显示装置的制作方法

1.本发明涉及一种显示装置。


背景技术：

2.微发光二极管显示器(micro light emitting device display，micro led display)为新一代的显示技术，其关键技术在于如何利用巨量转移技术(mass transfer technique)将微型发光二极管转移至电路基板上。然而，巨量转移技术为机械式操作，巨量转移技术的成效取决于机台精度以及转印器件本身的精度。若微型发光二极管并未放置于正确的位置，将使得微型发光二极管无法正常运作。此外，如何提升微发光二极管的发光效率亦是目前许多研究人员研究的课题。


技术实现要素：

3.本发明的目的在于提供一种显示装置，可以增加显示装置的亮度。
4.本发明的至少一实施例提供一种显示装置。显示装置包括第一基板、第一电路结构以及多个发光元件封装结构。第一电路结构位于第一基板上方，且第一电路结构具有多个开孔。多个发光元件封装结构位于第一电路结构上方。各发光元件封装结构包括第二基板以及至少一发光元件。发光元件位于第二基板与第一基板之间，朝向第一基板发光，且重叠于第一电路结构的对应的开孔。对应的开孔在靠近第一基板处的宽度大于对应的开孔在靠近第二基板处的宽度。
5.本发明的有益效果在于，第一电路结构的开孔在靠近第一基板处的宽度大于开孔在靠近第二基板处的宽度，由此使发光元件所发出的光线可以更佳的被反射至第一基板，使显示装置具有较高的亮度。
附图说明
6.图1a是依照本发明的实施例的一种显示装置的俯视示意图。
7.图1b是沿着图1a的线a-a’的剖面示意图。
8.图2a至图2j是依照本发明的实施例的一种显示装置的制造方法的剖面示意图。
9.图3a至图3g是依照本发明的实施例的一种显示装置的制造方法的剖面示意图。
10.图4a至图4g是依照本发明的实施例的一种显示装置的制造方法的剖面示意图。
11.图5是依照本发明的实施例的一种显示装置的剖面示意图。
12.附图标记如下：
13.10,20,30,40:显示装置
14.100:第一基板
15.200,200a,200b,200c:第一电路结构
16.210,210a,210b:绝缘结构
17.211:第一绝缘层
18.212:第一面
19.213:第二绝缘层
20.214:第二面
21.216,432:开口
22.218:开孔
23.220:第一电路层
24.220’:第一导电材料
25.222:信号线
26.224:反射层
27.230:第二电路层
28.230’:第二导电材料
29.232:连接电极
30.234:导电孔
31.240:第三电路层
32.300,300a:发光元件封装结构
33.310:第二基板
34.320:发光元件
35.330,330a:第二电路结构
36.332:第一接垫
37.334:第二接垫
38.336:凹槽
39.410:遮光层
40.420:第一覆盖层
41.420’:第一覆盖材料层
42.430:第二覆盖层
43.430’:第二覆盖材料层
44.510:第一导电连接结构
45.520:第二导电连接结构
46.h:开孔
47.o:开口
48.p:凸出部
49.sc:牺牲层
50.t1,t2:厚度
51.th:通孔
52.w1,w2,w3:宽度
53.θ:夹角
具体实施方式
54.在本公开中，诸如“下”或“底部”和“上”或“顶部”的相对术语可在本文中用于描述
一个元件与另一元件的关系，如图所示。应当理解，相对术语旨在包括除了图中所示的方位之外的装置的不同方位。例如，如果一个附图中的装置翻转，则被描述为在其他元件的“下”侧的元件将被定向在其他元件的“上”侧。因此，示例性术语“下”可以包括“下”和“上”的取向，取决于附图的特定取向。类似地，如果一个附图中的装置翻转，则被描述为在其它元件“下方”或“下方”的元件将被定向为在其它元件“上方”。因此，示例性术语“下面”或“下面”可以包括上方和下方的取向。
