流体处理系统、方法和光刻设备与流程

流体处理系统、方法和光刻设备
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2019年11月18日提交的ep申请19209814.3的优先权，该申请的全部内容通过引用并入本文。
技术领域
3.本发明涉及流体处理系统和装置制造方法。本发明还涉及光刻设备。


背景技术：

4.光刻设备是被构造为将期望图案施加到衬底上的机器。光刻设备可以被用于例如集成电路(ic)的制造中。例如，光刻设备可以将图案形成装置(例如，掩模)的图案(也通常被称为“设计布局”或“设计”)投影到衬底(例如，晶片)上提供的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。已知的光刻设备包括所谓的步进机，其中通过一次将整个图案曝光到目标部分上来照射每个目标部分，以及所谓的扫描仪，其中通过在给定方向(“扫描”方向)上借助辐射束扫描图案同时平行或反平行于该方向同步扫描衬底来照射每个目标部分。
5.随着半导体制造工艺的不断进步，电路元件的尺寸不断减小，而每个器件的功能元件(诸如晶体管)的数量在过去几十年中遵循通常被称为“摩尔定律”的趋势一直在稳步增加。为了跟上摩尔定律，半导体行业正在追逐能够创造出越来越小的特征的技术。为了在衬底上投影图案，光刻设备可以使用电磁辐射。该辐射的波长确定了在衬底上图案化的特征的最小尺寸。当前使用的典型波长为365nm(i-line)、248nm、193nm和13.5nm。
6.更小特征的分辨率的进一步改进可以通过在曝光期间在衬底上提供具有相对高折射率的浸没流体(诸如水)来实现。浸没流体的作用是使得能够对更小的特征进行成像，因为曝光辐射在流体中的波长比在气体中的波长更短。浸没流体的作用也可以被看作是增加了系统的有效数值孔(na)，并且也增加了焦深。
7.浸没流体可以通过流体处理结构被限制在光刻设备的投影系统和衬底之间的局部区域。使用这样的浸没流体可能导致在衬底表面上存在微滴。这样的微滴可能是问题，因为当微滴撞击浸没液体的弯液面时，由于浸没液体中夹带的气体，这可能导致气泡的形成。浸没液体中的气泡会导致衬底上的印刷缺陷。可以通过降低衬底的相对速度来降低引入这样的气泡的可能性，然而这限制了光刻设备的产量。


技术实现要素：

8.本发明的一个目的是提供其中采取措施来增加产量和/或减少衬底上的缺陷的流体处理系统和方法。
9.根据本发明，提供了流体处理系统，包括：液体限制结构，其被配置为将浸没液体限制在液体限制结构的至少一部分和衬底的表面之间的空间中，液体限制结构具有其中形成的孔的结构，用于辐射束穿过孔来通过浸没液体照射衬底的表面；以及被配置为在使用中以大于或等于大约30hz且小于9,500hz的频率振动与浸没液体接触的振动部件的机构。
10.根据本发明，还提供了如本文所公开的器件制造方法。
11.根据本发明，还提供了如本文所公开的光刻设备。
12.以下结合附图来详细描述本发明的进一步实施例、特征和优点，以及本发明的各个实施例、特征和优点的结构和操作。
附图说明
13.现在将仅通过示例的方式参考所附示意图来描述本发明的实施例，其中对应的附图标记指示对应的部分，并且其中：
14.图1描绘了光刻设备的示意图；
15.图2a、图2b和图2c各自以截面描绘了流体处理系统的两个不同版本，在每个版本的左侧和右侧图示了不同的特征，特征可以围绕整个圆周延伸；
16.图3a、图3b、图3c和图3d各自以截面的形式描绘了本发明第一实施例的系统的变型，其中两个不同版本的流体处理系统具有在左侧和右侧图示的不同特征，特征可以围绕整个圆周延伸；
17.图4以截面描绘了本发明第一实施例的系统的变型，其中两个不同版本的流体处理系统具有在左侧和右侧图示的不同特征，特征可以围绕整个圆周延伸；
18.图5a和图5b描绘了第一实施例的系统的变型；
19.图6以截面形式描绘了本发明的第二实施例的系统，其中两个不同版本的流体处理系统具有在左侧和右侧图示的不同特征，特征可以围绕整个圆周延伸；以及
20.图7以截面的形式描绘了本发明第三实施例的系统，其中两个不同版本的流体处理系统具有在左侧和右侧图示的不同特征，特征可以围绕整个圆周延伸。
21.图中所示的特征不一定按比例绘制，并且所描绘的尺寸和/或布置不是限制性的。应当理解，附图包括对本发明而言可能不是必需的可选特征。此外，并非在每个图中都描绘了设备的所有特征，并且这些图可能仅示出了与描述特定特征有关的一些部件。
具体实施方式
22.在本文件中，术语“辐射”和“光束”被用于涵盖所有类型的电磁辐射，包括紫外辐射(例如，具有365nm、248nm、193nm、157nm或126nm的波长)。
23.本文中使用的术语“掩模版”、“掩模”或“图案形成装置”可以被广义地解释为指代可以被用于赋予入射辐射束经图案化的截面的通用图案形成装置，经图案化的截面对应于待在衬底的目标部分中创建的图案。在该上下文中也可以使用术语“光阀”。除了经典掩模(透射或反射、二元、相移、混合等)之外，其他此类图案形成装置的示例包括可编程反射镜阵列和可编程lcd阵列。
24.图1示意性地描绘了光刻设备。光刻设备包括被配置为调节辐射束b(例如，uv辐射或duv辐射)的照射系统(也称为照射器)il；被构造为支撑图案形成装置(例如，掩模)ma并且被连接到第一定位器pm的掩模支撑件(例如，掩模台)mt，第一定位器pm被配置为根据某些参数来精确定位图案形成装置ma；被构造为保持衬底(例如，涂覆有抗蚀剂的晶片)w并且被连接到第二定位器pw的衬底支撑件(例如，衬底台)wt，第二定位器pw被配置为根据某些参数来精确定位衬底支撑件wt；以及被配置为将通过图案形成装置ma赋予辐射束b的图案
投影到衬底w的目标部分c(例如，包括一个或多个管芯)上的投影系统(例如，折射投影透镜系统)ps。
25.在操作中，照射系统il例如经由光束传递系统bd接收来自辐射源so的辐射束b。照射系统il可以包括各种类型的光学部件，诸如折射型、反射型、磁性、电磁型、静电型和/或其他类型的光学部件或其任何组合，用于引导、成形和/或控制辐射。照射器il可以被用于将辐射束b调节为在其在图案形成装置ma的平面处的截面中具有期望的空间和角强度分布。
26.本文使用的术语“投影系统”ps应被广义地解释为根据需要对于所使用的曝光辐射和/或对于其他因素，诸如使用浸没液体或使用真空，涵盖各种类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、畸变型、磁性、电磁型和/或静电型光学系统或它们的任何组合。本文中对术语“投影透镜”的任何使用可以被认为与更一般的术语“投影系统”ps同义。
27.光刻设备是这样的类型，其中衬底w的至少一部分可以被具有相对高折射率的浸没液体(例如水)覆盖，以填充投影系统ps和衬底w之间的浸没空间11，这也被称为浸没式光刻。关于浸没技术的更多信息在us 6,952,253中给出，其通过引用并入本文。
