用于加工金属-陶瓷基板的方法，用于这种方法的设施和借助这种方法制造的金属-陶瓷基板与流程

1.本发明涉及一种用于加工金属-陶瓷基板的方法，一种用于这种方法的设施和一种借助这种方法制造的金属-陶瓷基板。


背景技术：

2.电子模块从现有技术中例如作为功率电子模块充分已知。这种电子模块通常利用可切换的或可控制的电子器件，所述电子器件在共同的金属-陶瓷基板上经由印制导线彼此连接。金属-陶瓷基板的主要组成部分在此是绝缘层和金属化层，所述绝缘层在金属-陶瓷基板的情况下由包括陶瓷的材料制成，并且所述金属化层为了形成印制导线优选结构化并且在金属-陶瓷基板的器件侧处构成。
3.在此，典型地将金属-陶瓷基板实现为大型板，所述大型板在结构化之后或之前被分割为小的金属-陶瓷基板。这种大型板为此借助于激光加工以制造理论断裂线和/或分离部位。接着能够将相应的金属-陶瓷基板从大型板中、例如通过拆出以分割的方式提供。在此，使用超短脉冲激光器被证实为有利的，如例如在wo 2017/108950 a1中所描述的。
4.从us 2016 0 207 143 a1中已知一种用于借助激光加工工件的方法，其中将工件放置在平台上。ep 0 826 457 a1也涉及借助于激光制造钻孔。


技术实现要素：

5.以现有技术为出发点，本发明的目的是，改进金属-陶瓷基板的加工。
6.所述目的通过根据权利要求1的用于加工金属-陶瓷基板的方法，通过根据权利要求9的对此适合的设施，和通过根据权利要求10的借助这种方法制造的金属-陶瓷基板来实现。其他实施例在从属权利要求和说明书中得出。
7.根据本发明的第一方面，提出一种用于加工金属-陶瓷基板的方法，所述方法包括：
[0008]-提供金属-陶瓷基板，其中金属-陶瓷基板包括至少一个金属层和陶瓷元件，所述金属层和陶瓷元件尤其都沿着主延伸平面延伸并且沿着垂直于主延伸平面伸展的堆叠方向上下相叠地设置；和
[0009]-通过借助于激光、尤其超短脉冲(ukp)激光器的加工在金属-陶瓷基板中构成留空部，尤其贯穿的留空部。
[0010]
相对于从现有技术中已知的方法，为了构成留空部设有激光，尤其使用ukp激光器。在此，本领域技术人员将留空部理解为由金属-陶瓷基板优选在一个平面中以大于50％、优选大于75％并且特别优选完全地包围或环绕的区域，该区域不具有金属和/或陶瓷。例如，留空部由弯曲的或多边形的轮廓包围，所述轮廓借助于激光制造。在此可设想的是，例如在引入相应的膜和/或焊膏和/或其他传导材料之后，留空部用作为过孔和/或优选用作为以下区域，固定元件、如螺丝和/或螺栓穿过所述区域，以便将金属-陶瓷基板固定在
壳体和/或其他构件上。借助于激光的制造尤其在构成留空部时的质量和生产时间方面证实为有利的。例如，通过使用超短脉冲激光能减少用于金属-陶瓷基板的再加工步骤的数量。此外，以有利的方式可行的是，例如经由相应的镜元件，将激光以扫描的形式引导到金属-陶瓷基板的上侧，以便实现留空部的期望的形状和轮廓。
[0011]
特别优选地提出，留空部穿过整个金属-陶瓷基板，即从金属-陶瓷基板的上侧伸展至金属-陶瓷基板的背侧。在此，金属-陶瓷基板优选由承载件或保持元件在借助于激光加工期间保持或固定。
[0012]
此外，金属-陶瓷基板包括至少一个金属层，所述金属层在陶瓷层的上侧处材料配合地连结，其中金属层和陶瓷层沿着主延伸平面延伸并且沿着垂直于主延伸平面伸展的堆叠方向上下相叠地设置。作为用于至少一个金属层的材料可设想铜、铝、钼和/或其合金，以及叠层，如cuw、cumo、cual、alcu和/或cucu，尤其是具有第一铜层和第二铜层的铜夹层结构，其中第一铜层中的粒度与第二铜层不同。此外优选地提出，至少一个金属层是表面改性的。作为表面改性例如可考虑在第一或第二金属化层处用贵金属、尤其银和/或铜、或enig(“无电镍金(electroless nickel immersion gold)”)密封或者封边，以抑制裂纹形成或裂纹扩展。