55.图1a是依照本发明的实施例的一种显示装置的俯视示意图。图1b是沿着图1a的线a-a’的剖面示意图。需注意的是，为了方便说明，图1a省略示出了图1b中的部分构件。
56.请参考图1a与图1b，显示装置10包括第一基板100、第一电路结构200以及多个发光元件封装结构300。在本实施例中，显示装置10还包括多个遮光层410、第一覆盖层420以及第二覆盖层430。
57.第一基板100为透明基板，且其材质包括玻璃、石英、有机聚合物或是其他可适用的材料。
58.遮光层410位于第一基板100上方。遮光层410为吸光材料，且包括黑色光刻胶、树脂、铬或其他合适的材料。在本实施例中，遮光层410直接接触第一基板100的上表面，但本发明不以此为限。在其他实施例中，遮光层410与第一基板100之间还包括缓冲层或其他绝缘层。在本实施例中，遮光层410具有多个通孔th。第一覆盖层420位于遮光层410上。第一覆盖层420例如包括绝缘材料。
59.第一电路结构200位于第一基板100上方。在本实施例中，第一电路结构200位于第一覆盖层420上。第一电路结构200具有多个开孔h。遮光层410的通孔th重叠于第一电路结构200的开孔h。在一些实施例中，遮光层410的通孔th的宽度大于第一电路结构200的开孔h的宽度。在一些实施例中，第一覆盖层420自第一基板100的上表面沿着第一电路结构200的开孔h的侧壁延伸并远离第一基板100的上表面。部分第一覆盖层420位于第一基板100与第一电路结构200之间，且另一部分第一覆盖层420位于第一电路结构200的开孔h中。
60.第一电路结构200包括绝缘结构210、第一电路层220以及第二电路层230。
61.绝缘结构210具有朝向第一基板100的第一面212以及背对第一面212的第二面214。绝缘结构210可为单层或多层结构。在一些实施例中，绝缘结构210包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化铪、氧化锆、有机绝缘材料或上述材料的组合或其他绝缘材料。在一些实施例中，绝缘结构210的最终整体厚度t1最佳为4微米至10微米，但不以此为限。在一些其它实施例中，绝缘结构210的整体厚度t1可小于4微米或大于10微米。
62.第一电路层220位于绝缘结构210的第一面212。在一些实施例中，第一电路层220位于第一覆盖层420上，且第一电路层220通过第一覆盖层420而与遮光层410分离。第一电路层220为单层或多层结构。在一些实施例中，第一电路层220包括铬、金、银、铜、锡、铅、铪、钨、钼、钕、钛、钽、铝、锌等金属、上述合金、上述金属氧化物、上述金属氮化物或上述的组合或其他导电材料。
63.在一些实施例中，绝缘结构210包括反射材料或不包括反射材料。当绝缘结构210不包括反射材料时，第一电路层220包括位于绝缘结构210的第一面212的多个信号线222以及位于开孔h的侧壁的多个反射层224。反射层224为单层或多层结构。在一些实施例中，信号线222与反射层224属于相同导电层。换句话说，信号线222与反射层224是由同一层导电
材料图案化后所形成的。在一些实施例中，反射层224自开孔h的侧壁延伸至绝缘结构210的第一面212。
64.在一些实施例中，反射层224于第一基板100的垂直投影具有重叠于发光元件320的多个开口o(请参考图1a)。开口o的位置对应于第一电路结构200的开孔h的位置。在本实施例中，每个开口o重叠于多个发光元件320，但本发明不以此为限。在其他实施例中，每个开口o重叠于对应的一个发光元件320。
