一种光刻对准标记图形结构及半导体晶片的制作方法

1.本实用新型涉及半导体外延生长技术领域，特别是涉及一种光刻对准标记图形结构及半导体晶片。


背景技术：

2.光刻对准标记结构是用来定义光罩与晶圆之间的位置与方向，在晶圆的制造过程中起到关键的作用。在高压或者大功率器件制备中，一般采用外延层生长技术来达到需求，而在外延生长过程中，温度或者外延生长速率都会影响光刻对准标记结构产生形变，轮廓失真，从而产生轮廓畸变。而光刻对准标记结构出现轮廓畸变时，会严重影响对准精度，从而影响产品的质量。


技术实现要素：

3.鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种光刻对准标记图形结构及半导体晶片，本实用新型能够有效减少在外延生长过程中产生的轮廓畸变，从而提高对准精度。
4.为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种光刻对准标记图形结构，包括：
5.多个连接凹槽，设于晶圆表面；
6.多个折弯凹槽，设于所述晶圆表面；
7.其中，相邻两个所述连接凹槽之间通过所述折弯凹槽相连，且在所述连接凹槽与所述折弯凹槽的连接处，所述连接凹槽的宽度大于所述折弯凹槽的宽度。
8.在本实用新型一实施例中，所述连接凹槽与所述折弯凹槽相连后，以形成一个封闭结构。
9.在本实用新型一实施例中，所述封闭结构的形状为矩形。
10.在本实用新型一实施例中，所述连接沟槽包括依次相连的第一凹槽、第二凹槽、第三凹槽以及第四凹槽，其中，所述第四凹槽的一端与所述第一凹槽的一端相连。
11.在本实用新型一实施例中，所述折弯沟槽包括：
12.第一折弯沟槽，连接于所述第一凹槽与所述第二凹槽之间；以及
13.第二折弯沟槽，连接于所述第二凹槽与所述第三凹槽之间。
14.在本实用新型一实施例中，所述折弯沟槽还包括：
15.第三折弯沟槽，连接于所述第三凹槽与所述第四凹槽之间；以及
16.第四折弯沟槽，连接于所述第四凹槽与所述第一凹槽之间。
17.在本实用新型一实施例中，所述第一折弯沟槽与第二折弯沟槽为l形槽。
18.在本实用新型一实施例中，所述第一折弯沟槽包括：
19.第一连接沟槽，与所述第一凹槽相连；以及
20.第二连接沟槽，其一端与所述第一连接沟槽相连，另一端与所述第二凹槽相连。
21.在本实用新型一实施例中，所述第一连接沟槽的宽度小于所述第一凹槽的宽度，所述所述第二连接沟槽的宽度小于所述第二凹槽的宽度。
22.本实用新型还提供一种半导体晶片，包括：
23.晶圆；
24.光刻对准标记图形结构，设于所述晶圆表面；以及
25.外延层，覆盖于所述晶圆与所述光刻对准标记图形结构上；
26.其中，所述光刻对准标记图形结构包括
27.多个连接凹槽，设于晶圆表面；
28.多个折弯凹槽，设于所述晶圆表面；
29.其中，相邻两个所述连接凹槽之间通过所述折弯凹槽相连，且在所述连接凹槽与所述折弯凹槽的连接处，所述连接凹槽的宽度大于所述折弯凹槽的宽度。
30.如上所述，本实用新型提供一种光刻对准标记图形结构及半导体晶片，在外延生长过程中，外延层会均匀覆盖在光刻对准标记图形结构内，从而能够有效减少在外延生长过程中产生的轮廓畸变，从而提高对准精度，在一定程度上提升产品的品质。
附图说明
31.为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
32.图1显示为本实用新型的一种光刻对准标记图形结构的结构示意图。
33.图2显示为本实用新型的一种光刻对准标记图形结构的另一视角的结构示意图。
34.图3为图1的正视图。
35.元件标号说明：
36.10、晶圆；20、第一凹槽；30、第一折弯沟槽；31、第一连接沟槽；32、第二连接沟槽；40、第二凹槽；50、第二折弯沟槽；51、第三连接沟槽；52、第四连接沟槽；60、第三凹槽；70、第三折弯沟槽；71、第一连通沟槽；72、第二连通沟槽；80、第四凹槽；90、第四折弯沟槽；91、第三连通沟槽；92、第四连通沟槽。
具体实施方式
37.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。
