聚光透镜的高度调整方法和芯片转印方法及聚光透镜的高度调整装置和芯片转印装置与流程

1.本发明涉及光透镜的高度调整方法和芯片转印方法及聚光透镜的高度调整装置和芯片转印装置。


背景技术：

2.微细加工技术的进步所带来的半导体芯片的微小化或led的发光效率提高所带来的led芯片的小型化不断发展。因此，能够将大量的半导体芯片或led芯片等芯片部件密集地形成到1张晶片基板上。
3.近年来，存在以下用途：对于密集地形成于晶片基板的切割后的芯片部件、或以配置在晶片基板上的状态转印到转印基板的芯片部件，将它们隔开规定的间隔而重新排列到布线基板等转印目的地基板，并高速、高精度地进行安装。例如，在作为图像显示装置而受到关注的微led显示器制造中，需要将数百万个的led芯片隔开间隔地安装到tft基板的规定位置。
4.这里，高密度地排列在包含晶片基板的转印基板上的各个芯片部件需要以误差为几μm左右的高精度被转印，以确保芯片部件的电极与转印目的地基板的电极的电接合。而且需要高速地转印大量的芯片部件。
5.对于这样的高速、高精度地进行芯片部件的转印并隔开规定的间隔高精度地安装到转印目的地基板上的工艺进行了各种研究。其中，针对激光剥离法(之后记作llo法)进行了很多研究(例如专利文献1)。
6.在图12中，示出通过llo法将芯片部件c从转印基板2转印配置到转印目的地基板b的例子。即，示出向右端的芯片部件c照射激光l而向转印目的地基板b转印的状态。这里，右端的芯片部件c对位于转印目的地基板b的规定位置上部。这里，激光l的波长从适合于芯片部件c从转印基板2剥离的范围中选择。例如，如果使用透射转印基板2并被芯片部件c的原材料吸收的波长，则通过原材料伴随着温度上升分解而产生的气体，芯片部件c从转印基板2被剥离。
7.图13示出通过激光l的照射从转印基板2剥离后的右端的芯片部件c被转印到转印目的地基板b的状态。这里，右端的芯片部件c向正下方转印，因此，配置在转印目的地基板b的规定位置。另外，如果预先使得芯片部件伴随转印而向正下方移动的距离大于芯片部件厚度，则即便芯片部件c转印到转印目的地基板b上，也能够使转印基板2在水平方向上移动。
8.现有技术文献
9.专利文献
10.专利文献1：日本特开2010-161221号公报


技术实现要素：

11.发明要解决的问题
12.为了通过llo法从转印基板2向转印目的地基板b转印芯片部件c，除了激光l的波长之外，作为转印基板2与芯片部件c的界面的加工面中的激光的强度分布也是重要的。关于其具体例，在图14中以剖视图示出了激光l的加工面中的强度分布与转印质量之间的关系。
13.在图14中，强度分布d(顶帽分布)是芯片部件c从转印基板2剥离并且在没有受到过剩的能量的状态下可靠地转印到转印目的地基板b的(加工面中的)激光l的强度分布。另一方面，虽然强度分布a是均匀的强度分布，但加工面中的激光l的强度在整体上较弱，芯片部件c没有剥离。在强度分布b(高斯分布)中，即便在芯片中心部得到充分的激光l的强度，在芯片部件c周缘部，芯片部件c也没有剥离，因此产生转印不良。此外，在强度分布c(m字分布，从照射面观察时呈环状)中，芯片部件c的周缘部处的激光l变得过剩，因此，虽然芯片部件c从转印基板2剥离，但可能由于从芯片部件的一角产生剥离而引起芯片部件c的转印时横向偏移、芯片部件c角部的破损。
14.因此，需要进行图12中的聚光透镜5的高度调整等而优化加工面2f的激光强度分布。因此，以往通过图15的(b)所例示的方法对加工面的激光强度分布进行调整。即，一边通过在(不存在转印基板2的状态下)与加工面2f相同的高度h2f上具有受光面7f的光束分析仪7对图15的(a)所示的加工面2f的高度上的激光l的强度分布进行观察，一边以受光面7f的光强度分布(如图14的强度分布d那样)优化的方式来求出聚光透镜5的高度位置。然后，在通过这种方式进行了调整的聚光透镜5的高度位置处进行llo法。