65.第二电路层230位于绝缘结构210的第二面214。在一些实施例中，第二电路层230包括连接电极232以及导电孔234。连接电极232位于绝缘结构210的第二面214上。导电孔234位于绝缘结构210的开孔中。在一些实施例中，连接电极232通过导电孔234而电性连接至第一电路层220。换句话说，第二电路层230电性连接至第一电路层220。在一些实施例中，第二电路层230为单层或多层结构。在一些实施例中，第二电路层230包括铬、金、银、铜、锡、铅、铪、钨、钼、钕、钛、钽、铝、锌等金属、上述合金、上述金属氧化物、上述金属氮化物或上述的组合或其他导电材料。
66.第二覆盖层430位于第一电路结构200上。在本实施例中，第二覆盖层430位于第二电路层230上。第二覆盖层430例如包括绝缘材料。在一些实施例中，第二覆盖层430与第一覆盖层420包括相同或不同的材料。在一些实施例中，第二覆盖层430自绝缘结构210的第二面214沿着第一电路结构200的开孔h的侧壁朝向第一基板100的上表面延伸。在一些实施例中，部分第二覆盖层430位于绝缘结构210的第二面214，且另一部分第二覆盖层430位于第一电路结构200的开孔h中。在一些实施例中，第一覆盖层410在开孔h中连接第二覆盖层430。
67.多个第一导电连接结构510位于第一电路结构200上。在本实施例中，第一导电连接结构510位于第二覆盖层430的开口中，并连接第二电路层230的连接电极232。在一些实施例中，第一导电连接结构510包括焊料(例如锡、铟、铋或其他合适的材料或上述材料的组合)或导电胶。
68.多个发光元件封装结构300位于第一电路结构200上方。各发光元件封装结构300包括第二基板310以及多个发光元件320。在本实施例中，各发光元件封装结构300还包括第二电路结构330。
69.第二基板310较佳为透明基板，且其材质包括玻璃、石英、有机聚合物或是其他可适用的材料，但不以此为限。在一些实施例中，第二基板310可以是不透明基板，其材质可以是常用于印刷电路板的环氧树脂-玻璃纤维复合材或其他特殊性树脂(例如双马来酰亚胺改性三嗪树脂(bismaleimide-triazine resin))。在本实施例中，第二基板310的尺寸小于第一基板100的尺寸。第一基板100重叠于多个第二基板310。第二覆盖层430位于该第一电路结构200与第二基板310之间。
70.第二电路结构330位于第二基板310上。在一些实施例中，第二电路结构330为多层结构，且包括至少一层导电层与至少一层绝缘层。在一些实施例中，第二电路结构330包括多个第一接垫332以及多个第二接垫334。在一些实施例中，第二电路结构330还包括多条导线(未绘出)，前述导线电性连接第一接垫332及/或第二接垫334。在本实施例中，各发光元件封装结构300通过第一导电连接结构510而电性连接至第一电路结构200。举例来说，第一接垫332通过第一导电连接结构510而接合至第一电路结构200的第二电路层230。在一些实
施例中，第一接垫332的尺寸大于第二接垫334的尺寸，由此提升发光元件封装结构300与第一电路结构200的接合工艺良率。此外，各发光元件封装结构300包括多个发光元件320，由此可以提升将发光元件320转移至第一基板100上方的工艺良率。
71.发光元件320位于第二基板310与第一基板100之间，朝向第一基板100发光。在本实施例中，发光元件320电性连接第二接垫334。举例来说，发光元件320通过第二导电连接结构520而接合至第二接垫334。第二导电连接结构520包括焊料(例如锡、铟、铋或其他合适的材料或上述材料的组合)或导电胶。
72.在本实施例中，各发光元件封装结构300包括三个发光元件320，且前述三个发光元件320分别为不同颜色的发光元件(例如红色发光元件、绿色发光元件以及蓝色发光元件)，且每个发光元件封装结构300对应于一个彩色像素，但本发明不以此为限。在其他实施例中，每个发光元件封装结构300包括更多个发光元件，且每个发光元件封装结构300对应于多个彩色像素。或在一些其他实施例中，每个发光元件封装结构300只包括单个发光元件，且每个发光元件封装结构300对应于一个次彩色像素。在本实施例中，发光元件320为微型发光二极管或其他发光元件。
