基板处理装置以及基板处理方法与流程

1.本发明涉及一种基板处理装置以及基板处理方法。


背景技术：

2.已知被用于半导体装置以及液晶显示装置等的电子零件的基板是通过基板处理装置来进行处理。伴随着近年来形成在半导体基板上的半导体元件的微细化和/或三维化，使基板的处理均匀化的要求正在提高。例如，具有三维结构的与非(not and，nand)元件具有设有立体的凹凸结构的层叠结构。
3.基板有时会通过浸渍在处理槽内的贮存液中进行处理。在对半导体晶片之类的基板进行处理而制造半导体装置之类的制品的工序中，包含通过药液来处理基板的药液处理工序、通过淋洗液来从基板的表面去除药液的淋洗工序以及使基板干燥的干燥处理工序。
4.但是，在干燥处理工序中，形成在基板表面的图案有时会崩坏。图案的崩坏是因侵入图案内的淋洗液的表面张力所引起。因此，为了避免图案的崩坏，有时会对基板供给疏水化剂而利用疏水性保护膜来覆盖图案(参照专利文献1)。
5.例如，在专利文献1中公开了一种基板处理方法，对基板依次执行药液处理、纯水淋洗处理、乙醇淋洗处理、疏水性处理、乙醇淋洗处理、纯水淋洗处理以及干燥处理。在疏水性处理后的乙醇淋洗处理中，将残留在基板表面的疏水化剂置换为异丙醇(iisopropyl alcohol，ipa)而予以去除。
6.[现有技术文献]
[0007]
[专利文献]
[0008]
[专利文献1]日本专利特开2010-114414号公报


技术实现要素：

[0009]
[发明所要解决的问题]
[0010]
但是，专利文献1的基板处理装置中，形成于基板的图案仍有崩坏之虞。尤其，在形成高纵横尺寸比的图案的情况下，专利文献1的基板处理装置中，形成于基板的图案容易发生崩坏。
[0011]
本发明是有鉴于所述问题而完成，其目的在于提供一种可抑制形成于基板的图案的崩坏的基板处理装置以及基板处理方法。
[0012]
[解决问题的技术手段]
[0013]
根据本发明的一方面，基板处理方法包括：淋洗工序，利用淋洗液来处理基板；浸渍工序，在所述淋洗工序之后，将所述基板浸渍于贮存在处理槽中的经稀释化的异丙醇；第一异丙醇处理工序，在所述浸渍工序之后，利用异丙醇来处理所述基板；以及疏水处理工序，在所述第一异丙醇处理工序之后，对所述基板进行疏水处理。
[0014]
一实施方式中，在所述浸渍工序中，所述经稀释化的异丙醇的浓度根据浸渍所述基板的时间而增加。
[0015]
一实施方式中，所述淋洗工序是利用淋洗处理装置来进行，所述浸渍工序是利用干燥处理装置来进行，所述基板处理方法还包括：搬送工序，在所述淋洗工序之后以及所述浸渍工序之前，将所述基板从所述淋洗处理装置搬送至所述干燥处理装置。
[0016]
一实施方式中，所述基板处理方法还包括：在所述浸渍工序之前，在对收容所述处理槽的腔室供给有非活性气体的状态下，在所述处理槽中贮存所述经稀释化的异丙醇的工序。
[0017]
一实施方式中，所述基板处理方法还包括：第二异丙醇处理工序，在所述疏水处理工序之后，利用异丙醇来处理所述基板；以及非活性气体供给工序，在所述第二异丙醇处理工序之后，对所述基板供给非活性气体。
[0018]
一实施方式中，所述基板处理方法还包括：浸渍工序，在所述疏水处理工序之后且所述第二异丙醇处理工序之前，将所述基板浸渍于贮存在所述处理槽中的经稀释化的异丙醇。
[0019]
根据本发明的另一方面，基板处理装置包括：腔室；处理槽，配置在所述腔室内，用于贮存贮存液；基板保持部，保持基板，且能够移动，以将所述基板浸渍于所述处理槽的所述贮存液中；供液部，向所述处理槽供给经稀释化的异丙醇作为所述贮存液；异丙醇供给部，向所述腔室内供给异丙醇的蒸气；疏水化剂供给部，向所述腔室内供给疏水化剂的蒸气；以及控制部，对所述基板保持部、所述供液部、所述异丙醇供给部以及所述疏水化剂供给部进行控制，所述控制部对所述基板保持部、所述异丙醇供给部以及所述疏水化剂供给部进行控制，以使得在将经淋洗液处理的基板浸渍于贮存在所述处理槽中的经稀释化的异丙醇之后，对所述基板供给异丙醇的蒸气，随后，对所述基板供给所述疏水化剂的蒸气。
[0020]
一实施方式中，所述控制部对所述供液部进行控制，以使所述经稀释化的异丙醇的浓度根据将所述基板浸渍于所述处理槽的所述经稀释化的异丙醇中的时间而增加。
[0021]
一实施方式中，所述基板处理装置还包括：干燥处理装置，包括所述腔室、所述处理槽、所述基板保持部、所述异丙醇供给部以及所述疏水化剂供给部；淋洗处理装置，利用所述淋洗液来处理所述基板；以及搬送装置，将在所述淋洗处理装置中经所述淋洗液处理的基板搬送至所述干燥处理装置。
[0022]
一实施方式中，所述基板处理装置还包括：非活性气体供给部，向所述腔室内供给非活性气体的蒸气，所述控制部对所述供液部以及所述非活性气体供给部进行控制，以使得在对所述腔室供给有非活性气体的状态下，对所述处理槽供给所述经稀释化的异丙醇。
[0023]
一实施方式中，所述控制部对所述异丙醇供给部以及所述非活性气体供给部进行控制，以使得在对所述基板供给了所述疏水化剂后，对所述基板供给异丙醇的蒸气，随后，对所述基板供给非活性气体。
[0024]
一实施方式中，所述控制部对所述基板保持部进行控制，以使得在对所述基板供给了所述疏水化剂之后且对所述基板供给所述异丙醇的蒸气之前，将所述基板浸渍于贮存在所述处理槽中的经稀释化的异丙醇。
[0025]
[发明的效果]
[0026]
根据本发明，能够抑制形成基板的图案的崩坏。
附图说明
[0027]
图1是本实施方式的基板处理装置的示意图。
[0028]
图2是通过本实施方式的基板处理方法所进行的基板处理的流程图。
[0029]
图3的(a)以及图3的(b)是本实施方式的基板处理装置中的第一处理装置的示意图。
[0030]
图4的(a)以及图4的(b)是本实施方式的基板处理装置中的第二处理装置的示意图。
[0031]
图5的(a)以及图5的(b)是本实施方式的基板处理装置中的第三处理装置的示意图。
[0032]
图6是通过本实施方式的基板处理装置所进行的干燥处理的流程图。
[0033]
图7的(a)至图7的(e)是用于说明通过本实施方式的基板处理装置中的第三处理装置所进行的干燥处理的示意图。
[0034]
图8是本实施方式的基板处理装置中的第三处理装置的示意图。
[0035]
图9是本实施方式的基板处理装置中的第三处理装置的示意图。
[0036]
图10的(a)至图10的(f)是用于说明通过本实施方式的基板处理装置所进行的干燥处理的流程的示意图。
[0037]
图11的(a)至图11的(e)是用于说明通过本实施方式的基板处理装置所进行的干燥处理的流程的示意图。
[0038]
图12的(a)至图12的(d)是用于说明通过本实施方式的基板处理装置所进行的干燥处理的流程的示意图。
[0039]
图13的(a)至图13的(d)是用于说明通过本实施方式的基板处理装置所进行的干燥处理的流程的示意图。
[0040]
图14的(a)至图14的(f)是用于说明通过本实施方式的基板处理装置中的第三处理装置所进行的干燥处理的示意图。
[0041]
图15是本实施方式的基板处理装置的示意图。
具体实施方式
[0042]
以下，参照附图来说明本发明的基板处理装置以及基板处理方法的实施方式。另外，图中，对于相同或相当的部分标注相同的参照符号并不再重复说明。另外，本技术说明书中，为了便于理解发明，有时记载彼此正交的x轴、y轴以及z轴。典型的是，x轴以及y轴与水平方向平行，z轴与铅垂方向平行。
[0043]
参照图1来说明本发明的基板处理装置100的实施方式。图1是本实施方式的基板处理装置100的示意图。
[0044]
基板处理装置100对基板w进行处理。基板处理装置100对基板w进行处理，以针对基板w进行蚀刻、表面处理、特性赋予、处理膜形成、膜的至少一部分的去除以及清洗中的至少一种。
[0045]
基板w为薄的板状。典型的是，基板w为薄的大致圆板状。基板w例如包含半导体晶片、液晶显示装置用基板、等离子体显示器用基板、场发射显示器(field emission display，fed)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板以
及太阳能电池用基板等。例如，基板w具有用于形成三维快闪存储器(例如三维nand快闪存储器)的图案。以下的说明中，作为一例，基板w为半导体晶片。
[0046]
基板处理装置100统一对多个基板w进行处理。另外，基板处理装置100也可对于大量的基板w而逐次处理规定数。规定数为1以上的整数。此处，基板处理装置100统一对多片基板w进行处理。具体而言，基板处理装置100以批次为单位来处理多个基板w。一批次例如包含25片基板w。另外，一批次的基板w的片数也可为50片，还可为100片。
[0047]
