应用于锗单晶生长的掺杂装置的制作方法

1.本实用新型涉及锗单晶生长技术领域，具体涉及一种应用于锗单晶生长的掺杂装置。


背景技术：

2.掺杂是一种控制锗单晶电阻率的有效方法，一般根据所需电阻率，需要在锗单晶生长前就确定掺杂剂的剂量，一旦完成掺杂，在锗单晶生长开始后就无法再次进行掺杂来对电阻率参数进行调整。
3.但是在锗单晶生长开始前掺入杂质的方法不能够进行拉晶过程中电阻率的调整，而目前也没有专用于锗单晶生长过程中的掺杂装置，因此急需一种能够在锗单晶生长过程的中途进行再次添加掺杂剂的掺杂装置。


技术实现要素：

4.为了解决现有技术中锗单晶拉制过程中途无法进行再次掺杂的技术问题，本实用新型的主要目的在于提供一种应用于锗单晶生长的掺杂装置，该掺杂装置结构简单且操作方便，能够在锗单晶生长过程的中途进行再次添加掺杂剂，从而可以对锗单晶生长过程中的电阻率参数进行调整，以保证所生产的锗单晶满足所需电阻率。
5.为了实现上述目的，本实用新型提供了一种应用于锗单晶生长的掺杂装置。
6.该应用于锗单晶生长的掺杂装置包括装置本体以及连接在所述装置本体一端端部的连接部件，所述装置本体上与所述连接部件相对的一端开设有容纳腔，用于容纳掺杂剂。
7.进一步的，所述装置本体呈圆柱状，所述容纳腔开设在其侧壁上。
8.进一步的，所述容纳腔呈倾斜u字型。
9.进一步的，所述连接部件呈倒圆锥台状，且其端面连接所述装置本体。
10.进一步的，所述装置本体的材质为高纯锗。
11.进一步的，所述连接部件的材质为高纯锗。
12.本实用新型中应用于锗单晶生长的掺杂装置的优点：
13.1、该掺杂装置结构简单、操作方便。
14.2、该掺杂装置可以在锗单晶生长的任意阶段进行掺杂，避免初始掺杂不合适造成电阻率不合格致使整根单晶报废，大大提高了生产效率。
15.3、装置本体的材质选取锗籽晶，不对原料产生污染。
附图说明
16.通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本实用新型的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：
17.图1为本实用新型提供的实施例中应用于锗单晶生长的掺杂装置的结构示意图。
18.图中：
19.1、装置本体；2、连接部件；3、容纳腔。
具体实施方式
20.下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施方式。虽然附图中显示了本公开的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
21.本实用新型提供了一种应用于锗单晶生长的掺杂装置，如图1所示，该应用于锗单晶生长的掺杂装置包括装置本体1，该装置本体1呈圆柱状；该应用于锗单晶生长的掺杂装置还包括连接在装置本体1一端端部的连接部件2，该连接部件2用于将装置本体1与重锤装置连接；该装置本体1上与连接部件2相对的一端开设有容纳腔3，容纳腔3主要用于容纳掺杂剂。
22.在本实用新型的实施例中，装置本体1的材质为高纯锗，使用时首先将掺杂剂放置于容纳腔3内，再将整个掺杂装置通过连接部件2与重锤装置连接，通过升降移动装置本体1，将掺杂装置降至熔体表面，预热若干分钟后，将装置本体1降至熔体中，容纳腔3在熔体中融化，完成掺杂剂的掺杂。
23.在本实用新型中，容纳腔3开设在装置本体1的侧壁上，容纳腔3的具体形状不作限定，只要能够容纳掺杂剂且确保在移动的过程中掺杂剂不外露即可。
24.图1示出了一种呈倾斜u字型结构的容纳腔3，倾斜u字型的结构设计使其具有一定容纳深度，可以更好的容纳掺杂剂。
25.如图1所示，连接部件2呈倒圆锥台状，且其端面连接装置本体1。在实际操作中，将倒圆锥台状的连接部件2卡接在重锤装置上，从而将装置本体1固定在重锤装置上。
26.其中，连接部件2的材质可以为高纯锗，连接部件2与装置本体1可以为一体化结构设计。
27.采用本实用新型中的掺杂装置在锗单晶生长过程中快速加热掺杂剂的操作方法，具体为：
28.(1)首先将装置本体固定在重锤装置上；
29.(2)将掺杂剂装入容纳腔；
30.(3)通过升降装置本体，将掺杂装置降至熔体表面，预热若干分钟；
31.(4)将装置本体降至熔体中，容纳腔融化，掺杂剂进入熔体中，完成掺杂。
32.以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。


技术特征：
1.一种应用于锗单晶生长的掺杂装置，其特征在于，包括装置本体以及连接在所述装置本体一端端部的连接部件，所述装置本体上与所述连接部件相对的一端开设有容纳腔，用于容纳掺杂剂。2.根据权利要求1所述的应用于锗单晶生长的掺杂装置，其特征在于，所述装置本体呈圆柱状，所述容纳腔开设在其侧壁上。3.根据权利要求1或2所述的应用于锗单晶生长的掺杂装置，其特征在于，所述容纳腔呈倾斜u字型。4.根据权利要求1所述的应用于锗单晶生长的掺杂装置，其特征在于，所述连接部件呈倒圆锥台状，且其端面连接所述装置本体。5.根据权利要求1所述的应用于锗单晶生长的掺杂装置，其特征在于，所述装置本体的材质为高纯锗。6.根据权利要求1所述的应用于锗单晶生长的掺杂装置，其特征在于，所述连接部件的材质为高纯锗。

技术总结
本实用新型提供了一种应用于锗单晶生长的掺杂装置，该应用于锗单晶生长的掺杂装置包括装置本体以及连接在所述装置本体一端端部的连接部件，所述装置本体上与所述连接部件相对的一端开设有容纳腔，用于容纳掺杂剂。该掺杂装置结构简单且操作方便，能够在锗单晶生长过程的中途进行再次添加掺杂剂，从而可以对锗单晶生长过程中的电阻率参数进行调整，以保证所生产的锗单晶满足所需电阻率。所生产的锗单晶满足所需电阻率。所生产的锗单晶满足所需电阻率。


技术研发人员：曹旭 刘志远 李燕 王博 王宇 张路 雷同光 赵哲 孔腾飞
受保护的技术使用者：有研国晶辉新材料有限公司
技术研发日：2021.12.16
技术公布日：2022/7/19