73.发光元件320重叠于第一电路结构200的对应的开孔h。举例来说，发光元件320位于开孔h中。在本实施例中，各发光元件封装结构300中的多个发光元件320重叠于一个对应的开孔h，但本发明不以此为限。在其他实施例中，各个发光元件320重叠于一个对应的开孔h。在本实施例中，开孔h在靠近第一基板100处的宽度w1大于开孔h在靠近第二基板310处的宽度w2。
74.通过使宽度w1大于宽度w2，发光元件320所发出的光线可以更佳的被反射至朝向第一基板100的方向照射，使显示装置10具有较高的亮度。
75.在一些实施例中，第一电路结构200的绝缘结构210在靠近开孔h的侧壁处朝向发光元件320凸出，如图中绝缘结构210的凸出部p所示。开孔h的最小宽度w3的位置位于绝缘结构210的第一面212与第二面214之间，且对应于凸出部p的位置。在本实施例中，开孔h的最小宽度w3实质上等于开口o的宽度。
76.图2a至图2j是依照本发明的实施例的一种显示装置的制造方法的剖面示意图。在此必须说明的是，图2a至图2j的实施例沿用图1a和图1b的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
77.请参考图2a，形成遮光层410于第一基板100上。举例来说，沉积遮光材料于第一基板100上，接着图案化前述遮光材料以形成遮光层410。遮光层410具有多个通孔th。
78.请参考图2b，形成牺牲层sc于第一基板100上。在本实施例中，牺牲层sc形成于遮光层410的通孔th中。
79.牺牲层sc的材料例如包括光刻胶、金属或其他合适的材料。在一些实施例中，牺牲层sc的厚度t2为4微米至10微米，但不以此为限。在其它实施例中，牺牲层sc的厚度t2可小于4微米或大于10微米。
80.在本实施例中，牺牲层sc的侧面与第一基板100的上表面的夹角θ最佳为30度至70度，但不以此为限。
81.请参考图2c，形成第一覆盖材料层420’于遮光层410以及牺牲层sc上。第一覆盖材
料层420’覆盖遮光层410的顶面、牺牲层sc的侧面以及牺牲层sc的顶面。
82.请参考图2d，形成第一导电材料220’于第一覆盖材料层420’上。在本实施例中，第一导电材料220’覆盖牺牲层sc的侧面与顶面。在本实施例中，第一导电材料220’为图案化的导电层。举例来说，沉积导电材料于第一覆盖材料层420’上，接着图案化前述导电材料以形成第一导电材料220’。
83.请参考图2e，形成绝缘结构210于第一导电材料220’以及第一覆盖材料层420’上。在本实施例中，绝缘结构210的顶面(第二面214)高于牺牲层sc上方的第一导电材料220’的顶面，且绝缘结构210覆盖部分牺牲层sc上方的第一导电材料220’的顶面。在本实施例中，绝缘结构210在牺牲层sc上方的开口216暴露出部分第一导电材料220’的顶面。此外，在本实施例中，绝缘结构210还包括不重叠于牺牲层sc的开孔218。开孔218重叠于部分第一导电材料220’。
84.请参考图2f与图2g，形成第二导电材料230’于绝缘结构210上。第二导电材料230’填入开口216以及开孔218，并与第一导电材料220’接触。
85.图案化第二导电材料230’以形成第二电路层230。在本实施例中，图案化第二导电材料230’的同时，移除部分第一导电材料220’，以形成第一电路层220。具体地说，形成光刻胶层(未绘出)于第二导电材料230’上，以前述光刻胶层为掩模执行蚀刻工艺，以形成第一电路层220以及第二电路层230。前述蚀刻工艺移除了牺牲层sc上方的第一导电材料220’以及第二导电材料230’。