例如，基板处理装置100对于包含硅基板的基板w的图案形成侧的表面，实施硅氧化膜(sio2膜)以及硅氮化膜(sin膜)的蚀刻处理。此种蚀刻处理中，从基板w的表面去除硅氧化膜以及硅氮化膜中的任一者。
[0048]
如图1所示，基板处理装置100包括多个收纳部102、投入部104、配给部106、交接机构120、缓冲单元bu、第一搬送装置ctc、第二搬送装置wtr、处理部130以及控制装置190。
[0049]
处理部130包括第一处理装置140、第二处理装置150以及第三处理装置200。第一处理装置140、第二处理装置150以及第三处理装置200沿一方向排列配置。例如，第一处理装置140、第二处理装置150以及第三处理装置200是与第一搬送装置ctc的搬送路径邻接地，从第一搬送装置ctc的搬送路径的近处按照第三处理装置200、第一处理装置140以及第二处理装置150的次序而配置。因此，第一处理装置140位于第二处理装置150与第三处理装置200之间。
[0050]
此处，第一处理装置140对基板w进行药液处理，第二处理装置150对基板w进行淋洗处理，第三处理装置200对基板w进行干燥处理。
[0051]
多个收纳部102分别收容多个基板w。各基板w以水平姿势被收容于收纳部102。收纳部102例如为前开式传送盒(front opening unified pod，foup)。
[0052]
被载置于投入部104的收纳部102收纳尚未经处理部130进行处理的基板w。投入部104包含多个载置台104a。此处，两个收纳部102被分别载置于两个载置台104a。
[0053]
被载置于配给部106的收纳部102收纳经处理部130进行了处理的基板w。配给部106包含多个载置台106a。两个收纳部102被分别载置于两个载置台106a。配给部106将处理完毕的基板w收纳至收纳部102并连同收纳部102一起进行配给。
[0054]
缓冲单元bu是邻接于投入部104以及配给部106而配置。缓冲单元bu将载置于投入部104的收纳部102连同基板w一起导入至内部，并且将收纳部102载置于搁板(未图示)。而且，缓冲单元bu接收处理完毕的基板w并收纳至收纳部102，并且将收纳部102载置于搁板。在缓冲单元bu内，配置有交接机构120。
[0055]
交接机构120在投入部104及配给部106与搁板之间交接收纳部102。而且，交接机构120对于第一搬送装置ctc仅进行基板w的交接。即，交接机构120对于第一搬送装置ctc进行基板w的批次交接。
[0056]
第一搬送装置ctc在从交接机构120接收了未处理的多个基板w的批次后，将多个基板w的姿势从水平姿势转换为垂直姿势，并将多个基板w交给第二搬送装置wtr。而且，第一搬送装置ctc在从第二搬送装置wtr接收了处理完毕的多个基板w的批次后，将多个基板w的姿势从垂直姿势转换为水平姿势，并将基板w的批次交给交接机构120。
[0057]
第二搬送装置wtr可沿着基板处理装置100的长边方向而从第三处理装置200移动至第二处理装置150为止。第二搬送装置wtr能够对第一处理装置140、第二处理装置150以
及第三处理装置200搬入以及搬出基板w的批次。
[0058]
第一处理装置140包括用于贮存药液的处理槽(图1中未图示)。第一处理装置140将基板w浸渍于贮存在处理槽中的药液，以对多个基板w进行药液处理。
[0059]
药液例如为稀氢氟酸(dhf)、氢氟酸(hf)、硝氟酸(氢氟酸与硝酸(hno3)的混合液)、缓冲氢氟酸(buffered hydrofluoric acid，bhf)、氟化铵、hfeg(氢氟酸与乙二醇的混合液)、磷酸(h3po4)、硫酸、乙酸、硝酸、盐酸、氨水、双氧水、有机酸(例如柠檬酸、草酸)、有机碱(例如四甲基氢氧化铵(tetramethylammonium hydroxide，tmah))、硫酸双氧水混合液(sulfuric peroxide mixture，spm)、氨双氧水混合液(sc1)、盐酸双氧水混合液(sc2)、异丙醇(ipa)、表面活性剂、防腐剂或疏水化剂。
[0060]
第二处理装置150是邻接于第一处理装置140而配置。第二处理装置150包括用于贮存淋洗液的处理槽(图1中未图示)。第二处理装置150将基板w浸渍于贮存在处理槽中的淋洗液，以对多个基板w进行淋洗处理。
[0061]
淋洗液是纯水(去离子水(deionzied water，diw))、碳酸水、电解离子水、氢水、臭氧水以及稀释浓度(例如10ppm～100ppm左右)的盐酸水中的任一种。例如，纯水为去离子水。
[0062]
第三处理装置200收纳多个基板w的批次而对多个基板w进行干燥处理。第三处理装置200对基板供给ipa以及疏水化剂而对基板w进行干燥。第三处理装置200的一例将后述。
[0063]
控制装置190控制基板处理装置100的各种动作。详细而言，控制装置190控制交接机构120、第一搬送装置ctc、第二搬送装置wtr以及处理部130。控制装置190例如为计算机。
[0064]
控制装置190包含控制部192以及存储部194。控制部192具有处理器。控制部192例如具有中央处理器(central processing unit，cpu)。或者，控制部192也可具有通用处理器。
[0065]
存储部194存储数据以及计算机程序。数据包含配方数据。配方数据包含表示多个配方的信息。多个配方分别规定基板w的处理内容以及处理流程。
[0066]
存储部194包括主存储装置以及辅助存储装置。主存储装置例如为半导体存储器。辅助存储装置例如为半导体存储器和/或硬盘驱动器。存储部194也可包含可移动介质。存储部194相当于非暂时计算机可读取存储介质的一例。
[0067]
在存储部194中，存储有预先规定了流程的计算机程序。基板处理装置100按照由计算机程序所规定的流程来运行。控制部192执行存储部194所存储的计算机程序，执行基板处理动作。控制部192的处理器通过执行存储在存储部194中的计算机程序，从而控制交接机构120、第一搬送装置ctc、第二搬送装置wtr以及处理部130。
[0068]
接下来，参照图1以及图2来说明本实施方式的基板处理装置100中的基板处理流程。图2是基板处理装置100中的基板处理的流程图。
[0069]
如图2所示，在步骤s102中，搬入基板w。例如，将收纳有未处理的基板w的收纳部102载置于投入部104。交接机构120接收被载置于投入部104的收纳部102，从收纳部102中抽出基板w的批次并交给第一搬送装置ctc。第一搬送装置ctc将所接收的基板w的批次交给第二搬送装置wtr。
[0070]
在步骤s104中，对基板w进行药液处理。例如，第二搬送装置wtr将多个基板w搬入
至第一处理装置140。第一处理装置140使基板w浸渍于贮存在处理槽中的药液而利用药液来处理基板w。随后，第二搬送装置wtr从第一处理装置140中搬出多个基板w。
[0071]
在步骤s106中，对基板w进行淋洗处理。例如，第二搬送装置wtr将多个基板w搬入至第二处理装置150。第二处理装置150使基板w浸渍于贮存在处理槽中的淋洗液而利用淋洗液来处理基板w。随后，第二搬送装置wtr从第二处理装置150中搬出多个基板w。
[0072]
在步骤s108中，对基板w进行干燥处理。例如，第二搬送装置wtr将多个基板w搬入至第三处理装置200。第三处理装置200对基板w进行干燥处理。随后，第二搬送装置wtr从第三处理装置200中搬出多个基板w。
[0073]
在步骤s110中，第二搬送装置wtr将处理完毕的多个基板w的批次交给第一搬送装置ctc时，第一搬送装置ctc将多个基板w的姿势从垂直姿势转换为水平姿势并将基板w交给交接机构120。交接机构120将基板w收纳于收纳部102并将收纳部102交给配给部106。随后，配给部106连同收纳有处理完毕的基板w的收纳部102一起进行配给。
[0074]
根据本实施方式的基板处理装置100，能够依次对多个基板w进行药液处理、淋洗处理以及干燥处理。
[0075]
参照图3的(a)以及图3的(b)来说明第一处理装置140。图3的(a)以及图3的(b)是本实施方式的基板处理装置100中的第一处理装置140的示意立体图。图3的(a)以及图3的(b)是本实施方式的第一处理装置140的示意立体图。图3的(a)是将基板w浸渍于处理槽142内的药液l1中之前的示意立体图，图3的(b)是将基板w浸渍于处理槽142内的药液l1中之后的示意立体图。
[0076]
药液l1也可含有磷酸(h3po4)。药液l1例如包含磷酸水溶液、使磷酸水溶液中含有添加剂的液体、含有磷酸的混合酸、或者含有磷酸及添加剂的混合酸。例如，若使用将大致89重量％的磷酸(h3po4)与大致11重量％的水(去离子水)混合而成的大致157℃的溶液(以下记载为“磷酸液”)来作为药液l1，则可从基板w的表面去除硅氮化膜(sin膜)。换言之，若使用不含杂质且高温、高酸浓度的溶液来作为药液l1，则药液l1将溶解硅(si4 )。另外，只要能够处理基板w，则药液l1的种类并无特别限定。而且，药液l1的温度也无特别限定。
