光电子半导体器件及运行光电子半导体器件的方法与流程

技术特征：
1.光电子半导体器件（1），具有光电子半导体芯片（2）和具有基质材料（31）的封装（3），其中所述半导体芯片嵌入所述封装中，其中光学惰性颗粒（4）作为裂纹核引入所述封装的基质材料中，以及其中所述封装被构造为使得在所述光电子半导体器件的运行时至少在一些裂纹核处形成完全布置在所述封装内的空腔（5）。2.根据权利要求1所述的光电子半导体器件，其中，所述封装被构造为，使得老化引起的基质材料收缩导致所述空腔的形成。3.根据前述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件，其中，所述颗粒对于要由所述光电子半导体芯片产生或接收的辐射是可透过的。4.根据前述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件，其中，所述颗粒由以下材料构成，所述材料的折射率与所述基质材料的折射率相适配。5.根据前述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件，其中，所述颗粒的材料的折射率与所述基质材料的折射率相差至多10％。6.根据前述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件，其中，所述颗粒的材料的折射率与所述基质材料的折射率相差至多5％。7.根据前述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件，其中，至少一些颗粒具有有角的基本形状。8.根据前述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件，其特征在于，所述颗粒具有介于5μm和30μm之间的平均直径，包括两个端值。9.根据前述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件，其中，所述颗粒以介于3重量％和30重量％之间的比例存在于所述封装中，包括两个端值。10.根据前述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件，其特征在于，所述颗粒以介于5重量％和25重量％之间的比例存在于所述封装中，包括两个端值。11.根据前述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件，其中，所述基质材料是硅树脂。12.根据前述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件，其特征在于，所述基质材料的折射率在1.4和1.6之间，包括两个端值。13.用于运行光电子半导体器件的方法，包括步骤：a）提供光电子半导体器件（1），所述光电子半导体器件具有光电子半导体芯片（2）和具有基质材料（31）的封装（3），其中所述半导体芯片嵌入所述封装中，以及其中光学惰性颗粒（4）作为裂纹核引入所述封装的基质材料中；以及b）运行所述光电子半导体器件，使得至少在一些裂纹核处形成完全布置在所述封装内的空腔（5）。14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述光电子半导体器件根据权利要求1至12中任一项构造。

技术总结
说明了一种光电子半导体器件（1），具有光电子半导体芯片（2）和具有基质材料（31）的封装（3），其中所述半导体芯片嵌入所述封装中，以及其中所述封装被构造为使得在所述光电子半导体器件的运行时形成完全布置在所述封装内的空腔（5）。此外说明了一种用于运行半导体器件的方法。的方法。的方法。


技术研发人员：C
受保护的技术使用者：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
技术研发日：2020.12.10
技术公布日：2022/7/15