带电粒子成像系统的制作方法

技术特征：
1.一种次级带电粒子成像系统，包含：背向散射电子检测器模块，其中所述背向散射电子检测器模块能够环绕轴线而在第一角位置(5452)与第二角位置(5454)之间旋转。2.如权利要求1所述的次级带电粒子成像系统，其中所述背向散射电子检测器模块包含背向散射电子检测器元件(1470)，并且其中在所述第二角位置(5454)中适用以下各项中的至少一者：所述背向散射电子检测器元件(1470)布置于信号带电粒子束(1102)的光轴(1103)上，所述背向散射电子检测器元件(1470)在所述射束弯折器(1392)与所述透镜系统(1610)之间，所述背向散射电子检测器元件(1470)被配置成收集信号带电粒子束(1102)的背向散射电子，以及所述背向散射电子检测器元件(1470)布置于信号带电粒子束(1102)的最小横截面的点处或者布置成与所述信号带电粒子束(1102)的最小横截面的所述点相邻。3.如权利要求1或2所述的次级带电粒子成像系统，其中所述背向散射电子检测器模块包含孔隙(1460)，并且其中在所述第一角位置(5452)中适用以下各项中的至少一者：在所述第一角位置(5452)中，所述孔隙(1460)布置于信号带电粒子束(1102)的光轴(1103)上，在所述第一角位置(5452)中，所述孔隙(1460)布置于信号带电粒子束(1102)的光轴(1103)上，所述孔隙(1460)被配置成允许信号带电粒子束(1102)穿过所述孔隙(1460)，以及所述孔隙(1460)被配置成允许信号带电粒子束(1102)穿过所述孔隙(1460)。4.如权利要求1至3中任一项所述的次级带电粒子成像系统，进一步包含射束弯折器(1392)。5.如权利要求1至4中任一项所述的次级带电粒子成像系统，其中在所述第一角位置(5452)中，所述次级带电粒子成像系统被配置成用于检测次级电子。6.如权利要求1至5中任一项所述的次级带电粒子成像系统，其中在所述第二角位置(5454)中，所述次级带电粒子成像系统被配置成用于检测背向散射电子。7.如权利要求1至6中任一项所述的次级带电粒子成像系统，进一步包含背向散射电子检测器致动器模块(3440)。8.如权利要求7所述的次级带电粒子成像系统，其中所述背向散射电子检测器致动器模块(3440)包含第一限制阻挡器和第二限制阻挡器。9.如权利要求8所述的次级带电粒子成像系统，其中所述第一限制阻挡器处的所述背向散射电子模块在所述第一角位置(5452)处，并且其中所述第二限制阻挡器处的所述背向散射电子模块在所述第二角位置(5454)处。10.如权利要求7至9中任一项所述的次级带电粒子成像系统，其中所述背向散射电子检测器致动器模块(3440)被配置成用于在所述第一角位置(5452)与所述第二角位置(5454)之间旋转所述背向散射电子检测器模块。11.如权利要求1至10中任一项所述的次级带电粒子成像系统，其中所述背向散射电子模块包含臂(2420)，并且其中所述臂(2420)包含在所述轴线处的铰链关节销(3422)。
12.如权利要求1至11中任一项所述的次级带电粒子成像系统，进一步包含柔性外壳(3430)。13.如权利要求11和12所述的次级带电粒子成像系统，其中所述柔性外壳(3430)在所述铰链关节销(3422)与所述背向散射电子检测器模块的背向散射电子检测器元件(1470)之间在第一端部部分处气密地耦接至所述臂(2420)。14.如权利要求12或13所述的次级带电粒子成像系统，其中所述柔性外壳(3430)在第二端部部分处气密地耦接至壳体(2220)。15.如权利要求12至14中任一项所述的次级带电粒子成像系统，其中所述柔性外壳(3430)为柔性软管或波纹管。16.如权利要求12至15中任一项所述的次级带电粒子成像系统，其中所述柔性外壳(3430)被配置成将所述背向散射电子检测器模块的背向散射电子检测器元件(1470)维持在真空条件下，以及将所述铰链关节(3422；3424)维持在大气条件下。17.如权利要求1至16中任一项所述的次级带电粒子成像系统，其中所述第一角位置(5452)与所述第二角位置(5454)的角度间隔小于10度。18.一种带电粒子束装置，包含如权利要求1至17中任一项所述的次级带电粒子成像系统。19.一种多射束带电粒子束装置，包含如权利要求1至17中任一项所述的次级带电粒子成像系统。20.一种操作次级带电粒子成像系统的方法，包含：使背向散射电子检测器模块环绕轴线而在第一角位置(5452)与第二角位置(5454)之间旋转(802)。

技术总结
一种次级带电粒子成像系统，包含：背向散射电子检测器模块，其中背向散射电子检测器模块可以环绕轴线而在第一角位置(5452)与第二角位置(5454)之间旋转。角位置(5454)之间旋转。角位置(5454)之间旋转。


技术研发人员：M
受保护的技术使用者：ICT半导体集成电路测试有限公司
技术研发日：2020.11.03
技术公布日：2022/7/9