28.光刻设备可以是具有两个或更多个衬底支撑件wt(也被称为“双级”)的类型。在这样的“多级”机器中，衬底支撑件wt可以并行使用和/或衬底w的后续曝光准备步骤可以在衬底w上执行，衬底w定位为衬底支撑件wt之一上，而另一衬底支撑件wt上的另一衬底w被用于曝光另一衬底w上的图案。
29.除了衬底支撑件wt之外，光刻设备可以包括测量台(图中未描绘)。测量台被布置为保持传感器和/或清洁装置。传感器可以被布置为测量投影系统ps的性质或辐射束b的性质。测量台可以保持多个传感器。清洁装置可以被布置为清洁光刻设备的一部分，例如投影系统ps的一部分或提供浸没液体的系统的一部分。当衬底支撑件wt远离投影系统ps时，测量台可在投影系统ps下方移动。
30.在操作中，辐射束b入射到被保持在掩模支撑件mt上的图案形成装置(例如，掩模ma)上，并且由图案形成装置ma上存在的图案(设计布局)图案化。穿过掩模ma之后，辐射束b穿过投影系统ps，投影系统将光束聚焦到衬底w的目标部分c上。在第二定位器pw和位置测量系统if的帮助下，衬底支撑件wt可以精确地移动，例如以在聚焦和对准位置处将不同的目标部分c定位在辐射束b的路径中。类似地，第一定位器pm和可能的另一位置传感器(图1中未明确描绘)可以被用于将图案形成装置ma相对于辐射束b的路径准确地定位。图案形成装置ma和衬底w可以使用掩模对准标记m1、m2和衬底对准标记p1、p2对准。尽管如图所示的衬底对准标记p1、p2占据专用的目标部分，但它们可以定位为目标部分之间的空间中。当衬底对准标记p1、p2定位为目标部分c之间时，它们被称为划线对准标记。
31.为了阐明本发明，使用笛卡尔坐标系。笛卡尔坐标系具有三个轴，即x轴、y轴和z轴。三个轴中的每一个与另外两个轴正交。围绕x轴的旋转被称为rx旋转。围绕y轴的旋转被称为ry旋转。围绕z轴的旋转被称为rz旋转。x轴和y轴限定水平面，而z轴在竖直方向。笛卡尔坐标系不限制本发明并且仅用于说明。相反，可以使用另一坐标系，诸如柱坐标系来阐明本发明。笛卡尔坐标系的取向可以不同，例如使得z轴具有沿水平面的分量。
32.浸没技术已被引入光刻系统来实现较小特征的改进分辨率。在浸没式光刻设备中，具有相对高折射率的浸没液体的液体层被插入在设备的投影系统ps(经图案化的光束
通过投影系统朝向衬底w投射)和衬底w之间的浸没空间11中。浸没液体覆盖在投影系统ps的最终元件下方的衬底w的至少一部分。因此，衬底w经历曝光的至少一部分被浸入浸没液体中。
33.在商业浸没式光刻中，浸没液体是水。通常，水是高纯度的蒸馏水，诸如半导体制造厂中常用的超纯水(upw)。在浸没系统中，upw通常被净化，并且其在作为浸没液体供给到浸没空间11之前可以经历附加的处理步骤。除了水之外，其他具有高折射率的液体也可以用作浸没液体，例如：碳氢化合物，诸如氟代烃；和/或水溶液。此外，已设想在浸没式光刻中使用除液体之外的其他流体。
34.在本说明书中，将在描述中参考局部浸没，在局部浸没中，浸没液体在使用中被限制在最终元件100和面向最终元件100的表面之间的浸没空间11。面对表面是衬底w的表面或与衬底w的表面共面的支撑台(或衬底支撑件wt)的表面。(请注意，除非另有明确说明，否则附加地或备选地，在下文中对衬底w的表面的参考也指代衬底支撑件wt的表面；反之亦然)。投影系统ps和衬底支撑件wt之间存在的流体处理结构12被用于将浸没液体限制在浸没空间11中。由浸没液体填充的浸没空间11在平面图上小于衬底w的顶表面并且浸没空间11相对于投影系统ps保持基本静止，而衬底w和衬底支撑件wt在下方移动。
35.已设想了其他浸没系统，诸如无限制浸没系统(所谓的“全湿”浸没系统)和浴器型浸没系统。在无限制浸没系统中，浸没液体覆盖多于最终元件100下方的表面。浸没空间11外部的液体作为薄液膜存在。液体可以覆盖衬底w的整个表面或者甚至衬底w以及与衬底w共面的衬底支撑件wt。在浴器型系统中，衬底w完全浸入浸没液体的浴器中。
36.流体处理结构体12是一种结构，其向浸没空间11供给浸没液体、从浸没空间11去除浸没液体，从而将浸没液体限制到浸没空间11。它包括作为流体供给系统的一部分的特征。pct专利申请公开号wo99/49504中公开的布置是早期的流体处理结构，其包括从浸没空间11供给或回收浸没液体的管道，并且这些管道根据投影系统ps下方的平台的相对运动而操作。在更近代的设计中，流体处理结构沿着在投影系统ps的最终元件100与衬底支撑件wt或衬底w之间的浸没空间11的边界的至少一部分延伸，以部分地限定浸没空间11。
37.流体处理结构12可以具有不同功能的选择。每个功能可以从使得流体处理结构12能够实现该功能的对应特征导出。流体处理结构12可以被称为许多不同的术语，每个术语指代一个功能，诸如屏障构件、密封构件、流体供给系统、流体去除系统、液体限制结构等。
38.作为屏障构件，流体处理结构12是浸没液体从浸没空间11流出的屏障。作为液体限制结构，结构将浸没液体限制到浸没空间11。作为密封构件，流体处理结构12的密封特征形成密封件来将浸没液体限制到浸没空间11。密封特征可以包括来自密封构件表面中的开口的附加气流，诸如气刀。
39.在一个实施例中，流体处理结构12可以供给浸没流体并且因此是流体供给系统。
40.在一个实施例中，流体处理结构12可以至少部分地限制浸没流体并且因此是流体限制系统。
41.在一个实施例中，流体处理结构12可以为浸没流体提供屏障并且因此是屏障构件，诸如流体限制结构。
42.在一个实施例中，流体处理结构12可以创建或使用气流，例如以帮助控制浸没流体的流动和/或位置。
43.气流可以形成密封件来限制浸没流体，因此流体处理结构12可以被称为密封构件；这样的密封构件可以是流体限制结构。
44.在一个实施例中，浸没液体被用作浸没流体。在该情况下，流体处理结构12可以是液体处理系统。参考前述描述，在本段落中对关于流体限定的特征的引用可以被理解为包括关于液体限定的特征。
45.光刻设备具有投影系统ps。在衬底w的曝光期间，投影系统ps将经图案化的辐射束投影到衬底w上。为了到达衬底w，辐射束b的路径从投影系统ps穿过由投影系统ps和衬底w之间的流体处理结构12限制的浸没液体。投影系统ps具有透镜元件，透镜元件是光束路径中的最后一个元件，它与浸没液体接触。与浸没液体接触的该透镜元件可以被称为“最后一个透镜元件”或“最终元件”。最终元件100至少部分地被流体处理结构12包围。流体处理结构12可以将浸没液体限制在最终元件100下方和面对表面之上。
