聚光透镜的高度调整方法和芯片转印方法及聚光透镜的高度调整装置和芯片转印装置与流程

技术特征：
1.一种聚光透镜的高度调整方法，在激光剥离转印法中，对配置在激光光源和在下表面配置有多个芯片部件的转印基板之间且能够上下移动的聚光透镜的高度进行调整，从而优化作为所述芯片部件与所述转印基板的界面的加工面的面内的激光的强度分布，所述激光剥离转印法透过所述转印基板地向所述转印基板的所述加工面照射激光，将所述芯片部件剥离并转印到与所述芯片部件对置的转印目的地基板的上表面，其中，在所述转印基板的下侧配置光束分析仪，该光束分析仪具有朝上的受光面，并对激光的强度分布进行测定，在未配置所述芯片部件的位置处对透过所述转印基板的激光的强度分布进行测定，调整所述聚光透镜的高度。2.根据权利要求1所述的聚光透镜的高度调整方法，其中，所述聚光透镜的高度调整方法是使所述受光面紧贴于所述转印基板的下表面而进行的。3.根据权利要求1所述的聚光透镜的高度调整方法，其中，所述受光面位于比所述转印基板的下表面更靠下方的位置。4.根据权利要求3所述的聚光透镜的高度调整方法，其中，在所述转印基板的折射率已知的情况下，与所述受光面和所述转印基板的下表面之间的间隔相应地根据所述受光面的激光的强度分布来估计所述转印基板的下表面上的激光的强度分布。5.一种芯片转印方法，向隔着粘合层配置有多个芯片部件的转印基板的所述粘合层，透过所述转印基板地照射激光，将所述芯片部件选择性地转印到转印目的地基板，其中，所述芯片转印方法进行：预备照射，照射具有环状的高强度区域的强度分布的激光，使得所述芯片部件的外周部附近的粘合层的粘合力下降；以及正式照射，向经过了所述预备照射工序的所述芯片部件与所述转印基板之间的粘合层照射具有顶帽分布或高斯分布的强度分布的激光，将所述芯片部件从所述转印基板剥离并转印到所述转印目的地基板。6.一种聚光透镜的高度调整装置，其在芯片转印装置中，对配置在激光光源和在下表面配置有多个芯片部件的转印基板之间且能够上下移动的聚光透镜的高度进行调整，从而优化作为所述芯片部件与所述转印基板的界面的加工面的面内的激光的强度分布，所述芯片转印装置透过所述转印基板地向所述转印基板的所述加工面照射激光，将所述芯片部件剥离并转印到与所述芯片部件对置的转印目的地基板的上表面，其中，所述聚光透镜的高度调整装置具备：聚光透镜驱动部，其沿上下驱动所述聚光透镜；光束分析仪，其以具有朝上的受光面的方式配置在比所述转印基板的下表面更靠下方的位置，并且对激光的强度分布进行测定；以及控制部，其与所述聚光透镜驱动部及所述光束分析仪连接，所述控制部具有一边改变所述聚光透镜的高度位置一边取得所述受光面的激光的强度分布的功能。7.一种芯片转印装置，其向在下表面配置有多个芯片部件的转印基板的作为所述芯片
部件与所述转印基板的界面的加工面，从上方透过所述转印基板地照射激光，将所述芯片部件剥离并转印到与所述芯片部件对置的转印目的地基板的上表面，其中，所述芯片转印装置具备权利要求6所述的聚光透镜的高度调整装置。8.一种芯片转印装置，其向隔着粘合层配置有多个芯片部件的转印基板的所述粘合层，透过所述转印基板地照射激光，将所述芯片部件选择性地转印到转印目的地基板，其中，所述芯片转印装置具备：具有能够在所述粘合层中引起激光烧蚀的波长的激光振荡器；聚光单元，其配置在所述激光振荡器与所述转印基板之间，对激光进行会聚；以及光束成形器，其配置在所述激光振荡器的所述聚光单元之间，所述芯片转印装置使所述光束成形器的状态发生变化，能够将向所述粘合层照射的激光的强度分布切换为具有环状的高强度区域的形状和高斯形状或顶帽形状。

技术总结
本发明提供一种在通过激光剥离法向转印目的地的基板转印芯片部件时，优化作为芯片部件与转印基板的界面的加工面中的激光强度分布而得到良好的转印质量的聚光透镜的高度调整方法和芯片转印方法及聚光透镜的高度调整装置和芯片转印装置。具体而言，在该聚光透镜的高度调整方法和芯片转印方法及聚光透镜的高度调整装置和芯片转印装置中，在所述转印基板的下侧配置具有朝上的受光面且对激光的强度分布进行测定的光束分析仪，在未配置所述芯片部件的位置对透过所述转印基板的激光的强度分布进行测定，从而进行调整所述聚光透镜的高度的聚光透镜的高度调整。高度的聚光透镜的高度调整。高度的聚光透镜的高度调整。


技术研发人员：水谷义人 新井义之
受保护的技术使用者：东丽工程株式会社
技术研发日：2020.12.09
技术公布日：2022/7/22