[0013]
例如，陶瓷元件是至少一个陶瓷层或是具有至少一个陶瓷层的复合件。优选地，至少一个陶瓷层具有al2o3、si3n4、aln、hpsx陶瓷(即具有al2o3基体的陶瓷，其包括x百分比的份额的zro2，例如是具有9％的zro2的al2o3＝hps9或是具有25％的zro2的al2o3＝hps25)、sic、beo、mgo、高密度的mgo(＞90％的理论密度)、tsz(四方稳定氧化锆)或zta作为用于陶瓷的材料。在此还可设想的是，绝缘层构成为复合陶瓷或杂化陶瓷，其中为了将不同的期望的特性组合，分别在其材料成分方面不同的多个陶瓷层上下相叠地设置并且拼合成绝缘层。优选地，将尽可能可导热的陶瓷用于尽可能小的热阻。
[0014]
优选不将陶瓷元件或陶瓷层理解为玻璃或以大于50％由玻璃构成的材料。由此，陶瓷元件优选是不含玻璃的陶瓷元件。优选提出，通过沿着相同的轮廓重复地越过金属-陶瓷基板产生留空部。
[0015]
在此优选地，金属层借助于amb法和/或dcb法材料配合地连结于绝缘层。
[0016]
本领域技术人员将“dcb法”(direct-copper-bond-technology，直接铜键合技术)或“dab法”(direct-aluminium-bond-technology，直接铝键合技术)理解为如下方法，所述方法例如用于将金属层或金属板(例如铜板或铜膜或者铝板或铝膜)彼此连接和/或与陶瓷或陶瓷层连接，更确切地说利用金属板或铜板或金属膜或铜膜连接，所述金属板或铜板或金属膜或铜膜在其表面侧上具有层或包覆层(熔化层)。在所述例如在us 3 744 120a中或在de 23 19 854 c2中所描述的方法中，所述层或所述包覆层(熔化层)形成熔化温度低于金属(例如铜)的熔化温度的共晶体，使得通过将膜安置到陶瓷上并且通过加热所有层可以将其彼此连接，更确切地说通过基本上仅在熔化层或氧化层的区域中熔化金属或铜来连接。
[0017]
尤其地，dcb法那么例如具有如下方法步骤：
[0018]
●
将铜膜氧化，使得得到均匀的氧化铜层；
[0019]
●
将铜膜安置到陶瓷层上；
[0020]
●
将复合件加热到大约1025℃至1083℃之间的工艺温度，例如加热到大约1071
℃；
[0021]
●
冷却至室温。
[0022]
将活性焊料法(aktivlot-verfahren)，例如用于将金属层或金属膜，尤其铜层或铜膜与陶瓷材料连接的活性焊料法理解为如下方法，所述方法特别也用于制造金属-陶瓷基板，在温度处于大约650℃至1000℃之间时，通过使用硬焊料建立在金属膜、例如铜膜和陶瓷基板、例如氮化铝陶瓷之间的连接，所述硬焊料除了主要组分如铜、银和/或金之外，还包含活性金属。所述活性金属例如是下述元素中的至少一种：hf、ti、zr、nb、ce，所述活性金属通过化学反应建立在焊料和陶瓷之间的连接，而在焊料和金属之间的连接是金属的硬焊连接。替选地，为了连结也考虑厚层法。
[0023]
根据一个优选的实施方式提出，激光经由至少一个可枢转的镜元件或反射性的元件转向到金属-陶瓷基板上，并且尤其借助于至少一个可枢转的镜元件或反射性的元件运动到金属-陶瓷基板之上。借助于相应的扫描设备例如可行的是，将激光束或激光尽可能位置准确地移动到未来的留空部的规划的走向、即加工区域之上。在此尤其提出，至少一个镜元件匹配于激光的所使用的脉冲时长和/或波长，以便减少在至少一个镜元件处反应时的损失。还可设想的是，至少一个镜元件是空心镜和/或介电镜，以便将激光束至少部分地已经聚焦，优选在穿过附加的透镜之后和/或之前。通过尤其借助于透镜的聚焦，能够以有利的方式提高射中的激光脉冲的强度。此外特别优选地提出，至少一个镜元件可围绕至少两个轴线枢转。由此能保证，借助于将镜元件相应地定向，在金属-陶瓷基板的上侧处的每个点可以由光束检测。优选为刚好一个镜元件。
