垂直腔面发射激光设备的形成方法与流程

1.本发明总体上涉及一种垂直腔面发射激光器(vcsel)和形成vcsel设备的方法。


背景技术：

2.诸如vcsel的垂直发射激光器设备是这样一种激光器，其中光束在垂直于基板表面的方向上发射(例如，从半导体晶圆的表面垂直发射)。多个垂直发射设备可以用公共基板布置成阵列。


技术实现要素：

3.在一些实施方式中，使用多相生长序列形成vcsel设备的方法包括：在基板上形成第一反射镜；在第一反射镜上形成隧道结；在隧道结上形成氧化孔眼(oa)层；在oa层上形成p掺杂层；在p掺杂层上形成有源区；在有源区上形成第二反射镜；以及在第二反射镜上形成接触层，其中：在多相生长序列的金属有机化学气相沉积(mocvd)阶段期间，使用金属有机化学气相沉积工艺形成第一反射镜、隧道结、oa层和p掺杂层；并且在多相生长序列的分子束外延(mbe)阶段期间，使用分子束外延工艺形成有源区、第二反射镜和接触层。
4.在一些实施方式中，使用多相生长序列形成vcsel设备的方法包括在第一反射镜上形成隧道结；在隧道结上形成oa层和p掺杂层；以及在oa层和p掺杂层上形成有源区，其中：在多相生长序列的mocvd阶段期间，使用mocvd工艺形成隧道结、oa层和p掺杂层；并且在多相生长序列的mbe阶段期间使用mbe工艺形成有源区。
5.在一些实施方式中，使用多相生长序列形成vcsel设备的方法包括：在多相生长序列的mocvd阶段期间，使用mocvd工艺形成外延结构的第一部分；以及在多相生长序列的mbe阶段期间使用mbe工艺形成外延结构的第二部分，其中：外延结构的第一部分包括第一反射镜、隧道结、oa层和p掺杂层，外延结构的第二部分包括有源区和第二反射镜。
附图说明
6.图1a和1b分别是描绘垂直腔面发射激光器(vcsel)设备的示例性发射器的俯视图和该示例性发射器沿线x-x的截面图的示意图。
7.图2-5是本文所述的示例性vcsel设备的示意图。
8.图6是用于形成本文所述的vcsel设备的多相生长序列的示例性实施方式的图。
具体实施方式
9.示例性实施方式的以下详细描述参考了附图。不同附图中的相同附图标记可以标识相同或相似的元件。
10.传统的激光设备可以通过在基板上沉积不同的材料层来制造。例如，单一沉积工艺(例如，金属有机化学气相沉积(mocvd)工艺或分子束外延(mbe)工艺)可用于在基板上形成一组反射器和有源区。然而，沉积工艺通常可能适合于形成一些层，例如反射器，但不适
用于其他层，例如有源区(反之亦然)。在一些情况下，这在常规激光设备内产生低质量的层和/或结构，这引入了缺陷或允许缺陷通过常规激光设备传播。这会降低传统激光设备的性能、可制造性和/或可靠性。
11.本文描述的一些实施方式提供了用于形成vcsel的多相生长序列。在一些实施方式中，多相生长序列包括在第一mocvd阶段使用第一mocvd工艺在基板上形成第一组层和/或结构，在mbe阶段使用mbe工艺形成第二组层和/或结构。第一组层和/或结构可以包括第一反射镜、隧道结、氧化孔眼(oa)层和/或p掺杂层。第二组层和/或结构可以包括有源区(例如，稀氮化物有源区)和第二反射镜。
12.在一些实施方式中，第二组层和/或结构可以包括接触层，并且多相生长序列包括在基板表面上形成第一金属层和在接触层表面上形成第二金属层。第一金属层可以被配置为vcsel设备的阳极(例如，n-金属阳极)，第二金属层可以被配置为vcsel设备的阴极(例如，n-金属阴极)。
13.在一些实施方式中，第一组层和/或结构可以包括第一接触层，第二组层和/或结构可以包括第二接触层，并且多相生长序列包括在第二接触层的表面上形成金属层。第一接触层可以被配置为vcsel设备的阳极(例如，n接触阳极)，金属层可以被配置为vcsel设备的阴极(例如，n金属阴极)。在一些实施方式中，第一组层和/或结构可以进一步包括电流阻挡层。
