垂直腔面发射激光器的制作方法

1.本发明涉及垂直腔面发射激光器。


背景技术：

2.非专利文献1公开了为了降低由电极焊盘引起的电容而具备配置在电极焊盘之下的聚酰亚胺部的垂直腔面发射激光器。
3.现有技术文献
4.非专利文献
5.非专利文献1：a.n.al-omari and k.l.lear,"vcsels with a self-aligned contactand copper-plated heatsink,"in ieee photonics technology letters,vol.17,no.9,pp.1767-1769,sept.2005,doi:10.1109/lpt.2005.851938.


技术实现要素：

6.发明所要解决的问题
7.上述聚酰亚胺部通过将形成于半导体层叠体的上表面上的聚酰亚胺层中的、配置在电极焊盘之下的部分以外的部分去除而形成。因此，聚酰亚胺部具有从半导体层叠体的上表面突出的台面形状。
8.本发明提供一种能够抑制树脂部从层叠体的上表面突出、或者能够减少树脂部从层叠体的上表面突出的量的垂直腔面发射激光器。
9.用于解决问题的手段
10.本公开的一个侧面所涉及的垂直腔面发射激光器具备：衬底，其具有包含第一区域以及第二区域的主表面；极柱，其设置在所述第一区域上，所述极柱包含设置在所述第一区域上的第一导电型的第一分布布拉格反射器、设置在所述第一分布布拉格反射器上的有源层、以及设置在所述有源层上的第二导电型的第二分布布拉格反射器；层叠体，其设置在所述主表面上，所述层叠体具备上表面，该上表面具有配置在所述第二区域上的至少一个凹部；树脂部，其配置在所述至少一个凹部内；以及电极焊盘，其设置在所述树脂部上并且与所述第一分布布拉格反射器以及所述第二分布布拉格反射器中的任一方电连接。
11.发明效果
12.根据本公开，提供了一种能够抑制树脂部从层叠体的上表面突出、或者能够减少树脂部从层叠体的上表面突出的量的垂直腔面发射激光器。
附图说明
13.图1是示意性地表示一个实施方式所涉及的垂直腔面发射激光器的俯视图。
14.图2是沿着图1的ii-ii线的剖视图。
15.图3是沿着图1的iii-iii线的剖视图。
16.图4是示意性地表示一个实施方式所涉及的垂直腔面发射激光器的一部分的俯视
图。
17.图5是将图2的一部分放大而表示的剖视图。
18.图6是示意性地表示一个实施方式所涉及的垂直腔面发射激光器的制造方法的一个工序的剖视图。
19.图7是示意性地表示一个实施方式所涉及的垂直腔面发射激光器的制造方法的一个工序的剖视图。
20.图8是示意性地表示一个实施方式所涉及的垂直腔面发射激光器的制造方法的一个工序的剖视图。
21.图9是示意性地表示一个实施方式所涉及的垂直腔面发射激光器的制造方法的一个工序的剖视图。
22.图10是示意性地示出根据其他实施例所涉及的垂直腔面发射激光器的一部分的俯视图。
23.图11是示意性地表示第一实验例的垂直腔面发射激光器的一部分的俯视图。
24.图12是示意性地表示第二实验例的垂直腔面发射激光器的一部分的俯视图。
25.图13是示意性地表示第三实验例的垂直腔面发射激光器的一部分的俯视图。
26.图14是示意性地表示第四实验例的垂直腔面发射激光器的一部分的俯视图。
27.图15是示意性地表示第五实验例的垂直腔面发射激光器的一部分的俯视图。
28.图16是表示在第一实验例至第五实验例的垂直腔面发射激光器中由电极焊盘引起的电容的曲线图。
具体实施方式
29.[本公开的实施方式的说明]
[0030]