[0024]
优选地，ukp激光器是激光源，其提供具有0.1ps至800ps，优选1ps至500ps，特别优选10ps至50ps的脉冲时长的光脉冲。已经证实为特别有利的是，借助于这种脉冲，尤其能够以上述加工速度制造留空部和/或理论断裂线或理论断裂部位，所述留空部和/或理论断裂线或理论断裂部位具有在理论断裂线之内的裂纹形成和熔化的陶瓷之间的特别有益的关系，由此例如在理论断裂线的情况下也可以保证沿着理论断裂线的特别可靠的或成功的断裂，而在断裂时在被分割的金属-陶瓷基板处不产生损坏。优选地，例如借助相同的激光系统来实现理论断裂线至留空部。
[0025]
优选提出，留空部的平行于主延伸平面伸展的横截面大于激光的沿着同一平面测量的横截面。优选地，留空部的横截面具有第一直径，并且激光的横截面具有第二直径，其中第二直径与第一直径的比例具有低于0.2的值，优选小于0.1并且特别优选小于0.05的值。由此，例如通过激光沿着金属-陶瓷基板的上侧运动，能够规定裁剪轮廓，所述裁剪轮廓确定留空部的之后的横截面的形状。尤其地，这种加工用于构成留空部，在之后的制成的金属-陶瓷基板中用于固定的固定设备或装置穿过所述留空部。具有相应大的横截面的这种留空部通常不用于构成过孔，而是优选设为用于将金属-陶瓷基板简单地固定到其他构件上。
[0026]
特别优选地提出，激光经由透镜对准到金属-陶瓷基板的加工区域上，其中在加工期间改变在透镜和金属-陶瓷基板的上侧之间的间距。在此，在透镜和金属-陶瓷基板的上侧之间的间距涉及在产生留空部的区域之外、即在加工区域之外的区域。通过追踪在透镜和金属-陶瓷基板的上侧之间的间距能够以有利的方式考虑，在加工的范围内在金属-陶瓷基板处进行去除，由此无需相应地减小在透镜和金属-陶瓷基板的上侧之间的间距，透镜的
焦点会落入以下区域中，在该区域中已经发生金属-陶瓷基板材料的去除。通过相应地协调地改变在透镜和金属-陶瓷基板的上侧之间的间距能够以有利的方式保证，激光的焦距设置在金属-陶瓷基板的要去除的材料的区域中或直接在应去除的边界层之上和/或之下设置。为此优选地改变透镜和金属-陶瓷基板沿着堆叠方向的间距。尤其，在透镜和金属-陶瓷基板之间的间距的(总)改变基本上对应于金属-陶瓷基板的沿堆叠方向测量的厚度。
[0027]
还可设想的是，激光的倾斜在加工期间改变。由此例如留空部的内侧的走向能够根据期望成形。还可设想的是，留空部形成为，使得在留空部的内侧处实现阶梯的轮廓走向。由此例如能在金属-陶瓷基板的上侧处提供露出区域，固定机构的头部可以在该露出区域中下沉。在此，例如可以有利的是，在加工期间在第一子部段中设置留空部的内侧的不同的倾斜角，以便使所述第一子部段匹配于固定机构的头部的形状。
[0028]
优选地提出，激光至少暂时地，优选在整个加工期间，垂直地射到金属-陶瓷基板上。由此能够产生沿堆叠方向观察具有基本上恒定的横截面的柱状的留空部。例如，留空部的内侧相对于垂直于主延伸平面伸展的方向的倾斜小于10％，优选小于5％，并且特别优选小于2.5％。
[0029]
优选地，金属-陶瓷基板的加工仅在金属-陶瓷基板的没有金属的区域中进行。例如提出，通过沿着相同的轮廓重复地越过金属-陶瓷基板来产生留空部。
[0030]