46.图2a、图2b和图2c示出了在流体处理系统的变型中可能存在的不同特征。除非有不同的描述，否则这些设计可以与图2a、图2b和图2c共享一些相同的特征。本文中描述的特征可以如所示或根据需要单独或组合选择。附图描绘了具有不同特征的流体处理系统的不同版本，特征在左侧和右侧示出，特征可以围绕整个圆周延伸。因此，例如，流体处理系统可以具有围绕整个圆周延伸的相同特征。例如，流体处理系统可以仅具有图2a的左侧或图2a的右侧，或图2b的左侧或图2b的右侧，或2c的左侧或2c的右侧的特征。备选地，流体处理系统可以在围绕圆周的不同位置处被提供有来自这些图的特征的任何组合。流体处理系统可以包括如以下的变型中所述的流体处理结构12。
47.图2a示出了围绕最终元件100的底表面的流体处理结构12。最终元件100具有倒置的截头圆锥形状。截头圆锥形状具有平坦的底表面和圆锥表面。截头圆锥形状从平坦表面突出并具有底部平坦表面。底部平坦表面是最终元件100的底表面的光学有效部分，辐射束b可以穿过该光学有效部分。最终元件100可以具有涂层30。流体处理结构12围绕截头圆锥形状的至少一部分。流体处理结构12具有面向截头圆锥形状的圆锥表面的内表面。内表面和圆锥表面可以具有互补的形状。流体处理结构12的顶表面可以是基本上平坦的。流体处理结构12可以配合在最终元件100的截头圆锥形状周围。流体处理结构12的底表面可以是基本上平坦的并且在使用中底表面可以平行于衬底支撑件wt和/或衬底w的面对表面。因此，流体处理结构12的底表面可以被称为面向衬底w的表面的表面。底表面和面对表面之间的距离可以在30到500微米之间的范围内，优选在80到200微米的范围内。
48.流体处理结构12比最终元件100更靠近衬底w和衬底支撑件wt的面对表面延伸。浸没空间11因此被限定在流体处理结构12的内表面、截头圆锥部分的平坦表面和面对表面之间。在使用期间，浸没空间11被填充有浸没液体。浸没液体填充最终元件100和流体处理结构12之间的互补表面之间的缓冲空间的至少一部分，在一个实施例中，填充互补内表面和圆锥表面之间的空间的至少一部分。
49.浸没液体通过流体处理结构12的表面中形成的开口而被供给到浸没空间11。浸没液体可以借助流体处理结构12的内表面中的供给开口20供给。备选地或附加地，浸没液体从流体处理结构12的底表面中形成的下方供给开口23供给。下方供给开口23可以围绕辐射束b的路径并且它可以由阵列或单个狭缝中的一系列开口形成。浸没液体被供给来填充浸没空间11，使得通过投影系统ps下方的浸没空间11的流是层流。从下方供给开口23供给浸
没液体附加地防止气泡进入浸没空间11。浸没液体的这种供给可以起到液体密封的作用。
50.浸没液体可以从内表面中形成的回收开口21回收。通过回收开口21回收浸没液体可以通过施加负压进行；由于浸没液体流过浸没空间11的速度，通过回收开口21进行回收；或者回收可以是两者的结果。当在平面图中观察时，回收开口21可以定位为供给开口20的相对侧。附加地或备选地，浸没液体可以通过定位为流体处理结构12的顶表面上的溢流回收器24来回收。供给开口20和回收开口21可以互换它们的功能(即，液体的流动方向反向)。这允许根据流体处理结构12和衬底w的相对运动来改变流的方向。
51.附加地或备选地，浸没液体可以通过在其底表面中形成的回收开口25从流体处理结构12下方回收。回收开口25可以用于将浸没液体的弯液面33保持到流体处理结构12。弯液面33形成在流体处理结构12和面对表面之间，并且它用作液体空间和气态外部环境之间的边界。回收开口25可以是可以回收单相流中的浸没液体的多孔板。底表面中的回收开口可以是一系列钉扎开口32，浸没液体通过这些钉扎开口32来回收。钉扎开口32可以以两相流回收浸没液体。
52.可选地，相对于流体处理结构12的内表面径向向外的是气刀开口26。气体可以借助气刀开口26以高速供给来帮助将浸没液体的液体限制在浸没空间11中。所供给的气体可以被加湿并且它可以基本上包含二氧化碳。气刀开口26的径向外侧是气体回收开口28，用于回收借助气刀开口26供给的气体。
53.在流体处理结构12的底表面中，即，在流体处理结构12面向衬底w的表面中，可以存在例如对大气或对气体源或对真空开放的另一开口。这样的可选的另一开口50的示例在图2a的右侧以虚线示出。如图所示，另一开口50可以是由双头箭头指示的供给或提取构件。例如，如果被配置为供给源，则另一开口50可以与任何供给构件一样连接到液体供给源或气体供给源。备选地，如果被配置为提取装置，则另一开口50可以被用于提取流体，并且例如可以被连接到大气或气体源或真空。例如，至少一个另一开口50可以存在于气刀开口26和气体回收开口28之间，和/或钉扎开口32和气刀开口26之间。
54.图2a的左侧和右侧的流体处理结构12的两种不同版本将弯液面33钉扎。由于钉扎开口32的固定位置，图2a右侧的流体处理结构12的版本可以将弯液面33钉扎在相对于最终元件100基本固定的位置处。图2a左侧的流体处理结构12的版本可以将弯液面33钉扎在回收开口25下方，并且因此弯液面33可以沿着回收开口25的长度和/或宽度移动。为了使得辐射束b在曝光下被引导到衬底w的整个侧面，支撑衬底w的衬底支撑件wt相对于投影系统ps移动。为了最大化由光刻设备曝光的衬底w的输出，衬底支撑件wt(以及衬底w)尽可能快地移动。然而，存在临界相对速度(通常被称为临界扫描速度)，高于该临界相对速度，流体处理结构12与衬底w之间的弯液面33变得不稳定。不稳定的弯液面33具有例如以一个或多个微滴的形式损失浸没液体的更大风险。此外，尤其是当受限制的浸没液体穿过衬底w的边缘时，不稳定的弯液面33更容易导致浸没液体中包含气泡。
55.存在于衬底w的表面上的微滴可以施加热负荷并且可能是缺陷的来源。微滴可以蒸发而留下干燥的污渍，它可以移动传输污染物(诸如颗粒)，它可以与较大的浸没液体碰撞，从而将气泡引入较大的主体中并且它可能蒸发，从而将热负荷施加到它所在的表面。如果表面与光刻设备的部件相对于正成像的衬底w的定位相关联，则这样的热负荷可能是变形的原因和/或定位误差的来源。因此，在表面上形成微滴是不期望的。为了避免形成这种
微滴，衬底支撑件wt的速度因此被限制在弯液面33保持稳定的临界扫描速度。这限制了光刻设备的产量。
56.图2a中的流体处理系统的左侧可以包括弹簧60。弹簧60可以是可调节的无源弹簧，其被配置为沿衬底w的方向向流体处理结构12施加偏置力。因此，弹簧60可以被用于控制流体处理结构12在衬底w之上的高度。这样的可调节无源弹簧在us 7,199,874中进行了描述，该专利通过引用整体并入本文。其他偏置装置也可能是合适的，例如使用电磁力。尽管弹簧60在图2a的左侧示出，但它是可选的并且不需要与图2a的左侧的其他特征一起包括。弹簧60未在任何其他附图中示出，但也可以被包括在关于图2a、图2b、图2c、图3a、图3b、图3c、图3d、图4、图5a、图5b、图6和/或图7描述的流体处理系统的其他变型中。
57.图2b在其左侧和右侧示出了允许弯液面33相对于最终元件100移动的流体处理结构12的两个不同版本。弯液面33可以沿移动衬底w的方向移动。这降低了弯液面33和移动衬底w之间的相对速度，这可以提高稳定性并且降低弯液面33击穿的风险。弯液面33击穿的衬底w速度被增加，以允许衬底w在投影系统ps下更快地移动。因此增加了产量。
