振动器件以及振动器件的制造方法与流程

1.本发明涉及振动器件以及振动器件的制造方法。


背景技术：

2.专利文献1记载的半导体基板具有硅基板、形成在硅基板上的绝缘层、形成在绝缘层上的导电盘以及贯通硅基板和绝缘层并与导电盘连接的贯通电极。另外，贯通电极的形成方法包括：利用干蚀刻在硅基板上形成贯通孔的工序、利用湿蚀刻在绝缘层上形成贯通孔的工序以及在贯通孔中填充金属材料的工序。
3.专利文献1：日本特表2014-519201号公报
4.这样，在专利文献1的贯通电极的形成方法中，利用湿蚀刻在绝缘层上形成贯通孔。然而，湿蚀刻是各向同性蚀刻。因此，在绝缘层上产生侧向蚀刻，金属材料侵入因侧向蚀刻而意外产生的空隙中，从而导致布线的构图不良(以下也称为“由侧向蚀刻引起的布线的构图不良”。)的问题。


技术实现要素：

5.本发明的振动器件具有：基座；以及配置在所述基座上的振动元件，所述基座具有：半导体基板，其具有彼此处于正反关系的第1面和第2面；集成电路，其包含布线层和绝缘层，所述布线层配置在所述第2面侧并具有连接盘，所述绝缘层配置在所述第2面与所述布线层之间；贯通电极，其贯通所述半导体基板和所述绝缘层，与所述连接盘连接；环状的金属层，其贯通所述绝缘层而配置在所述第2面与所述布线层之间，在俯视所述半导体基板时包围所述贯通电极。
6.本发明的振动器件的制造方法包括：基座准备工序，准备基座，所述基座具有：半导体基板，其具有彼此处于正反关系的第1面和第2面；集成电路，其包含布线层和绝缘层，所述布线层配置在所述第2面侧并具有连接盘，所述绝缘层配置在所述第2面与所述布线层之间；环状的金属层，其贯通所述绝缘层而配置在所述第2面与所述布线层之间；以及贯通电极形成工序，形成贯通电极，该贯通电极贯通所述半导体基板和所述绝缘层，穿过所述金属层的内侧与所述连接盘连接，所述贯通电极形成工序包括：贯通孔形成工序，在利用干蚀刻贯通所述半导体基板之后，利用湿蚀刻贯通所述绝缘层，由此，形成从所述第1面穿过所述金属层的内侧而与所述连接盘相对的贯通孔；以及导电性材料配置工序，在所述贯通孔内配置导电性材料，形成所述贯通电极。
附图说明
7.图1是示出第1实施方式的振动器件的纵剖视图。
8.图2是示出基座的上表面的俯视图。
9.图3是示出包围贯通电极的金属层的纵剖视图。
10.图4是示出包围贯通电极的金属层的横剖视图。
11.图5是示出振动元件的俯视图。
12.图6是示出振动器件的制造工序的流程图。
13.图7是用于说明振动器件的制造方法的纵剖视图。
14.图8是用于说明振动器件的制造方法的纵剖视图。
15.图9是用于说明振动器件的制造方法的纵剖视图。
16.图10是用于说明振动器件的制造方法的纵剖视图。
17.图11是用于说明振动器件的制造方法的纵剖视图。
18.图12是用于说明振动器件的制造方法的纵剖视图。
19.图13是用于说明振动器件的制造方法的纵剖视图。
20.图14是用于说明振动器件的制造方法的纵剖视图。
21.图15是示出第2实施方式的振动器件的纵剖视图。
22.图16是示出第3实施方式的振动器件具有的金属层的横剖视图。
23.标号说明