例如也可设想的是，设有另外的激光，其中借助于激光和另外的激光构成留空部。由此能够使留空部的制造明显地加速。在此可设想的是，激光和另外的激光对金属-陶瓷基板在相同的时间对金属-陶瓷基板在共同的轮廓的不同部位处加工，其中激光和另外的激光都跟随共同的轮廓，以便形成留空部。
[0031]
还优选地提出，使用大于300mm的透镜的焦距。借助相对大的焦距，尤其大于300mm，优选大于350mm并且特别优选大于430mm的焦距，有利地可行的是，借助激光附加地在留空部旁边还产生理论断裂线，其相对于垂直于主延伸伸展的方向的倾斜是相对小的。由此可以有利地保证，尤其在整个大型板之上观察，金属-陶瓷基板的均匀的断裂特性。优选地，借助相同的激光系统提供激光，借助所述激光一方面制造理论断裂线并且另一方面在金属-陶瓷基板中产生留空部。通过改变激光器参数和/或通过使用过滤器能优选地改变用于产生一方的理论断裂线和另一方的留空部的特性。
[0032]
尤其提出，透镜与金属-陶瓷基板之间的间距从不低过透镜的焦距的一个值，该值大于金属-陶瓷基板的厚度，尤其是在透镜和/或金属-陶瓷基板彼此相向运动的情况下。因此可以保证，激光总是保持聚焦，尤其当材料被逐层地去除并且激光的焦点被追踪时也如此。
[0033]
优选地提出，间距的改变连续地或以离散的步距进行。尤其可设想的是，与加工金属-陶瓷基板以产生留空部同时地，对留空部深度，尤其对当前的留空部深度进行测量，使得可以与留空部深度的当前值相关地设定在透镜和金属-陶瓷基板之间的间距。例如，留空部深度的测量光学地，借助于相机和/或另外的激光系统进行。替选地或补充地，可设想的是，激光沿着闭合的轮廓运动，其中在每次越过或规定数量地越过闭合的轮廓之后进行在透镜和金属-陶瓷基板之间的间距的离散的改变步距。
[0034]
优选地提出，金属-陶瓷基板具有至少一个背侧金属化部，其中尤其地，至少一个背侧金属化部和至少一个金属化部设置在陶瓷元件的彼此相对置的侧处。通过构成伸展直
至背侧金属化部并且附加地去除所述背侧金属化部的留空部，有利地可行的是，产生留空部，其背侧金属化部是无毛刺的，尤其在背侧金属化部的背离陶瓷元件的侧处。由此，该方法尤其与常规方法，例如使用co2激光器的方法的不同之处在于：取消最后的再加工步骤，其中对留空部去毛刺。这加速了用于产生其中设有留空部的金属-陶瓷基板的制造方法。
[0035]
优选地，为了构成留空部，激光至少部段地沿着弯曲的轮廓引导。尤其，弯曲的轮廓对应于如下运动方向，激光沿着所述运动方向引导，使得得出用于对留空部限界的至少部段为圈形或圆形的走向。替选地，用于留空部的多边形的或有角的或直线的边缘走向是可设想的，其通过相应地设定激光的运动方向，尤其通过镜的定向来实现。
[0036]
还优选地提出，将金属-陶瓷基板的所分离的组成部分移除，优选借助于负压机制移除。例如，为此设有抽吸设备，所述抽吸设备优选集成到承载件中并且设置在加工区域或对留空部规划的区域中。如果激光跟随对之后的留空部限界的相应的轮廓，则将金属-陶瓷基板的由限界部或留空部的之后的限界部包括的区域切除。为了能够实现或简化将金属-陶瓷基板的切除的区域与具有完成的留空部的其余金属-陶瓷基板分离，有利地可行的是，借助于负压机制将金属-陶瓷基板的残余部分或分离的部分固定在承载件处，同时将金属-陶瓷基板从承载件松开。
[0037]
本发明的另一主题是一种用于执行根据本发明的方法的设施。所有针对方法所描述的特征和优点类似地适用于设施并且反之亦然。
[0038]
本发明的另一主题是一种借助根据本发明的方法制造的金属-陶瓷基板。所有针对方法所描述的特征和优点能类似地转用于金属-陶瓷基板并且反之亦然。
附图说明
[0039]