[0077]
第一处理装置140包括处理槽142、基板保持部144以及药液供给部146。处理槽142贮存用于处理基板w的药液l1。药液供给部146对处理槽142供给药液l1。
[0078]
基板保持部144保持基板w。由基板保持部144所保持的基板w的主面的法线方向与y方向平行。多个基板w沿着y方向而排列成一列。换言之，多个基板w是与水平方向大致平行地排列。而且，多个基板w各自的法线沿y方向延伸，多个基板w分别在x方向以及z方向上展开。基板保持部144在保持着基板w的状态下使基板w移动。例如，基板保持部144在保持着基板w的状态下沿着铅垂方向而朝铅垂上方或铅垂下方移动。
[0079]
典型的是，基板保持部144统一保持多个基板w。此处，基板保持部144保持沿着y方向排列成一列的基板列的基板w。
[0080]
具体而言，基板保持部144包含升降器。基板保持部144在保持着多个基板w的状态下朝铅垂上方或铅垂下方移动。通过基板保持部144朝铅垂下方移动，由基板保持部144所保持的多个基板w被浸渍于贮存在处理槽142中的药液l1。
[0081]
图3的(a)中，基板保持部144位于处理槽142的上方。基板保持部144在保持着多个基板w的状态下朝铅垂下方(z方向)下降。由此，多个基板w被投入至处理槽142。
[0082]
如图3的(b)所示，当基板保持部144下降至处理槽142时，多个基板w浸渍于处理槽142内的药液l1。基板保持部144将隔开规定间隔而排列整齐的多个基板w浸渍于贮存在处理槽142中的药液l1。
[0083]
基板保持部144包含本体板144a与保持杆144b。本体板144a是沿铅垂方向(z方向)延伸的板。保持杆144b从本体板144a的其中一个主面朝水平方向(y方向)延伸。图3的(a)以及图3的(b)中，三个保持杆144b从本体板144a的其中一个主面朝水平方向延伸。多个基板w在隔开规定间隔而排列整齐的状态下，由多个保持杆144b抵接各基板w的下缘而保持为竖立姿势(铅垂姿势)。
[0084]
基板保持部144也可还包括升降单元144c。升降单元144c使本体板144a在由保持杆144b所保持的多个基板w位于处理槽142内的下方位置(图3的(b)所示的位置)、与由保持杆144b所保持的多个基板w位于处理槽142的上方的上方位置(图3的(a)所示的位置)之间升降。因而，通过利用升降单元144c将本体板144a移动至下方位置，从而由保持杆144b所保持的多个基板w被浸渍于药液l1。
[0085]
参照图4的(a)以及图4的(b)来说明第二处理装置150。图4的(a)以及图4的(b)是本实施方式的基板处理装置100中的第二处理装置150的示意立体图。
[0086]
第二处理装置150包括处理槽152、基板保持部154以及淋洗液供给部156。处理槽152贮存用于处理基板w的淋洗液l2。淋洗液供给部156对处理槽152供给淋洗液l2。
[0087]
基板保持部154保持基板w。由基板保持部154所保持的基板w的主面的法线方向与y方向平行。多个基板w沿着y方向而排列成一列。换言之，多个基板w是与水平方向大致平行地排列。而且，多个基板w各自的法线沿y方向延伸，多个基板w分别在x方向以及z方向上展开。基板保持部154在保持着基板w的状态下使基板w移动。例如，基板保持部154在保持着基板w的状态下沿着铅垂方向而朝铅垂上方或铅垂下方移动。
[0088]
典型的是，基板保持部154统一保持多个基板w。此处，基板保持部154保持沿着y方向而排列成一列的基板列的基板w。
[0089]
具体而言，基板保持部154包含升降器。基板保持部154在保持着多个基板w的状态下朝铅垂上方或铅垂下方移动。通过基板保持部154朝铅垂下方移动，由基板保持部154所保持的多个基板w被浸渍于贮存在处理槽152中的淋洗液l2。
[0090]
图4的(a)中，基板保持部154位于处理槽152的上方。基板保持部154在保持着多个基板w的状态下朝铅垂下方(z方向)下降。由此，多个基板w被投入至处理槽152。
[0091]
如图4的(b)所示，当基板保持部154下降至处理槽152时，多个基板w浸渍于处理槽152内的淋洗液l2中。基板保持部154将隔开规定间隔而排列整齐的多个基板w浸渍于贮存在处理槽152中的淋洗液l2。
[0092]
基板保持部154包含本体板154a与保持杆154b。本体板154a是沿铅垂方向(z方向)延伸的板。保持杆154b从本体板154a的其中一个主面朝水平方向(y方向)延伸。图4的(a)以及图4的(b)中，三个保持杆154b从本体板154a的其中一个主面朝水平方向延伸。多个基板w在隔开规定间隔而排列整齐的状态下，由多个保持杆154b抵接各基板w的下缘而保持为竖立姿势(铅垂姿势)。
[0093]
基板保持部154也可还包括升降单元154c。升降单元154c使本体板154a在由保持杆154b所保持的多个基板w位于处理槽152内的下方位置(图4的(b)所示的位置)、与由保持
杆154b所保持的多个基板w位于处理槽152的上方的上方位置(图4的(a)所示的位置)之间升降。因而，通过利用升降单元154c来将本体板154a移动到下方位置，从而由保持杆154b所保持的多个基板w被浸渍于淋洗液l2。
[0094]
接下来，参照图5的(a)以及图5的(b)来说明本实施方式的基板处理装置100中的第三处理装置200。图5的(a)以及图5的(b)是第三处理装置200的示意图。
[0095]
如图5的(a)以及图5的(b)所示，第三处理装置200包括腔室210、基板保持部220、处理槽230、供液部232、异丙醇供给部240、非活性气体供给部250、疏水化剂供给部260以及控制装置290。控制装置290对基板保持部220、供液部232、异丙醇供给部240、非活性气体供给部250以及疏水化剂供给部260进行控制。控制装置290也可进一步控制腔室210。而且，控制装置290也可对腔室210内的环境和/或贮存在处理槽230中的贮存液l进行控制。另外，控制装置290也可作为图1所示的控制装置190的一部分发挥功能。或者，控制装置290也可与图1所示的控制装置190联动地运行。
[0096]
腔室210具有内部空间。腔室210是通过底面、侧面以及上表面来规定空间。典型的是，腔室210具有密闭结构。基板保持部220、处理槽230、供液部232、ipa供给部240、非活性气体供给部250以及疏水化剂供给部260的至少一部分被配置在腔室210内。
[0097]
腔室210具有本体部212与罩214。本体部212是通过底面、侧面以及上表面来规定空间。本体部212的上表面局部开口。本体部212的开口部分由罩214予以覆盖。在将基板w投入至腔室210的情况下、或者从腔室210取出基板w的情况下，罩214相对于本体部212而移动，由此来形成基板w的通路。
[0098]
基板保持部220保持基板w。由基板保持部220所保持的基板w的主面的法线方向与y方向平行。多个基板w沿着y方向而排列成一列。换言之，多个基板w是与水平方向大致平行地排列。而且，多个基板w各自的法线沿y方向延伸，多个基板w分别在x方向以及z方向上展开。基板保持部220在保持着基板w的状态下使基板w移动。例如，基板保持部220在保持着基板w的状态下沿着铅垂方向而朝铅垂上方或铅垂下方移动。
[0099]
典型的是，基板保持部220统一保持多个基板w。此处，多个基板w形成沿着y方向排成一列而排列的基板列。因此，基板保持部220保持排列成基板列的多个基板w。另外，基板保持部220也可仅保持一片基板w。
[0100]
具体而言，基板保持部220包含升降器。基板保持部220在保持着多个基板w的状态下朝铅垂上方或铅垂下方移动。通过基板保持部220朝铅垂下方移动，由基板保持部220所保持的多个基板w被浸渍于贮存在处理槽230中的贮存液l。
[0101]
如图5的(a)所示，基板保持部220位于处理槽230的上方。如图5的(b)所示，基板保持部220在保持着多个基板w的状态下朝铅垂下方(z方向)下降。由此，将多个基板w投入至处理槽230。
[0102]
在处理槽230贮存贮存液l的情况下，当基板保持部220在保持着基板w的状态下下降至处理槽230时，多个基板w浸渍于处理槽230内的贮存液l。基板保持部220将隔开规定间隔而排列整齐的多个基板w浸渍于贮存在处理槽230中的贮存液l。
[0103]
基板保持部220具有本体板222与保持杆224。本体板222是沿铅垂方向(z方向)延伸的板。保持杆224从本体板222的其中一个主面朝水平方向(y方向)延伸。图5的(a)以及图5的(b)中，三个保持杆224从本体板222的其中一个主面朝水平方向延伸。多个基板w在隔开