86.请参考图2h，形成第二覆盖材料层430’于第二电路层230上。在本实施例中，第二覆盖材料层430’与牺牲层sc顶面上的第一覆盖材料层420’接触。
87.请参考图2i，移除牺牲层sc以形成第一电路结构200的开孔h。在本实施例中，牺牲层sc为光刻胶材料，先形成光刻胶层(未绘出)于第二覆盖材料层430’上，以前述光刻胶层为掩模执行蚀刻工艺移除牺牲层sc顶面上的第一覆盖材料层420’以及牺牲层sc顶面上的第二覆盖材料层430’，以形成第一覆盖层420以及第二覆盖层430，再于光刻胶剥离工艺一起移除前述光刻胶层与牺牲层sc。在一些其它实施例中，牺牲层sc为与第二电路层230材料不同的金属材质，例如第二电路层230为钛/铝/钛的金属材料堆叠，而牺牲层sc为金属材料钼，则在剥离工艺后进行湿式蚀刻工艺移除牺牲层sc。在本实施例中，移除牺牲层sc前、移除牺牲层sc后或移除牺牲层sc的同时，图案化第二覆盖材料层430’以暴露出部分第二电路层230。换句话说，第二覆盖层430具有暴露出第二电路层230的连接电极232的开口432。
88.在一些实施例中，移除牺牲层sc的方法包括剥离工艺、蚀刻工艺或其他合适的工艺。
89.请参考图2j，于第二电路层230上形成第一导电连接结构510。第一导电连接结构510例如设置于第二电路层230的开口432中。在形成第一导电连接结构510之后，将发光元件封装结构300接合至第一电路结构200，如图1b所示。
90.图3a至图3g是依照本发明的实施例的一种显示装置的制造方法的剖面示意图。在此必须说明的是，图3a至图3g的实施例沿用图1a和图1b的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
91.图3a接续了图2d的工艺，请参考图3a，在形成第一导电材料220’之后，形成绝缘结
构210于第一导电材料220’以及第一覆盖材料层420’上。在本实施例中，绝缘结构210的顶面(第二面214)低于牺牲层sc上方的第一导电材料220’的顶面。在本实施例中，绝缘结构210暴露出位于牺牲层sc上方的部分第一导电材料220’以及位于牺牲层sc侧面的部分第一导电材料220’。
92.请参考图3b与图3c，形成第二导电材料230’于绝缘结构210上。图案化第二导电材料230’以形成第二电路层230。在本实施例中，图案化第二导电材料230’的同时，移除部分第一导电材料220’，以形成第一电路层220。具体地说，形成光刻胶层(未绘出)于第二导电材料230’上，以前述光刻胶层为掩模执行蚀刻工艺，以形成第一电路层220以及第二电路层230。前述蚀刻工艺移除了牺牲层sc上方的第一导电材料220’以及第二导电材料230’。在本实施例中，前述蚀刻工艺还移除了超出绝缘结构210顶面的部分第一导电材料220’。换句话说，在本实施例中，第一电路层220中的反射层224未覆盖牺牲层sc的全部侧面。
93.请参考图3d，形成第二覆盖材料层430’于第二电路层230上。在本实施例中，第二覆盖材料层430’与牺牲层sc顶面上的第一覆盖材料层420’接触。
94.请参考图3e，以例如图2i公开的工艺方式移除牺牲层sc，以形成第一电路结构200a的开孔h。在本实施例中，开孔h的宽度随着远离第一基板100而逐渐减小。
95.在本实施例中，移除牺牲层sc的同时，一并移除牺牲层sc顶面上的第一覆盖材料层420’以及牺牲层sc顶面上的第二覆盖材料层430’，以形成第一覆盖层420以及第二覆盖层430。在本实施例中，移除牺牲层sc前、移除牺牲层sc后或移除牺牲层sc的同时，图案化第二覆盖材料层430’以暴露出部分第二电路层230。换句话说，第二覆盖层430具有暴露出第二电路层230的连接电极232的开口。