其他优点和特征参照附图从下文中对根据本发明的主题的优选的实施方式的描述中得出。各个实施方式的各个特征在此可以在本发明的范围内彼此组合。附图示出：
[0040]
图1示出根据本发明的示例性的第一实施方式的用于加工金属-陶瓷基板的方法的示意图；
[0041]
图2示出根据本发明的示例性的第二实施方式的用于加工金属-陶瓷基板的方法的示意图；
[0042]
图3示出根据本发明的示例性的第三实施方式的用于加工金属-陶瓷基板的方法的示意图；以及
[0043]
图4示出根据本发明的示例性的第四实施方式的用于加工金属-陶瓷基板的方法的示意图。
具体实施方式
[0044]
在图1中示意地示出根据本发明的优选的第一实施方式的用于加工金属-陶瓷基板1的方法。这种金属-陶瓷基板1优选地分别用作为电子或电器件的承载元件，所述电子或电器件可连结于金属-陶瓷基板1。这种金属-陶瓷基板1的主要组成部分是沿着主延伸平面hse延伸的陶瓷元件11和连结于陶瓷元件11的至少一个金属层21。陶瓷元件11由至少一种包括陶瓷的材料制成。至少一个金属层21和陶瓷元件11在此沿着垂直于主延伸平面hse伸展的堆叠方向s上下相叠地设置并且在制成的状态下经由连结面至少局部地彼此材料配合
地连接。陶瓷元件11包括至少一个陶瓷层并且例如也可以由多个陶瓷层构成，在所述多个陶瓷层之间构成有中间金属化部或所述多个陶瓷层构成杂化陶瓷。优选地，随后将至少一个金属层21结构化，以形成用于电器件的印制导线或连结部位。例如，将这些结构化部蚀刻到至少一个金属层21中。然而，在准备阶段中，在至少一个金属层21和陶瓷元件11之间必须形成持久的连结，尤其材料配合的连结。
[0045]
为了将至少一个金属层21持久地连结于陶瓷元件11，用于尤其在dcb或dab连结法中制造金属-陶瓷基板1的设施包括炉，在所述炉中加热由陶瓷元件11和至少一个金属层21构成的堆叠的装置进而实现连结。例如，至少一个金属层21是由铜制成的金属层，其中至少一个金属层21和陶瓷元件11借助dcb(direct-copper-bonding，直接铜键合)连结法彼此连接。替选地，至少一个金属层21能经由活性焊接法或厚层膜法连结于陶瓷元件11。
[0046]
在尤其借助于dcb法、活性焊接法和/或厚层膜法连结后，将金属-陶瓷基板1作为大型板提供。这种大型板在后续工艺中应分割，以便分别提供分割的金属-陶瓷基板1。优选地提出，针对这种分割，将大型板借助于激光10，尤其借助于超短脉冲激光来加工。在此可能的是，立即借助于激光10实现分离和/或形成理论断裂线，在后续工艺中将大型板沿着所述理论断裂线折断以构成分割的金属-陶瓷基板1。本领域技术人员将超短脉冲激光尤其理解为发射如下激光脉冲的激光源，所述激光脉冲的脉冲长度小于一纳秒。优选地，脉冲长度在0.1ps和100ps之间。此外可设想，脉冲长度在飞秒范围内，即脉冲长度为0.1fs至100fs。在图1中示出的实施例中，金属-陶瓷基板1设置在承载件40中。
[0047]
尤其提出，借助激光10，尤其借助ukp激光器的激光10，在金属-陶瓷基板1中制造留空部15，尤其贯穿的留空部15。留空部15例如是贯穿孔的类型，所述贯穿孔例如用于过孔，和/或是作为穿通孔设为用于提供连结或固定区域的留空部15，借助所述连结或固定区域，金属-陶瓷基板1作为功率模块连结于壳体或另外的组件。在此可设想的是，留空部15在时间上在制造理论断裂线之前和/或之后产生。优选地，为了制造留空部15和理论断裂线使用相同的激光10，即相同光源的光。在此可设想的是，用于制造理论断裂线的脉冲的强度、脉冲时长和/或功率与用于制造留空部15的脉冲不同。
[0048]