规定间隔而排列整齐的状态下，由多个保持杆224抵接各基板w的下缘而保持为竖立姿势(铅垂姿势)。
[0104]
基板保持部220也可还包括升降单元226。升降单元226使本体板222在由保持杆224所保持的多个基板w位于处理槽230内的下方位置(图5的(b)所示的位置)、与由保持杆224所保持的多个基板w位于处理槽230的上方的上方位置(图5的(a)所示的位置)之间升降。因而，通过利用升降单元226来将本体板222移动至下方位置，从而由保持杆224所保持的多个基板w被浸渍于贮存液l。
[0105]
处理槽230贮存用于处理基板w的贮存液l。处理槽230贮存贮存液l。在处理槽230贮存有贮存液l的状态下，基板保持部220将基板w浸渍于处理槽230的贮存液l中，由此，能够利用贮存液l来处理基板w。例如，处理槽230的容量为5l以上且100l以下。
[0106]
贮存液l也可为水。作为一例，贮存液l也可为去离子水(deionized water，diw)。而且，贮存液l也可为异丙醇(isopropyl alcohol，ipa)。而且，贮存液l也可为淋洗液与ipa的混合液。
[0107]
另外，本说明书中，有时将通过将ipa与淋洗液混合而经稀释化的ipa记载为稀释ipa。例如，稀释ipa也可通过将ipa与淋洗液以容积比1：1～1：1000的比例予以混合而生成。以下，也有时将稀释ipa记载为“dipa”。
[0108]
例如，稀释ipa是通过diw而稀释化的ipa。此时，稀释ipa是ipa与diw的混合液。
[0109]
供液部232对处理槽230供给液体。通过来自供液部232的供液，处理槽230贮存贮存液l。
[0110]
例如，供液部232也可供给水。作为一例，供液部232也可供给diw。而且，供液部232也可供给异丙醇(isopropyl alcohol，ipa)。而且，供液部232也可供给淋洗液与ipa的混合液。
[0111]
典型的是，供液部232被配置于处理槽230。例如，供液部232被配置在处理槽230的下方。供液部232位于较通过基板保持部220朝向下方的移动而被浸渍于处理槽230的贮存液l中的基板w更靠铅垂下方侧。
[0112]
供液部232对处理槽230供给液体。详细而言，供液部232供给被贮存在处理槽230中的贮存液l。通过供液部232供给处理槽230的贮存液l，从而处理槽230能够贮存贮存液l。另外，优选的是，供液部232相对于处理槽230而朝向斜上方供液。
[0113]
另外，对于处理槽230，也可供给气体。例如，通过对处理槽230的贮存液l供给非活性气体，从而促进贮存液l对基板w的处理。
[0114]
异丙醇供给部240对腔室210内供给异丙醇的蒸气。本说明书中，有时将异丙醇记载为ipa，且有时将异丙醇供给部240记载为ipa供给部240。
[0115]
ipa供给部240对位于处理槽230上方的基板w供给ipa的蒸气。由此，能够利用ipa来处理基板w。ipa供给部240也可朝斜下方向供给ipa的蒸气。
[0116]
非活性气体供给部250对腔室210内供给非活性气体。通过非活性气体供给部250对腔室210内供给非活性气体，从而能够将腔室210内设为非活性气体环境。由此，能够降低腔室210内的氧浓度。而且，通过非活性气体供给部250向腔室210内供给非活性气体，从而能够抑制来自腔室210的排气以及排液的逆流。非活性气体供给部250也可朝斜下方向供给非活性气体。
[0117]
进而，非活性气体供给部250对位于处理槽230上方的基板w供给非活性气体。由此，能够对基板w进行干燥处理。
[0118]
非活性气体包含氮气。或者，非活性气体也可包含氩气。
[0119]
疏水化剂供给部260向腔室210内供给疏水化剂smt的蒸气。疏水化剂供给部260对位于处理槽230上方的基板w供给疏水化剂smt的蒸气。由此，能够对基板w进行疏水处理。疏水化剂供给部260也可朝斜下方向供给疏水化剂smt的蒸气。
[0120]
疏水化剂smt例如为硅系疏水化剂或金属系疏水化剂。硅系疏水化剂可使硅或包含硅的化合物疏水化(斥水化)。金属系疏水化剂使金属或包含金属的化合物疏水化(斥水化)。
[0121]
硅系疏水化剂例如为硅烷偶联剂。硅烷偶联剂例如包含六甲基二硅氮烷(hexamethyldisilazane，hmds)、四甲基硅烷(tetramethylsilane，tms)、氟化烷基氯硅烷、烷基二硅氮烷以及非氯系疏水化剂中的至少一种。非氯系疏水化剂例如包含二甲基硅烷基二甲胺、二甲基硅烷基二乙胺、六甲基二硅氮烷、四甲基二硅氮烷、双(二甲胺基)二甲基硅烷、n,n-二甲胺基三甲基硅烷、n-(三甲基硅烷基)二甲基胺以及有机硅烷化合物中的至少一种。
[0122]
金属系疏水化剂例如包含具有疏水基的胺以及有机硅化合物中的至少一种。
[0123]
疏水化剂smt也可利用相对于亲水性有机溶剂具有相溶解性的溶剂来稀释。溶剂例如为ipa或丙二醇单甲醚乙酸酯(propylene glycol monomethyl ether acetate，pgmea)。
[0124]
另外，在腔室210内，在处理槽230的上方，从处理槽230的近处开始按照疏水化剂供给部260、ipa供给部240以及非活性气体供给部250的次序而配置。
[0125]
第三处理装置200也可还包括排液部270。排液部270排出处理槽230的贮存液l。通过排液部270，能够将处理槽230内清空。
[0126]
接下来，参照图5的(a)以及图5的(b)与图6来说明本实施方式的基板处理装置100中的干燥处理。图6是基板处理装置100中的干燥处理的流程图。
[0127]
如图6所示，在步骤s202中，将基板w浸渍于贮存在处理槽230中的dipa。此时，处理槽230贮存dipa。例如，基板保持部220在保持着基板w的状态下朝铅垂下方移动而将基板w浸渍于dipa。或者，也可在基板保持部220在保持着基板w的状态下朝铅垂下方移动而将基板w浸渍于处理槽230的贮存液l中的状态下将贮存液l变更为dipa。例如，在处理槽230中将基板w浸渍于作为贮存液l的淋洗液(一例中为diw)的状态下，供液部232对处理槽230供给ipa，由此，能够在浸渍有基板w的状态下将贮存液l变更为dipa。
[0128]
在步骤s204中，利用ipa来处理基板w。例如，基板保持部220在保持着基板w的状态下移动至上方位置后，ipa供给部240对基板w供给ipa的蒸气。由此，能够利用ipa来处理基板w。优选的是，基板保持部220移动至基板w多多地撞到从ipa供给部240供给的ipa的蒸气的位置。
[0129]
在步骤s206中，对基板w供给疏水化剂smt的蒸气而对基板w进行疏水处理。例如，在基板保持部220位于上方位置的状态下，疏水化剂供给部260对基板w供给疏水化剂smt的蒸气。由此，能够对基板w进行疏水处理。另外，基板保持部220也可在上方位置移动，以使基板w多多地碰到从疏水化剂供给部260供给的疏水化剂smt的蒸气。
[0130]
在步骤s208中，利用ipa来处理基板w。例如，基板保持部220位于上方位置。ipa供给部240对基板w供给ipa的蒸气。由此，能够利用ipa来处理基板w。另外，基板保持部220也可在上方位置移动，以使基板w多多地碰到从ipa供给部240供给的ipa的蒸气。
[0131]
在步骤s210中，对基板w供给非活性气体。基板保持部220位于上方位置。非活性气体供给部250对基板w供给非活性气体。由此，能够对基板w进行干燥处理。另外，基板保持部220也可在上方位置移动，以使基板w多多地碰到从非活性气体供给部250供给的非活性气体。
[0132]
根据本实施方式，在使基板w浸渍于dipa后，利用ipa来处理基板w，随后，对基板w进行疏水处理。这样，使基板w浸渍于dipa，因此即便在基板w形成有纵横尺寸比相对较高的图案的情况下，在基板w的图案的微细部分，也能够将基板w的表面充分置换为ipa，随后，能够将基板w的表面置换为疏水化剂。典型的是，疏水化剂与淋洗液(例如水)难以亲和，但由于贮存液l为dipa，因此能够使疏水化剂遍及基板w的整个面而充分浸透。因此，根据本实施方式，能够较佳地抑制基板w的图案的崩坏。
[0133]
接下来，参照图5的(a)～图7的(e)来说明本实施方式的基板处理装置100中的干燥处理。图7的(a)～图7的(e)是表示基板处理装置100中的干燥处理的流程的示意图。
[0134]
如图7的(a)所示，将基板w浸渍于贮存在处理槽230中的dipa。另外，本说明书中，在贮存在处理槽230中的贮存液l为dipa的情况下，可将贮存液l表示为贮存液ld。
[0135]
例如，在基板保持部220位于腔室210的上方位置的情况下，向处理槽230中贮存贮存液ld。随后，基板保持部220接收基板w。典型的是，由基板保持部220所接收的基板w已通过淋洗液(例如diw)进行了淋洗处理。随后，基板保持部220从腔室210的上方朝下方移动，由此，将基板w浸渍于贮存在处理槽230中的贮存液ld。
