喷嘴140可以沿着水平、垂直及/或旋转方向中的任一者平稳地移动，以便在加工腔室100中固持和移动第二封装部件30。60.在一些实施例中，加工设备10还包括设置在加工腔室100中的加热模块160。加热模块160是配置以在第二封装部件30的转移期间加热第二封装部件30。在一些实施例中，在第二封装部件30传送至加工腔室100中之后，加热模块160对第二封装部件30进行加热。在一些实施例中，加热模块160朝向第二封装部件30发射辐射。在一些实施例中，加热模块160是红外线(infrared，ir)灯模块，并且发射波长在约760nm至约1mm范围内的红外线。在进行接合工艺之前，加热模块160将第二封装部件30从室温加热到约250℃的温度。由此，第二封装部件30的温度可更快速地达到目标温度(例如，约250℃)，从而增加加工设备10的产量。在一些实施例中，加热模块160具有对应于单个第二封装部件30的表面积的加热面积。举例来说，加热模块160的加热面积不大于70x70mm2。由此，提高了加热模块160的加热效率，并将加热模块160的能量消耗控制在可接受的程度。61.加工设备10还包括连接至加热模块160的冷却模块170，用于控制加热模块160的温度，以便进一步控制第二封装部件30的温度。在一些实施例中，冷却模块170包括在冷却模块170内部循环的冷却剂(未显示)，并且冷却剂的流速在每分钟0至4升(literperminute，lpm)的范围内。在一些实施例中，冷却剂为任何适用于200℃以下的温度的冷却剂。举例来说，冷却剂可以包括蒸馏水。在一些实施例中，冷却剂的ph值在约6至约7的范围内。冷却模块170的布置有助于降低加热模块160过热而损坏第二封装部件30的可能性。62.在一些实施例中，加工设备10还包括多个部件储存模块105以及多个吸盘座150。部件储存模块105是配置以供应及/或储存第一封装部件20。在一些实施例中，加工设备10还包括载具(例如，图5中所示的载具107)，用以将第一封装部件20从部件储存模块105转移到吸盘座150。吸盘座150是配置以固持第一封装部件20，以用于后续的接合工艺。在一些实施例中，吸盘座150与固持于其中的第一封装部件20被传送到加工腔室100中，以用于后续的接合工艺。虽然在本实施例中示出了多个部件储存模块105和吸盘座150，但是部件储存模块105与吸盘座150的数量不限于此，并可由本领域技术人员进行调整。在一些实施例中，吸盘座150由绝缘材料(例如，陶瓷材料或玻璃材料)制成，以便避免不必要的感应功率的吸收。63.图2示出根据一些实施例的接合头130和喷嘴140的剖面图。在一些实施例中，接合头130包括多个真空管132。真空管132还包括一第一真空管132a和多个第二真空管132b。在一些实施例中，第一真空管132a与真空装置(未显示)连通，该真空装置是固有地设置于接合头130中。第二真空管132b各自与外部真空装置(未显示)连通，该外部真空装置不同于设置于接合头130中的真空装置。应注意的是，上述所有的真空装置都可以相互独立运作。举例来说，真空装置供应的真空压力可以不同。在一些实施例中，真空装置的真空压力在0至约-95kpa的范围内，以便提供足够的力来固持第二封装部件30。由于额外的真空装置与接合头130连通，因此可以更快速且牢固地传送第二封装部件30。因此，加工设备10的产量增加，并且第二封装部件30的平坦度也得到改善。64.在一些实施例中，喷嘴140连接至接合头130，并且在喷嘴140与接合头130之间形成界面134。喷嘴140是配置以在喷嘴140的下表面146上接触并固持第二封装部件30。喷嘴140的下表面146与界面134相对。在一些实施例中，喷嘴140具有形成在界面134上的多个第一孔142，以及形成在喷嘴140的下表面146上的多个第二孔144。第一孔142与真空管132重叠，因此接合头130与喷嘴140连通。在一些实施例中，第二孔144偏离第一孔142。更具体而言，第二孔144偏离第二真空管132b下方的第一孔142，并与第二真空管132b下方的第一孔142连通。沟槽143被形成以连通未对准的第一孔142和第二孔144。在一些实施例中，沟槽143沿着界面134延伸并从界面134暴露，如图2中所示。