38.请参阅图1-3。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本实用新型的基本构想，遂图式中仅显示与本实用新型中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
39.请参阅图1及图2所示，本实用新型提供了一种光刻对准标记图形结构，其可应用
于晶圆上。晶圆是指制作半导体电路所用的晶圆片，其材料可以是硅或者其他半导体材料。光刻对准标记图形结构是置于掩模版和晶圆片上，并用于确定它们的位置和方向的可见图形结构。光刻对准标记图形结构可包括多个连接凹槽与多个折弯凹槽，连接凹槽可以设于晶圆10上，折弯凹槽也可以设于晶圆10上。同时相邻两个连接凹槽之间可以通过折弯凹槽相连，从而多个连接凹槽与多个折弯凹槽的配合可以使光刻对准标记图形结构形成一个封闭结构。在本实施例中，该封闭结构的形状可以为例如矩形，而在其他实施例中，该封闭结构的形状也可以为例如菱形、五边形等，该封闭结构的具体形状可根据实际需求进行设定。
40.请参阅图3所示，在本实用新型的一个实施例中，连接凹槽的数量可以为例如四个，而在其他实施例中，连接凹槽的数量也可以为例如三个、五个等。当连接凹槽的数量为四个时，四个连接凹槽可包括第一凹槽20、第二凹槽40、第三凹槽60以及第四凹槽80。当然，折弯凹槽的数量可以为例如四个，而在其他实施例中，折弯凹槽的数量也可以为例如三个、五个等。当折弯凹槽的数量为四个时，四个折弯凹槽可包括第一折弯沟槽30、第二折弯沟槽50、第三折弯沟槽70以及第四折弯沟槽90。从而可以通过四个连接凹槽与四个折弯凹槽的配合使光刻对准标记图形结构形成一个矩形的封闭结构。
41.请参阅图3所示，在本实用新型的一个实施例中，第一凹槽20可以为条形槽。其中，第一凹槽20的长度可不加限制，例如在本实施例中，第一凹槽20的长度可以在例如18～22um的范围之间。具体的，第一凹槽20的长度可以为例如18um，也可以为例如20um，还可以为例如22um。在本实施例中，可选的，第一凹槽20的长度可以为例如20um。第一凹槽20的宽度也可不加限制，例如在本实施例中，第一凹槽20的宽度可以在例如1～3um的范围之间。具体的，第一凹槽20的宽度可以为例如1um，也可以为例如2um，还可以为例如3um。在本实施例中，可选的，第一凹槽20的宽度可以为例如2um。第一凹槽20的深度也可不加限制，例如在本实施例中，第一凹槽20的深度可以在例如0.5～1um的范围之间。具体的，第一凹槽20的深度可以为例如0.5um，也可以为例如0.7um，还可以为例如1um。在本实施例中，可选的，第一凹槽20的宽度可以为例如0.7um。第一凹槽20的长度、宽度以及深度的具体大小可不加限制，只要能够满足实际需求即可。
42.请参阅图3所示，在本实用新型的一个实施例中，第二凹槽40可以为条形槽。其中，第二凹槽40的长度可不加限制，例如在本实施例中，第二凹槽40的长度可以在例如18～22um的范围之间。具体的，第二凹槽40的长度可以为例如18um，也可以为例如20um，还可以为例如22um。在本实施例中，可选的，第二凹槽40的长度可以为例如20um。第二凹槽40的宽度也可不加限制，例如在本实施例中，第二凹槽40的宽度可以在例如1～3um的范围之间。具体的，第二凹槽40的宽度可以为例如1um，也可以为例如2um，还可以为例如3um。在本实施例中，可选的，第二凹槽40的宽度可以为例如2um。第二凹槽40的深度也可不加限制，例如在本实施例中，第二凹槽40的深度可以在例如0.5～1um的范围之间。具体的，第二凹槽40的深度可以为例如0.5um，也可以为例如0.7um，还可以为例如1um。在本实施例中，可选的，第二凹槽40的宽度可以为例如0.7um。第二凹槽40的长度、宽度以及深度的具体大小可不加限制，只要能够满足实际需求即可。
43.请参阅图3所示，在本实用新型的一个实施例中，第三凹槽60可以为条形槽。其中，第三凹槽60的长度可不加限制，例如在本实施例中，第三凹槽60的长度可以在例如18～22um的范围之间。具体的，第三凹槽60的长度可以为例如18um，也可以为例如20um，还可以