58.图2b中所示的与图2a共同的特征共享相同的附图标记。流体处理结构12具有与截头圆锥形状的圆锥表面互补的内表面。流体处理结构12的底表面比截头圆锥形状的底平面更靠近面对表面。
59.浸没液体借助流体处理结构12的内表面中形成的供给开口34被供给到浸没空间11。供给开口34朝向内表面的底部定位，可能在截头圆锥形的底表面下方。供给开口34定位为内表面周围，围绕辐射束b的路径间隔开。
60.浸没液体借助流体处理结构12的底表面中的回收开口25从浸没空间11中回收。当面对表面在流体处理结构12下方移动时，弯液面33可以随着面对表面的移动而在相同方向上，在流体处理结构12的表面之上迁移。回收开口25可以由多孔构件形成。浸没液体可以单相回收。浸没液体可以以两相流的形式回收。两相流被接收在流体处理结构12内的室35中，在室35中它被分离成液体和气体。液体和气体借助单独的通道36、38从室35中回收。
61.流体处理结构12的底表面的内周边39远离内表面延伸到浸没空间11中，以形成板40。内周边39形成小孔，小孔的尺寸可以与辐射束b的形状和尺寸匹配。板40可以用于隔离其任一侧处的浸没液体。所供给的浸没液体朝向孔向内流动，通过内孔，然后在板40下方径向向外朝向周围的回收开口25流动。
62.流体处理结构12可以如图2b的右侧所示分为两部分：内部部分12a和外部部分12b。内部部分12a和外部部分12b可以在平行于面对表面的平面中相对于彼此移动。内部部分12a可以具有供给开口34并且它可以具有溢流回收部24。外部部分12b可以具有板40和回收开口25。内部部分12a可以具有用于回收在内部部分12a和外部部分12b之间流动的浸没液体的中间回收部42。
63.图2b的流体处理结构的两个不同版本因此允许弯液面33在与衬底w相同的方向上移动，从而实现更快的扫描速度和增加的光刻设备的产量。然而，弯液面33在图2b左侧的流体处理结构12中的回收开口25的表面之上的迁移速度可能很慢。图2b右侧的流体处理结构12通过相对于内部部分12a和最终元件100移动外部部分12b来允许弯液面33的更快移动。然而，可能难以控制中间回收部42来确保在内部部分12a和外部部分12b之间提供足够的浸没液体来防止它们之间的接触。
64.图2c在其左侧和右侧示出了流体处理结构12的两个不同版本，如上文关于图2a和/或图2b所述，其可以被用于将浸没液体的弯液面33钉扎到流体处理结构12。图2c中所示的与图2a和/或图2b共同的特征共享相同的附图标记。
65.流体处理结构12具有与截头圆锥形的圆锥表面互补的内表面。流体处理结构12的底表面比截头圆锥形的底平面更靠近面对表面。浸没液体借助流体处理结构12的表面中形成的开口而被供给到浸没空间11。浸没液体可以借助流体结构12的内表面中的供给开口34来供给。备选地或附加地，浸没液体可以借助流体结构12的内表面中的供给开口20供给。附加地或备选地，浸没液体借助下方供给开口23供给。浸没液体可以经由提取构件回收，例如，经由在内表面中形成的回收开口21和/或溢流回收部24和/或如下所述的流体处理结构12的表面中的一个或多个开口来回收。
66.图2c的左侧和右侧的流体处理结构12的两个不同版本将弯液面33钉扎。由于回收开口32a的固定位置，图2c右侧的流体处理结构12的版本可以将弯液面33钉扎在相对于最终元件100基本固定的位置处。图2c左侧的流体处理结构12的版本可以将弯液面33钉扎在回收开口25下方，因此弯液面33可以沿着回收开口25的长度和/或宽度移动。
67.如上文关于图2b所述，流体处理结构12的底表面的内周边可以远离内表面延伸到浸没空间11中，以形成如左侧所示的板40。如上所述，这可以形成小孔，并且可以在任一侧处隔离浸没液体和/或导致浸没液体向内流向孔，通过内孔，然后在板40下方径向向外流向周围的回收开口25。虽然该特征在图2c的左侧示出，但与所示的其他特征组合是可选的。优选地，如左侧所示，浸没液体借助流体处理结构12的内表面中形成的供给开口34被供给到浸没空间11。供给开口34定位为朝向内表面的底部，也许在截头圆锥形的底表面之下。供给开口34定位为内表面周围，围绕辐射束b的路径间隔开。备选地或附加地，浸没液体可以借助流体结构12的内表面中的供给开口20来供给。备选地或附加地，浸没液体借助下方供给开口23来供给。虽然供给开口34是优选的液体供给，但是可以提供供给开口34、供给开口20和/或下方供给开口23的任何组合。
68.如图2c的左侧所示，流体处理系统可以包括如上所述的流体处理结构12和另一装置300。流体处理结构12可以具有提取构件，诸如回收开口25和液体供给开口，诸如下方供给开口23。应当理解，流体处理结构12可以包括关于图2a的左侧、图2a的右侧、图2b的左侧、图2b的右侧或(如下所述)图2c的右侧所描述的与另一装置300组合的任何配置。
69.另一装置300可以另外被称为微滴捕集器。另一装置300被提供来在流体处理结构12已在表面之上移动之后减少液体在衬底w的表面上的出现。另一装置300可以包括液体供给构件301和至少一个提取构件302。至少一个提取构件302可以被形成为在平面图上围绕至少一个供给构件301的形状。至少一个液体供给构件301可以被配置为将另外的液体提供到另一装置300的至少一部分和衬底w的表面之间的空间311。另一装置300可以被配置为经由至少一个提取构件302来回收液体的至少一些。另一装置300可以被用于将衬底w表面上留下的任何液体与空间311中的液体合并，然后使用另一装置300提取液体，使得残留在衬底w表面上的液体量被减少。
70.在图2c中，另一装置300被示出为与流体处理结构12分离的装置。另一装置300可以相邻于流体处理结构12定位。备选地，另一装置300可以是流体处理结构12的一部分，即与流体处理结构12一体(然而，如图3d所示，可选择任一布置)。
71.另一装置300可以被配置为向空间311提供液体，空间311与由流体处理结构12提供的液体分离。
72.附加地或备选地，流体处理结构12可以具有如图2c的右侧所示的部件。更具体地，流体处理结构12可以包括在流体处理结构12的表面上形成的至少一个液体供给构件、两个提取构件(例如，回收开口32a和32b)和两个气体供给构件(例如，气体供给开口27a和27b)。至少一个液体供给构件可以与以上关于图2b的左侧和右侧所述的流体处理结构12的底表面中的下方供给开口23、或在流体处理结构12的内表面上形成的供给开口20、或液体供给开口34相同。液体供给构件、提取构件和气体供给构件可以形成在流体处理结构12的表面上。具体地，这些部件可以形成在流体处理结构12面向衬底w的表面上，即，流体处理结构12的底表面上。