15.但是，即便通过图15的(b)所示的方法对聚光透镜5的高度进行调整，在基于llo法的芯片部件c的转印中也存在产生质量转印不良的情况。即，存在配置了转印基板2的状态下的加工面中的光强度分布是不合适的情况。
16.本发明是鉴于上述问题而完成的，提供如下的光透镜的高度调整方法和芯片转印方法、以及聚光透镜的高度调整装置和芯片转印装置：在通过激光剥离法向转印目的地的基板转印芯片部件时，对作为芯片部件与转印基板的界面的加工面中的激光强度分布进行优化，从而得到良好的转印质量。
17.用于解决问题的手段
18.为了解决上述问题，技术方案1所记载的发明是一种聚光透镜的高度调整方法，在激光剥离转印法中，对配置在激光光源和在下表面配置有多个芯片部件的转印基板之间且能够上下移动的聚光透镜的高度进行调整，从而优化作为所述芯片部件与所述转印基板的界面的加工面的面内的激光的强度分布，所述激光剥离转印法透过所述转印基板地向所述转印基板的所述加工面照射激光，将所述芯片部件剥离并转印到与所述芯片部件对置的转印目的地基板的上表面，其中，在所述转印基板的下侧配置光束分析仪，该光束分析仪具有朝上的受光面，并对激光的强度分布进行测定，在未配置所述芯片部件的位置处对透过所述转印基板的激光的强度分布进行测定，调整所述聚光透镜的高度。
19.技术方案2所记载的发明在技术方案1所记载的聚光透镜的高度调整方法的基础上，使所述受光面紧贴于所述转印基板的下表面而进行的。
20.技术方案3所记载的发明在技术方案1所记载的聚光透镜的高度调整方法的基础
上，所述受光面位于比所述转印基板的下表面更靠下方的位置。
21.技术方案4所记载的发明在技术方案3所记载的聚光透镜的高度调整方法的基础上，在所述转印基板的折射率已知的情况下，与所述受光面和所述转印基板的下表面之间的间隔相应地根据所述受光面的激光的强度分布来估计所述转印基板的下表面上的激光的强度分布。
22.技术方案5所记载的发明是一种芯片转印方法，向隔着粘合层配置有多个芯片部件的转印基板的所述粘合层，透过所述转印基板地照射激光，将所述芯片部件选择性地转印到转印目的地基板，其中，所述芯片转印方法进行：预备照射，照射具有环状的高强度区域的强度分布的激光，使得所述芯片部件的外周部附近的粘合层的粘合力下降；以及正式照射，向经过了所述预备照射工序的所述芯片部件与所述转印基板之间的粘合层照射具有顶帽分布或高斯分布的强度分布的激光，将所述芯片部件从所述转印基板剥离并转印到所述转印目的地基板。
23.技术方案6所记载的发明是一种聚光透镜的高度调整装置，其在芯片转印装置中，对配置在激光光源和在下表面配置有多个芯片部件的转印基板之间且能够上下移动的聚光透镜的高度进行调整，从而优化作为所述芯片部件与所述转印基板的界面的加工面的面内的激光的强度分布，所述芯片转印装置透过所述转印基板地向所述转印基板的所述加工面照射激光，将所述芯片部件剥离并转印到与所述芯片部件对置的转印目的地基板的上表面，其中，所述聚光透镜的高度调整装置具备：聚光透镜驱动部，其沿上下驱动所述聚光透镜；光束分析仪，其以具有朝上的受光面的方式配置在比所述转印基板的下表面更靠下方的位置，并且对激光的强度分布进行测定；以及控制部，其与所述聚光透镜驱动部及所述光束分析仪连接，所述控制部具有一边改变所述聚光透镜的高度位置一边取得所述受光面的激光的强度分布的功能。