一个实施例所涉及的垂直腔面发射激光器：衬底，其具有包含第一区域以及第二区域的主表面；极柱，其设置在所述第一区域上，所述极柱包含设置在所述第一区域上的第一导电型的第一分布布拉格反射器、设置在所述第一分布布拉格反射器上的有源层、以及设置在所述有源层上的第二导电型的第二分布布拉格反射器；层叠体，其设置在所述主表面上，所述层叠体具备上表面，该上表面具有配置在所述第二区域上的至少一个凹部；树脂部，其配置在所述至少一个凹部内；以及电极焊盘，其设置在所述树脂部上并且与所述第一分布布拉格反射器以及所述第二分布布拉格反射器中的任一方电连接。
[0031]
根据上述垂直腔面发射激光器，由于树脂部配置在至少一个凹部内，因此能够抑制树脂部从层叠体的上表面突出，或者能够减少树脂部从层叠体的上表面突出的量。
[0032]
也可以是，所述至少一个凹部为多个凹部。在该情况下，能够减小配置在各凹部内的树脂部的体积。因此，能够减小因树脂部的收缩而在树脂部与层叠体之间产生的应力。
[0033]
也可以是，上述垂直腔面发射激光器还具备将相邻的所述多个凹部相互分隔的分隔壁，在从与所述衬底的所述主表面正交的方向观察的情况下，所述分隔壁呈圆环形状。在该情况下，能够在分隔壁与树脂部之间抑制应力集中于特定部位。
[0034]
也可以是，上述垂直腔面发射激光器还具备将相邻的所述多个凹部相互分隔的分隔壁，所述分隔壁与所述层叠体连接。在该情况下，由于分隔壁由层叠体支承，因此分隔壁难以倾倒。
[0035]
也可以是，所述分隔壁在所述分隔壁的上表面具有1μm以上的宽度。在该情况下，能够使分隔壁变厚，因此分隔壁难以倾倒。
[0036]
也可以是，所述分隔壁具有相对于所述衬底的所述主表面倾斜的侧面，从所述主表面起通过所述分隔壁的内部到所述侧面为止的角度小于90
°
。在该情况下，能够减小在分隔壁的侧面与树脂部之间产生的应力。
[0037]
也可以是，上述垂直腔面发射激光器还包含设置在所述主表面上的接触层，所述接触层从所述第一区域延伸至所述第二区域，所述接触层与所述第一分布布拉格反射器连接，所述电极焊盘与所述第二分布布拉格反射器电连接。在该情况下，能够降低电极焊盘与接触层之间的电容。
[0038]
[本公开的实施方式的详细内容]
[0039]
以下，参照附图对本公开的实施方式进行详细说明。在附图的说明中，对相同或等同的要素使用相同的附图标记，并省略重复的说明。
[0040]
图1是示意性地表示一个实施方式所涉及的垂直腔面发射激光器的俯视图。图2是沿着图1的ii-ii线的剖视图。图3是沿着图1的iii-iii线的剖视图。图4是示意性地表示一个实施方式所涉及的垂直腔面发射激光器的一部分的俯视图。图1至图4所示的垂直腔面发射激光器(vcsel：vertical cavity surface emitting laser)10例如是通信用激光器。垂直腔面发射激光器10沿着轴线ax1射出激光l。激光l的振荡波长例如为840nm以上且860nm以下。垂直腔面发射激光器10具备衬底12、极柱ps、层叠体lm和树脂部60。
[0041]
衬底12也可以是半绝缘性衬底。衬底12具有与轴线ax1交叉(例如正交)的主表面12a。主表面12a包含第一区域12a1和第二区域12a2。轴线ax1通过第一区域12a1。第一区域12a1例如具有以轴线ax1为中心的圆形。第二区域12a2也可以远离第一区域12a1。与轴线ax1平行的轴线ax2通过第二区域12a2。第二区域12a2例如具有以轴线ax2为中心的圆形。主表面12a也可以具备远离第一区域12a1以及第二区域12a2的第三区域12a3。与轴线ax1平行的轴线ax3通过第三区域12a3。第三区域12a3例如具有以轴线ax3为中心的圆形。主表面12a也可以具备包围第一区域12a1的第四区域12a4。第四区域12a4例如具有以轴线ax1为中心的圆环形状。主表面12a也可以具备包围第一区域12a1至第四区域12a4的第五区域12a5。第五区域12a5是主表面12a中除从第一区域12a1至第四区域12a4以外的区域。相邻的区域彼此相互共有边界线。衬底12的载流子浓度例如为1