73.两个提取构件中的至少一个提取构件可以在其中包括多孔材料37。多孔材料37可以被提供在开口(例如回收开口32a)内，流体处理结构12借助该开口从流体处理结构12下方提取流体并且可以以单相流回收浸没液体。两个提取构件中的另一个提取构件(例如回收开口32b)可以作为双相提取器回收浸没流体。
74.具体地，流体处理结构12可以包括：液体供给构件(例如，下方供给开口23)，其中第一提取构件(例如，回收开口32a)在液体供给构件的径向外侧，并且第一气体供给构件(例如，气体供给开口27a)在第一提取构件的径向外侧，并且第二提取构件(例如，回收开口32b)在第一气体供给构件的径向外侧，并且第二气体供给构件(例如，气体供给开口27b)在第二提取构件的径向外侧。与图2a类似，如前所述(关于流体处理结构12)，流体处理结构12的底表面中可以存在例如对大气或对气体源或对真空开放的另一开口。
75.例如，至少一个另一开口(未示出)可以被提供在流体处理结构12的底表面中。另一开口是可选的。如上述布置中所述，另一开口可以被布置在第一提取构件(例如，回收开口32a)和第一气体供给构件(例如，气体供给开口27a)之间。备选地或附加地，如上述布置中所述，另一开口可以被布置在第二提取构件(例如，回收开口32b)和第二气体供给构件(例如，气体供给开口27b)之间。另一开口可以与上述的另一开口50相同。
76.可选地，流体处理结构12包括凹部29。凹部29可以被提供在回收开口32a和回收开口32b之间或气体供给开口27a和回收开口32b之间。凹部29的形状可以在流体处理结构12周围是均匀的并且可以可选地包含倾斜表面。在凹部29被提供在回收开口32a和回收开口32b之间的情况下，气体供给开口27b可以被提供在如图2c所示的倾斜表面上。在凹部29被提供在供给开口27a和回收开口32b之间的情况下，气体供给开口27b可以被提供在流体处理结构12的倾斜表面上或者流体处理结构12与衬底w的表面平行的底表面的一部分上。备选地，凹部29的形状可以围绕流体处理结构12的圆周变化。凹部29的形状可以变化来改变从气体供给构件供给的气体对流体处理结构12下方的流体的影响。
77.图2a-图2c示出了可以用作流体处理系统的一部分的不同配置的示例。应当理解，以上提供的示例指代特定的提取构件和回收构件，但不必使用提取构件和/或回收构件的确切类型。在某些情况下，不同的术语被用来指示构件的位置，但可以提供相同的功能特征。上述提取构件的示例包括回收开口21、溢流回收部24、回收开口25(可以包括多孔板和/或室35)、气体回收开口28、钉扎开口32、回收开口32a、回收开口32b和/或中间回收部42。上述供给构件的示例包括供给开口20、下方供给开口23、气刀开口26、气体供给开口27a、气体
供给开口27b和/或供给开口34。通常，用于提取/回收流体、液体或气体的提取构件可以与所使用的分别提取/回收流体、液体或气体的至少任何其他示例互换。类似地，用于供给流体、液体或气体的供给构件可与所使用的相应供给流体、液体或气体的至少任何其他示例互换。提取构件可以通过连接到将流体、液体或气体汲取到提取构件中的负压来从空间提取/回收流体、液体或气体。供给构件可以通过连接到相关供给源来向空间供给流体、液体或气体。
78.如前所述，尽管使用浸没流体有利于改进衬底上较小特征的分辨率，但使用浸没流体也存在与引入衬底上的缺陷有关的问题。
79.通常，当使用浸没液体时，浸没液体的微滴可能会留在衬底w的表面上。浸没液体边缘处的弯液面33可能与衬底w表面上的任何微滴碰撞。当微滴撞击弯液面33时，气体可能被截留在浸没液体中。这会在浸没液体中产生气泡。浸没液体中气泡的形成会导致衬底w上的缺陷。如上所述，气泡形成的概率可以通过降低衬底w和流体处理结构12之间的相对速度来降低。然而，这会降低光刻设备的产量。
80.已进行实验来观察此类气泡的形成。已观察到，当它们撞击弯液面33时不对称变形的微滴形成气泡的可能性较小。一般认为这是因为弯液面33与非对称变形的微滴之间的接触使得气体不会被截留而是逸出，因此不会形成气泡，或者可以截留的体积少得多。因此，确定在碰撞期间影响微滴与弯液面33之间的接触将是有益的。
81.本发明应有助于减少至少一个气泡相关问题的影响。本发明包括搅动弯液面，以具有非平坦表面而在碰撞期间影响微滴和弯液面33之间的接触的各种实施例。当微滴撞击弯液面33时，具有非平坦表面的弯液面33增加了气体逸出的机会。这减少了浸没液体中的气泡生成和/或允许在不会生成更多气泡的情况下，衬底w和浸没头部之间的较高相对速度。因此，可以减少缺陷和/或增加产量。
82.在本发明中，振动运动被施加到浸没液体来激发浸没液体的弯液面33的振动。通过调整振动频率，可以调整微滴与弯液面33之间的相互作用，即，影响微滴是否从弯液面弹回或与弯液面结合。这一原则已在学术论文中有所描述，学术论文至少包括molacek,jan,and john w.m.bush.“drops bouncing on a vibrating bath.”journal of the fluid mechanics 727(july 28,2013):582-611.2013cambridge university press，其全部内容通过引用并入本文。
83.本发明提供了包括液体限制结构和机构的流体处理系统。贯穿图3a-图7示出了液体限制结构112和机构200的变型。液体限制结构112可以是如以上任何实施例和/或变型中所述的流体处理结构12，例如相对于图2a和/或图2b和/或图2c的左侧和/或右侧示出和/或描述的流体处理结构12。如下文进一步详细描述的，液体限制结构112可以包括主体113。
84.液体限制结构112被配置为将浸没液体限制在液体限制结构112的至少一部分与衬底w的表面400之间的空间111中。液体限制结构112可以通过将液体供给到空间111以及从空间111去除液体来控制浸没液体。因此，浸没液体可以被限制到空间111。浸没液体可以由液体限制结构112的至少一个液体供给构件提供。至少一个液体供给构件可以是能够供给液体的任何合适的供给构件，例如下方供给开口23。浸没液体可以由液体限制结构112的至少一个液体提取构件去除。至少一个提取构件可以是能够提取液体的任何合适的提取构件，例如钉扎开口32。
85.液体限制结构112具有形成于其中的孔10，以供辐射束b从中穿过，从而穿过浸没液体来照射衬底w的表面400。换言之，辐射束b可以照射衬底w，辐射束b穿过浸没液体和液体限制结构112的孔10。空间111可以定位为液体限制结构112与衬底w的表面400之间。因此，空间111可以与上述浸没空间11相同。如所描述的，空间111可以在最终元件100和衬底w面向最终元件100的表面400之间。面对表面是衬底w的表面400或支撑台(或衬底支撑件wt)的表面，其与衬底w的表面共面。(除非明确说明，否则在下文中对衬底w的表面400的引用也附加地或备选地是指衬底支撑件wt的表面，反之亦然)空间111可以由液体限制结构112和衬底w限定。因此，如在上述实施例和变型中，空间111可以由液体限制结构112和衬底w形成。空间111可以进一步由投影系统ps的最终元件100限定。空间111可以通过液体限制结构112而填充有浸没液体。