24.技术方案7所记载的发明是一种芯片转印装置，其向在下表面配置有多个芯片部件的转印基板的作为所述芯片部件与所述转印基板的界面的加工面，从上方透过所述转印基板地照射激光，将所述芯片部件剥离并转印到与所述芯片部件对置的转印目的地基板的上表面，其中，所述芯片转印装置具备技术方案6所记载的聚光透镜的高度调整装置。
25.技术方案8所记载的发明是一种芯片转印装置，其向隔着粘合层配置有多个芯片部件的转印基板的所述粘合层，透过所述转印基板地照射激光，将所述芯片部件选择性地转印到转印目的地基板，其中，所述芯片转印装置具备：具有能够在所述粘合层中引起激光烧蚀的波长的激光振荡器；聚光单元，其配置在所述激光振荡器与所述转印基板之间，对激光进行会聚；以及光束成形器，其配置在所述激光振荡器的所述聚光单元之间，所述芯片转印装置使所述光束成形器的状态发生变化，能够将向所述粘合层照射的激光的强度分布切换为具有环状的高强度区域的形状和高斯形状或顶帽形状。
26.发明的效果
27.通过使用本发明的转印基板，在通过激光剥离法向转印目的地的基板转印芯片部件时，对作为芯片部件与转印基板的界面的加工面中的激光强度分布进行优化，从而得到良好的转印质量。
附图说明
28.图1是示出本发明的实施方式中的激光剥离装置的结构的图。
29.图2是说明进行本发明的实施方式的聚光透镜的高度调整的方法的图，(a)是示出使聚光面与转印基板下表面一致而实施的状态的图，(b)是示出使聚光面从转印基板下表面离开而实施的状态的图。
30.图3是对使聚光面从转印基板下表面离开而实施本发明的实施方式的聚光透镜的高度调整的方法进行说明的图。
31.图4是对激光剥离法进行说明的图，(a)是示出从转印基板向转印目的地基板转印芯片部件的过程的图，(b)是示出从转印基板剥离后的芯片部件被转印到转印目的地基板的状态的图。
32.图5是对在激光剥离法中在激光光轴和芯片部件中心产生位置偏移的情况进行说明的图，(a)是示出从转印基板向转印目的地基板转印芯片部件的过程的图，(b)是示出芯片部件从转印基板部分地剥离的状态的图。
33.图6是对本发明的实施方式变形例的芯片转印装置的结构进行说明的图。
34.图7是对本发明的实施方式变形例的激光的预备照射进行说明的图，(a)是示出照射激光的过程的图，(b)是示出由预备照射导致的芯片部件外周部附近的粘合层的变化的图。
35.图8是对本发明的实施方式变形例的激光的正式照射进行说明的图，(a)是示出照射激光的过程的图，(b)是示出从转印基板剥离后的芯片部件被转印到转印目的地基板的状态的图。
36.图9是针对本发明的实施方式变形例的激光的预备照射而与芯片的面内形状关联地进行说明的图，(a)是示出转印基板面上的芯片部件排列的图，(b)是例示预备照射的激光强度分布的图，(c)是例示预备照射后的粘合层的状态和正在进行预备照射的芯片部件处的激光强度分布的图，(d)是例示扫描预备照射位置从而对转印基板上的芯片部件依次进行预备照射的状态的图。
37.图10是针对本发明的实施方式变形例的激光的正式照射而与芯片的面内形状关联地进行说明的图，(a)是例示进行了预备照射后的粘合层的状态的图，(b)是示出对预备照射完毕的芯片部件进行的正式照射的激光强度分布的图，(c)是例示通过正式照射而将芯片部件从转印基板剥离后的状态的图，(d)是示出依次对正式照射位置进行扫描的状态的图。
38.图11是在本发明的实施方式变形例中以激光的光束形状为四边形为例，(a)是示出预备照射的激光强度分布的图，(b)是示出对预备照射完毕的芯片部件进行的正式照射的激光强度分布的图。
39.图12是示出通过激光剥离法从转印基板向转印目的地基板转印芯片部件的状态的图。
40.图13是示出通过激光剥离法将从转印基板剥离后的转印到转印目的地基板的状态的图。