×
10
15
cm-3
以下。衬底12可以是例如gaas等iii-v族化合物半导体衬底。
[0042]
也可以在衬底12的主表面12a上设置未掺杂的dbr(dbr：distributed bragg reflector)部14。dbr部14设置在整个主表面12a上。dbr部14具备沿着轴线ax1交替排列的半导体层14a以及半导体层14b。半导体层14a具有比半导体层14b的折射率低的折射率。半导体层14a以及半导体层14b各自包含例如algaas等iii-v族化合物半导体。
[0043]
也可以在衬底12的主表面12a上设置接触层16。接触层16设置在dbr部14上。dbr单元14(第三分布布拉格反射器)可以配置在衬底12和接触层16之间。接触层16是第一导电型(例如n型)的半导体层。接触层16包含例如algaas等iii-v族化合物半导体。n型掺杂剂的例子包含硅。接触层16从第一区域12a1延伸至第二区域12a2。接触层16也可以设置在整个主表面12a上。
[0044]
极柱ps设置在第一区域12a1上。极柱ps的下表面也可以与接触层16连接。极柱ps
的上表面psa例如具有以轴线ax1为中心的圆形。从轴线ax1的方向观察，极柱ps的上表面psa也可以与第一区域12a1重叠。极柱ps也可以具有相对于衬底12的主表面12a倾斜的侧面。
[0045]
极柱ps包含设置在第一区域12a1上的第一导电型dbr部18(第一分布布拉格反射器)、设置在dbr部18上的有源层20、以及设置在有源层20上的第二导电型(例如p型)dbr部22(第二分布布拉格反射器)。第二导电型是与第一导电型相反的导电型。
[0046]
dbr部18与接触层16连接。dbr部18具备沿着轴线ax1交替排列的第一层18a以及第二层18b。第一层18a具备半导体层18aa和包围半导体层18aa的氧化物层18ab。第二层18b是半导体层。半导体层18aa具有比第二层18b的折射率低的折射率。半导体层18aa以及第二层18b各自包含例如algaas等iii-v族化合物半导体。
[0047]
有源层20例如具备多量子阱结构。多量子阱结构可以包含沿着轴线ax1交替排列的gaas层(或algaas层)以及algaas层。
[0048]
dbr部22具备沿着轴线ax1交替排列的第三层22a以及第四层22b。第三层22a具备半导体层22aa和包围半导体层22aa的氧化物层22ab。第四层22b是半导体层。半导体层22aa具有比第四层22b的折射率低的折射率。半导体层22aa以及第四层22b各自包含例如algaas等iii-v族化合物半导体。
[0049]
dbr部22也可以包含电流约束结构26。电流约束结构26具备电流孔径部分26a和绝缘体部分26b。绝缘体部分26b包围电流孔径部分26a。电流孔径部分26a包含例如algaas等iii-v族化合物半导体。轴线ax1通过电流孔径部分26a。电流孔径部分26a例如为圆极柱状。绝缘体部分26b例如包含铝氧化物等氧化物。
[0050]
极柱ps也可以包含设置在dbr部22上的接触层29。接触层29的上表面可以是极柱ps的上表面psa。接触层29是第二导电型的半导体层。接触层29包含例如algaas等iii-v族化合物半导体。
[0051]
层叠体lm设置在主表面12a上。层叠体lm设置在第二区域12a2至第五区域12a5上。层叠体lm的下表面也可以与接触层16连接。层叠体lm的上表面lma也可以与极柱ps的上表面psa位于同一平面。层叠体lm也可以具有相对于衬底12的主表面12a倾斜的侧面。
[0052]