24.1振动器件；10封装；2基座；21贯通孔；210贯通电极；211贯通孔；212贯通孔；213贯通孔；22贯通孔；220贯通电极；221贯通孔；222贯通孔；223贯通孔；230贯通电极；26安装端子；28布线；29布线；3盖；31凹部；4振动元件；41振动基板；42电极；421激励电极；422激励电极；423端子；424端子；425布线；426布线；5半导体基板；5a第1面；5b第2面；50绝缘膜；6集成电路；6a振荡电路；60层叠体；61蚀刻阻止层；62绝缘层；63布线层；631连接盘；632连接盘；64绝缘层；65布线层；66绝缘层；67钝化膜；68端子层；681安装端子；682布线；683布线；7接合部件；81金属凸块；82金属凸块；691金属层；691a第1金属层；691b第2金属层；691c第3金属层；692金属层；692a第1金属层；692b第2金属层；692c第3金属层；693金属层；e导电性材料；s收纳部；s1基座准备工序；s2贯通电极形成工序；s21贯通孔形成工序；s22导电性材料配置工序；s3振动元件配置工序；s4盖配置工序。
具体实施方式
25.以下，根据附图对振动器件的优选实施方式进行说明。另外，以下为了便于说明，将图1、图3、图7至图15中的纸面上侧也称为“上”，将纸面下侧也称为“下”。
26.《第1实施方式》
27.图1是示出第1实施方式的振动器件的纵剖视图。图2是示出基座的上表面的俯视图。图3是示出包围贯通电极的金属层的纵剖视图。图4是示出包围贯通电极的金属层的横剖视图。图5是示出振动元件的俯视图。图6是示出振动器件的制造工序的流程图。图7至图14是用于对振动器件的制造方法进行说明的纵剖视图。另外，图1是图2中的a-a线剖视图。
28.如图1所示，振动器件1具备：具有收纳部s的封装件10；和被收纳在收纳部s内的振动元件4。另外，封装件10具有：安装有振动元件4的基座2；和覆盖振动元件4并与基座2的上表面接合的盖3。另外，基座2具有半导体基板5和配置在半导体基板5上的集成电路6。
29.半导体基板5是硅基板，特别是p型硅基板。但是，半导体基板5没有特别限定，也可以是n型硅基板。另外，半导体基板5也可以是硅以外的半导体基板，例如ge、gap、gaas、inp等的半导体基板。
30.半导体基板5为板状，具有彼此处于正反关系的第1面5a和第2面5b。第1面5a是上
表面，第2面5b是下表面。另外，在半导体基板5的正面形成有由sio2(氧化硅)构成的绝缘膜50。但是，绝缘膜50没有特别限定，例如也可以是有机绝缘膜。
31.另外，在半导体基板5的第2面5b侧形成有与振动元件4电连接的集成电路6。通过在半导体基板5上形成集成电路6，能够有效利用半导体基板5。特别是，通过在第2面5b侧形成集成电路6，与在第1面5a侧形成集成电路6的情况相比，没有与盖3的接合区域，相应地可以确保集成电路6的形成空间较大。
32.集成电路6包括振荡电路6a，振荡电路6a与振动元件4电连接，使振动元件4振荡而生成时钟信号等振荡信号。在集成电路6中，除了振荡电路6a之外还可以包括电路。作为该电路，例如可列举对来自振荡电路6a的输出信号进行处理的处理电路，作为这种处理电路，例如可列举pll电路。
33.在第2面5b侧形成有依次层叠蚀刻阻止层61、绝缘层62、布线层63、绝缘层64、布线层65、绝缘层66、钝化膜67及端子层68而成的层叠体60。而且，通过布线层63、65电连接形成在第2面5b上的未图示的多个有源元件而构成集成电路6。另外，端子层68具有多个安装端子681。集成电路6经由这些安装端子681与外部装置电连接。另外，层叠体60包含的布线层的数量没有特别限定，可以是1个，也可以是3个以上。
34.另外，在基座2上，从其上表面侧形成有沿厚度方向贯通半导体基板5、蚀刻阻止层61及绝缘层62并与布线层63相对的一对贯通孔21、22。在后述的振动器件1的制造方法中也进行说明，贯通孔21、22利用干蚀刻而贯通半导体基板5及蚀刻阻止层61，接着利用湿蚀刻贯通绝缘层62而形成。根据这样的形成方法，由于在湿蚀刻时贯通孔21、22到达布线层63，因此，能够抑制对布线层63的等离子体损伤(plasma damage)。此外，利用干蚀刻而贯通半导体基板5，所以，能够形成较大纵横比的贯通孔21、22。因此，能够在提高振动器件1的可靠性的同时，实现振动器件1的小型化。