41.图14是对激光剥离法中激光相对于芯片部件尺寸的强度分布与转印质量之间的关系进行说明的图。
42.图15是对聚光透镜高度调整的现有例子进行说明的图，(a)是示出进行激光剥离的结构的图，(b)是示出通过光束分析仪对与激光剥离的加工面相同的面高度的激光强度分布进行观测的结构的图。
具体实施方式
43.使用附图对本发明的实施方式进行说明。图1是示出本发明的实施方式的芯片转印装置即激光剥离装置1的结构的图。
44.激光剥离装置1向转印目的地基板b的规定位置转印高密度地配置于转印基板2的芯片部件c。在图1中，转印基板2是将粘合层21层叠于基底20而成的结构，但不限于此，也可以是(不存在粘合层21的)晶片基板。
45.激光剥离装置1的结构要素为：载台3、激光光源4、聚光透镜5、聚光透镜驱动部51、转印基板保持单元6、光束分析仪7以及控制部8。此外，在激光剥离装置1中，聚光透镜驱动部51、光束分析仪7、控制部8构成聚光透镜的高度调整装置。
46.载台3具有保持转印目的地基板b的功能，并且优选具有使转印基板b在面内方向上移动的功能。
47.激光光源4是用于向加工面照射激光剥离所需的波长和能量的光源，该加工面是转印基板2的下表面2f且是与芯片部件c之间的界面，激光光源4不限定于激光振荡器，包含引导从激光振荡器放射的光的光学系统的装置也相当于激光光源4。
48.聚光透镜5对从激光光源4发出的激光l进行会聚，通过聚光透镜驱动部51进行上下移动，能够调整相对于转印基板2的高度位置，由此，转印基板下表面2f的激光强度分布发生变化。
49.转印基板保持单元6通过把持转印基板2的周缘部而进行保持，优选具有使转印基板2在面内方向上移动而进行对位的功能。此外，也可以具有在上下方向上对转印基板2进行高度调整的功能。
50.光束分析仪7接收激光等，观察受光面7f中的光强度的面内分布。在本实施方式中，受光面7f与激光l对置而朝上。也可以具备对受光面7f的高度进行调整的功能。
51.控制部8与聚光透镜驱动部51以及光束分析仪7连接。控制部8与聚光透镜驱动部51连接，具有进行聚光透镜5的高度控制的功能。此外，控制部8与光束分析仪7连接，能够在任意的定时取得光强度分布作为二维图像。此外，控制部8内置有存储单元和运算单元，优选具有将聚光透镜5的高度信息与光束分析仪7所取得的光强度分布二维图像进行关联的功能。
52.以下，使用图1至图3对图1所示的激光剥离装置1进行聚光透镜5的高度调整的方法进行说明。
53.图2的(a)示出将转印基板2上未配置芯片部件c的位置配置于聚光透镜5的正下方，并将光束分析仪7的受光面7f设置为与转印基板下表面2f相同的高度的状态。如果在该状态下照射激光l，则光束分析仪7能够观察转印基板下表面2f的激光强度的面内分布。即，能够得到与(配置有芯片部件c的场所的)加工面中的激光强度的面内分布等效的图像。因此，控制部8一边通过聚光透镜驱动部51改变聚光透镜5的高度位置一边通过光束分析仪7来观察激光强度的面内分布，由此，能够知晓可得到合适的强度分布的聚光透镜5的高度。
这里，关于是否为合适的强度分布，可以由人观察光束分析仪7的图像来进行判断，也可以由控制部8通过图像解析程序进行自动判定。
54.然而，虽然如图2的(a)那样为了将光束分析仪7的受光面7f设置为与转印基板下表面2f相同的高度而优选具有能够进行受光面7f的高度调整的功能，但如果在受光面7f的高度调整过程中过度上升，则会成为将转印基板2上推的状态，因此，会观察到与llo法中的加工面的激光强度的面内分布不同的情况。此外，在转印基板2具有粘合层21的情况下，也存在由于受光面7f与转印基板下表面2f紧贴而难以剥离所引起的弊端。具体而言，粘合层21的一部分有时附着于受光面7f，因此，无法再高频度地进行转印基板下表面2f中的激光强度的面内分布的优化。