为例如22um。在本实施例中，可选的，第三凹槽60的长度可以为例如20um。第三凹槽60的宽度也可不加限制，例如在本实施例中，第三凹槽60的宽度可以在例如1～3um的范围之间。具体的，第三凹槽60的宽度可以为例如1um，也可以为例如2um，还可以为例如3um。在本实施例中，可选的，第三凹槽60的宽度可以为例如2um。第三凹槽60的深度也可不加限制，例如在本实施例中，第三凹槽60的深度可以在例如0.5～1um的范围之间。具体的，第三凹槽60的深度可以为例如0.5um，也可以为例如0.7um，还可以为例如1um。在本实施例中，可选的，第三凹槽60的宽度可以为例如0.7um。第三凹槽60的长度、宽度以及深度的具体大小可不加限制，只要能够满足实际需求即可。
44.请参阅图3所示，在本实用新型的一个实施例中，第四凹槽80可以为条形槽。其中，第四凹槽80的长度可不加限制，例如在本实施例中，第四凹槽80的长度可以在例如18～22um的范围之间。具体的，第四凹槽80的长度可以为例如18um，也可以为例如20um，还可以为例如22um。在本实施例中，可选的，第四凹槽80的长度可以为例如20um。第四凹槽80的宽度也可不加限制，例如在本实施例中，第四凹槽80的宽度可以在例如1～3um的范围之间。具体的，第四凹槽80的宽度可以为例如1um，也可以为例如2um，还可以为例如3um。在本实施例中，可选的，第四凹槽80的宽度可以为例如2um。第四凹槽80的深度也可不加限制，例如在本实施例中，第四凹槽80的深度可以在例如0.5～1um的范围之间。具体的，第四凹槽80的深度可以为例如0.5um，也可以为例如0.7um，还可以为例如1um。在本实施例中，可选的，第四凹槽80的宽度可以为例如0.7um。第四凹槽80的长度、宽度以及深度的具体大小可不加限制，只要能够满足实际需求即可。
45.请参阅图3所示，在本实用新型的一个实施例中，第一凹槽20与第三凹槽60之间的间距大小可不加限制，例如在本实施例中，该间距可以在例如20～25um的范围之间。具体的，第一凹槽20与第三凹槽60之间的间距可以为例如20um，也可以为例如23.2um，还可以为例如25um。在本实施例中，可选的，第一凹槽20与第三凹槽60之间的间距可以为例如23.2um。第二凹槽40与第四凹槽80之间的间距大小可不加限制，例如在本实施例中，该间距可以在例如20～25um的范围之间。具体的，第二凹槽40与第四凹槽80之间的间距可以为例如20um，也可以为例如23.2um，还可以为例如25um。在本实施例中，可选的，第二凹槽40与第四凹槽80之间的间距可以为例如23.2um。
46.请参阅图3所示，在本实用新型的一个实施例中，第一折弯沟槽30的一端可与第一凹槽20相连，第一折弯沟槽30的另一端可与第二凹槽40相连，从而可通过第一折弯沟槽30将第一凹槽20与第二凹槽40进行相连。第一折弯沟槽30的具体形状可不加限制，例如在本实施例中，第一折弯沟槽30可以为l形槽，而在其他实施例中，第一折弯沟槽30也可以为弧形槽，第一折弯沟槽30的具体形状可根据实际需求进行设定。当第一折弯沟槽30为l形槽时，第一折弯沟槽30可包括第一连接沟槽31与第二连接沟槽32。其中，第一连接沟槽31的一端可与第一凹槽20相连，第一连接沟槽31的另一端可与第二连接沟槽32的一端相连，第二连接沟槽32的另一端可与第二凹槽40相连。
47.请参阅图3所示，在本实用新型的一个实施例中，第一连接沟槽31的长度可不加限制，第一连接沟槽31的长度可以在例如2.5～3.7um的范围之间。具体的，第一连接沟槽31的长度可以为例如2.5um，也可以为例如3.1um，还可以为例如3.7um。在本实施例中，可选的，第一连接沟槽31的长度可以为例如3.1um。第一连接沟槽31的宽度也可不加限制，第一连接
沟槽31的宽度可以在例如0.5～1.5um的范围之间。具体的，第一连接沟槽31的宽度可以为例如0.5um，也可以为例如1um，还可以为例如1.5um。在本实施例中，可选的，第一连接沟槽31的宽度可以为例如1um。第一连接沟槽31的深度也可不加限制，例如在本实施例中，第一连接沟槽31的深度可以在例如0.5～1um的范围之间。具体的，第一连接沟槽31的深度可以为例如0.5um，也可以为例如0.7um，还可以为例如1um。在本实施例中，可选的，第一连接沟槽31的宽度可以为例如0.7um。第一连接沟槽31的长度、宽度以及深度的具体大小可不加限制，只要能够满足实际需求即可。当然，第一连接沟槽31的宽度可小于第一凹槽20的宽度。