14.这样，使用多相生长序列能够在vcsel设备内形成高质量的层和/或结构。例如，在mocvd阶段，使用mocvd工艺形成高质量反射镜(例如，高质量分布式布拉格反射器(dbrs))和高质量隧道结(例如，包括高掺杂半导体层)，以形成第一反射镜和隧道结。作为另一示例，在mbe阶段使用形成高质量有源区(例如，具有稀氮化物量子阱和/或铟镓砷(ingaas)量子点层的高质量有源区)的mbe工艺来形成有源区。因此，在vcsel设备内产生高质量的层和/或结构降低了缺陷或缺陷通过vcsel设备传播的可能性。因此，与使用单一沉积工艺形成的vcsel设备相比，使用多相生长序列形成vcsel设备改善了vcsel设备的性能、可制造性和/或可靠性。
15.此外，本文描述的一些实施方式能够在vcsel设备中形成多个vcsel发射器。在一些实施方式中，每个vcsel发射器可以被配置为独立驱动(例如，因为每个vcsel发射器与单独的n金属阴极相关联)。因此，每个vcsel发射器可以被配置为独立发光(例如，与vcsel设备的另一个vcsel发射器同时或不同时)。
16.图1a和1b分别是描绘vcsel设备的示例发射器100的俯视图和示例发射器100沿线x-x的截面图150的示意图。如图1a所示，发射器100可以包括在发射器结构中构造的一组发射器层。
17.如图1a所示，在该示例中，发射器100可以包括圆形的植入保护层102。在一些实施方式中，植入保护层102可以具有另一种形状，例如椭圆形、多边形等。植入保护层102基于包括在发射器100中的植入材料部分(未示出)之间的空间来定义。
18.如图1a中的中灰色和深灰色区域所示，发射器100包括欧姆金属层104(例如，p欧姆金属层或n欧姆金属层)，其被构造成部分环形(例如，具有内半径和外半径)。中灰色区域示出了欧姆金属层104被发射器100的保护层(例如介电层、钝化层等)覆盖的区域，深灰色区域示出了欧姆金属层104被通路106暴露的区域，如下所述。如图所示，欧姆金属层104与
植入保护层102重叠。这种配置可以用于例如p-上部/顶部发射发射器100的情况。在底部发射发射器100的情况下，可以根据需要调整配置。
19.图1a中未示出，发射器100包括保护层，在该保护层中形成(例如，蚀刻)通路106。深灰色区域示出了欧姆金属层104被通路106暴露的区域(例如，深灰色区域的形状可以是通路106的形状的结果)，而中灰色区域示出了欧姆金属层104被一些保护层覆盖的区域。保护层可以覆盖除通路之外的所有发射器。如图所示，通路106形成为部分环形(例如，类似于欧姆金属层104)，并且形成在欧姆金属层104上，使得保护层上的金属化部接触欧姆金属层104。在一些实施方式中，通路106和/或欧姆金属层104可以形成为另一种形状，例如全环形或开口环形。
20.如进一步所示，发射器100包括位于欧姆金属层104的部分环形的内半径内的发射器100的一部分中的光学孔眼108。发射器100通过光学孔眼108发射激光束。如进一步所示，发射器100还包括电流限制孔眼110(例如，由发射器100的氧化层形成的氧化物孔眼(未示出))。电流限制孔眼110形成在光学孔眼108下方。
21.如图1a进一步所示，发射器100包括一组沟槽112(例如，氧化沟槽)，它们围绕植入保护层102的圆周间隔开(例如，均等地、不均等地)。沟槽112可以相对于光学孔眼108定位得多近取决于应用，并且通常受到植入保护层102、欧姆金属层104、通路106和制造公差的限制。
22.图1a中层的数量和布置作为示例提供。实际上，发射器100可以包括与图1a中所示的层相比更多的层、更少的层、不同的层或不同布置的层。例如，虽然发射器100包括一组六个沟槽112，但实际上，其他配置也是可能的，例如包括五个沟槽112、七个沟槽112和/或类似配置的紧凑型发射器。在一些实施方式中，沟槽112可以环绕发射器100以形成台面结构d
t
。作为另一示例，虽然发射器100是圆形发射器设计，但是在实践中，可以使用其他设计，例如矩形发射器、六边形发射器、椭圆形发射器等。附加地或可替代地，发射器100的一组层(例如，一个或多个层)可以分别执行被描述为由发射器100的另一组层执行的一个或多个功能。