86.机构200是流体处理系统的一部分。机构200被配置为使得振动部件210振动。振动部件210是由机构200振动的物理对象。振动部件210可以是流体处理系统的一部分，即，流体处理系统可以包括振动部件210。振动部件210在使用中与浸没液体接触。换言之，当浸没液体如其使用时在空间111中时，浸没液体将物理地接触振动部件210。例如，振动部件210可以被浸入在浸没液体中和/或可以形成用于限制浸没液体的流体处理系统的一部分的边缘。振动部件210可以定位为浸没液体的弯液面33处，只要振动部件210的至少一部分接触浸没液体以在浸没液体中引起振动。
87.振动部件210可以由任何合适的材料制成。例如，振动部件210可以由与液体限制结构112的主体113相同的材料形成。可以使用适合于主体113的其他材料代替，即，振动部件210可以由与主体113不同的材料形成。仅举例来说，振动部件210可以由金属形成，例如不锈钢。
88.如上所述，振动频率可以被选择来适应弯液面33的形状，从而影响弯液面33和微滴在碰撞期间的相互作用。弯液面33的振动引起波的形成，波的特征在于波长和振动频率(其可以另外被称为振荡频率)之间的色散关系。因此，振动频率影响沿弯液面33形成的波的波长。由于机构200被配置为使得振动部件210振动，所以振动部件210的振动频率大于零。机构200被配置为以大于或等于大约30hz的频率使得振动部件210振动。机构200被配置为以小于9,500hz的频率使得振动部件210振动。
89.优选地，如上所述，频率大于或等于大约30hz。频率可以大于或等于大约40hz、50hz、60hz、70hz、80hz、90hz、100hz、200hz、300hz、400hz或500hz。优选地，频率小于大约9,500hz。频率可以小于或等于大约9,000hz、8,000hz、7,000hz、6,000hz、5,000hz、4,000hz、3,000hz、2,000hz、1,500hz、1,400hz、1,300hz、1,200hz、1,100hz、1,000hz、900hz、800hz、700hz、600hz、500hz、400hz、300hz、200hz或100hz。
90.优选地，频率范围大于或等于约60hz至小于约9,500hz，或者优选地，频率范围大于或等于约100hz且小于或等于约2,000hz或者更优选地，频率范围大于或等于大约500hz并且小于或等于大约1,500hz。
91.振动部件210可以根据需要通过机构200在任何方向上移动。优选地，振动部件210由机构200在基本水平的平面中移动。基本上水平的平面对应于图中所示的xy平面。振动部件210可以在xy平面中的至少一个线性方向上平移，和/或振动部件可以围绕rz轴旋转。以这种方式使得振动部件210振动可能有利于在其他方向上的振动，因为它可以减少对其他
部件的扰动。
92.如上所述，机构200被用于使得振动机构210振动。机构200可以包括任何适当的致动器，例如，压电致动器、洛伦兹致动器、磁致伸缩致动器或磁阻致动器。机构200可以是现在已知或以后为此目的开发的任何合适的致动器。
93.在第一实施例中，液体限制结构112的至少一部分由机构200振动。例如，如图3a、图3b、图3c和图3d所描绘的，液体限制结构112可以包括主体113和振动部件210。图3a、图3b、图3c和图3d旨在示出与液体处理结构112组合的振动机构，其可以具有上文关于图2a、图2b和/或图2c中的流体处理结构12描述的任何或所有特征。
94.机构200可以被配置为使得振动部件210相对于主体113振动。振动部件210可以在浸没液体的边缘处形成屏障来限定空间111。因此，振动部件210可以形成液体限制结构112与浸没液体的边缘接触。将振动部件210提供为与主体113分离的元件可能是优选的，因为致动较小的质量可以降低流体处理系统和设备整体中的扰动力。振动部件210可以被定位在主体213内或附近。如图3a、图3b、图3c和图3d所示，振动部件210可以被定位在主体113的凹部内。振动部件210可以是任何合适的形状。
95.振动部件210可以至少经由机构200而被耦合到主体213，即，振动部件210和主体113可以至少经由机构200连接。图3a、图3b、图3c和图3d示出了机构200被连接到振动部件210的顶部部分，然而，机构200可以在任何合适的位置处被附接到振动部件210。振动部件210和主体113可以附加地通过某种形式的保持装置耦合，例如，经由与振动部件210和主体113附接的至少一个弹簧214。图3a、图3b、图3c和图3d示出了与振动部件210的侧部连接的弹簧214，然而，弹簧214可以在任何适当的位置处被附接到振动部件210。
96.如图3a、图3b、图3c和图3d所示，振动部件210可以定位为在任何液体供给构件和/或任何液体提取构件的径向内侧。备选地，振动部件210可以被定位在任一个液体供给构件和/或任何液体提取构件之间。
97.例如，相对于图3a的左侧，振动部件210可以被定位为邻近回收开口25，例如多孔材料。振动部件210可以被定位在液体供给开口(例如下方供给开口23)和液体提取开口(例如回收开口25)之间。例如，关于图3a和图3b的右侧，振动部件210可以被定位在液体供给开口(例如下方供给开口23)和液体提取开口(例如钉扎开口32)之间。例如，相对于图3b的左侧，振动部件210可以被定位为邻近回收开口25，例如多孔材料。振动部件210可以被定位在液体供给开口(例如下方供给开口23)和液体提取开口(例如回收开口25)之间。
98.例如，关于图3c的左侧，振动部件210可以定位在液体提取开口(例如回收开口25)径向向内侧。关于图3c的左侧，振动部件210可以被定位在室35内(只要振动部件210可以直接接触浸没液体)。关于图3c的左侧，注意振动机构210可以形成板40的一部分或替代板40的一部分。例如，相对于图3c的右侧，振动部件210可以被定位在液体提取开口(例如中间回收部42)径向内侧。关于图3c的右侧，注意，液体限制结构112可以具有内部部分112a(对应于上述图2b的内部部分12a)和外部部分112b(对应于上述图2b的外部部分12b)。因此，主体113可以由形成内部部分112a的第一主体元件113a和形成外部部分112b的第二主体元件113b形成。可选地，第一主体元件113a和第二主体元件113b彼此耦合。优选地，耦合允许第一主体元件113a例如经由弹性连接相对于第二主体元件113b移动。如图3c的右侧所示，振动机构210可以形成内部部分112a的至少一部分。附加地或备选地，振动机构210可以形成