35.在各贯通孔21、22内填充导电性材料e，形成贯通电极210、220。贯通电极210、220分别与布线层63具有的连接盘631、632电连接。即，贯通电极210、220与集成电路6包含的多个布线层63、65中最靠半导体基板5侧的布线层63包含的连接盘631、632连接。由此，与连接于布线层65包含的连接盘的情况相比，能够缩短贯通电极210、220。因此，容易形成贯通电极210、220。但是，并不限于此，例如，贯通电极210、220也可以与布线层65包含的连接盘连接。
36.此外，如图2所示，在半导体基板5的第1面5a侧配置有经由金属凸点81、82与振动元件4电连接的1对布线28、29。布线28经由贯通电极210与集成电路6电连接，布线29经由贯通电极220与集成电路6电连接。
37.另外，如图1及图3所示，在基底2上，在蚀刻阻止层61和布线层63之间形成有贯通绝缘层62而配置的金属层691、692。并且，如图4所示，金属层691、692在俯视半导体基板5时呈包围贯通电极210、220的环状。在布线层63上设置有与贯通电极210、220连接的连接盘631、632，在俯视半导体基板5时，金属层691被连接盘631内包，金属层692被连接盘632内包。因此，金属层691、692的上端穿过绝缘层62并与蚀刻阻止层61的下表面接触，金属层691、692的下端穿过绝缘层62并与连接盘631、632的上表面接触。
38.这样的金属层691、692如在后述的振动器件1的制造方法中也说明的那样，作为形成贯通孔21、22时的蚀刻阻止层即保护环发挥功能。通过设置金属层691、692，在利用湿蚀
刻在绝缘层62上形成贯通孔21、22时，限制相对于金属层691、692向外侧的侧向蚀刻，能够抑制进一步的无意的侧向蚀刻。因此，能够抑制因侧向蚀刻而引起的布线的构图不良，从而成为可靠性高的振动器件1。
39.盖3与半导体基板5同样是硅基板。由此，半导体基板5和盖3的线膨胀系数相等。因此，成为抑制由热膨胀引起的热应力的产生、具有优异振动特性的振动器件1。此外，能够通过半导体工艺形成振动器件1，因此，能够高精度地制造振动器件1，并且能够实现其小型化。但是，盖3没有特别限定，也可以使用硅以外的半导体基板，例如ge、gap、gaas、inp等的半导体基板。另外，例如，也可以使用可伐合金等的金属基板、玻璃基板等半导体基板以外的基板。
40.如图1所示，盖3具有在其下表面开口且在内部收纳振动元件4的带底的凹部31。而且，盖3在其下表面通过接合部件7与基座2的上表面接合。由此，在盖3和基座2之间形成收纳振动元件4的空间即收纳部s。在本实施方式中，使用利用了金属彼此的扩散的扩散接合来接合盖3与基座2。但是，盖3和基座2的接合方法没有特别限定。
41.收纳部s是气密的，成为减压状态，优选成为更接近真空的状态。由此，粘性阻力减少，振动元件4的振荡特性提高。但是，收纳部s的气氛没有特别限定，例如也可以是封入氮或ar等惰性气体的气氛，也可以不是减压状态而是大气压状态或加压状态。