55.这样，图2的(a)的状态下的基于光束分析仪7的观察具有能够直接知晓加工面高度的激光强度的面内分布这样的优点，但相反地，在作业性等方面也存在问题。因此，图2的(b)的状态是考虑了作业性的状态。图2的(b)与图2的(a)的不同之处是光束分析仪7的受光面7f的高度，受光面7f位于比转印基板下表面2f更靠下方的位置。即，转印基板下表面2f与受光面7f未紧贴。
56.在图2的(b)这样的受光面7f的高度下，通过光束分析仪7得到的激光强度的面内分布当然不是转印基板下表面2f的面内分布。但是，如果转印基板2的折射率已知，则可知，即便受光面7f与转印基板下表面2f分离，也能够与受光面7f的高度(转印基板2f与受光面7f之间的间隔)相应地根据受光面7f的激光强度的面内分布来估计转印基板下表面2f的激光强度的面内分布。图3示出其一例。图3示出了在将转印基板下表面2f与受光面7f之间的间隔设定为规定值并且转印基板下表面2f的激光强度分布为光束轮廓a时，受光面7f的激光强度分布成为光束轮廓b的例子。即，在图3所示的例子中，通过使受光面7f的激光强度成为图14所示的强度分布b(高斯分布)的方式来对聚光透镜5的高度进行调整，由此，通过(转印基板下表面2f的激光强度分布成为顶帽分布)llo法而得到良好的转印质量。
57.作为聚光透镜的高度调整装置，优选如图3那样将受光面7f的激光强度分布与转印基板下表面2f的激光强度分布之间的关系根据转印基板下表面2f与受光面7f的间隔而数据库化并预先记录在控制部8中。通过进行数据库化，控制部8一边通过聚光透镜驱动部51改变聚光透镜5的高度位置一边通过光束分析仪7观察受光面7f的激光强度的面内分布，由此，能够知晓在转印基板下表面2f可得到合适的强度分布的聚光透镜5的高度。
58.另外，数据库化不限于受光面7f的激光强度分布与转印基板下表面2f的激光强度分布之间的关系。即，也可以根据转印基板下表面2f与受光面7f之间的间隔，将实际的受光面7f的激光强度分布与此时进行llo法而确认的转印状态之间的关系进行数据库化。
59.这样，通过在激光剥离装置中设置本发明的聚光透镜的高度调整装置，从而能够得到转印质量优异的激光剥离装置。
60.即，如图4的(a)那样，转印基板下表面2f的激光在与芯片部件c的芯片尺寸相对应的范围内成为适合于llo法的强度，并且能够如图4的(b)那样进行良好的转印。
61.然而，在如图4的(a)那样照射适合于芯片部件c的芯片尺寸的强度分布的激光的情况下，需要使激光照射位置与应转印的芯片部件c高精度地一致。即，当如图5的(a)那样激光l的光轴lc从芯片部件c的中心cc偏移时，在激光强度弱的部分(图中的芯片右侧)不剥离的状态下，从芯片部件c的左侧产生剥离，因此，无法将芯片部件c平行地转印到转印目的
地基板b。
62.为了避免这样的现象，如果扩宽图14的强度分布d(顶帽分布)的激光照射范围，则能够向各个芯片部件c的整个面的范围照射适当强度的激光。但是，为了像这样扩宽激光照射范围，需要对激光光源4进行高输出，涉及到装置的大型化或成本上升。此外，当激光的照射范围较宽时，也会将与作为转印对象的芯片部件c相邻的芯片部件c部分地剥离，并不优选。
63.然而，在产生这样的问题点的情形下，也可以作为有效利用了能够控制转印基板下表面2f的激光强度分布这样的特征的实施方式变形例进行改善。
64.图6是示出本发明的实施方式变形例的芯片转印装置即激光剥离装置101的概要结构的图。
65.激光剥离装置101向转印目的地基板b的规定位置转印高密度地配置于转印基板2的芯片部件c。在图6中，转印基板2是将粘合层21层叠于基底20而得到的结构。
