高压元件、高压控制元件及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种高压元件，其特征在于，包含：一半导体层，形成于一基板上；一阱区，具有一第一导电型，形成于该半导体层中；一浅沟槽隔绝区，形成于该半导体层中；一漂移氧化区，形成于该半导体层上，其中，该浅沟槽隔绝区位于该漂移氧化区下，且部分该漂移氧化区位于部分该浅沟槽隔绝区的正上方并连接该浅沟槽隔绝区，其中该漂移氧化区位于一漂移区上；一本体区，具有一第二导电型，形成于该半导体层中，该本体区与该阱区在一通道方向上连接；一栅极，形成于该半导体层上，部分该本体区位于该栅极正下方并连接于该栅极，以提供该高压元件在一导通操作中的一反转电流通道，且另一部分该栅极位于该漂移氧化区的正上方且连接该漂移氧化区；以及一源极与一漏极，具有该第一导电型，该源极与该漏极形成于该半导体层中，且该源极与该漏极分别位于该栅极的外部下方的该本体区中与远离该本体区侧的该阱区中，且于该通道方向上，该漂移区位于该漏极与该本体区之间的该阱区中，用以作为该高压元件在该导通操作中的一漂移电流通道；其中，该浅沟槽隔绝区介于该漏极与该本体区之间。2.如权利要求1所述的高压元件，其中，该漂移氧化区包括一区域氧化结构或一化学气相沉积氧化区。3.如权利要求1所述的高压元件，其中，该浅沟槽隔绝区与该漏极于该通道方向上连接。4.一种高压元件制造方法，其特征在于，包含：形成一半导体层于一基板上；形成一阱区于该半导体层中，该阱区具有一第一导电型；形成至少一浅沟槽隔绝区于该半导体层中；形成一漂移氧化区于该半导体层上，其中，该浅沟槽隔绝区位于该漂移氧化区下，且部分该漂移氧化区位于部分该浅沟槽隔绝区的正上方并连接该浅沟槽隔绝区，其中该漂移氧化区位于一漂移区上；形成一本体区于该半导体层中，该本体区与该阱区在一通道方向上连接，该本体区具有一第二导电型；形成一栅极于该半导体层上，部分该本体区位于该栅极正下方并连接于该栅极，以提供该高压元件在一导通操作中的一反转电流通道，且另一部分该栅极位于该漂移氧化区的正上方且连接该漂移氧化区；以及形成一源极与一漏极于该半导体层中，且该源极与该漏极分别位于该栅极的外部下方的该本体区中与远离该本体区侧的该阱区中，且于该通道方向上，该漂移区位于该漏极与该本体区之间的该阱区中，用以作为该高压元件在该导通操作中的一漂移电流通道；其中，该浅沟槽隔绝区介于该漏极与该本体区之间。5.如权利要求4所述的高压元件制造方法，其中，该漂移氧化区包括一区域氧化结构或一化学气相沉积氧化区。
6.如权利要求4所述的高压元件制造方法，其中，该浅沟槽隔绝区与该漏极于该通道方向上连接。7.一种高压控制元件，其特征在于，包含：一半导体层，形成于一基板上；一漂移阱区，具有一第一导电型，形成于该半导体层中；一通道阱区，具有一第二导电型，形成于该半导体层中，该漂移阱区与该通道阱区在一通道方向上连接；一浅沟槽隔绝区，形成于该半导体层中；一漂移氧化区，形成于该半导体层上，其中，该浅沟槽隔绝区位于该漂移氧化区下，且部分该漂移氧化区位于部分该浅沟槽隔绝区的正上方并连接该浅沟槽隔绝区，其中该漂移氧化区位于一漂移区上；一栅极，形成于该半导体层上，部分该通道阱区位于该栅极正下方并连接于该栅极，以提供该高压控制元件在一导通操作中的一反转电流通道