42.如图5所示，振动元件4具有振动基板41和配置在振动基板41的正面的电极42。振动基板41具有厚度剪切振动模式，在本实施方式中由at切石英基板形成。at切石英基板具有三次的频率温度特性，因此，成为具有优异温度特性的振动元件4。此外，电极42具有配置在振动基板41的上表面的激励电极421、以及与激励电极421相对地配置在下表面的激励电极422。此外，电极42具有：配置在振动基板41的下表面的1对端子423、424；将端子423与激励电极421电连接的布线425；以及将端子424与激励电极422电连接的布线426。
43.另外，振动元件4的结构不限于上述结构。例如，振动元件4可以是被激励电极421、422夹着的振动区域从其周围突出的台面型，相反，也可以是振动区域从其周围凹陷的倒台面型。另外，也可以实施对振动基板41的周围进行磨削的斜面加工、或将上表面及下表面设为凸曲面的凸面加工。
44.另外，振动元件4不限于以厚度剪切振动模式进行振动，例如，也可以如音叉型振动元件那样使多个振动臂在面内方向进行弯曲振动。即，振动基板41不限于由at切石英基板形成，也可以由at切石英基板以外的石英基板例如x切石英基板、y切石英基板、z切石英基板、bt切石英基板、sc切石英基板、st切石英基板等形成。
45.此外，振动基板41的构成材料不限于石英，例如也可以由铌酸锂、钽酸锂、四硼酸锂、硅酸镓镧、铌酸钾、磷酸镓等压电单晶体构成，也可以由这些以外的压电单晶体构成。并且，振动元件4不限于压电驱动型的振动片，也可以是使用静电力的静电驱动型振动片。
46.这样的振动元件4位于半导体基板5的第1面5a侧。另外，振动元件4通过一对金属凸点81、82与基座2接合，并且与布线28、29电连接。金属凸点81、82是钉头凸点、电镀凸点等。另外，振动元件4与基座2的连接方法没有特别限定，例如，振动元件4也可以通过导电性的粘接剂与基座2接合，并且与布线28、29电连接。
47.以上，对振动器件1的结构进行了说明。接下来，对振动器件1的制造方法进行说明。如图6所示，振动器件1的制造方法包括基座准备工序s1、贯通电极形成工序s2、振动元
件配置工序s3和盖配置工序s4。而且，贯通电极形成工序s2包括贯通孔形成工序s21和导电性材料配置工序s22。
48.《基座准备工序s1》
49.首先，如图7所示，准备基座2。在该阶段，在基底2上没有形成贯通电极210、220和布线28、29。即，基座2具有半导体基板5、配置在半导体基板5的第2面5b侧的集成电路6、形成在集成电路6内的环状的金属层691、692。蚀刻阻止层61由sin(氮化硅)构成，绝缘层62、64由sio2(氧化硅)构成。另外，布线层63、65、端子层68以及金属层691、692分别由铝(al)构成，钝化膜67由聚酰亚胺构成。但是，这些各层的构成材料只要能够发挥其功能，就没有特别限定。
50.《贯通电极形成工序s2》
51.《《贯通孔形成工序s21》》
52.接着，如图8所示，形成沿厚度方向贯通半导体基板5的贯通孔211、221。贯通孔211、221的形成是利用干蚀刻特别是bosch法进行的。由此，能够形成具有高纵横比的贯通孔211、221。另外，蚀刻阻止层61作为该干蚀刻的阻止层发挥功能。特别地，蚀刻阻止层61由sin(氮化硅)构成，由此，蚀刻阻止层61对于该干蚀刻具有高选择比，可有效地抑制过蚀刻。因此，例如，能够有效地抑制贯通孔211、221到达布线层63而对布线层63造成等离子体损伤。其结果为，能够制造出抑制该干蚀刻引起的布线的构图不良、具有高可靠性的振动器件1。
53.接着，如图9所示，从贯通孔211、221的下端挖进，形成沿厚度方向贯通蚀刻阻止层61的贯通孔212、222。利用干蚀刻形成贯通孔212、222。但不限于此，也可以利用湿蚀刻形成贯通孔212、222。