外部部分112b的至少一部分。例如，关于图3c的右侧，振动机构210可以形成板40的一部分或代替板40的一部分。在这种情况下，振动部件210可以定位在液体提取开口(例如回收开口25)径向内侧。
99.例如，关于图3d的左侧，振动部件210可以被定位为邻近回收开口25，例如多孔材料。振动部件210可以被定位在液体供给开口(例如下方供给开口23)和液体提取开口(例如回收开口25)之间。例如，相对于图3d的右侧，振动部件210可以被定位在液体供给开口(例如下方供给开口23)和液体提取开口(例如回收开口32a)之间。
100.如图3a、图3b、图3c和图3d所示，可以存在单个(即，仅一个)振动部件210。备选地，可以存在多个振动部件210。它们可以定位为液体限制结构112的不同位置处，例如，定位为以上关于图3a、图3b、图3c和图3d描述的任何或所有位置处。
101.在该实施例中，液体限制结构112的主体113可以被振动，即，如图4所示，液体限制结构112可以作为整体移动。在该情况下，主体113是振动部件。在该情况下，基本上整个液体限制结构112可以由机构200移动。实现液体限制结构112整体的振动可能相对简单。然而，振动液体限制结构112的主体113可能更可能将扰动引入到衬底w和/或光刻设备的部件，例如衬底支撑件wt。
102.在图4中，机构200被附接到液体限制结构112的顶部，然而，机构200可以被附接到液体限制结构112的任何适当部分。在该情况下，机构200可以有利地定位为浸没液体的外部。机构200可以被附接到光刻设备的非移动部分，诸如支撑框架(未示出)。如上文关于图3a、图3b、图3c和图3d所描述的，还可以在液体限制结构112的主体113和光刻设备的非移动部分之间提供保持装置(未示出)。
103.应当理解，图4描绘了其中液体限制结构112的整个主体113被振动的变型。尽管图4描绘了与图3a相对应的液体限制结构112的特征，但是液体限制结构112可以具有如图3b、图3c或图3d中的任一个所示的特征，即，液体限制结构112可以具有图2a、图2b和/或图2c的流体处理结构12的任何特征。
104.在第一实施例中，液体限制结构112的主体113可以由多个区段形成，多个区段例如是第一主体元件113a和第二主体元件113b。可选地，第一主体元件113a和第二主体元件113b彼此耦合。优选地，耦合允许第一主体元件113a例如经由弹性连接相对于第二主体元件113b移动。
105.这样的变型在图5a和图5b中示出。在这种情况下，第一主体元件113a和第二主体元件113b可以各自是振动部件。机构可以包括第一机构200a和第二机构200b。在该情况下，第一机构200a可以被配置为使得第一主体元件113a(作为第一振动部件)振动，并且第二机构200b可以被配置为使得第二主体元件113b(作为第二振动部件)振动。第一机构200a和第二机构200b可以被配置为分别以如上所述的频率振动第一主体元件113a和/或第二主体元件113b。
106.在多个区段中提供液体限制结构112是有利的，因为它允许更多地控制主体113的振动，例如，第一主体元件113a和第二主体元件113b可以以不同的频率同时振动。
107.仅举例来说，液体限制结构112可以具有纵向轴线lx。在平面图中，主体113可以沿纵向轴线lx被分离为第一主体元件113a和第二主体元件113b。因此，第一主体元件113a和第二主体元件113b之间的间隔可以横向于纵向轴线lx。第一主体元件113a可以形成液体限
制结构112的前部，而第二主体元件113b可以形成液体限制结构112的后部。这在图5a中示出，图5a是液体限制结构112的底侧视图。如图5a所示，衬底w可以相对于液体限制结构112在与液体限制结构112的纵向轴线lx基本平行的方向上移动。因此，第一主体元件113a在图5a可以是液体限制结构112的前部，而第二主体元件113b可以是液体限制结构112的后部。当然，主体113可以由使用各种形状的第一主体元件113a和第二主体元件113b形成，例如，第一主体元件113a和第二主体元件113b之间的间隔可以沿着或基本平行于纵向轴线lx形成。
108.与液体限制结构112的背侧相比，第一主体元件113a和第二主体元件113b的振动可以被控制为在液体限制结构112的前侧处的弯液面33处产生更好的微滴相干性。这可能是有益的，因为它可以减少气泡在液体限制结构112的前侧处的引入，气泡可以在衬底w上造成缺陷的可能性更大。
109.在图5a中，第一机构200a和第二机构200b在第一主体元件113a和第二主体元件113b的一侧分别示出，然而，第一机构200a和第二机构200b可以被定位在任何适当的位置处。如图5a中所示的液体限制结构112的形状、下方供给开口23的形成和形状以及钉扎开口32的形成和形状仅是示例性的，并且可以使用任何形状/形成。可以提供任何附加的或备选的液体供给开口和/或液体提取开口。
110.如图5b所示，第一主体元件113a可以是如上所述的内部部分112a，并且第二主体元件113b可以是如上所述的外部部分112b。在图5b中，仅描绘了流体处理系统的右侧。
111.第一机构200a和第二机构200b可以被分别提供在第一主体元件113a和第二主体元件113b的任何适当表面上。在该情况下，第一机构200a和第二机构200b可以被定位在浸没液体的外部。第一机构200a和第二机构200b可以被附接到光刻设备的非移动部分，诸如支撑框架(未示出)。第一机构200a和第二机构200b可以被附接到相同的非移动部分。如上文关于图3a、图3b、图3c和图3d所述，还可以在第一主体元件113a和/或第二主体元件113b与光刻设备的非移动部分之间提供保持装置(未示出)。
112.应当理解，图5a和图5b描绘了其中液体限制结构112的主体113的分离部分被振动的变型。主体113的仅一部分可以被振动。主体113的至少一部分可以保持静止，而主体113的至少另一部分振动。虽然图5a和图5b描绘了与图3a相对应的液体限制结构112的特征，但是液体限制结构112可以具有如图3b、图3c或图3d中的任一个所示的特征，即液体限制结构112可以具有图2a、图2b和/或图2c的流体处理结构12的任何特征。
113.在第二实施例中，振动部件210被定位在液体限制结构112的外部。第二实施例的变型在图6的左侧和右侧示出。振动部件210可以经由液体连接与浸没流体接触。在该实施例中，流体处理系统还包括通道220，通道220与振动部件210连接，使得振动部件210经由通道220与浸没液体接触。在使用时，通道220可以被填充浸没液体。换言之，振动部件210与借助通道220到达空间111的浸没液体接触。