，且另一部分该栅极位于该漂移氧化区的正上方且连接该漂移氧化区；一源极与一漏极，具有该第一导电型，该源极与该漏极形成于该半导体层中，且该源极与该漏极分别位于该栅极的外部下方的该通道阱区中与远离该通道阱区侧的该漂移阱区中，且于该通道方向上，该漂移区位于该漏极与该通道阱区之间的该漂移阱区中，用以作为该高压控制元件在该导通操作中的一漂移电流通道；一通道阱区接触极，具有该第二导电型，形成于该通道阱区中，用以作为该通道阱区的电性接点，于垂直方向上，该通道阱区接触极形成于该半导体层的一上表面下并连接于该上表面；以及一通道隔绝区，形成于该半导体层中且位于该源极与该通道阱区接触极之间，该通道隔绝区形成于该上表面下并连接于该上表面；其中，该浅沟槽隔绝区介于该漏极与该通道阱区之间。8.如权利要求7所述的高压控制元件，其中，该漂移氧化区包括一区域氧化结构或一化学气相沉积氧化区。9.如权利要求7所述的高压控制元件，其中，该浅沟槽隔绝区与该漏极于该通道方向上连接。10.一种高压控制元件制造方法，其特征在于，包含：形成一半导体层于一基板上；形成一漂移阱区于该半导体层中，该漂移阱区具有一第一导电型；形成一通道阱区于该半导体层中，该通道阱区具有一第二导电型，该漂移阱区与该通道阱区在一通道方向上连接；形成至少一浅沟槽隔绝区于该半导体层中以及形成一通道隔绝区于该半导体层中，该通道隔绝区形成于该半导体层的一上表面下并连接于该上表面；形成一漂移氧化区于该半导体层上，其中，该浅沟槽隔绝区位于该漂移氧化区下，且部分该漂移氧化区位于部分该浅沟槽隔绝区的正上方并连接该浅沟槽隔绝区，其中该漂移氧化区位于一漂移区上；形成一栅极于该半导体层上，部分该通道阱区位于该栅极正下方并连接于该栅极，以
提供该高压控制元件在一导通操作中的一反转电流通道，且另一部分该栅极位于该漂移氧化区的正上方且连接该漂移氧化区；以及形成一源极与一漏极于该半导体层中，且该源极与该漏极分别位于该栅极的外部下方的该通道阱区中与远离该通道阱区侧的该漂移阱区中，且于该通道方向上，该漂移区位于该漏极与该通道阱区之间的该漂移阱区中，用以作为该高压控制元件在该导通操作中的一漂移电流通道；以及形成一通道阱区接触极于该通道阱区中，该通道阱区接触极具有该第二导电型，用以作为该通道阱区的电性接点，于垂直方向上，该通道阱区接触极形成于该上表面下并连接于该上表面；其中，该浅沟槽隔绝区介于该漏极与该通道阱区之间，该通道隔绝区介于该源极与该通道阱区接触极之间。11.如权利要求10所述的高压控制元件制造方法，其中，该漂移氧化区包括一区域氧化结构或一化学气相沉积氧化区。12.如权利要求10所述的高压控制元件制造方法，其中，该浅沟槽隔绝区与该漏极于该通道方向上连接。

技术总结
本发明提供了一种高压元件、高压控制元件及其制造方法。高压元件包括：半导体层、阱区、浅沟槽隔绝区、漂移氧化区、本体区、栅极、源极与漏极，其中该漂移氧化区位于一漂移区上，其中浅沟槽隔绝区位于漂移氧化区下，且部分漂移氧化区位于部分浅沟槽隔绝区的正上方并连接浅沟槽隔绝区，其中浅沟槽隔绝区介于漏极与本体区之间。体区之间。体区之间。


技术研发人员：张钧隆 熊志文 游焜煌 邱国卿 翁武得 邱建维 杨大勇
受保护的技术使用者：立锜科技股份有限公司
技术研发日：2021.07.30
技术公布日：2022/7/14