在一些实施例中，沟槽143嵌入喷嘴140中。在一些实施例中，沟槽143的维度(例如，深度或宽度)在约0.1mm至约5mm的范围内。沟槽143的深度或宽度是在z方向或y方向上测量的。沟槽143是设计成连通第一孔142与第二孔144，使得第二孔144中也存在真空压力，用以固持第二封装部件30。如果沟槽143的维度太大，则固持第二封装部件30的真空压力将不足。另一方面，若沟槽143的维度太小，则第一孔142与第二孔144之间的连接将被阻碍。65.图3示出根据一些实施例的接合头130的平面图。所显示的平面图是从界面134来观看的，界面134大致平行于x-y平面。在一些实施例中，接合头130具有在长度方向(例如，x方向)上的长度a以及在宽度方向(例如，y方向)上的宽度b。由于接合头130包括多个真空管132(包括第一真空管132a和第二真空管132b)，所以长度a必须足够长以容纳所述真空管132。在一些实施例中，长度a大于宽度b(其大致等于约75mm)，因此接合头130的表面积大于75x75mm2。在一些实施例中，第一真空管132a位于两相邻的第二真空管132b之间距离的一半处。由此，固持第二封装部件30的力是更加均匀且可控的。在一些实施例中，第一真空管132a与相邻的其中一个第二真空管132b之间的距离不同于第一真空管132a与相邻的另一个第二真空管132b之间的距离。66.图4示出根据一些实施例的喷嘴140的平面图。所显示的平面图是从界面134来观看的，界面134大致平行于x-y平面。在一些实施例中，喷嘴140具有与第二封装部件30的边缘对齐的多个第二孔144，因此第二孔144呈直线排列(例如，大致平行于y方向)。在一些实施例中，第二孔144的数量大于第一孔142的数量。值得注意的是，第二封装部件30是位于与界面134相对的下表面146(显示于图2)上，因此第二封装部件30以虚线示出。67.在一些实施例中，单个沟槽143形成在相应的第一孔142与第二孔144之间。由此，一个第一孔142通过不同的沟槽143与多个第二孔144连通。因此，第二孔144中也存在真空压力。在一些实施例中，多个第二孔144仅通过一个沟槽143与第一孔142连通。由于第二孔144与第二封装部件30的边缘对齐，因此第二封装部件30的边缘也由接合头130和喷嘴140牢固地固持。如此一来，可以更快速地固持第二封装部件30，从而增加加工设备10的产量。通过使用所公开的接合头130和喷嘴140，可以更有效地固持具有一定面积的第二封装部件30。在一些实施例中，第二封装部件30的面积不小于30x40mm2。响应于上述第二封装部件30的尺寸，第一封装部件20的面积不小于60x60mm2。第一封装部件20与第二封装部件30的面积可以在大致平行于x-y平面的平面中测量。然而，本公开不限于上述维度。68.图5至图8示出根据一些实施例的形成封装结构的方法的中间步骤的剖面图。如图5中所示，第一封装部件20由载具107固持和定位。载具107是配置以将第一封装部件20从部件储存模块105转移到吸盘座150。在一些实施例中，第一封装部件20包括多个电连接器24，并且助焊剂22形成于电连接器24上，用于接合到第二封装部件30(显示于图8)。在一些实施例中，吸盘座150具有顶表面151，并包括用于固持第一封装部件20的多个顶针(pins)152。在一些实施例中，吸盘座150被加热至约250℃以进行接合工艺。在一些实施例中，吸盘座150在从室温至约250℃的范围内。69.接下来，如图6中所示，顶针152相对于吸盘座150向上移动以接收第一封装部件20。在一些实施例中，顶针152的数量不少于三个。如此一来，第一封装部件20由顶针152稳定地固持。值得注意的是，吸盘座150的温度是相对高的(例如，约250℃)，而助焊剂22易受热影响。顶针152的移动有助于保持第一封装部件20远离加热的吸盘座150的顶表面151，因此降低了助焊剂22由于吸盘座150的高温而劣化的可能性。在一些实施例中，顶针152大致沿着垂直方向(即，z方向)向上移动。然而，顶针152也可以在任何方向上移动，只要顶针152能够将第一封装部件20固持在加热的吸盘座150的顶表面151上方即可。70.