48.请参阅图3所示，在本实用新型的一个实施例中，第二连接沟槽32的长度可不加限制，第二连接沟槽32的长度可以在例如1.5～2.7um的范围之间。具体的，第二连接沟槽32的长度可以为例如1.5um，也可以为例如2.1um，还可以为例如2.7um。在本实施例中，可选的，第二连接沟槽32的长度可以为例如2.1um。第二连接沟槽32的宽度也可不加限制，第二连接沟槽32的宽度可以在例如0.5～1.5um的范围之间。具体的，第二连接沟槽32的宽度可以为例如0.5um，也可以为例如1um，还可以为例如1.5um。在本实施例中，可选的，第二连接沟槽32的宽度可以为例如1um。第二连接沟槽32的深度也可不加限制，例如在本实施例中，第二连接沟槽32的深度可以在例如0.5～1um的范围之间。具体的，第二连接沟槽32的深度可以为例如0.5um，也可以为例如0.7um，还可以为例如1um。在本实施例中，可选的，第二连接沟槽32的宽度可以为例如0.7um。第二连接沟槽32的长度、宽度以及深度的具体大小可不加限制，只要能够满足实际需求即可。当然，第二连接沟槽32的宽度可小于第二凹槽40的宽度。
49.请参阅图3所示，在本实用新型的一个实施例中，第二折弯沟槽50的一端可与第二凹槽40相连，第二折弯沟槽50的另一端可与第三凹槽60相连，从而可通过第二折弯沟槽50将第二凹槽40与第三凹槽60进行相连。第二折弯沟槽50的具体形状可不加限制，例如在本实施例中，第二折弯沟槽50可以为l形槽，而在其他实施例中，第二折弯沟槽50也可以为弧形槽，第二折弯沟槽50的具体形状可根据实际需求进行设定。当第二折弯沟槽50为l形槽时，第二折弯沟槽50可包括第三连接沟槽51与第四连接沟槽52。其中，第三连接沟槽51的一端可与第二凹槽40相连，第三连接沟槽51的另一端可与第四连接沟槽52的一端相连，第四连接沟槽52的另一端可与第三凹槽60相连。
50.请参阅图3所示，在本实用新型的一个实施例中，第三连接沟槽51的长度可不加限制，第三连接沟槽51的长度可以在例如2.5～3.7um的范围之间。具体的，第三连接沟槽51的长度可以为例如2.5um，也可以为例如3.1um，还可以为例如3.7um。在本实施例中，可选的，第三连接沟槽51的长度可以为例如3.1um。第三连接沟槽51的宽度也可不加限制，第三连接沟槽51的宽度可以在例如0.5～1.5um的范围之间。具体的，第三连接沟槽51的宽度可以为例如0.5um，也可以为例如1um，还可以为例如1.5um。在本实施例中，可选的，第三连接沟槽51的宽度可以为例如1um。第三连接沟槽51的深度也可不加限制，例如在本实施例中，第三连接沟槽51的深度可以在例如0.5～1um的范围之间。具体的，第三连接沟槽51的深度可以为例如0.5um，也可以为例如0.7um，还可以为例如1um。在本实施例中，可选的，第三连接沟槽51的宽度可以为例如0.7um。第三连接沟槽51的长度、宽度以及深度的具体大小可不加限制，只要能够满足实际需求即可。当然，第三连接沟槽51的宽度可小于第二凹槽40的宽度。
51.请参阅图3所示，在本实用新型的一个实施例中，第四连接沟槽52的长度可不加限制，第四连接沟槽52的长度可以在例如1.5～2.7um的范围之间。具体的，第四连接沟槽52的
长度可以为例如1.5um，也可以为例如2.1um，还可以为例如2.7um。在本实施例中，可选的，第四连接沟槽52的长度可以为例如2.1um。第四连接沟槽52的宽度也可不加限制，第四连接沟槽52的宽度可以在例如0.5～1.5um的范围之间。具体的，第四连接沟槽52的宽度可以为例如0.5um，也可以为例如1um，还可以为例如1.5um。在本实施例中，可选的，第四连接沟槽52的宽度可以为例如1um。第四连接沟槽52的深度也可不加限制，例如在本实施例中，第四连接沟槽52的深度可以在例如0.5～1um的范围之间。具体的，第四连接沟槽52的深度可以为例如0.5um，也可以为例如0.7um，还可以为例如1um。在本实施例中，可选的，第四连接沟槽52的宽度可以为例如0.7um。第四连接沟槽52的长度、宽度以及深度的具体大小可不加限制，只要能够满足实际需求即可。当然，第四连接沟槽52的宽度可小于第三凹槽60的宽度。