66.激光剥离装置101的结构要素为：载台3、激光光源4、聚光透镜5、聚光透镜驱动部51、转印基板保持单元6以及控制部8。
67.载台3具有保持转印目的地基板b的功能，优选具有使转印基板b在面内方向上移动的功能。
68.激光光源4是用于照射被转印基板2的粘合层21吸收而使粘合层21固化(粘合力下降)乃至分解而产生气体这样的波长和能量的光源。另外，激光光源4不限于激光振荡器，也包含引导从激光振荡器放射的光的光学系统。此外，激光光源4也可以具有光束成形器的功能。即，也可以在激光振荡器与扫描振镜等具有扫描功能的光学系统等之间配置激光的光束轮廓(面内强度分布)可变的光束成形器。
69.聚光透镜对从激光光源4发出的激光l进行会聚，如果产生球面像差，则通过聚光透镜驱动部51进行相对于粘合层21的高度调整，从而能够使粘合层21面内的激光强度分布变化。
70.转印基板保持单元6通过把持转印基板2的周缘部而进行保持，优选保持使转印基板2在面内方向上移动而进行对位的功能。此外，也可以具有在上下方向上对转印基板2进行高度调整的功能。
71.控制部8与载台3、激光光源4、转印基板6、聚光透镜驱动部51连接。
72.控制部8与载台3连接，进行载台3的位置控制，使得芯片部件c能够向转印目的地基板b的规定位置转印。
73.控制部8能够控制激光光源4照射激光l的照射定时。此外，在激光光源4还包含扫描振镜这样的光学系统的情况下，能够控制激光l沿着转印基板2的面内方向的扫描。
74.控制部8与转印基板保持单元6连接，能够控制转印基板2的面内方向位置。
75.控制部8与聚光透镜驱动部51连接，具有控制聚光透镜5的状态的功能。通过该功能，能够使向转印基板2的粘合层21照射的激光的强度分布发生变化。因此，如图6的左上所记载的那样，也能够将向粘合层21照射的激光的强度分布相对于芯片部件c的尺寸cw切换为在外周部附近成为高强度这样的(轮廓呈环状地具有高强度区域)分布和在中心部附近变强的顶帽分布。另外，向粘合层21照射的激光的强度分布的切换不限于此，例如，有时也能够应用高斯分布来代替顶帽分布。
76.以下，使用图7和图8，来说明通过图6所示的激光剥离装置1向转印目的地基板转印隔着粘合层配置于转印基板的芯片部件的工序。
77.图7用于说明以下预备照射工序：通过激光剥离装置1没有将芯片部件c从转印基板2剥离，但为了在芯片部件c的外周部附近降低粘合层21的粘合力(或者将粘合层21剥离)而照射激光。
78.另外，以下的说明是对在切换向转印基板2的粘合层21照射的激光的强度分布时对聚光单元5进行驱动的例子进行说明，但如果激光光源4具有光束成形器的功能，则也能够使光束成形器的状态发生变化而进行同样的切换。
79.在图7的(a)中，使得向转印基板2的粘合层21照射的激光的强度分布相对于芯片部件c的尺寸cw在外周部附近高且在中心部弱。通过接收这样的强度分布的激光，粘合层21的粘合力在芯片部件c的中心附近被维持，如图7的(b)所示，在外周部附近成为低粘合部21v。这里，低粘合部21v不仅包括粘合力下降的状态，还包括从芯片部件c或基底20剥离的状态。
80.在激光的预备照射后，如图7的(b)所示，在芯片部件c的中心部附近粘合层21的粘合力高，因此，芯片部件c维持配置于转印基板2的状态，在芯片部件c的外周部附近成为容易剥离的状态。
81.因此，如图8的(a)那样将在比芯片部件c稍小的区域具有顶帽分布的激光作为正式照射而向粘合层21照射，由此，芯片部件c从转印基板2容易地剥离，维持平行状态而转印到转印目的地基板b(图8的(b))。这里，即便激光的强度不是顶帽分布而是高斯分布，也具有向转印目的地基板b转印芯片部件c的可能性。此外，通过预备照射，使粘合层21的粘合力在芯片部件c的外周部附近较弱，因此，即便在正式照射中激光的光轴从芯片部件c的中心稍微偏移，也能够在维持平行度的状态下向转印目的地基板b转印芯片部件c。