如图7中所示，顶针152相对于吸盘座150向下移动以将第一封装部件20放置在吸盘座150的顶表面151上。类似地，顶针152大致沿着垂直方向(即，z方向)向下移动。然而，顶针152也可以在任何方向上移动，只要顶针152能够将第一封装部件20直接放置在吸盘座150的顶表面151上。此时，顶针152的表面与吸盘座150的顶表面151大致齐平，并且顶针152容纳在吸盘座150中。由此，减少了第一封装部件20停留在吸盘座150的顶表面151上的时间。因此，助焊剂22可以尽可能避免热损坏。此外，顶针152的布置允许吸盘座150维持在接合工艺的目标温度而无需冷却。由于不需要重新加热吸盘座150，因此也可以减少接合工艺的时间。71.如图8中所示，接合头130与喷嘴140将第二封装部件30固持并定位在吸盘座150上方。在一些实施例中，第二封装部件30与第一封装部件20对准。也就是说，第二封装部件30落在第一封装部件20的范围内。在一些实施例中，第二封装部件30垂直地重叠第一封装部件20的顶表面。72.在一些实施例中，当第二封装部件30位于吸盘座150之上时，顶针152向下移动。如此一来，减少了整体加工时间，并增加了加工设备10的产量。在一些实施例中，在第二封装部件30位于吸盘座150之上之后，顶针152向下移动。由此，第一封装部件20在相对高温的吸盘座150上停留的时间可以减少，从而尽可能保护第一封装部件20上的助焊剂22免受热损坏。然后，对第一封装部件20和第二封装部件30进行接合工艺，以形成封装结构50，其将配合图11做进一步说明。73.在一些实施例中，接合头130将第二封装部件30压向第一封装部件20。第二封装部件30与第一封装部件20可以在接合工艺的目标温度(例如，约250℃)下通过电连接器(例如，图11中所示的电连接器24和电连接器34)接合在一起。在完成接合工艺之后，接合头130(和喷嘴140)从封装结构50移开，将封装结构50留在吸盘座150上。然后，封装结构50可被传送至另一加工设备以进行后续处理。接合头130可以移动以接收另一第二封装部件30并重复上述接合工艺，以下不再进一步说明。74.图9示出根据一些实施例的顶针152的剖面图。在一些实施例中，顶针152包括基部153和在基部153上方的顶部154。顶部154连接于基部153且较基部153宽，用于固持第一封装部件20。由此，在剖面图中观察时，顶针152具有t形。在一些实施例中，基部153的高度大于顶部154的高度。然而，本公开不以此为限。75.开口155形成在顶针152中，并穿透基部153和顶部154。在一些实施例中，开口155与真空装置(未显示)连通。由此，开口155中存在真空压力，并且第一封装部件20稳定地固持在顶针152上。在一些实施例中，顶部154具有宽度w，宽度w是在大致平行于x-y平面的方向上测量的。在一些实施例中，宽度w不小于约2mm，以便将第一封装部件20稳定地固持在顶针152上。如此一来，降低了第一封装部件20从顶针152落下的可能性，从而增加加工设备10的产量。在一些实施例中，顶针152具有高度h，高度h是在大致垂直于x-y平面的方向上测量的。在一些实施例中，高度h不小于约15mm，以便在不进行接合工艺时有效地使第一封装部件20远离加热的吸盘座150。值得注意的是，虽然未显示，但顶针152的俯视形状可以是圆形、矩形或任何其他合适的形状，并且本领域技术人员可以对顶针152进行任意的布置(例如，形状或位置)，只要能稳定地固持第一封装部件20即可。下面将不再进一步说明顶针152的布置的细节。76.图10示出根据一些实施例的吸盘座150的剖面图。在一些实施例中，吸盘座150包括温度控制元件158，其是配置以控制吸盘座150的温度。举例来说，温度控制元件158是热电芯片或任何其他合适的装置。在一些实施例中，温度控制元件158能够快速地控制吸盘座150的温度。如此一来，在进行接合工艺之前，当第一封装部件20放置于吸盘座150上时，温度控制元件158将吸盘座150保持在相对较低的温度(即，低于250℃，例如约200℃)。此降低了第一封装部件20上的助焊剂22由于吸盘座150的高温而劣化的可能性。当进行接合工艺时，吸盘座150由温度控制元件158加热至相对较高的温度(例如，约250℃)，以用于接合第二封装部件30。