上表面lma具有配置在第二区域12a2以及第三区域12a3各自之上的至少一个凹部rs。在本实施方式中，在第二区域12a2以及第三区域12a3各自之上配置有多个凹部rs。各凹部rs的底到达接触层16的上表面。上表面lma可以具有配置在第四区域12a4上的沟槽tr。沟槽tr以包围极柱ps的方式设置。沟槽tr的底到达接触层16的上表面。
[0053]
层叠体lm具有与极柱ps相同的层结构。层叠体lm包含设置在接触层16上的下部层叠体218、设置在下部层叠体218上的中间层220、以及设置在中间层220上的上部层叠体222。
[0054]
下部层叠体218具有沿着轴线ax2或轴线ax3交替排列的第五层218a以及第六层218b。第五层218a具备半导体层218aa和包围半导体层218aa的氧化物层218ab。第六层218b是半导体层。半导体层218aa以及第六层218b分别具备与半导体层18aa以及第二层18b相同的构成。中间层220具备与有源层20相同的构成。上部层叠体222具备沿着轴线ax2或轴线ax3交替排列的第七层222a以及第八层222b。第七层222a具备半导体层222aa和包围半导体层222aa的氧化物层222ab。第八层222b是半导体层。半导体层222aa以及第八层222b分别具
有与半导体层22aa以及第四层22b相同的构成。上部层叠体222也可以包含层226。层226具备与电流约束结构26相同的构成。
[0055]
树脂部60配置在各凹部rs以及沟槽tr内。树脂部60也可以填充各凹部rs以及沟槽tr。树脂部60包含低介电常数的树脂。树脂的例子包含苯并环丁烯(bcb)或聚酰亚胺。树脂部60也可以不配置在沟槽tr内。
[0056]
相邻的多个凹部rs也可以被分隔壁pw相互分隔。分隔壁pw设置在第二区域12a2以及第三区域12a3上。分隔壁pw的下表面也可以与接触层16连接。分隔壁pw的上表面pwa也可以与极柱ps的上表面psa位于同一平面。在本实施方式中，如图4所示，多个分隔壁pw以轴线ax2或轴线ax3为中心配置成同心圆状。即，从轴线ax2或轴线ax3的方向观察，各分隔壁pw具有以轴线ax2或轴线ax3为中心的圆环形状。在图4中，省略了极柱ps、层叠体lm、分隔壁pw、凹部rs以及沟槽tr上的构造物。
[0057]
各分隔壁pw具有与层叠体lm相同的层结构。分隔壁pw包含设置在接触层16上的下部层叠体118、设置在下部层叠体118上的中间层120、以及设置在中间层120上的上部层叠体122。
[0058]
下部层叠体118具备沿着轴线ax2或轴线ax3交替排列的第九层118a以及第十层118b。第九层118a具备半导体层118aa和包围半导体层118aa的氧化物层118ab。第十层118b是半导体层。半导体层118aa以及第十层118b分别具有与半导体层18aa以及第二层18b相同的构成。中间层120具备与有源层20相同的构成。上部层叠体122具备沿着轴线ax2或轴线ax3交替排列的第十一层122a以及第十二层122b。在本实施方式中，第十一层122a为氧化物层。第十二层122b具备与第四层22b相同的构成。上部层叠体122可以包含层126。在本实施方式中，层126具备与电流约束结构26的绝缘体部分26b相同的构成。
[0059]
图5是将图2的一部分放大表示的剖视图。如图5所示，分隔壁pw也可以在分隔壁pw的上表面pwa具有1μm以上的宽度w1。分隔壁pw也可以具有相对于衬底12的主表面12a倾斜的侧面pws。侧面pws以随着远离主表面12a而分隔壁pw的宽度逐渐变小的方式倾斜。从主表面12a起通过分隔壁pw的内部到侧面pws为止的角度θ可以小于90
°
，可以为80
°
以下，也可以为60
°