23.值得注意的是，虽然发射器100的设计被描述为包括vcsel，但是其他实施方式也是可能的。例如，发射器100的设计可以应用于另一种类型的光学设备，例如发光二极管(led)，或者另一种类型的垂直发射(例如顶部发射或底部发射)光学设备。另外，发射器100的设计可以应用于任何波长、功率水平、发射轮廓等的发射器。换句话说，发射器100并不特定于具有给定性能特征的发射器。
24.如图1b所示，示例截面图可以表示穿过一对沟槽112或在一对沟槽112之间的发射器100的截面(例如，如图1a中标记为“x-x”的线所示)。如图所示，发射器100可以包括背侧阳极层128、基板层126、底部反射镜124、有源区122、氧化层120、顶部反射镜118、植入隔离材料116、保护层114(例如介电钝化/反射镜层)和欧姆金属层104。如图所示，发射器100可以具有例如大约10微米的总高度。
25.背侧阳极层128可以包括与基板层126电接触的层。例如，背侧阳极层128可以包括退火的金属化层，例如augeni层、pdgeau层等。
26.基板层126可以包括其上生长外延层的基部基板层。例如，基板层126可以包括半导体层，例如砷化镓(gaas)层、磷化铟(inp)层等。
27.底部反射镜124可以包括发射器100的底部反射层。例如，底部反射镜124可以包括分布式布拉格反射器(dbr)。
28.有源区122可以包括限制电子并限定发射器100的发射波长的层。例如，有源区122可以是量子阱。
29.氧化层120可以包括提供发射器100的光学和电学限制的氧化物层。在一些实施方式中，氧化层120可以作为外延层的湿氧化的结果而形成。例如，氧化层120可以是作为alas或algaas层的氧化的结果而形成的al2o3层。沟槽112可以包括开口，该开口允许氧(例如，干氧、湿氧)进入形成氧化层120的外延层。
30.电流限制孔眼110可以包括由氧化层120限定的光学活性孔眼。电流限制孔眼110的尺寸可以在例如从大约4微米到大约20微米的范围内。在一些实施方式中，电流限制孔眼110的尺寸可以取决于围绕发射器100的沟槽112之间的距离。例如，可以蚀刻沟槽112以暴露形成氧化层120的外延层。这里，在保护层114形成(例如沉积)之前，外延层的氧化可以朝着发射器100的中心发生特定距离(例如，在图1b中标识为do)，从而形成氧化层120和电流限制孔眼110。在一些实施方式中，电流限制孔眼110可以包括氧化物孔眼。附加地或可替代地，电流限制孔眼110可以包括与另一种类型的电流限制技术相关联的孔眼，例如蚀刻台面、没有离子植入的区域、光刻限定的腔内台面和再生长等
31.顶部反射镜118可以包括发射器100的顶部反射层。例如，顶部反射镜118可以包括dbr。
32.植入隔离材料116可以包括提供电绝缘的材料。例如，植入隔离材料116可以包括离子植入材料，例如氢/质子植入材料或类似的植入元素，以降低电导率。在一些实施方式中，植入隔离材料116可以限定植入保护层102。
33.保护层114可以包括充当保护钝化层并且可以充当附加dbr的层。例如，保护层114可以包括沉积(例如，通过化学气相沉积、原子层沉积或其他技术)在发射器100的一个或多个其他层上的一个或多个子层(例如，介电钝化层和/或镜像层、sio2层、si3n4层、al2o3层或其他层)。
34.如图所示，保护层114可以包括一个或多个通路106，所述通路106提供到欧姆金属层104的电访问口。例如，通路106可以形成为保护层114的蚀刻部分或保护层114的剥离部分。光学孔眼108可以包括保护层114的在电流限制孔眼110上的一部分，光可以通过该部分发射。
35.欧姆金属层104可以包括形成电流可以流过的电接触的层。例如，欧姆金属层104可以包括钛和金层、钛和铂层和/或金层等，电流可以流过这些层(例如，经由通路106接触欧姆金属层104的焊盘(未示出))。欧姆金属层104可以是p欧姆、n欧姆或本领域已知的其他形式。特定类型的欧姆金属层104的选择可以取决于发射器的结构，并且完全在本领域技术人员的知识范围内。欧姆金属层104可以提供金属和半导体之间的欧姆接触和/或可以提供非整流电结和/或可以提供低电阻接触。在一些实施方式中，发射器100可以使用一系列步骤来制造。例如，底部反射镜124、有源区122、氧化层120和顶部反射镜118可以外延生长在基板层126上，之后欧姆金属层104可以沉积在顶部反射镜118上。接下来，可以蚀刻沟槽112以暴露氧化层120用于氧化。可以通过离子植入产生植入隔离材料116，之后可以沉积保护层114。可以在保护层114中蚀刻通路106(例如，以暴露欧姆金属层104用于接触)。可以执行
