高粘接低介电聚酰亚胺膜及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种聚酰亚胺膜的制造方法，其包括：制造聚酰胺酸溶液的步骤；对于所述聚酰胺酸溶液添加脱水剂和酰亚胺化催化剂而制造聚酰胺酸组合物的步骤；以及由所述聚酰胺酸组合物在支撑体上制膜且在加热炉中进行热固化的步骤，所述热固化步骤至少包含第一加热步骤、第二加热步骤和第三加热步骤，第一加热步骤、第二加热步骤和第三加热步骤各自的工序温度范围为100℃以上550℃以下。2.根据权利要求1所述的聚酰亚胺膜的制造方法，所述第一加热步骤的工序温度为100℃以上150℃以下，所述第二加热步骤的工序温度为200℃以上300℃以下，所述第三加热步骤的工序温度为400℃以上550℃以下。3.根据权利要求1所述的聚酰亚胺膜的制造方法，所述第一加热步骤的工序时间大于5分钟且为15分钟以下，所述第二加热步骤的工序时间大于2分钟且为10分钟以下，所述第三加热步骤的工序时间大于2分钟且为10分钟以下。4.根据权利要求1所述的聚酰亚胺膜的制造方法，所述聚酰胺酸溶液包含酸二酐成分和二胺成分，所述酸二酐成分包含联苯四甲酸二酐(bpda)和均苯四甲酸二酐(pmda)，所述二胺成分包含间联甲苯胺、二氨基二苯醚(oda)和对苯二胺(ppd)。5.根据权利要求4所述的聚酰亚胺膜的制造方法，以所述酸二酐成分的总含量100摩尔％为基准，所述联苯四甲酸二酐的含量为30摩尔％以上50摩尔％以下，所述均苯四甲酸二酐的含量为50摩尔％以上70摩尔％以下。6.根据权利要求4所述的聚酰亚胺膜的制造方法，以所述二胺成分的总含量100摩尔％为基准，所述间联甲苯胺的含量为60摩尔％以上80摩尔％以下，所述对苯二胺的含量为10摩尔％以上25摩尔％以下，所述二氨基二苯醚的含量为10摩尔％以上25摩尔％以下。7.根据权利要求1所述的聚酰亚胺膜的制造方法，所述脱水剂为乙酸酐，所述酰亚胺化催化剂为选自由异喹啉、β-甲基吡啶、吡啶、咪唑、2-咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-苯基咪唑、苯并咪唑所组成的组中的一种以上。8.根据权利要求1所述的聚酰亚胺膜的制造方法，所述聚酰亚胺膜包含由2个以上的嵌段构成的共聚物。9.一种聚酰亚胺膜，其通过权利要求1～8中任一项所述的制造方法来制造。10.根据权利要求9所述的聚酰亚胺膜，粘接力为1,000gf/cm以上，介质损耗因数(df)为0.004以下。11.一种多层膜，其包含权利要求10所述的聚酰亚胺膜和热塑性树脂层。12.一种柔性金属箔层叠板，其包含权利要求10所述的聚酰亚胺膜和导电性金属箔。13.一种电子部件，其包含权利要求12所述的柔性金属箔层叠板。

技术总结
本发明提供一种高粘接和低介电特性的聚酰亚胺膜的制造方法，其包括：制造聚酰胺酸溶液的步骤；对于上述聚酰胺酸溶液添加脱水剂和酰亚胺化催化剂而制造聚酰胺酸组合物的步骤；以及由上述聚酰胺酸组合物在支撑体上制膜且在加热炉中进行热固化的步骤，上述热固化步骤至少包含第一加热步骤、第二加热步骤和第三加热步骤，第一加热步骤、第二加热步骤和第三加热步骤各自的工序温度范围为100℃以上550℃以下。以下。


技术研发人员：白承烈 李吉男
受保护的技术使用者：聚酰亚胺先端材料有限公司
技术研发日：2019.12.02
技术公布日：2022/7/9