由此，接合工艺的能量消耗得到精确控制，并且工艺成本可以降低。在一些实施例中，温度控制元件158的宽度与第一封装部件20的宽度大致相同。然而，本公开不以此为限。在一些实施例中，温度控制元件158的宽度与第一封装部件20的宽度不同。77.图11示出根据一些实施例的封装结构50的剖面图。在一些实施例中，封装结构50通过接合第二封装部件30和第一封装部件20而形成。在一些实施例中，封装结构50的单位翘曲不大于约50μm。在一些实施例中，封装结构50的单位厚度不大于约500μm。在一些实施例中，封装结构50可由半导体材料形成，例如硅、硅锗、碳化硅、砷化镓或其他常用的半导体材料。在一些实施例中，第一封装部件20是装置晶片，并包括至少一装置26，例如图11中所示的两个装置26。装置26包括无源装置(例如，电阻器、电容器及电感器)或有源装置(例如，晶体管及二极管)。78.在一些实施例中，第一封装部件20具有多个裸片区域(未单独显示)，其可以从装置晶片中分割以形成分别类似于下面描述的第二封装部件30的半导体芯片。在这些实施例中，第一封装部件20的尺寸远大于第二封装部件30的尺寸。在一些实施例中，裸片区域可以在装置晶片中保持未分割(unsingulated)。在这些实施例中，第一封装部件20的尺寸大致对应于第二封装部件30的尺寸。79.在一些实施例中，第一封装部件20由介电材料形成，例如玻璃、氧化铝、氮化铝等或其组合。第一封装部件20中没有无源装置(例如，电阻器、电容器及电感器)或有源装置(例如，晶体管及二极管)。在一些实施例中，第一封装部件20是中介层晶片。换句话说，第二封装部件30可以接合到中介层晶片，而不是如上所述接合到装置晶片。中介层晶片是夹在最终封装结构(其可以是基板上晶片上芯片(chip-on-wafer-on-substrate，cowos)结构)中的封装部件(例如，如上所述的半导体芯片和一封装基板(未显示))之间，并配置以互连这些垂直地分离的封装部件。在这些实施例中，中介层晶片还具有电连接到形成于中介层晶片中的互连结构及/或贯穿基板通孔(均未显示)的电连接器24。此外，中介层晶片可以不具有如上所述的裸片区域。80.在一些实施例中，第二封装部件30是半导体芯片。举例来说，半导体芯片可以是逻辑芯片、存储器芯片、感测器芯片、数字芯片、模拟芯片、无线和射频芯片、电压调节器芯片、特定应用集成芯片(application-specificintegratedchip，asic)或任何其他类型的半导体芯片。在一些实施例中，第二封装部件30包括芯片元件31、至少一装置32、模制材料(moldingmaterial)33及多个电连接器34。芯片元件31的材料包括硅或任何其他合适的材料。装置32包括无源装置(例如，电阻器、电容器及电感器)或有源装置(例如，晶体管及二极管)。在一些实施例中，装置32彼此不同并具有不同的功能。81.在一些实施例中，模制材料33连接芯片元件31与装置32。模制材料33包括聚合物材料或其他合适的绝缘材料。电连接器34可以通过例如贯穿基板通孔(throughsubstratevias，tsvs)和互连结构(均未显示)电连接到装置32。电连接器34的材料可以包括cu、al、ti、ni、sn等或其组合，并且电连接器34的形成方法可以包括物理气相沉积(physicalvapordeposition，pvd)工艺、镀覆工艺(例如，电镀工艺或化学镀工艺)或其组合。82.本公开提供了加工设备的实施例。加工设备包括具有多个真空管的接合头，真空管连通不同的真空。如此一来，可更稳定地固持封装部件，并提高加工设备的产量。此外，加工设备还包括设置于吸盘座中的多个活动顶针。顶针是配置以接收封装部件并使其远离加热的吸盘座，从而保护封装部件上的助焊剂。另外，加工设备包括设置于吸盘座中的温度控制元件。温度控制元件可以足够快地控制吸盘座的温度，以保护封装部件上的助焊剂。此外，加工设备包括加热模块，以在进行接合工艺之前加热加工腔室中的封装部件，从而减少接合工艺的时间并提高加工设备的产量。83.根据本公开一些实施例，提供一种形成封装结构的设备，包括加工腔室、接合头、喷嘴以及吸盘座。加工腔室是用于接合第一封装部件及第二封装部件。