[0136]
另外，在基板w浸渍于所贮存的贮存液ld中的期间，贮存液ld的浓度也可增加。例如，供液部232对处理槽230的贮存液ld进一步供给ipa，由此，能够增加贮存液ld的浓度。例如，当基板w的浸渍时间超过阈值时，贮存液ld的浓度也可比浸渍时间为阈值以下时高。或者，也可随着基板w的浸渍时间而贮存液ld的浓度连续地增加。
[0137]
如图7的(b)所示，对基板w供给ipa的蒸气而对基板w进行ipa处理。详细而言，基板保持部220在保持着基板w的状态下移动至上方位置后，ipa供给部240对基板w供给ipa的蒸气。由此，能够利用ipa来处理基板w。另外，此处，排出处理槽230的贮存液ld。
[0138]
如图7的(c)所示，对基板w供给疏水化剂smt的蒸气而对基板w进行疏水处理。在基板保持部220位于上方位置的状态下，疏水化剂供给部260对基板w供给疏水化剂smt的蒸气。由此，能够对基板w进行疏水处理。
[0139]
如图7的(d)所示，对基板w供给ipa的蒸气而对基板w进行ipa处理。在基板保持部220位于上方位置的状态下，ipa供给部240对基板w供给ipa的蒸气。由此，能够对基板w进行ipa处理。
[0140]
如图7的(e)所示，对基板w供给非活性气体。在基板保持部220位于上方位置的状态下，非活性气体供给部250对基板w供给非活性气体。由此，能够使基板w干燥。
[0141]
根据本实施方式的基板处理装置100，在将基板w浸渍于dipa后，对基板w进行ipa处理，随后，对基板w供给疏水化剂smt。因此，在疏水化剂smt的供给前，能够使ipa附着于基板w的整个面，因此通过疏水化剂smt的供给，能够遍及基板w的整个面来使疏水化剂smt进
行置换。因此，既能抑制基板w的图案的崩坏，又能使附着于基板w的药液和/或淋洗液充分干燥。
[0142]
而且，如图7的(d)至图7的(e)所示，基板保持部220也可根据从ipa供给部240、非活性气体供给部250以及疏水化剂供给部260中的哪个供给蒸气或气体，而在保持着基板w的状态下在上方位置移动。由此，能够在将ipa供给部240、非活性气体供给部250以及疏水化剂供给部260固定地配置的状态下，利用从ipa供给部240、非活性气体供给部250以及疏水化剂供给部260供给的蒸气或气体来有效率地处理基板w。
[0143]
接下来，参照图8以及图9来说明本实施方式的基板处理装置100中的第三处理装置200。图8是第三处理装置200的示意图。
[0144]
基板w具有形成有图案的图案形成面。图案是通过湿式蚀刻处理而形成在基板w的表面。如参照图1所述的那样，基板处理装置100除了包括第三处理装置200以外，还包括第一处理装置140以及第二处理装置150。例如，在通过第一处理装置140对基板w进行了蚀刻后，通过第二处理装置150来对基板w进行淋洗处理，随后，将基板w搬送(搬入)至第三处理装置200。
[0145]
如图8所示，第三处理装置200包括腔室210、基板保持部220、处理槽230、供液部232、非活性气体供给部250、疏水化剂供给部260以及排液部270。在腔室210中，收容基板保持部220、处理槽230、供液部232、ipa供给部240、非活性气体供给部250、疏水化剂供给部260以及排液部270的至少一部分。
[0146]
腔室210具有本体部212与罩214。罩214覆盖本体部212的上部的开口。罩214相对于本体部212可开闭。
[0147]
开闭单元216使罩214开闭。即，开闭单元216使罩214在开状态与闭状态之间转变。通过罩214相对于本体部212而开闭，腔室210的上部的开口在封闭状态与开放状态之间转变。开闭单元216具有驱动源与开闭机构，通过驱动源来驱动开闭机构而使罩214开闭。驱动源例如包含马达。开闭机构例如包含齿条小齿轮机构。
[0148]
基板保持部220具有本体板222、保持杆224以及升降单元226。保持杆224被安装于本体板222。
[0149]
升降单元226使本体板222以及保持杆224。通过升降单元226使本体板222以及保持杆224升降，从而由保持杆224所保持的基板w升降。升降单元226具有驱动源以及升降机构，通过驱动源来驱动升降机构而使基板保持部220上升以及下降。驱动源例如包含马达。升降机构例如包含齿条小齿轮机构或滚珠丝杠。
[0150]
升降单元226在将基板w搬入至腔室210内时、以及将基板w搬出至腔室210外时，使本体板222以及保持杆224上升至腔室210的上方为止。而且，升降单元226在将基板w浸渍于处理槽230内的贮存液l中时，使基板w与本体板222以及保持杆224一同朝铅垂下方下降。另外，图8中，以实线表示了移动至下方位置的基板保持部220以及基板w，以虚线表示了移动至上方位置的基板保持部220以及基板w。
[0151]
控制装置290(控制部292)控制开闭单元216来使罩214在开状态与闭状态之间转变。详细而言，控制装置290(控制部292)在基板w向腔室210内的搬入时以及基板w向腔室210外的搬出时，将罩214设为开状态。通过罩214成为开状态，从而腔室210的上部的开口成为开放状态，基板w向腔室210内的搬入以及基板w向腔室210外的搬出成为可能。控制装置
290(控制部292)在基板w的处理时，将罩214设为闭状态。通过罩214成为闭状态，从而腔室210的上部的开口成为封闭状态。其结果，腔室210的内部成为密闭空间。基板w在密闭空间内受到处理。
[0152]
处理槽230贮存贮存液l。贮存液l也可为稀释ipa(异丙醇)。而且，贮存液l也可为淋洗液。这样，处理槽230贮存淋洗液或稀释ipa。稀释ipa表示经稀释化的ipa。例如，淋洗液为去离子水(deionized water，diw)。此时，稀释ipa是通过diw而稀释化的ipa。换言之，稀释ipa为ipa与diw的混合液。
[0153]
供液部232向处理槽230供给贮存液。具体而言，供液部232将淋洗液(diw)以及ipa中的至少一者供给至处理槽230。供液部232具有喷嘴232a与喷嘴232b。喷嘴232a以及喷嘴232b被配置在处理槽230内。喷嘴232a以及喷嘴232b是与水平方向平行地设置。喷嘴232a以及喷嘴232b将淋洗液(diw)以及ipa中的至少一者喷出至处理槽230。
[0154]
ipa供给部240向腔室210内供给ipa的蒸气。ipa供给部240具有喷嘴242a以及喷嘴242b。喷嘴242a以及喷嘴242b被配置在腔室210的内部且处理槽230的外部。喷嘴242a以及喷嘴242b是与水平方向平行地设置。喷嘴242a以及喷嘴242b喷出ipa的蒸气。另外，喷嘴242a以及喷嘴242b不仅喷出ipa的蒸气，也可喷出非活性气体。
[0155]
非活性气体供给部250向腔室210内供给非活性气体。非活性气体供给部250具有喷嘴252a、喷嘴252b、喷嘴252c以及喷嘴252d。喷嘴252a、喷嘴252b、喷嘴252c以及喷嘴252d被配置在腔室210的内部且处理槽230的外部。喷嘴252a以及喷嘴252b是与水平方向平行地设置，喷嘴252c以及喷嘴252d是与水平方向平行地设置。喷嘴252a、喷嘴252b、喷嘴252c以及喷嘴252d喷出非活性气体。
[0156]
疏水化剂供给部260向腔室210内供给疏水化剂的蒸气。疏水化剂供给部260具有喷嘴262a以及喷嘴262b。喷嘴262a以及喷嘴262b被配置在腔室210的内部且处理槽230的外部。喷嘴262a以及喷嘴262b是与水平方向平行地设置。喷嘴262a以及喷嘴262b喷出疏水化剂的蒸气。
[0157]
排液部270排出处理槽230的贮存液l。通过排液部270，能够将处理槽230内清空。而且，通过供液部232以及排液部270，能够调换处理槽230的贮存液l。
[0158]
继而，参照图9来进一步说明第三处理装置200。图9是本实施方式的基板处理装置100中的第三处理装置200的示意图。
[0159]
如图9所示，第三处理装置200还包括非活性气体供给源ngs、ipa供给源ips、疏水化剂供给源sms、diw供给源ds、减压部280、配管230a、配管230c、配管240a、配管250a、配管250c、配管250s、配管260a、阀230b、阀230d、阀240b、阀250b、阀250d、阀250t、阀260b、阀270b、加热器240c、加热器260c、排液管线270a以及排气管线280a。
[0160]
diw供给源ds供给diw。ipa供给源ips供给ipa。非活性气体供给源ngs供给非活性气体。非活性气体例如为氮气。疏水化剂供给源sms供给疏水化剂smt。
[0161]