52.请参阅图3所示，在本实用新型的一个实施例中，第三折弯沟槽70的一端可与第三凹槽60相连，第三折弯沟槽70的另一端可与第四凹槽80相连，从而可通过第三折弯沟槽70将第三凹槽60与第四凹槽80进行相连。第三折弯沟槽70的具体形状可不加限制，例如在本实施例中，第三折弯沟槽70可以为l形槽，而在其他实施例中，第三折弯沟槽70也可以为弧形槽，第三折弯沟槽70的具体形状可根据实际需求进行设定。当第三折弯沟槽70为l形槽时，第三折弯沟槽70可包括第一连通沟槽71与第二连通沟槽72。其中，第一连通沟槽71的一端可与第三凹槽60相连，第一连通沟槽71的另一端可与第二连通沟槽72的一端相连，第二连通沟槽72的另一端可与第四凹槽80相连。
53.请参阅图3所示，在本实用新型的一个实施例中，第一连通沟槽71的长度可不加限制，第一连通沟槽71的长度可以在例如2.5～3.7um的范围之间。具体的，第一连通沟槽71的长度可以为例如2.5um，也可以为例如3.1um，还可以为例如3.7um。在本实施例中，可选的，第一连通沟槽71的长度可以为例如3.1um。第一连通沟槽71的宽度也可不加限制，第一连通沟槽71的宽度可以在例如0.5～1.5um的范围之间。具体的，第一连通沟槽71的宽度可以为例如0.5um，也可以为例如1um，还可以为例如1.5um。在本实施例中，可选的，第一连通沟槽71的宽度可以为例如1um。第一连通沟槽71的深度也可不加限制，例如在本实施例中，第一连通沟槽71的深度可以在例如0.5～1um的范围之间。具体的，第一连通沟槽71的深度可以为例如0.5um，也可以为例如0.7um，还可以为例如1um。在本实施例中，可选的，第一连通沟槽71的宽度可以为例如0.7um。第一连通沟槽71的长度、宽度以及深度的具体大小可不加限制，只要能够满足实际需求即可。当然，第一连通沟槽71的宽度可小于第三凹槽60的宽度。
54.请参阅图3所示，在本实用新型的一个实施例中，第二连通沟槽72的长度可不加限制，第二连通沟槽72的长度可以在例如1.5～2.7um的范围之间。具体的，第二连通沟槽72的长度可以为例如1.5um，也可以为例如2.1um，还可以为例如2.7um。在本实施例中，可选的，第二连通沟槽72的长度可以为例如2.1um。第二连通沟槽72的宽度也可不加限制，第二连通沟槽72的宽度可以在例如0.5～1.5um的范围之间。具体的，第二连通沟槽72的宽度可以为例如0.5um，也可以为例如1um，还可以为例如1.5um。在本实施例中，可选的，第二连通沟槽72的宽度可以为例如1um。第二连通沟槽72的深度也可不加限制，例如在本实施例中，第二连通沟槽72的深度可以在例如0.5～1um的范围之间。具体的，第二连通沟槽72的深度可以为例如0.5um，也可以为例如0.7um，还可以为例如1um。在本实施例中，可选的，第二连通沟槽72的宽度可以为例如0.7um。第二连通沟槽72的长度、宽度以及深度的具体大小可不加限制，只要能够满足实际需求即可。当然，第二连通沟槽72的宽度可小于第四凹槽80的宽度。
55.请参阅图3所示，在本实用新型的一个实施例中，第四折弯沟槽90的一端可与第四凹槽80相连，第四折弯沟槽90的另一端可与第一凹槽20相连，从而可通过第四折弯沟槽90将第一凹槽20与第四凹槽80进行相连。第四折弯沟槽90的具体形状可不加限制，例如在本实施例中，第四折弯沟槽90可以为l形槽，而在其他实施例中，第四折弯沟槽90也可以为弧形槽，第四折弯沟槽90的具体形状可根据实际需求进行设定。当第四折弯沟槽90为l形槽时，第四折弯沟槽90可包括第三连通沟槽91与第四连通沟槽92。其中，第三连通沟槽91的一端可与第四凹槽80相连，第三连通沟槽91的另一端可与第四连通沟槽92的一端相连，第四连通沟槽92的另一端可与第一凹槽20相连。