96.在一些实施例中，移除牺牲层sc的方法包括剥离工艺、蚀刻工艺或其他合适的工艺。
97.请参考图3f，于第二电路层230上形成第一导电连接结构510。
98.请参考图3g，将发光元件封装结构300a接合至第一电路结构200a。至此，显示装置20大致完成
99.在本实施例中，发光元件封装结构300a包括第二基板310以及多个发光元件320。在本实施例中，各发光元件封装结构300还包括第二电路结构330a。
100.第二电路结构330a位于第二基板310上。在一些实施例中，第二电路结构330a为多层结构，且包括至少一层导电层与至少一层绝缘层。在一些实施例中，第二电路结构330a包括多个第一接垫332以及多个第二接垫334。在一些实施例中，第二电路结构330还包括多条导线(未绘出)，前述导线电性连接第一接垫332及/或第二接垫334。在一些实施例中，第二电路结构330a中包括驱动电路，且驱动电路电性连接至发光元件320。在本实施例中，各发光元件封装结构300a通过第一导电连接结构510而电性连接至第一电路结构200a。举例来说，第一接垫332通过第一导电连接结构510而接合至第一电路结构200a的第二电路层230。在一些实施例中，第一接垫332的尺寸大于第二接垫334的尺寸，由此提升发光元件封装结构300a与第一电路结构200a的接合工艺良率。此外，各发光元件封装结构300a包括多个发光元件320，由此可以提升将发光元件320转移至第一基板100上方的工艺良率。
101.发光元件320位于第二基板310与第一基板100之间，且朝向第一基板100发光。在本实施例中，第二电路结构330a具有凹槽336，其中发光元件320位于凹槽336中。通过凹槽
336的设置，可以避免发光元件320直接接触第一基板100的上表面，及降低第一基板100上的绝缘结构210的厚度t1的需求。
102.在本实施例中，发光元件320电性连接第二接垫334。在一些实施例中，第二接垫334设置于凹槽336的底部。举例来说，发光元件320通过第二导电连接结构520而接合至第二接垫334。第二导电连接结构520包括焊料(例如锡、铟、铋或其他合适的材料或上述材料的组合)或导电胶。
103.在本实施例中，各发光元件封装结构300a包括三个发光元件320，且前述三个发光元件320分别为不同颜色的发光元件(例如红色发光元件、绿色发光元件以及蓝色发光元件)，且每个发光元件封装结构300a对应于一个彩色像素，但本发明不以此为限。在其他实施例中，每个发光元件封装结构300a包括更多个发光元件，且每个发光元件封装结构300a对应于多个彩色像素。或在一些其他实施例中，每个发光元件封装结构300a只包括单个发光元件，且每个发光元件封装结构300a对应于一个次彩色像素。在本实施例中，发光元件320为微型发光二极管或其他发光元件。
104.图4a至图4g是依照本发明的实施例的一种显示装置的制造方法的剖面示意图。在此必须说明的是，图4a至图4g的实施例沿用图1a和图1b的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
105.图4a接续了图2c的工艺，请参考图4a，形成第一电路层220a于第一覆盖材料层420’上。在本实施例中，第一电路层220a未覆盖牺牲层sc的侧面与顶面。在本实施例中，第一电路层220a为图案化的导电层。举例来说，沉积导电材料于第一覆盖材料层420’上，接着图案化前述导电材料以形成第一电路层220a。