114.通道220可以包括在第一端部220a处的第一开口221a和在第二端部220b处的第二开口221b。通道220可以在第一端部220a处与振动部件210耦合。根据第一端部220a和振动部件210的相应形状，第一端部220a可以利用壳体240而被耦合到振动部件210。但是，如果振动部件210被直接装配到第一端部220a上，则可以不使用壳体。通道220可以在第二端部220b处与浸没液体接触。例如，如图6的左侧所示，第二开口221b可以被定位为使得它在使
用中浸入浸没液体中。根据需要，通道220可以被连接到液体限制结构112或形成液体限制结构的一部分。因此，例如，通道220可以至少部分地形成为液体限制结构112的一部分。在这种情况下，如图6右侧所示，第二开口221b可以形成在液体限制结构112的边缘上，在使用中与浸没液体接触。
115.如图6所示，壳体240可以包括另一开口222，另一开口可以被用于从通道220中去除气体来确保其被填充浸没液体。优选地，另一开口222邻近振动部件210定位来去除任何气体并保持浸没液体和振动部件210之间的接触。另一开口222可以附加地或备选地定位在通道220上。
116.由于浸没液体是不可压缩的，因此振动源的位置可以在液体限制结构112的外部，同时仍向浸没液体提供上述振动。如在第二实施例中，在液体限制结构112外部提供振动部件210是有益的，因为它提供了更大的设计自由度，因为不需要将机构200和/或振动部件210提供在其内部、作为其一部分或附接至液体限制结构112。这可以为机构200提供附加的选择，因为将有更少的尺寸限制。
117.应当理解，图6描绘了第二实施例的变型，其中振动部件210被定位在液体限制结构112的外部。虽然图6描绘了与图3a相对应的液体限制结构112的特征，但是如关于图6的左侧或右侧所描述的振动部件210可以被提供有具有如图3a、图3b、图3c或图3d中任一个所示的特征的液体限制结构，即，液体限制结构112可以具有图2a、图2b和/或图2c的流体处理结构12的任何特征。
118.在第三实施例中，振动部件210包括膜230。膜230可以由任何合适的材料形成。例如，膜230可以是金属，例如不锈钢或镍。膜230可以形成在液体限制结构112的表面上，表面在使用中与浸没液体接触。优选地，包括膜230的液体限制结构112的表面是面向衬底w的表面，其可以另外被称为液体限制结构112的底表面。然而，膜230不必被定位在该表面上。膜230可以被提供在液体限制结构112的任何其他合适的表面上。膜230是有利的，因为它可以使得浸没液体远离机构200，即，膜230可以用作液体分离特征。与使用没有膜230的振动机构210时相比，膜230在提供与浸没液体接触的更大表面积方面可能是有利的。
119.在该情况下，如图7所示，膜230和机构200可以被定位在液体限制结构112的主体113的凹部内。
120.如关于第一实施例的振动部件210所述，膜230可以被定位在液体限制结构112上的任何适当位置中。例如，图7示出了膜230被定位在任何液体供给构件和液体提取构件的径向内侧，并且膜230可以被提供在任何液体供给构件和/或液体提取构件之间。
121.应当理解，图7描绘了第三实施例的变型，其中振动部件210是膜230。虽然图7描绘了与图3a相对应的液体限制结构112的特征，但是膜230可以被提供有具有如图3a、图3b、图3c或图3d中任一个所示特征的液体限制结构112，即，液体限制结构可以具有图2a、图2b和/或图2c的流体处理结构12的任何特征。
122.膜230可以使用波纹管代替，优选金属波纹管。在该情况下，振动部件210可以与波纹管接触来使得波纹管移动。波纹管可以与浸没液体接触，从而向浸没液体提供振动。这可以提供与使用膜230类似的优点并且可以进一步增加与浸没液体的接触面积。具体地，波纹管可以将机构200与浸没液体分离。仅举例来说，波纹管可以与生产的波纹管相同或相似。仅举例来说，波纹管可以具有大约10μm的壁厚。
123.还应当理解，第一、第二和第三实施例均涉及用于振动浸没液体的振动部件210的不同变型。可以是这些实施例中的一些或全部被组合来例如振动液体限制结构112的主体113的至少一部分以及膜230的情况。换言之，第一、第二和/或第三实施例中描述的变型可以例如通过为多个振动部件和/或机构提供关于图2a、图2b和/或图2c描述的任一流体处理结构12或者关于图3a、图3b、图3c和/或图3d描述的任一液体限制结构112来组合。
124.本发明可以提供光刻设备。光刻设备可以具有如上所述的光刻设备的任何/所有其他特征或部件。例如，光刻设备可以可选地包括源so、照射系统il、投影系统ps、衬底台wt等中的至少一个或多个。
125.具体地，光刻设备可以包括投影系统ps，投影系统ps被配置为将辐射束b朝向衬底w的表面区域投影。光刻设备还可以包括如任何上述实施例中所述的流体处理系统和变型。
126.光刻设备可以包括致动器，致动器被配置为相对于流体处理系统移动衬底w。因此，致动器可以被用于控制衬底w的位置(或备选地，流体处理系统的位置)。致动器可以是或可以包括被构造为保持衬底w的衬底支撑件(例如衬底台)wt和/或被配置为精确定位衬底支撑件wt的第二定位器pw。
127.尽管在本文中可以具体参考在ic的制造中使用光刻设备，但是应当理解，本文描述的光刻设备可以具有其他应用。可能的其他应用包括制造集成光学系统、磁域存储器的引导和检测模式、平板显示器、液晶显示器(lcd)、薄膜磁头等。
128.在上下文允许的情况下，本发明的实施例可以在硬件、固件、软件或其任何组合中实现。本发明的实施例还可以通过机器可读介质上存储的指令来实现，机器可读介质可以由一个或多个处理器读取和执行。机器可读介质可以包括用于以机器(例如，计算设备)可读的形式存储或传输信息的任何机制。例如，机器可读介质可以包括只读存储器(rom)；随机存取存储器(ram)；磁性存储介质；光存储介质；闪存设备；电、光、声或其他形式的传播信号(例如，载波、红外信号、数字信号等)等。此外，固件、软件、例程、指令可以在本文中被描述为执行某些动作。然而，应当理解，这样的描述仅是为了方便，并且这样的动作实际上由执行固件、软件、例程、指令等的计算设备、处理器、控制器或其他设备产生，并且这样做可能导致致动器或其他设备与物理世界交互。
129.尽管在本文中可以在光刻设备的上下文中具体参考本发明的实施例，但是本发明的实施例可以用于其他设备。本发明的实施例可以形成掩模检查设备、量测设备或测量或处理诸如晶片(或其他衬底)或掩模(或其他图案形成装置)的对象的任何设备的一部分。这些设备通常可以被称为光刻工具。这样的光刻工具可以使用环境(非真空)条件。
130.尽管以上已对本发明的实施例在光学光刻的上下文中的使用进行了具体参考，但是应当理解，在上下文允许的情况下，本发明不限于光学光刻。
131.虽然以上已描述了本发明的特定实施例，但是应当理解，本发明可以以不同于所描述的方式来实践。以上描述旨在例示而非限制。因此，对于本领域的技术人员来说显而易见的是，在不脱离以下阐述的权利要求的范围的情况下，可以对所描述的本发明进行修改。