供液部232具有配管230a、喷嘴232a以及喷嘴232b。对于配管230a，从diw供给源ds供给diw。配管230a使从diw供给源ds供给的diw流通至喷嘴232a以及喷嘴232b为止。
[0162]
喷嘴232a以及喷嘴232b是形成有多个喷出孔的中空的管状构件。本实施方式中，喷嘴232a以及喷嘴232b沿y方向延伸。喷嘴232a的多个喷出孔是在y方向上等间隔地形成。同样地，喷嘴232b的多个喷出孔是在y方向上等间隔地形成。
[0163]
当经由配管230a来对喷嘴232a供给diw时，从喷嘴232a的多个喷出孔向处理槽230的内部喷出diw。同样地，当经由配管230a来对喷嘴232b供给diw时，从喷嘴232b的多个喷出孔向处理槽230的内部喷出diw。
[0164]
在配管230a中，介装有阀230b。阀230b是对配管230a的流路进行开闭的开闭阀。阀230b对流经配管230a的diw的流通进行控制。阀230b也作为对流经配管230a的diw的流量进行调整的调整阀发挥功能。阀230b例如为电磁阀。阀230b是由控制装置290(控制部292)予以控制。
[0165]
对于配管230c，从ipa供给源ips供给ipa。配管230c连接于配管230a。即，配管230c使ipa流通至配管230a为止。
[0166]
在配管230c中，介装有阀230d。阀230d是对配管230c的流路进行开闭的开闭阀。阀230d与阀250b同样地，对流经配管230c的ipa的流通进行控制。阀230d也作为对流经配管230c的ipa的流量进行调整的调整阀发挥功能。阀230d例如为电磁阀。阀230d是由控制装置290(控制部292)予以控制。
[0167]
控制装置290(控制部292)在向处理槽230中贮放diw时打开阀230b，并关闭阀230d。由此，从喷嘴232a以及喷嘴232b向处理槽230内喷出diw。
[0168]
另一方面，控制装置290(控制部292)在向处理槽230中贮放dipa时打开阀230b以及阀230d。通过阀230b以及阀230d打开，ipa从配管230c流入配管230a，ipa与在配管230a中流通的diw汇流，而在配管230a内生成dipa。dipa经由配管230a被供给至喷嘴232a以及喷嘴232b。其结果，从喷嘴232a以及喷嘴232b向处理槽230内喷出dipa。
[0169]
而且，控制装置290(控制部292)调整阀230b以及阀230d的开度，以使得在dipa中，ipa的浓度达到规定的浓度。规定的浓度为0.3％以上且小于5％。
[0170]
ipa供给部240具有配管240a、喷嘴242a、喷嘴242b以及加热器240c。对于配管240a，从ipa供给源ips供给ipa。在配管240a中，介装有加热器240c。加热器240c对ipa进行加热而使ipa气化。即，加热器240c生成ipa的蒸气。配管240a使ipa的蒸气流通至喷嘴242a以及喷嘴242b为止。
[0171]
喷嘴242a以及喷嘴242b被配置在喷嘴252a以及喷嘴252b的下方，且被配置在喷嘴252c以及喷嘴252d的下方。喷嘴242a以及喷嘴242b是形成有多个喷出孔的中空的管状构件。本实施方式中，喷嘴242a以及喷嘴242b沿y方向延伸。喷嘴242a的多个喷出孔是在y方向上等间隔地形成。同样地，喷嘴242b的多个喷出孔是在y方向上等间隔地形成。
[0172]
当经由配管240a来对喷嘴242a供给ipa的蒸气时，从喷嘴242a的多个喷出孔向腔室210的内部喷出ipa的蒸气。同样地，当经由配管240a来对喷嘴242b供给ipa的蒸气时，从喷嘴242b的多个喷出孔向腔室210的内部喷出ipa的蒸气。
[0173]
在配管240a中，介装有阀240b。阀240b是对配管240a的流路进行开闭的开闭阀。阀240b相对于配管240a，较加热器240c而设在下游。阀240b对流经配管240a的ipa的蒸气的流通进行控制。阀240b也作为对流经配管240a的ipa的蒸气的流量进行调整的调整阀发挥功能。阀240b例如为电磁阀。阀240b是由控制装置290(控制部292)予以控制。
[0174]
非活性气体供给部250具有配管250a、配管250c、喷嘴252a、喷嘴252b、喷嘴252c以及喷嘴252d。对于配管250a，从非活性气体供给源ngs供给非活性气体。配管250a使从非活性气体供给源ngs供给的非活性气体流通至喷嘴252a以及喷嘴252b为止。而且，对于配管
250c，从非活性气体供给源ngs供给非活性气体。配管250c使从非活性气体供给源ngs供给的非活性气体流通至喷嘴252c以及喷嘴252d为止。
[0175]
喷嘴252a、喷嘴252b、喷嘴252c以及喷嘴252d的结构与喷嘴242a以及喷嘴242b同样。喷嘴252a、喷嘴252b、喷嘴252c以及喷嘴252d向腔室210的内部喷出非活性气体。
[0176]
在配管250a中，介装有阀250b。阀250b是对配管250a的流路进行开闭的开闭阀。阀250b对流经配管250a的非活性气体的流通进行控制。详细而言，当阀250b打开时，非活性气体经由配管250a而流至喷嘴252a以及喷嘴252b为止。其结果，从喷嘴252a以及喷嘴252b喷出非活性气体。当阀250b关闭时，非活性气体的流通被阻断，喷嘴252a以及喷嘴252b对非活性气体的喷出停止。
[0177]
阀250b也作为对流经配管250a的非活性气体的流量进行调整的调整阀发挥功能。阀250b例如为电磁阀。阀250b是由控制装置290(控制部292)予以控制。
[0178]
在配管250c中，介装有阀250d。阀250d是对配管250c的流路进行开闭的开闭阀。阀250d对流经配管250c的非活性气体的流通进行控制。详细而言，当阀250d打开时，非活性气体经由配管250c而流至喷嘴252c以及喷嘴252d为止。其结果，从喷嘴252c以及喷嘴252d喷出非活性气体。当阀250d关闭时，非活性气体的流通被阻断，喷嘴252d以及喷嘴252d对非活性气体的喷出停止。
[0179]
阀250d也作为对流经配管250c的非活性气体的流量进行调整的调整阀发挥功能。阀250d例如为电磁阀。阀250d是由控制装置290(控制部292)予以控制。
[0180]
而且，对于配管250s，从非活性气体供给源ngs供给非活性气体。配管250s连接于配管240a。即，配管250s使非活性气体流通至配管240a为止。
[0181]
在配管250s中，介装有阀250t。阀250t是对配管250s的流路进行开闭的开闭阀。阀250t与阀250b同样地，对流经配管250s的非活性气体的流通进行控制。阀250t也作为对流经配管250s的非活性气体的流量进行调整的调整阀发挥功能。阀250t例如为电磁阀。阀250t是由控制装置290(控制部292)予以控制。
[0182]
控制装置290(控制部292)在从喷嘴242a以及喷嘴242b喷出ipa的蒸气时，打开阀240b且关闭阀250t。另一方面，控制装置290(控制部292)在从喷嘴242a以及喷嘴242b喷出非活性气体时，关闭阀240b且打开阀250t。通过阀250t打开，非活性气体从配管250s流入至配管240a，经由配管240a来对喷嘴242a以及喷嘴242b供给非活性气体。其结果，从喷嘴242a以及喷嘴242b向腔室210的内部喷出非活性气体。
[0183]
疏水化剂供给部260具有配管260a、喷嘴262a、喷嘴262b以及加热器260c。对于配管260a，从疏水化剂供给源sms供给疏水化剂smt。在配管260a中，介装有加热器260c。加热器260c对疏水化剂smt进行加热而使疏水化剂smt气化。即，加热器260c生成疏水化剂smt的蒸气。配管260a使疏水化剂smt的蒸气流通至喷嘴262a以及喷嘴262b为止。
[0184]
喷嘴262a以及喷嘴262b被配置在喷嘴252c以及喷嘴252d的下方。喷嘴262a以及喷嘴262b的结构与喷嘴242a以及喷嘴242b同样。喷嘴262a以及喷嘴262b与喷嘴242a以及喷嘴242b同样地，向腔室210的内部喷出疏水化剂smt的蒸气。
[0185]
在配管260a中，介装有阀260b。阀260b是对配管260a的流路进行开闭的开闭阀。阀260b相对于配管260a，较加热器260c而设在下游。阀260b对流经配管260a的疏水化剂smt的蒸气的流通进行控制。阀260b也作为对流经配管260a的疏水化剂smt的蒸气的流量进行调
整的调整阀发挥功能。阀260b例如为电磁阀。阀260b是由控制装置290(控制部292)予以控制。
[0186]