54.接着，如图10所示，从贯通孔212、222的下端挖进，形成穿过金属层691、692的内侧并沿厚度方向贯通绝缘层62的贯通孔213、223。利用湿蚀刻形成贯通孔213、223。通过利用湿蚀刻形成贯通孔213、223，不会产生利用干蚀刻形成时那样的对布线层63的等离子体损伤。因此，能够抑制干蚀刻引起的布线的构图不良。取而代之，在湿蚀刻中，可能产生侧向蚀刻，产生湿蚀刻引起的布线的构图不良。但是，在本实施方式中，贯通孔213、223穿过金属层691、692的内侧，所以，利用金属层691、692限制进一步向外侧的侧向蚀刻。因此，可抑制意外的侧向蚀刻。其结果为，能够制造出抑制侧向蚀刻引起的布线的构图不良、可靠性高的振动器件1。
55.特别是，在本实施方式中，在俯视半导体基板5时，金属层691、692包含在连接盘631、632的范围内，金属层691、692的下端与连接盘631、632的上表面接触。因此，能够有效地抑制蚀刻液向金属层691、692的外侧侵入，能够有效地抑制不希望的侧向蚀刻。其结果，能够更有效地抑制湿蚀刻引起的布线的构图不良。
56.通过以上的工序，形成从第1面5a穿过金属层691、692层的内侧而与布线层63的连接盘631、632相对的贯通孔21、22。根据这样的贯通孔21、22的形成方法，能够抑制对布线层63的等离子体损伤和由侧向蚀刻引起的布线的构图不良，形成具有高纵横比的贯通孔21、22。因此，能够制造可靠性高且小型的振动器件1。
57.《《导电性材料配置工序s22》》
58.接着，如图11所示，在半导体基板5的第1面5a及贯通孔21、22的内表面形成绝缘膜
50。绝缘膜50的形成方法没有特别限定，例如可以使用cvd(chemical vapor deposition)。接着，如图12所示，利用蚀刻来去除形成在贯通孔21、22的底面的绝缘膜50，使连接盘631、632在贯通孔21、22内露出。
59.接着，将导电性材料e在第1面5a上配置成膜状，并且填充到贯通孔21、22内。接着，利用蚀刻对第1面5a上的导电性材料e进行构图。由此，如图13所示，一并形成布线28、29及贯通电极210、220。另外，导电性材料e没有特别限定，例如可以使用与布线层63相同的材料。由此，贯通电极210、220与布线层63的亲和性提高，能够有效地抑制它们的接触不良等。此外，能够共用材料，因此，还能够削减振动器件1的制造成本。其中，导电性材料e没有特别限定，例如也可以是钛钨合金(tiw)/铜(cu)/金(au)的层叠结构。
60.《《振动元件配置工序s3》》
61.接着，借助金属凸点81、82将振动元件4安装在布线28、29上。
62.《《盖配置工序s4》》
63.接着，在基座2的上表面接合盖3。由此，如图14所示，制造出振动器件1。
64.以上，对振动器件1和振动器件1的制造方法进行了详细说明。如上所述，这种振动器件1具有基座2和配置在基座2上的振动元件4。另外，基座2具有：半导体基板5，其具有彼此处于正反关系的第1面5a和第2面5b；集成电路6，其包含布线层63和绝缘层62，布线层63配置在第2面5b侧并具有连接盘631、632，绝缘层62配置在第2面5b与布线层63之间；贯通电极210、220，其贯通半导体基板5和绝缘层62，与连接盘631、632连接；环状的金属层691、692，其贯通绝缘层62而配置在第2面5b与布线层63之间，在俯视半导体基板5时包围贯通电极210、220。根据这种结构的振动器件1，即使利用湿蚀刻而形成贯通绝缘层62的贯通孔213、223，金属层691、692也作为护圈而发挥功能，从而限制进一步的侧向蚀刻。因此，例如，不会对布线层63造成干蚀刻时那样的等离子体损伤，并且，能够抑制侧向蚀刻引起的布线的构图不良。因此，成为可靠性高的振动器件1。