以上。分隔壁pw也可以具有5μm以上的高度h1。高度h1是从分隔壁pw的下表面起到上表面pwa为止的距离。高度h1也可以与树脂部60的厚度h2或凹部rs的深度相同。
[0060]
也可以在极柱ps、层叠体lm、分隔壁pw、各凹部rs以及沟槽tr上设置绝缘层50。绝缘层50设置在各凹部rs与树脂部60之间，且设置在沟槽tr与树脂部60之间。如图2以及图3所示，绝缘层50在极柱ps的上表面psa上具有开口50a。电极30通过开口50a与极柱ps的上表面psa连接。电极30以包围轴线ax1的方式设置。如图3所示，绝缘层50在沟槽tr的底处具有开口50b。电极40通过开口50b与接触层16连接。电极40以包围极柱ps的方式设置。通过在电极30与电极40之间施加电压，从垂直腔面发射激光器10射出激光l。绝缘层50可以是单一层，也可以是多层。绝缘层50例如可以包含氮化硅层或氮氧化硅层。
[0061]
垂直腔面发射激光器10具备电极焊盘34以及电极焊盘44。电极焊盘34通过配线32与电极30连接。由此，电极焊盘34与dbr部22电连接。配线32在绝缘层50以及树脂部60上从第一区域12a1延伸至第二区域12a2。电极焊盘34设置在第二区域12a2上。电极焊盘34设置在绝缘层50及树脂部60上。电极焊盘34沿着主表面12a延伸。从轴线ax2观察，电极焊盘34例如具有以轴线ax2为中心的圆形。电极焊盘34的直径例如为40μm以上。电极焊盘34例如包含
金等金属。
[0062]
电极焊盘44通过配线42与电极40连接。由此，电极焊盘44与dbr部18电连接。配线42设置在绝缘层50以及树脂部60上。配线42在绝缘层50以及树脂部60上从第一区域12a1延伸至第三区域12a3。电极焊盘44设置在第三区域12a3上。电极焊盘44设置在绝缘层50以及树脂部60上。电极焊盘44沿着主表面12a延伸。从轴线ax3观察，电极焊盘44例如具有以轴线ax3为中心的圆形。电极焊盘44的直径例如为40μm以上。电极焊盘44例如包含金等金属。
[0063]
根据垂直腔面发射激光器10，由于树脂部60配置在各凹部rs内，因此能够抑制树脂部60从层叠体lm的上表面lma突出，或者能够减少树脂部60从层叠体lm的上表面lma突出的量。另外，通过调整凹部rs的深度，能够高精度地控制树脂部60的厚度h2。进一步地，通过树脂部60，能够降低由电极焊盘34或电极焊盘44引起的电容。例如，能够降低电极焊盘34与接触层16之间的电容。例如，能够降低电极焊盘44与接触层29之间的电容。当电容减小时，可以增大垂直腔面发射激光器10的可调制频带。
[0064]
在层叠体lm具备多个凹部rs的情况下，能够减小配置在各凹部rs内的树脂部60的体积。因此，能够减小因树脂部60的收缩而在树脂部60与各凹部rs之间产生的应力。因此，能够抑制树脂部60从各凹部rs剥离。
[0065]
在分隔壁pw具有圆环形状的情况下，能够抑制在分隔壁pw与树脂部60之间应力集中于特定部位(例如角部)的情况。
[0066]
在分隔壁pw具有1μm以上的宽度w1的情况下，能够使分隔壁pw变厚，因此分隔壁pw难以倾倒。
[0067]
在从衬底12的主表面12a起到分隔壁pw的侧面pws为止的角度θ小于90
°
的情况下，能够减小在分隔壁pw的侧面pws与树脂部60之间产生的应力。
[0068]
图6至图9分别是示意性地表示一个实施方式所涉及的垂直腔面发射激光器的制造方法的一个工序的剖视图。上述垂直腔面发射激光器10也可以如以下那样制造。
[0069]
(层叠体的形成)
[0070]