82.如以上那样，通过组合图7的(a)那样的预备照射和图8的(a)那样的正式照射，在将隔着粘合层配置于转印基板的芯片部件向转印目的地基板转印时，能够转印到适当的位置。即，能够实现转印质量优异的转印。
83.然而，在将配置于转印基板2的大量芯片部件c向转印目的地基板b转印时，针对每个芯片部件c进行预备照射和正式照射需要通过聚光单元驱动部51频繁地切换聚光单元5的状态，对于聚光单元驱动部51的负荷增加，也产生切换所需的时间损耗。
84.因此，如果能够通过扫描振镜这样的光学系统对激光(在转印基板2的面内方向上)进行扫描，则优选在配置于转印基板2的全部的芯片部件c的位置处进行预备照射之后，通过在各个芯片部件的位置处进行正式照射而向转印目的地基板b转印芯片部件c。
85.图9和图10示出了该例，并且使用转印基板2上的芯片部件c的面内配置来进行说明。
86.首先，图9的(a)是示出在转印基板2上隔着粘合剂21排列的芯片部件c的图，图9的(b)示出以该排列的右上的芯片部件c为中心正在进行预备照射的状态。在图9的(b)中，预备照射部lp21p表示预备照射的面内强度高的区域，通过预备照射而在芯片部件c的外周部附近产生低粘合部21v(图9的(c))。在图9的(c)中，示出了通过预备照射而形成低粘合部，并且示出了以相邻的芯片部件c为中心进行预备照射的状态。即，并非紧接着向通过预备照射产生了低粘合部21v的芯片部件c进行正式照射，而是根据芯片部件c排列，向转印基板2
依次进行预备照射(图9的(d))。
87.图10的(a)例示出通过这种方式完成了与转印基板b的(除了不合格品等的)作为转印对象的芯片部件c的配置位置相应的预备照射的状态。在图10的(a)中，根据配置于转印基板2的芯片部件c的每一个的配置位置，在粘合层21中，低粘合部21v形成在芯片部件c的外周部附近。
88.图10的(a)的状态是各个芯片部件c通过在中心附近维持了粘合力的粘合层21而附着于转印基板2的状态，而外周部附近的粘合层21通过预备照射成为了低粘合部21v。
89.因此，即便在正式照射中芯片部件c的外周部附近的光强度低，也能够将芯片部件c剥离。即，如图10的(b)那样通过在芯片部件c的中心附近设置光强度高的正式照射部lp21l，从而如图10的(c)那样，芯片部件c的中心附近也成为低粘合部21v，芯片部件c剥离而被转印到转印目的地基板b。之后，如图10的(d)那样对配置于转印基板2的芯片部件c(的粘合层21)进行正式照射，从而向转印目的地基板b的规定位置依次转印芯片部件c。
90.另外，关于激光的照射面形状，在图9和图10中为圆形，但不限于此。如果光束成形器具有变更照射面形状的功能，则也能够如图11那样设为与芯片形状一致的四边形状等。
91.然而，在图1的装置结构中，为了优化加工面的激光强度分布而需要进行聚光透镜的高度调整，但在如图6的装置那样激光光学系统具备光束成形器的情况下，也能够利用光束成形器的功能来优化加工面的激光强度分布。
92.附图标记说明1激光剥离装置(芯片转印装置)2转印基板2f转印基板下表面(加工面)
93.3载台
94.4激光光源
95.5聚光透镜
96.6转印基板保持单元7光束分析仪
97.7f受光面
98.8控制部
99.20基底
100.21粘合层
101.51聚光透镜驱动部b转印目的地基板c芯片部件
102.cw芯片尺寸
103.h2f转印基板下表面高度l激光