65.并且，如上所述，在俯视半导体基板5时，金属层691、692包含在连接盘631、632的范围内。由此，能够更有效地抑制蚀刻液向金属层691、692的外侧侵入，能够更有效地抑制侧向蚀刻引起的布线的构图不良。
66.此外，如上所述，集成电路6具有在半导体基板5的厚度方向上层叠的多个布线层63、65，贯通电极210、220与多个布线层63、65中最靠半导体基板5侧的布线层63包含的连接盘631、632连接。由此，能够尽量缩短贯通电极210、220，容易形成贯通电极210、220。
67.另外，如上所述，基座2具有蚀刻阻止层61，蚀刻阻止层61配置在第2面5b与绝缘层62之间，由sin构成。由此，能够抑制对半导体基板5进行干蚀刻而形成贯通孔211、221时的过蚀刻，能够有效地抑制对布线层63的等离子体损伤。
68.此外，如上所述，布线层63和贯通电极210、220由相同的材料构成。由此，贯通电极210、220与布线层63的亲和性提高，能够有效地抑制它们的接触不良等。此外，能够共用材料，因此，还能够削减振动器件1的制造成本。
69.另外，如上所述，振动元件4配置在半导体基板5的第1面5a侧。另外，振动器件1具有盖3，在盖3与基座2之间收纳振动元件4。由此，能够保护振动元件4。另外，通过在第2面5b侧形成集成电路6，与在第1面5a形成集成电路6的情况相比，没有与盖3的接合区域，相应地能够确保集成电路6的形成空间较大。
70.并且，如上所述，振动器件1的制造方法包括：基座准备工序s1，准备基座2，基座2具有：半导体基板5，其具有彼此处于正反关系的第1面5a和第2面5b；集成电路6，其包含布线层63和绝缘层62，布线层63配置在第2面5b侧并具有连接盘631、632，绝缘层62配置在第2面5b与布线层63之间；环状的金属层691、692，其贯通绝缘层62而配置在第2面5b与布线层63之间；以及贯通电极形成工序s2，形成贯通电极210、220，该贯通电极210、220贯通半导体基板5和绝缘层62，穿过金属层691、692的内侧与连接盘631、632连接。另外，贯通电极形成工序s2包括：贯通孔形成工序s21，在利用干蚀刻贯通半导体基板5之后，利用湿蚀刻贯通绝缘层62，由此，形成从第1面5a穿过金属层691、692的内侧与连接盘631、632相对的贯通孔21、22；以及导电性材料配置工序s22，在贯通孔21、22内配置导电性材料e，形成贯通电极210、220。根据该方法，即使利用湿蚀刻形成贯通绝缘层62的贯通孔213、223，金属层691、692也作为护圈而起作用，限制进一步的侧向蚀刻。因此，例如，不会对布线层63造成干蚀刻时那样的等离子体损伤，并且，能够抑制侧向蚀刻引起的布线的构图不良。因此，成为可靠性高的振动器件1。
71.另外，如上所述，基座2具有蚀刻阻止层61，蚀刻阻止层61配置在第2面5b与绝缘层62之间，由sin构成。由此，能够抑制对半导体基板5进行干蚀刻而形成贯通孔211、221时的过蚀刻，能够有效地抑制对布线层63的等离子体损伤。
72.《第2实施方式》
73.图15是示出第2实施方式的振动器件的纵剖视图。
74.除了基座2的结构不同以外，本实施方式的振动器件1与上述第1实施方式的振动器件1相同。另外，在以下的说明中，关于本实施方式，以与上述实施方式的不同点为中心进行说明，关于相同的事项，省略其说明。另外，在图15中，对与上述实施方式相同的结构标注相同标号。