还适宜地提出，将金属-陶瓷基板1借助于承载件40位置固定地设置。为了在金属-陶瓷基板1中产生理论断裂线和/或留空部15，所述理论断裂线和/或留空部尤其具有在金属-陶瓷基板1之上观察特定的走向，而提出，激光10或激光束移动到金属-陶瓷基板1之上。换言之：替代金属-陶瓷基板1相对于激光10或其定向运动而提出，激光10或激光束的定向执行成，使得跨越金属-陶瓷基板1移动的激光10在相应的射中点处产生理论断裂线和/或留空部15。在此可设想的是，理论断裂线和/或留空部15是连续的和/或中断的，即理论断裂线作为穿孔存在。
[0049]
为了将激光10定向尤其提出，将激光10对准到镜元件30上。激光束10在镜元件30处反射并且随后射到金属-陶瓷基板1上。在此尤其提出，将镜元件30可枢转地支承，尤其围绕至少两个轴线可枢转地支承，以便将激光10定向到特定的处理区域或金属-陶瓷基板1上的特定的区域上。还优选的是，透镜20设置在镜元件30和金属-陶瓷基板1之间。尤其，透镜20沿着基本上垂直于激光10的射中方向伸展的平面基本上在以下长度之上延伸，所述长度对应于尤其作为大型板的金属-陶瓷基板1的长度和/或宽度。换言之：越过金属-陶瓷基板1的激光10与加工区域无关地总是穿过相同的透镜20。
[0050]
在此已经证实为特别有利的是，使用透镜20，所述透镜的焦距大于300mm，优选大于350mm并且特别优选大于420mm。透镜20与金属-陶瓷基板1相距基本上对应于透镜20的焦距的间距a的设置那么可实现，产生理论断裂部位或理论断裂线或留空部15，所述理论断裂部位或理论断裂线或留空部相对于垂直于金属-陶瓷基板1的主延伸平面hse伸展的垂线方向相对小地倾斜。在其他情况下，将基本上v形的或凹槽形的理论断裂线或留空部15的倾斜角考虑进去。这尤其适用于在金属-陶瓷基板1的边缘处产生的理论断裂线或留空部15。这种倾斜位置在此尤其通过如下方式造成，即激光10或激光束不能在金属-陶瓷基板1的整个扩展之上均匀地垂直射到金属-陶瓷基板1上。然而，通过使用大于300mm的焦距，所述斜置尤其在金属-陶瓷基板1的边缘区域中减少，使得倾斜角被测量或关于金属-陶瓷基板1的垂线方向小于12
°
，特别优选小于10
°
。尤其应规定，倾斜角与在金属-陶瓷基板1的中部处的理论断裂线的定向相比的偏差不大于12
°
。由此以有利的方式可行的是，实现其断裂表现基本上在整个金属-陶瓷基板1之上均匀地分布。
[0051]
还优选地提出，在用于制造留空部15的加工期间改变、尤其减小在透镜20和金属-陶瓷基板1的上侧os之间的间距a。由此以有利的方式可行的是，根据留空部15在加工金属-陶瓷基板1期间已经制造的深度，追踪激光10的由透镜20引起的焦点。换言之：通过改变间距a可行的是，考虑在金属-陶瓷基板1中逐步地去除以构成留空部15，使得激光10的焦点随着至少一个金属层21和/或陶瓷元件11越来越多地去除而更大程度地移置进入到金属-陶瓷基板1中或直至金属-陶瓷基板1的背侧。由此保持在正好当前要去除的材料区域中的激光功率尽可能大，使得随着去除深度增加，不将关于去除材料的激光效率的减小考虑在内。这有利地造成加速的去除过程，其加速留空部15的构成。尤其提出，通过改变间距a，焦点沿着堆叠方向s移位。在此，在透镜20和金属-陶瓷基板1的上侧os之间的间距a的改变优选连续地和/或以逐步的或离散的步距进行。为了改变间距a，优选将透镜20沿着垂直于主延伸平面hse伸展的方向移动。替选地和/或补充地可设想的是，承载件40从而金属-陶瓷基板1沿着平行于堆叠方向s伸展的方向移动，以便因此减小在透镜20和金属-陶瓷基板1的上侧os之间的间距a。尤其在此提出，透镜20的焦距是恒定的。
[0052]