106.请参考图4b，形成绝缘结构210a于第一电路层220a以及第一覆盖材料层420’上。绝缘结构210a可为单层或多层结构。在本实施例中，绝缘结构210a的顶面(第二面214)高于牺牲层sc的顶面。在一些其它实施例中，绝缘结构210a的顶面(第二面214)可以不高于牺牲层sc的顶面。在本实施例中，绝缘结构210a包括反射材料。举例来说，绝缘结构210a包括有机材料以及分布于前述有机材料中的反射粒子，前述反射粒子例如为多孔的(或内含空气的)氧化硅(sio2)、氧化钛(tio2)、氧化铝(al2o3)、碳酸钙(caco3)、硫酸钡(baso4)、氧化锆(zro2)、金属镀膜高分子微粒中空高分子颗粒或其他可以反光的微结构，但本发明不以此限。在一些其它的实施例中，绝缘结构210a为多层结构，其顶层及/或底层的绝缘结构不含反射材料，而中间层的绝缘结构含有反射材料。在本实施例中，绝缘结构210a本身即可反光，因此，不需要于第一电路层220a中设置位于牺牲层sc上的反射层。换句话说，第一电路层220a选性地不重叠于牺牲层sc。
107.请参考图4c，形成第二电路层230于绝缘结构210a上。
108.请参考图4d，形成第二覆盖材料层430’于第二电路层230上。在本实施例中，第二覆盖材料层430’与牺牲层sc顶面上的第一覆盖材料层420’接触。
109.请参考图4e，以例如图2i公开的工艺方式移除牺牲层sc以形成第一电路结构200b的开孔h。在本实施例中，移除牺牲层sc的同时，一并移除牺牲层sc顶面上的第一覆盖材料层420’以及牺牲层sc顶面上的第二覆盖材料层430’，以形成第一覆盖层420以及第二覆盖层430。在本实施例中，移除牺牲层sc前、移除牺牲层sc后或移除牺牲层sc的同时，图案化第
二覆盖材料层430’以暴露出部分第二电路层230。换句话说，第二覆盖层430具有暴露出第二电路层230的开口432。
110.在一些实施例中，移除牺牲层sc的方法包括剥离工艺、蚀刻工艺或其他合适的工艺。
111.请参考图4f，于第二电路层230上形成第一导电连接结构510。
112.请参考图4g，在形成第一导电连接结构510，将发光元件封装结构300接合至第一电路结构200b。至此，显示装置30大致完成。
113.在本实施例中，第一电路结构200b的绝缘结构210a包括反射材料，因此，不需要于第一电路结构200b的开孔h的侧壁形成额外的反射层，就可以利用绝缘结构210a将发光元件320所发出的光线反射至朝向第一基板100的方向照射，由此提高显示装置30的亮度。
114.图5是依照本发明的实施例的一种显示装置的剖面示意图。在此必须说明的是，图4a至图4g的实施例沿用图1a和图1b的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
115.请参考图5，在显示装置40中，第一电路结构200c包括绝缘结构210b、第一电路层220、第二电路层230以及第三电路层240
116.绝缘结构210b具有朝向第一基板100的第一面212以及背对第一面212的第二面214。绝缘结构210b包括多层结构。举例来说，绝缘结构210b包括第一绝缘层211以及第二绝缘层213。第二绝缘层213重叠于第一绝缘层211。第一绝缘层211以及第二绝缘层213包括相同或不同的材料。在本实施例中，第一面212位于第一绝缘层211上，且第二面214位于第二绝缘层213上。在本实施例中，第一电路结构200c的开孔h贯穿第一绝缘层211以及第二绝缘层213。
117.第一电路层220位于绝缘结构210b的第一面212。第二电路层230位于绝缘结构210b的第二面214。第三电路层240位于第一绝缘层211与第二绝缘层213之间。在一些实施例中，第三电路层240通过导电孔而电性连接至第一电路层220以及第二电路层230，但本发明不以此为限。在本实施例中，第一电路结构200c中包括驱动电路，且驱动电路电性连接至发光元件320。
118.基于上述，第一电路结构的开孔在靠近第一基板处的宽度大于开孔在靠近第二基板处的宽度，由此使发光元件所发出的光线可以更佳的被反射至第一基板，使显示装置具有较高的亮度。