排液管线270a连接于处理槽230的底部。在排液管线270a中，介装有阀270b。阀270b是对排液管线270a的流路进行开闭的开闭阀。阀270b例如为电磁阀。阀270b是由控制装置290(控制部292)予以控制。控制装置290(控制部292)在向处理槽230内贮存贮存液l时，关闭阀270b。另一方面，控制装置290(控制部292)在从处理槽230排出贮存液l时，打开阀270b。当阀270b打开时，贮存在处理槽230中的贮存液l经由排液管线270a而从处理槽230排出至腔室210的外部。
[0187]
减压部280使腔室210内的压力减少。即，减压部280对腔室210内进行减压。减压部280例如包含排气泵。排气泵例如为真空泵。减压部280是由控制装置290(控制部292)予以控制。详细而言，减压部280经由排气管线280a而连接于腔室210。减压部280在罩214为闭状态时排出腔室210内的气体，将腔室210内减压至小于大气压。
[0188]
接下来，参照图8至图13的(d)来说明通过本实施方式的基板处理装置100中的第三处理装置200所进行的干燥处理。图10的(a)至图13的(d)是表示通过第三处理装置200所进行的干燥处理的流程的示意图。
[0189]
如图10的(a)所示，在步骤s1中，第三处理装置200待机至基板w被投入至腔室210为止。在等待基板w的投入时，处理槽230贮存diw来作为贮存液。本说明书中，在贮存于处理槽230中的贮存液l为diw的情况下，有时将贮存液l表示为贮存液la。此时，基板保持部220浸渍于贮存液la中。
[0190]
另外，优选的是，喷嘴232a以及喷嘴232b对贮存在处理槽230中的贮存液la进一步供给diw，由此，使得处理槽230内的贮存液la不会停滞。由此，能够抑制处理槽230被腔室210内的尘埃等污染。
[0191]
如图10的(b)所示，在步骤s2中，在将基板w收容至腔室210内之前，基板保持部220从下方位置移动至上方位置。而且，喷嘴242a以及喷嘴242b开始向腔室210内供给非活性气体。喷嘴232a以及喷嘴232b继续对处理槽230供给diw。
[0192]
如图10的(c)所示，在步骤s3中，喷嘴232a以及喷嘴232b停止diw的供给，并排出处理槽230的贮存液la。此时，喷嘴242a以及喷嘴242b继续向腔室210内供给非活性气体。
[0193]
如图10的(d)所示，在步骤s4中，对处理槽230供给dipa。喷嘴232a以及喷嘴232b向处理槽230供给dipa，由此，在处理槽230中贮存贮存液ld。此时，喷嘴242a以及喷嘴242b继续向腔室210内供给非活性气体。
[0194]
如图10的(e)所示，在步骤s5中，当处理槽230贮存好贮存液ld时，喷嘴232a以及喷嘴232b停止dipa的供给。此时，喷嘴242a以及喷嘴242b继续向腔室210内供给非活性气体。
[0195]
如图10的(f)所示，在步骤s6中，将基板w浸渍于贮存在处理槽230中的dipa。基板保持部220在上方位置接收基板w，且在保持着基板w的状态下下降至下方位置。此时，喷嘴242a以及喷嘴242b继续向腔室210内供给非活性气体。但是，在基板w从上方位置下降至下方位置的情况下，喷嘴242a以及喷嘴242b仅在基板w通过的时机停止非活性气体的供给，以免非活性气体直接碰到基板w。
[0196]
处理槽230中，喷嘴232a以及喷嘴232b对处理槽230供给dipa。由此，在处理槽230的贮存液ld中形成上升流，利用dipa来有效率地对浸渍于处理槽230中的基板w进行处理。
[0197]
如图11的(a)所示，在步骤s7中，喷嘴232a以及喷嘴232b停止dipa的供给。此时，喷嘴242a以及喷嘴242b继续向腔室210内供给非活性气体。
[0198]
如图11的(b)所示，在步骤s8中，在喷嘴242a以及喷嘴242b继续向腔室210内供给非活性气体的状态下，减压部280开始腔室210内的减压。此时，基板保持部220仍处于下方位置。
[0199]
如图11的(c)所示，在步骤s9中，喷嘴242a以及喷嘴242b停止非活性气体的供给，并开始ipa蒸气的供给。此时，减压部280继续腔室210内的减压。
[0200]
如图11的(d)所示，在步骤s10中，基板保持部220从下方位置移动至上方位置，喷嘴242a以及喷嘴242b继续ipa蒸气的供给。由此，利用ipa来处理基板w。此时，减压部280继续腔室210内的减压。
[0201]
如图11的(e)所示，在步骤s11中，喷嘴242a以及喷嘴242b继续ipa蒸气的供给。而且，排液部270排出处理槽230的贮存液ld。当处理槽230的贮存液ld被排出时，基板保持部220下降至处理槽230内的下方位置为止。减压部280继续腔室210内的减压。
[0202]
如图12的(a)所示，在步骤s12中，在喷嘴242a以及喷嘴242b继续ipa蒸气的供给的状态下，基板保持部220从下方位置移动至上方位置为止。基板保持部220移动至基板w朝向喷嘴242a以及喷嘴242b的位置为止。例如，喷嘴242a以及喷嘴242b朝向基板w的中心。而且，喷嘴262a以及262b开始疏水化剂smt的蒸气的供给。减压部280继续腔室210内的减压。另外，基板保持部220也可在上方位置沿着铅垂方向反复上下移动。通过在供给疏通水化剂smt的蒸气的期间使基板w上下移动，从而能够对基板w均匀地涂布疏水化剂smt。而且，也可将疏水化剂smt的蒸气的供给停止一定期间，而将基板w曝露于疏水化剂smt的蒸气环境中。由此，既能抑制疏水化剂smt的消耗量，又能延长基板w被曝露于疏水化剂smt的蒸气中的时间，从而能够有效率地抑制基板w的图案崩坏。
[0203]
如图12的(b)所示，在步骤s13中，在喷嘴262a以及喷嘴262b继续疏水化剂smt的蒸气的供给的状态下，喷嘴242a以及喷嘴242b停止ipa蒸气的供给。减压部280继续腔室210内的减压。基板保持部220在上方位置移动至基板w的下端朝向喷嘴262a以及喷嘴262b的位置为止。另外，基板保持部220也可在上方位置沿着铅垂方向反复上下移动。而且，也可将疏水化剂smt的蒸气的供给停止一定期间，使基板w曝露于疏水化剂smt的蒸气环境中。
[0204]
如图12的(c)所示，在步骤s14中，在喷嘴262a以及喷嘴262b继续疏水化剂smt的蒸气的供给的状态下，喷嘴242a以及喷嘴242b开始ipa蒸气的供给。减压部280继续腔室210内的减压。基板保持部220在上方位置位于基板w的下端朝向喷嘴262a以及喷嘴262b的位置。另外，基板保持部220也可在上方位置沿着铅垂方向反复上下移动。而且，也可将疏水化剂smt的蒸气的供给停止一定期间，而使基板w曝露于疏水化剂smt的蒸气环境中。
[0205]
如图12的(d)所示，在步骤s15中，在喷嘴242a以及喷嘴242b继续ipa蒸气的供给的状态下，喷嘴262a以及喷嘴262b停止疏水化剂smt的蒸气的供给。减压部280继续腔室210内的减压。基板保持部220在上方位置移动至基板w朝向喷嘴242a以及喷嘴242b的位置为止。例如，喷嘴242a以及喷嘴242b朝向基板w的中心。另外，基板保持部220也可在上方位置沿着铅垂方向反复上下移动。
[0206]
如图13的(a)所示，在步骤s16中，喷嘴242a以及喷嘴242b停止ipa蒸气的供给，并开始非活性气体的供给。减压部280继续腔室210内的减压。基板保持部220在上方位置仍处
于基板w朝向喷嘴242a以及喷嘴242b的位置。
[0207]
如图13的(b)所示，在步骤s17中，在喷嘴242a以及喷嘴242b继续非活性气体的供给的状态下，喷嘴252a、喷嘴252b、喷嘴252c以及喷嘴252d开始非活性气体的供给。减压部280继续腔室210内的减压。基板保持部220在上方位置仍处于基板w朝向喷嘴242a以及喷嘴242b的位置。
[0208]
如图13的(c)所示，在步骤s18中，喷嘴242a、喷嘴242b、喷嘴252a、喷嘴252b、喷嘴252c以及喷嘴252d继续非活性气体的供给。减压部280停止腔室210内的减压。
[0209]
如图13的(d)所示，在步骤s19中，在喷嘴242a以及喷嘴242b继续非活性气体的供给的状态下，喷嘴252a、喷嘴252b、喷嘴252c以及喷嘴252d停止非活性气体的供给。基板保持部220在上方位置仍处于基板w朝向喷嘴242a以及喷嘴242b的位置。
[0210]
如上所述，第三处理装置200对基板w进行干燥处理。本实施方式中，在将基板w浸渍于dipa之后，对基板w进行ipa处理，随后供给疏水化剂smt。因此，能够使疏水化剂smt充分浸透基板w的表面，从而能够抑制基板w中的图案的崩坏。
[0211]
另外，在参照图10的(a)至图13的(d)的所述说明中，如图10的(d)所示，在处理槽230中贮存贮存液ld的情况下，是在将此前贮存于处理槽230的贮存液la排出后，对处理槽230供给dipa而将贮存液ld贮存于处理槽230中，但本实施方式并不限定于此。也可不将贮存液排出而加以利用来在处理槽230中生成贮存液ld。例如，在处理槽230中贮存有水(例如diw)作为贮存液l的情况下(即，在处理槽230贮存贮存液la的情况下)，也可通过供液部232对贮存液la供给ipa而在处理槽230中生成贮存液ld。