电镀、播种和蚀刻，之后可以将基板层126减薄和/或研磨至目标厚度。最后，背侧阳极层128可以沉积在基板层126的底侧。
36.图1b中层的数量、布置、厚度、顺序、对称性等作为示例提供。实际上，与图1b中所示的层相比，发射器100可以包括额外的层、更少的层、不同的层、不同构造的层或不同布置的层。附加地或可替代地，发射器100的一组层(例如，一个或多个层)可以执行被描述为由发射器100的另一组层执行的一个或多个功能，并且任何层可以包括多于一个层。
37.图2是这里描述的示例性vcsel设备200的图(例如，示出了vcsel设备200的层配置)。例如，vcsel设备200可以包括短波红外(swir)vcsel设备、氧化限制vcsel设备、植入限制vcsel设备、台面限制vcsel设备、顶部发射vcsel设备或底部发射vcsel设备。在一些实施方式中，vcsel设备200可以被配置成发射输出光束(例如，输出激光束)。例如，该设备可以被配置为发射波长在近红外范围内的输出光束(例如，输出光束的波长在1200-1600纳米的范围内)。如图2所示，vcsel设备200可以包括第一金属层202、基板204、第一反射镜206、隧道结208、oa层210、p掺杂层212、有源区214、第二反射镜216、接触层218和/或第二金属层220(例如，它们可以与本文图1a-1b描述的相应结构和/或层相同或相似。)。
38.第一金属层202可以为vcsel设备200提供电接触。第一金属层包括电流可以流过的金属层，例如金(au)层，和/或金属合金层，例如金-锌(au-zn)层等。在一些实施方式中，第一金属层202可以是n掺杂的，并且可以被配置为vcsel设备200的阳极(例如，n金属阳极)。第一金属层202可以设置在基板204上。例如，第一金属层202可以设置在(例如，直接设置在)基板204的表面(例如，基板204的底面)上。
39.基板204可以包括其上生长图2所示的其他层和/或结构的基板。基板204可以包括半导体材料，例如砷化镓(gaas)、磷化铟(inp)、锗(ge)和/或其他类型的半导体材料。在一些实施方式中，基板可以是n掺杂基板，例如n型砷化镓基板、n型磷化铟基板或n型锗基板。
40.第一反射镜206可以设置在基板204上。例如，第一反射镜206可以设置在(例如，直接设置在)基板204的表面(例如，基板204的顶面)上，或者设置在基板204和第一反射镜206之间的一个或多个中间层或结构(例如，一个或多个间隔物、一个或多个覆层和/或其他示例)上。第一反射镜206可以包括反射器，例如介电dbr或半导体dbr。例如，第一反射镜206可以包括一组交替的半导体层，例如一组交替的gaas层和铝砷化镓(algaas)层、或一组交替的具有低铝(al)百分比的algaas层和具有高铝百分比的algaas层。在一些实施方式中，第一反射镜206可以是n掺杂反射镜(例如，n掺杂dbr)。例如，第一反射镜206可以包括一组交替的n掺杂砷化镓(n-gaas)层和n掺杂铝镓砷(n-铝镓砷)层，或者一组交替的具有低铝百分比(低al n-algaas)的n掺杂铝镓砷层和具有高铝百分比(高al n-algaas)的n掺杂铝镓砷层。
41.隧道结208可以设置在第一反射镜206上。例如，隧道结208可以设置在(例如，直接设置在)第一反射镜206的表面(例如，第一反射镜206的顶面)上，或者设置在第一反射镜206和隧道结208之间的一个或多个中间层或结构(例如，一个或多个间隔物、一个或多个覆层和/或其他示例)上。隧道结208可以被配置成将孔植入有源区214。在一些实施方式中，隧道结208可以包括一组高掺杂交替半导体层，例如一组交替的高n掺杂半导体层和高p掺杂半导体层。例如，隧道结208可以包括一组交替的高n掺杂gaas(n