接合头设置于加工腔室中，其中接合头包括与多个真空装置连通的多个真空管。喷嘴连接至接合头且配置以固持第二封装部件，其中喷嘴包括与真空管重叠的多个第一孔，喷嘴包括偏离第一孔的多个第二孔，并且第二孔与第二封装部件的至少两边缘重叠。吸盘座设置于加工腔室中且配置以固持和加热第一封装部件。84.在一些实施例中，吸盘座包括配置以固持第一封装部件的多个顶针，并且顶针可在吸盘座的顶表面上方移动。在一些实施例中，所述设备还包括加热模块，设置于加工腔室中且配置以加热第二封装部件，其中在第二封装部件定位在吸盘座上方之前，加热模块对第二封装部件进行加热。在一些实施例中，所述设备还包括冷却模块，连接至加热模块且配置以控制加热模块的温度。在一些实施例中，加热模块发射红外线辐射以加热第二封装部件，并且红外线辐射的波长在760nm至1mm的范围内。在一些实施例中，吸盘座包括温度控制元件，配置以控制吸盘座的温度。在一些实施例中，每个第二孔通过沟槽与其中一个第一孔连通。85.根据本公开另一些实施例，提供一种形成封装结构的设备，包括加工腔室、接合头、喷嘴以及吸盘座。加工腔室是用于接合第一封装部件及第二封装部件。接合头设置于加工腔室中，其中接合头包括第一真空管以及第二针空管，第一真空管与第一真空装置连通，第二真空管与第二真空装置连通，并且第一真空装置和第二真空装置独立运作。喷嘴连接至接合头且配置以固持第二封装部件，其中喷嘴包括与第一真空管和第二真空管重叠的多个第一孔。吸盘座设置于加工腔室中且配置以固持和加热第一封装部件。86.在一些实施例中，喷嘴包括通过多个沟槽与第一孔连通的多个第二孔，并且第二孔与第二封装部件的至少两边缘重叠。在一些实施例中，沟槽沿着接合头与喷嘴之间的界面延伸。在一些实施例中，所述设备还包括加热模块以及冷却模块，加热模块设置于加工腔室中且配置以加热第二封装部件，其中在第二封装部件定位在吸盘座上方之前，加热模块对第二封装部件进行加热，冷却模块连接至加热模块且配置以控制加热模块的温度。在一些实施例中，吸盘座包括多个顶针，配置以在吸盘座的顶表面上方固持第一封装部件，并且顶针是可移动的。在一些实施例中，每个顶针具有与真空装置连通的开口。在一些实施例中，吸盘座包括温度控制元件，配置以控制吸盘座的温度。87.根据本公开又另一些实施例，提供一种形成封装结构的方法。所述方法包括将第一封装部件传送到加工腔室中。所述方法还包括将第一封装部件定位在吸盘座上。所述方法也包括使用吸盘座对第一封装部件进行加热。所述方法还包括用接合头固持第二封装部件，其中接合头通过多个真空管与多个真空装置连通，并且真空装置各自独立运作。此外，所述方法包括在加工腔室中接合第一封装部件与第二封装部件以形成封装结构。88.在一些实施例中，所述方法还包括在接合第一封装部件与第二封装部件之前，在加工腔室中用加热模块预加热第二封装部件。在一些实施例中，所述方法还包括用连接至加热模块的冷却模块控制加热模块的温度。在一些实施例中，将第一封装部件定位在吸盘座上包括用多个顶针在吸盘座的顶表面上方固持第一封装部件。在一些实施例中，所述方法还包括在第一封装部件的加热期间，用温度控制元件控制吸盘座的温度。在一些实施例中，所述方法还包括使用连接至接合头的喷嘴固持第二封装部件，其中喷嘴包括与真空管重叠的多个第一孔，且喷嘴还包括偏离第一孔的多个第二孔，其中第二孔与第二封装部件的至少两边缘重叠。89.前述内文概述了许多实施例的特征，使本
技术领域：
：中技术人员可以从各个方面更佳地了解本公开。本
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：中技术人员应可理解，且可轻易地以本公开为基础来设计或修饰其他工艺及结构，并以此达到相同的目的及/或达到与在此介绍的实施例等相同的优点。本
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：中技术人员也应了解这些相等的结构并未背离本公开的发明精神与范围。在不背离本公开的发明精神与范围的前提下，可对本公开进行各种改变、置换或修改。当前第1页12当前第1页12
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