首先，如图6所示，在衬底12的主表面12a上形成半导体层叠体sl以及绝缘层350。具体而言，在主表面12a上依次形成dbr部14、接触层16、应成为dbr部18的半导体层叠体318、应成为有源层20的半导体层320、应成为dbr部22的半导体层叠体322、应成为接触层29的半导体层329以及绝缘层350。半导体层叠体318包含应分别成为第一层18a以及第二层18b的半导体层318a以及半导体层318b。半导体层叠体322包含应分别成为第三层22a及第四层22b的半导体层322a及半导体层322b、以及应成为电流约束结构26的半导体层326。构成半导体层叠体sl的各层例如通过有机金属气相生长或分子束外延而形成。
[0071]
在形成绝缘层350之后，质子可以被注入到半导体层叠体322中的、从第二区域12a2到第五区域12a5上的部分。
[0072]
(沟槽的形成)
[0073]
接下来，如图7所示，在第四区域12a4上形成沟槽tr。另外，在第二区域12a2以及第三区域12a3上形成凹部rs。由此，形成由沟槽tr包围的极柱ps、相邻的多个凹部rs间的分隔壁pw、以及沟槽tr与凹部rs之间的层叠体lm。沟槽tr以及凹部rs例如也可以通过对绝缘层350、半导体层329、半导体层叠体322、半导体层320以及半导体层叠体318进行干式蚀刻而同时形成。
[0074]
(氧化)
[0075]
接下来，如图7所示，通过将极柱ps暴露于例如水蒸气等含氧气体，将极柱ps的侧面氧化。由此，形成电流约束结构26。层叠体lm以及分隔壁pw的侧面也可以同时被氧化。
[0076]
(绝缘层的形成)
[0077]
接下来，如图8所示，在极柱ps、层叠体lm、分隔壁pw、各凹部rs以及沟槽tr上形成绝缘层352。在绝缘层352中，形成极柱ps的上表面psa上的开口352a和沟槽tr的底上的开口352b。
[0078]
(电极的形成)
[0079]
接下来，如图8所示，在开口352a内形成电极30，在开口352b内形成电极40。然后，在绝缘层352、电极30以及电极40上形成绝缘层354。
[0080]
(树脂层的形成)
[0081]
接下来，如图8所示，在绝缘层354上形成应成为树脂部60的树脂层360。树脂层360也可以通过将液状的树脂材料涂布在绝缘层354上之后，使树脂材料固化而形成。
[0082]
(树脂部的形成)
[0083]
接下来，如图9所示，通过对树脂层360进行蚀刻而形成树脂部60。例如，首先，通过对树脂层360进行整面蚀刻，使绝缘层354露出。然后，通过光刻以及蚀刻，去除树脂层360的一部分，从而在电极40上形成开口60a，在电极30上形成开口60b。然后，通过光刻以及蚀刻，去除绝缘层354中的、电极30以及电极40上的部分。这样，由绝缘层350、绝缘层352以及绝缘层354形成绝缘层50。
[0084]
(配线以及电极焊盘的形成)
[0085]
接下来，如图3所示，例如通过剥离法形成配线32、配线42、电极焊盘34以及电极焊盘44。
[0086]
(切断)
[0087]
接下来，为了进行元件分离而切断衬底12。切断例如通过解理或切割来进行。由此，制造出多个垂直腔面发射激光器10。
[0088]
图10是示意性地示出根据其他实施例的垂直腔面发射激光器的一部分的俯视图。图10所示的垂直腔面发射激光器除了分隔壁pw的形状不同以外，具备与垂直腔面发射激光器10相同的构成。在本实施方式的垂直腔面发射激光器中，各分隔壁pw与层叠体lm连接。各分隔壁pw也可以沿着主表面12a延伸。延伸方向上的各分隔壁pw的两端与层叠体lm连接。分隔壁pw的延伸方向没有特别限定。多个分隔壁pw也可以相互平行地直线延伸。
[0089]
根据本实施方式的垂直腔面发射激光器，由于分隔壁pw由层叠体lm支承，因此分隔壁pw难以倾倒。
[0090]
图11至图15是分别示意性地表示第一实验例至第五实验例的垂直腔面发射激光器的一部分的俯视图。在图11中，省略了极柱ps、层叠体lm以及沟槽tr上的构造物。在图12中，省略了极柱ps、层叠体lm、凹部rs以及沟槽tr上的构造物。在图13至图15中，省略了极柱ps、层叠体lm、分隔壁pw、凹部rs以及沟槽tr上的构造物。