–‑
gaas)层和高p掺杂algaas(p -铝镓砷)层(反之亦然)。至少一个高n掺杂半导体层可以掺杂有碲(te)、硒(se)
和/或另一种n型掺杂剂。至少一个高p掺杂半导体层可以掺杂碳(c)和/或另一种p型掺杂剂。
42.oa层210可以设置在隧道结208上。例如，oa层210可以设置在(例如，直接设置在)隧道结208的表面上，或者设置在隧道结208和oa层210之间的一个或多个中间层上。oa层210可以包括与控制由vcsel设备200发射的输出光束的一个或多个特性相关联的一组层。例如，oa层210可以包括一个或多个层，以增强载流子的横向限制，控制输出光束的光学限制，和/或扰动输出光束的光学模式(例如，以期望的方式影响模式图案)。一个或多个层可以包括一组交替的氧化层和非氧化层，例如一组交替的氧化铝(alo)层和砷化镓层。
43.p掺杂层212可以设置在oa层210上。例如，p掺杂层212可以设置在(例如，直接设置在)oa层210的表面上，或者设置在oa层210和p掺杂层212之间的一个或多个中间层(例如，一个或多个间隔物、一个或多个覆层和/或其他示例)上。p掺杂层212可以包括至少一个p掺杂半导体层，例如p掺杂砷化镓(p-gaas)层或p掺杂铝镓砷(p-铝镓砷)层。在一些实施方式中，p掺杂层212可以被配置为反射镜(例如，第三反射镜)。因此，p掺杂层212可以包括p掺杂反射器，例如p掺杂dbr。例如，p掺杂层212可以包括一组交替的p掺杂砷化镓(p-gaas)层和p掺杂铝镓砷(p-algaas)层或者一组交替的具有低铝百分比(低al p-algaas)的p掺杂铝镓砷层和具有高铝百分比(高al p-algaas)的p掺杂铝镓砷层。
44.有源区214可以设置在p掺杂层212上。例如，有源区214可以设置在(例如，直接设置在)p掺杂层212的表面上，或者设置在p掺杂层212和有源区214之间的一个或多个中间层(例如，一个或多个间隔物、一个或多个覆层和/或其他示例)上。有源区214可以包括一个或多个层，其中电子和孔复合以发射光(例如，作为输出光束)并限定vcsel设备200的发射波长范围。例如，有源区214可以包括一个或多个量子阱，例如至少一个稀氮化物量子阱(例如，砷化镓铟氮化物(gainnas)量子阱和/或砷化镓铟锑化物(gainnassb)量子阱)，和/或一个或多个量子点层，例如至少一个砷化镓铟(ingaas)量子点层。
45.第二反射镜216可以设置在有源区214上。例如，第二反射镜216可以设置在(例如，直接设置在)有源区214的表面上，或者设置在有源区214和第二反射镜216之间的一个或多个中间层(例如，一个或多个间隔物、一个或多个覆层和/或其他示例)上。第二反射镜216可以包括反射器，例如介电dbr或半导体dbr。例如，第二反射镜216可以包括一组交替的半导体层，例如一组交替的砷化镓层和铝镓砷层、或者一组交替的低铝百分比的铝镓砷层和高铝百分比的铝镓砷层。在一些实施方式中，第二反射镜216可以是n掺杂反射镜(例如，n掺杂dbr)。例如，第二反射镜216可以包括一组交替的n掺杂砷化镓(p-gaas)层和n掺杂铝镓砷(n-铝镓砷)层，或者一组交替的具有低铝百分比(低al n-algaas)的n掺杂铝镓砷层和具有高铝百分比(高algaas n-algaas)的n掺杂铝镓砷层。
46.接触层218可以设置在第二反射镜216上。例如，接触层218可以设置在(例如，直接设置在)第二反射镜216的表面上，或者设置在第二反射镜216和接触层218之间的一个或多个中间层(例如，一个或多个间隔物、一个或多个覆层和/或其他示例)上。在一些实施方式中，接触层218可以是n掺杂层，并且可以促进与第二金属层220的电连接。例如，接触层218可以包括至少一个n掺杂半导体层，例如n掺杂砷化镓(n-gaas)层或n掺杂铝镓砷(n-algaas)层。
47.第二金属层220可以设置在接触层218上。例如，第二金属层220可以设置在(例如，