在图2中示意地示出根据本发明的示例性的第二实施方式的用于制造金属-陶瓷基板1的方法。在此，图2中的方法与图1的实施例的不同在于，附加地设有抽吸设备25。所述抽吸设备25例如集成到承载件40中并且设置在加工区域下方，在所述加工区域中实现规划的留空部15。借助于抽吸设备25以有利的方式可行的是，引起负压，所述负压抽吸金属-陶瓷基板1的被去除的小部分，和/或保证，金属-陶瓷基板1的在加工金属-陶瓷基板1的范围内或在构成留空部15时分离的子区域可以与具有留空部15的金属-陶瓷基板1分离。这尤其涉及用于制造留空部15的加工，所述留空部的横截面比激光10在平行于主延伸平面hse伸展的方向上的横截面大非常多。在激光10的直径或横截面小于留空部15的横截面的情形中，激光10在加工期间跟随沿着加工方向b的运动，所述运动例如确定留空部15在平行于主延伸平面hse伸展的平面中的轮廓。金属-陶瓷基板1的由轮廓环绕的子区域那么紧接着作为残留物由负压机制固定在承载件40上，同时将金属-陶瓷基板1的其余的完成加工的部分从承载件40松开。
[0053]
在图3中示意地示出根据本发明的示例性的第三实施方式的用于制造金属-陶瓷基板1中的留空部15的方法。尤其地，图3示出金属-陶瓷基板1的俯视图和激光10沿着运动
方向b的运动，以构成圆形的或弧形的轮廓。还可考虑的是，激光10跟随螺旋状的轮廓，尤其具有减小的和/或增大的半径。尤其提出，通过相应地选择加工方向b，实现用于留空部15的圆形的轮廓走向。在此提出，留空部15具有第一直径d1并且激光10在平行于主延伸平面hse伸展的平面中具有第二直径d2。在此，第二直径d2与第一直径d1的比例小于0.2，优选小于0.1并且特别优选小于0.05。对于圆形的运动方向b替选地，也可设想多边形的运动方向b和/或至少部段为线形的运动方向b。
[0054]
在图4中示意地示出根据优选的第四实施方式的用于加工金属-陶瓷基板1的方法。尤其地，图4示出沿着垂直于主延伸平面hse伸展的剖平面贯穿金属-陶瓷基板1的剖视图。在此尤其提出，在激光10的加工期间，尤其为了制造穿通孔或贯穿的留空部15，将背侧金属化部30同样借助于激光10，尤其来自超短脉冲激光器的激光10去除。通过在产生留空部15时使用超短脉冲激光器以有利的方式可行的是，避免构成毛刺，所述毛刺例如典型地在借助co2激光器制造时构成。因此，能以相应的方式避免用于对构成的毛刺去毛刺的再加工步骤。这鉴于用于生产具有留空部15的金属-陶瓷基板10的时间证实为有利的。尤其提出，留空部15设为用于容纳固定元件，例如用于容纳螺栓和/或螺丝，所述螺栓和/或螺丝伸展穿过留空部15，以便将金属-陶瓷基板1例如固定在壳体或其他构件处。
[0055]
附图标记列表
[0056]1ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
金属-陶瓷基板
[0057]
10
ꢀꢀꢀꢀꢀ
激光
[0058]
11
ꢀꢀꢀꢀꢀ
陶瓷元件
[0059]
15
ꢀꢀꢀꢀꢀ
留空部
[0060]
20
ꢀꢀꢀꢀꢀ
透镜
[0061]
21
ꢀꢀꢀꢀꢀ
金属层
[0062]
25
ꢀꢀꢀꢀꢀ
抽吸设备
[0063]
30
ꢀꢀꢀꢀꢀ
背侧金属化部
[0064]
os
ꢀꢀꢀꢀꢀ
上侧
[0065]
hse
ꢀꢀꢀꢀ
主延伸平面
[0066]sꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
堆叠方向
[0067]bꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
加工方向
[0068]
d1
ꢀꢀꢀꢀꢀ
第一直径
[0069]
d2
ꢀꢀꢀꢀꢀ
第二直径