56.请参阅图3所示，在本实用新型的一个实施例中，第三连通沟槽91的长度可不加限制，第三连通沟槽91的长度可以在例如2.5～3.7um的范围之间。具体的，第三连通沟槽91的长度可以为例如2.5um，也可以为例如3.1um，还可以为例如3.7um。在本实施例中，可选的，第三连通沟槽91的长度可以为例如3.1um。第三连通沟槽91的宽度也可不加限制，第三连通沟槽91的宽度可以在例如0.5～1.5um的范围之间。具体的，第三连通沟槽91的宽度可以为例如0.5um，也可以为例如1um，还可以为例如1.5um。在本实施例中，可选的，第三连通沟槽91的宽度可以为例如1um。第三连通沟槽91的深度也可不加限制，例如在本实施例中，第三连通沟槽91的深度可以在例如0.5～1um的范围之间。具体的，第三连通沟槽91的深度可以为例如0.5um，也可以为例如0.7um，还可以为例如1um。在本实施例中，可选的，第三连通沟槽91的宽度可以为例如0.7um。第三连通沟槽91的长度、宽度以及深度的具体大小可不加限制，只要能够满足实际需求即可。当然，第三连通沟槽91的宽度可小于第四凹槽80的宽度。
57.请参阅图3所示，在本实用新型的一个实施例中，第四连通沟槽92的长度可不加限制，第四连通沟槽92的长度可以在例如1.5～2.7um的范围之间。具体的，第四连通沟槽92的长度可以为例如1.5um，也可以为例如2.1um，还可以为例如2.7um。在本实施例中，可选的，第四连通沟槽92的长度可以为例如2.1um。第四连通沟槽92的宽度也可不加限制，第四连通沟槽92的宽度可以在例如0.5～1.5um的范围之间。具体的，第四连通沟槽92的宽度可以为例如0.5um，也可以为例如1um，还可以为例如1.5um。在本实施例中，可选的，第四连通沟槽92的宽度可以为例如1um。第四连通沟槽92的深度也可不加限制，例如在本实施例中，第四连通沟槽92的深度可以在例如0.5～1um的范围之间。具体的，第四连通沟槽92的深度可以为例如0.5um，也可以为例如0.7um，还可以为例如1um。在本实施例中，可选的，第四连通沟槽92的宽度可以为例如0.7um。第四连通沟槽92的长度、宽度以及深度的具体大小可不加限制，只要能够满足实际需求即可。当然，第四连通沟槽92的宽度可小于第一凹槽20的宽度。
58.本实用新型还提供了一种半导体晶片，半导体晶片可包括晶圆10、光刻对准标记图形结构以及外延层。其中，光刻对准标记图形结构可开设于晶圆10上，外延层可覆盖在晶圆10与光刻对准标记图形结构上。其中，晶圆10的厚度可不加限制，晶圆10的厚度可以在例如100～500um的范围内，可以为例如200um，也可以为例如300um，还可以为例如400um。在本实施例中，可选的，晶圆10的厚度为例如300um。外延层的厚度可不加限制，外延层的厚度可以在例如5～12um的范围内，例如可以为例如5um，也可以为例如8um，还可以为例如12um。在本实施例中，可选的，外延层的厚度为例如8um。
59.综上所述，通过本实用新型提供的一种光刻对准标记图形结构及半导体晶片，在外延生长过程中，外延层会均匀覆盖在光刻对准标记图形结构内，从而能够有效减少在外
延生长过程中产生的轮廓畸变，从而能够在一定程度上提升产品的品质。
60.在本说明书的描述中，参考术语“本实施例”、“示例”、“具体示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
61.以上公开的本实用新型实施例只是用于帮助阐述本实用新型。实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该实用新型仅为所述的具体实施方式。显然，根据本说明书的内容，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本实用新型的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地理解和利用本实用新型。本实用新型仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。