75.如图15所示，本实施方式的基座2相对于上述第1实施方式上下反转，在半导体基板5的上表面侧即第2面5b侧形成有集成电路6。另外，在半导体基板5的上表面侧配置有振动元件4，振动元件4和集成电路6经由1对金属凸点81、82接合。另外，为了在半导体基板5的第2面5b确保与盖3的接合空间，集成电路6以除去第2面5b的外周部的方式形成得比基座2小一圈。根据这种结构，能够将集成电路6与振动元件4一起收纳在收纳部s内而进行保护。
76.在集成电路6的端子层68上，代替上述第1实施方式的安装端子681而配置有将振动元件4和布线层65电连接的布线682、683。并且，在半导体基板5的第1面5a侧，代替上述的布线28、29而配置有多个安装端子26。各安装端子26分别经由贯通电极230与集成电路6电连接，贯通电极230穿过贯通绝缘层62而形成的环状的金属层693内并贯通半导体基板5、蚀刻阻止层61以及绝缘层62。贯通电极230是与上述的第1实施方式的贯通电极210、220相同的结构，金属层693是与上述的第1实施方式的金属层691、692相同的结构。另外，它们通过与上述第1实施方式相同的方法形成。
77.如上所述，在本实施方式的振动器件1中，振动元件4配置在半导体基板5的第2面5b侧。另外，振动器件1具有盖3，在盖3与基座2之间收纳振动元件4及集成电路6。由此，能够保护振动元件4和集成电路6。
78.根据这样的第2实施方式，也能够发挥与上述第1实施方式相同的效果。
79.《第3实施方式》
80.图16是示出第3实施方式的振动器件具有的金属层的横剖视图。
81.除了金属层691、692的结构不同之外，本实施方式的振动器件1与上述的第1实施方式的振动器件1相同。另外，在以下的说明中，关于本实施方式，以与上述实施方式的不同点为中心进行说明，关于相同的事项，省略其说明。另外，在图16中，对与上述实施方式相同的结构标注相同标号。
82.如图16所示，在本实施方式的振动器件1中，具有同心地配置的多个金属层691。具体地，多个金属层691包括：位于最内侧并包围贯通电极210的第1金属层691a；位于第1金属层691a的外侧并包围第1金属层691a的第2金属层691b；位于第2金属层691b的外侧并包围第2金属层691b的第3金属层691c。根据该结构，能够通过三重的金属层691阻止蚀刻液的泄漏，所以，能够更可靠地抑制侧向蚀刻引起的布线的构图不良。其中，金属层691的数量没有特别限定，可以是2个，也可以是4个以上。
83.同样地，在本实施方式的振动器件1中，具有同心地配置的多个金属层692。具体地，多个金属层692包括：位于最内侧并包围贯通电极220的第1金属层692a；位于第1金属层692a的外侧并包围第1金属层692a的第2金属层692b；和位于第2金属层692b的外侧并包围第2金属层692b的第3金属层692c。根据该结构，能够通过三重的金属层692阻止蚀刻液的泄漏，所以，能够更可靠地抑制侧向蚀刻引起的布线的构图不良。其中，金属层692的数量没有特别限定，可以是2个，也可以是4个以上。
84.如上所述，在本实施方式的振动器件1中，金属层691、692具有包围贯通电极210、220的第1金属层691a、692a和包围第1金属层691a、692a的第2金属层691b、692b。由此，能够更可靠地抑制侧向蚀刻引起的布线的构图不良。
85.根据这样的第3实施方式，也能够发挥与上述第1实施方式相同的效果。
86.以上根据图示的实施方式对本发明的振动器件以及振动器件的制造方法进行了说明，但本发明并不限于此，各部的结构能够置换为具有相同的功能的任意的结构。另外，也可以对本发明附加其他任意的构成物。另外，也可以适当组合各实施方式。