[0091]
图11所示的第一实验例的垂直腔面发射激光器除了未设置凹部rs以及树脂部60以外，具备与垂直腔面发射激光器10相同的构成。在第一实验示例的垂直腔面发射激光器中，电极焊盘34以及电极焊盘44设置在层叠体lm的上表面lma上。在电极焊盘34以及电极焊
盘44与接触层16之间未配置树脂部60。
[0092]
图12所示的第二实验例的垂直腔面发射激光器除了在各凹部rs内未设置分隔壁pw以外，具备与垂直腔面发射激光器10相同的构成。在第二实验例的垂直腔面发射激光器中，在第二区域12a2以及第三区域12a3各自之上设置单个凹部rs。
[0093]
图13所示的第三实验例的垂直腔面发射激光器除了在各凹部rs内设置单个分隔壁pw以外，具备与垂直腔面发射激光器10相同的构成。在第三实验例的垂直腔面发射激光器中，在第二区域12a2以及第三区域12a3上分别设置有两个凹部rs。各分隔壁pw具有以轴线ax2或轴线ax3为中心的圆环形状。
[0094]
图14所示的第四实验例的垂直腔面发射激光器除了在各凹部rs内设置五个分隔壁pw以外，具备与垂直腔面发射激光器10相同的构成。在第四实验例的垂直腔面发射激光器中，在第二区域12a2以及第三区域12a3上分别设置有六个凹部rs。五个分隔壁pw以轴线ax2或轴线ax3为中心配置成同心圆状。各分隔壁pw具有以轴线ax2或轴线ax3为中心的圆环形状。
[0095]
图15所示的第五实验例的垂直腔面发射激光器除了在各凹部rs内设置十个分隔壁pw以外，具备与垂直腔面发射激光器10相同的构成。在第五实验例的垂直腔面发射激光器中，在第二区域12a2以及第三区域12a3上分别设置有十一个凹部rs。十个分隔壁pw以轴线ax2或轴线ax3为中心配置成同心圆状。各分隔壁pw具有以轴线ax2或轴线ax3为中心的圆环形状。
[0096]
对于第一实验例的垂直腔面发射激光器，测定了电极焊盘34与接触层16之间的电容。进一步地，对于第二实验例至第五实验例的垂直腔面发射激光器，在改变树脂部60的厚度h2的同时，通过模拟来计算出电极焊盘34与接触层16之间的电容(平行板之间的电容)。分隔壁pw的上表面pwa上的分隔壁pw的宽度w1为1μm。将结果示于图16。
[0097]
图16是表示在第一实验例至第五实验例的垂直腔面发射激光器中由电极焊盘引起的电容的曲线图。曲线图的横轴表示树脂部的厚度(μm)。曲线图的纵轴表示由电极焊盘引起的电容(ff)。图中，e1至e5分别表示第一实验例至第五实验例的结果。在第一实验例的垂直腔面发射激光器中，电极焊盘34与接触层16之间的电容为150ff。从第二实验例至第五实验例的模拟结果可知，随着树脂部60的厚度h2增加，电极焊盘34与接触层16之间的电容单调减少。另外，可知随着凹部rs或者分隔壁pw的数量减少，电极焊盘34与接触层16之间的电容单调减少。通过将树脂部60的厚度h2设为5μm以上，将分隔壁pw的数量设为五个以下，能够将电极焊盘34与接触层16之间的电容设为约60ff以下。即，能够将容量降低60％以上。
[0098]
以上，对本公开的优选实施方式进行了详细说明，但本公开并不限定于上述实施方式。
[0099]
例如，可以在第二区域12a2以及第三区域12a3各自之上配置单个凹部rs，也可以不在第二区域12a2以及第三区域12a3中的任一方之上配置凹部rs以及树脂部60。
[0100]
应该理解为，本次公开的实施方式在所有方面都是例示而不是限制性的。本发明的范围并非由上述的意思表示，而是由技术方案表示，意图包含与技术方案等同的意思以及范围内的全部变更。