[0212]
而且，在参照图10的(a)至图13的(d)的所述说明中，在从图10的(f)所示的步骤s6直至图11的(c)所示的步骤s9而基板w浸渍于贮存液ld中的期间，贮存液ld的浓度为固定，但本实施方式并不限定于此。也可在基板w浸渍于贮存液ld的期间使贮存液ld的浓度增加。例如，供液部232对处理槽230的贮存液ld进一步供给ipa，由此，能够增加贮存液ld的浓度。
[0213]
另外，在参照图7的(a)至图7的(e)的所述说明中，在疏水处理之前将基板w浸渍于dipa，在疏水处理之后，对基板w喷出ipa液的蒸气，但本实施方式并不限定于此。在疏水处理之后，也可将基板w浸渍于dipa。
[0214]
接下来，参照图14的(a)至图14的(f)来说明通过本实施方式的基板处理装置100所进行的疏水处理。图14的(a)至图14的(f)是表示通过本实施方式的基板处理装置100所进行的疏水处理的流程的示意图。另外，图14的(a)至图14的(c)以及图14的(e)至图14的(f)与图7的(a)至图7的(e)同样，为了避免繁冗而省略重复的说明。
[0215]
如图14的(a)所示，将基板w浸渍于贮存在处理槽230中的dipa。在基板保持部220位于上方位置的期间，向处理槽230中贮存贮存液ld。随后，基板保持部220接收基板w。典型的是，由基板保持部220所接收的基板w已通过水(例如diw)进行了淋洗处理。随后，基板保持部220从腔室210的上方朝下方移动，由此，将基板w浸渍于贮存在处理槽230中的贮存液ld。
[0216]
如图14的(b)所示，对基板w供给ipa的蒸气以对基板w进行ipa处理。详细而言，在基板保持部220使基板w移动至上方位置后，ipa供给部240对基板w供给ipa的蒸气。由此，能够利用ipa来处理基板w。此处，处理槽230的贮存液ld被排出。
[0217]
如图14的(c)所示，对基板w供给疏水化剂smt的蒸气以对基板w进行疏水处理。在
基板保持部220位于上方位置的状态下，疏水化剂供给部260对基板w供给疏水化剂smt的蒸气。由此，能够对基板w进行疏水处理。
[0218]
如图14的(d)所示，将基板w再次浸渍于贮存在处理槽230中的dipa。在基板保持部220位于上方位置的期间，向处理槽230中贮存贮存液ld。随后，基板保持部220从腔室210的上方移动至下方，由此，将基板w浸渍于贮存在处理槽230中的贮存液ld。
[0219]
如图14的(e)所示，对基板w供给ipa的蒸气以对基板w进行ipa处理。基板保持部220从下方位置移动至上方位置。ipa供给部240对基板w供给ipa的蒸气。由此，能够对基板w进行ipa处理。
[0220]
如图14的(f)所示，对基板w供给非活性气体。在基板保持部220位于上方位置的状态下，非活性气体供给部250对基板w供给非活性气体。由此，能够使基板w干燥。
[0221]
根据本实施方式，在对基板w进行了疏水处理后，将基板w浸渍于dipa。因此，能够提高基板w的洁净度。
[0222]
另外，在参照图14的(a)至图14的(f)的所述说明中，在疏水处理前将浸渍了基板w的贮存液ld暂时排出后，在疏水处理后使新的贮存液ld贮存于处理槽230中，但本实施方式并不限定于此。也可在疏水处理前不将浸渍了基板w的贮存液ld暂时排出，而在疏水处理后浸渍基板w。
[0223]
另外，在参照图1所述的基板处理装置100中，处理部130具有一个第一处理装置140、第二处理装置150以及第三处理装置200，但本实施方式并不限定于此。处理部130中，第一处理装置140、第二处理装置150以及第三处理装置200的任一者也可为两个以上。
[0224]
接下来，参照图15来说明本实施方式的基板处理装置100。图15是基板处理装置100的示意图。另外，图15的基板处理装置100中，处理部130具有三组第一处理装置140及第二处理装置150与两个第三处理装置200，并且基板处理装置100还包括搬送装置lf，除此以外，与参照图1所述的基板处理装置100具有同样的结构，为了避免繁冗而省略重复的说明。
[0225]
如图15所示，基板处理装置100中，处理部130具有第一处理单元130a、第二处理单元130b、第三处理单元130c以及干燥处理单元130d。第一处理单元130a、第二处理单元130b以及第三处理单元130c各自具有第一处理装置140、第二处理装置150以及搬送装置lf。干燥处理单元130d具有两个第三处理装置200a、200b。
[0226]
第二搬送装置wtr可沿着基板处理装置100的长边方向而从第三处理装置200a移动至第三处理单元130c为止。因而，第二搬送装置wtr针对第三处理装置200a、第三处理装置200b、第一处理单元130a的第一处理装置140a以及第二处理装置150a、第二处理单元130b的第一处理装置140b以及第二处理装置150b、及第三处理单元130c的第一处理装置140c以及第二处理装置150c，来搬入以及搬出基板w的批次。
[0227]
在干燥处理单元130d中，第三处理装置200a、第三处理装置200b收纳多个基板w的批次而对多个基板w进行干燥处理。
[0228]
与干燥处理单元130d邻接地配置有第一处理单元130a。第一处理单元130a中，第一处理装置140a以及第二处理装置150a各自包括槽(未图示)。并且，第一处理装置140a将基板w浸渍于贮存在槽中的药液，以对多个基板w进行借助药液的处理。或者，第二处理装置150a将基板w浸渍于贮存在槽中的淋洗液，以对多个基板w进行借助淋洗液的清洗处理。
[0229]
而且，在第一处理单元130a中，搬送装置lf除了第一处理单元130a内的批次的搬
送以外，还可对第二搬送装置wtr进行批次的交接。而且，搬送装置lf将批次的各基板w浸渍于第一处理装置140a以及第二处理装置150a的槽中，或者从第一处理装置140a以及第二处理装置150a的槽中提起批次的各基板w。
[0230]
与第一处理单元130a邻接的第二处理单元130b的第一处理装置140b以及第二处理装置150b、以及与第二处理单元130b邻接的第三处理单元130c的第一处理装置140c以及第二处理装置150c具有与第一处理单元130a的第一处理装置140a以及第二处理装置150a同样的结构。
[0231]
根据本实施方式，基板处理装置100具有三个第一处理装置140a～140c、三个第二处理装置150a～150c以及两个第三处理装置200a、200b，因此，通过依次对基板w的批次进行处理，从而能够有效率地处理大量的基板w。
[0232]
另外，在参照图1至图15的所述说明中，药液处理、淋洗处理以及干燥处理是由第一处理装置140、第二处理装置150以及第三处理装置200分别进行，但本实施方式并不限定于此。药液处理、淋洗处理以及干燥处理中的任意两个处理也可由同一个处理装置来进行。
[0233]
例如，处理部130也可不具有第二处理装置150而具有第一处理装置140以及第三处理装置200。此时，在第一处理装置140中对基板w进行了药液处理后，基板w也可被搬送至第三处理装置200，利用贮存在第三处理装置200内的处理槽230中的diw进行淋洗处理。在一例中，随后也可在将基板w从处理槽230提起至腔室210上方的状态下，将处理槽230内的贮存液变更为dipa。或者，供液部232也可通过对贮存diw的处理槽230供给ipa而在处理槽230中生成dipa。
[0234]
进而，在参照图1至图15的所述说明中，尤其如参照图6以及图7的(a)至图7的(e)所述的那样，第三处理装置200除了dipa浸渍以外，还进行ipa处理、疏水处理、ipa处理以及非活性气体供给处理，但本实施方式并不限定于此。ipa处理、疏水处理、ipa处理以及非活性气体供给处理中的任一个处理也可利用第三处理装置200以外的装置来进行。
[0235]
以上，一边参照附图一边说明了本发明的实施方式。但是，本发明并不限于所述的实施方式，可在不脱离其主旨的范围内以各种形态来实施。而且，通过将所述实施方式所公开的多个构成元件适当组合，能够形成各种发明。例如，也可从实施方式所示的所有构成元件中删除若干个构成元件。进而，跨及不同的实施方式的构成元件也可适当组合。附图是为了便于理解而在主体中示意性地表示各个构成元件，图示的各构成元件的厚度、长度、个数、间隔等也有时由于附图制作的关系而与实际不同。而且，所述的实施方式中所示的各构成元件的材质、形状、尺寸等为一例，并无特别限定，可在实质上不脱离本发明的效果的范围内进行各种变更。
[0236]
[产业上的可利用性]
[0237]
本发明可较佳地用于基板处理装置以及基板处理方法。