直接设置在)接触层218的表面上，或者设置在接触层218和第二金属层220之间的一个或多个中间层(例如，一个或多个间隔物、一个或多个覆层和/或其他示例)上。第二金属层220可以为vcsel设备200提供电接触。第二金属层220可以包括电流可以流过的金属层，例如金层，和/或金属合金层，例如金-锌层，等。在一些实施方式中，第二金属层220可以是n掺杂的，并且可以被配置为vcsel设备200的阴极(例如，n-金属阴极)。
48.虽然图2示出了设置在oa层210上的p掺杂层212，但是在一些实施方式中，p掺杂层212和oa层210的相应位置可以被切换。例如，p掺杂层212可以设置在隧道结208上，oa层210可以设置在p掺杂层212上，并且有源区214可以设置在oa层210上。附加地或可替代地，可以有多个p掺杂层212。例如，第一p掺杂层212可以设置在隧道结208上，oa层210可以设置在第一p掺杂层212上，第二p掺杂层212可以设置在oa层210上。
49.在一些实施方式中，如本文所述，可以使用多相生长序列来形成vcsel设备200。例如，如图2所示，第一反射镜206、隧道结208、oa层210和p掺杂层212可在多相生长序列的mocvd阶段期间使用mocvd工艺(也称为金属有机气相外延(movpe)工艺)形成，且及有源区214、第二反射镜216和接触层218可在多相生长序列的mbe阶段期间(例如，其中mocvd阶段发生在mbe阶段之前)使用mbe工艺(例如，其利用氮气(n2))形成。在形成vcsel设备200的其他层和/或结构之后，使用附加的形成工艺形成第一金属层202和/或第二金属层。与多相生长序列相关的进一步细节在本文结合图6进行描述。
50.如上所述，图2作为示例提供。其他示例可不同于图2所描述的。实际上，与图2所示的层和/或元件相比，vcsel设备200可以包括额外的层和/或元件、更少的层和/或元件、不同的层和/或元件、或者不同地布置的层和/或元件。此外，图2所示的结构和层分别显示为在其他结构和层上连续形成并且具有均匀的厚度。在实践中，结构和层可以在其他结构和层上非连续形成和/或具有非均匀厚度(例如，以与图1a-1b和图5中所示类似的方式)。
51.图3是这里描述的示例性vcsel设备300的图(例如，示出了vcsel设备300的层配置)。例如，vcsel设备300可以包括swir vcsel设备、氧化限制vcsel设备、植入限制vcsel设备、台面限制vcsel设备、顶部发射vcsel设备或底部发射vcsel设备。在一些实施方式中，vcsel设备300可以被配置成发射输出光束(例如，输出激光束)。例如，该设备可以被配置为发射波长在近红外范围内的输出光束(例如，输出光束的波长在1200-1600纳米的范围内)。如图3所示，vcsel设备300可以包括基板302、第一接触层304、第一反射镜306、隧道结308、oa层310、p掺杂层312、有源区314、第二反射镜316、第二接触层318和/或金属层320(例如，其可以与本文中关于图1a-1b描述的相应结构和/或层相同或相似)。
52.基板302可以包括其上生长图3所示的其他层和/或结构的基板。基板302可以与关于图2描述的基板204相同或相似。例如，基板302可以包括半导体材料，例如砷化镓、磷化铟、锗和/或另一种类型的半导体材料。在一些实施方式中，基板可以是半绝缘基板，例如硅(si)基板。
53.第一接触层304可以设置在基板302上。例如，第一接触层304可以设置在(例如，直接设置在)基板302的表面上，或者设置在基板302和第一接触层304之间的一个或多个中间层(例如，一个或多个间隔物、一个或多个覆层和/或其他示例)上。在一些实施方式中，第一接触层304可以作为第一反射镜306内的层(例如，设置在第一反射镜306的层之间)被包括。在一些实施方式中，第一接触层304可以是n掺杂的，并且可以被配置为vcsel设备300的阳
极(例如，n接触阳极)。例如，第一接触层304可以包括至少一个n掺杂半导体层，例如n掺杂砷化镓(n-gaas)层或n掺杂铝镓砷(n-algaas)层。在一些实施方式中，第一接触层304可以接触被配置为vcsel设备300的阳极(例如，n-金属阳极)的金属层(例如，图3中未示出，但是其类似于本文中关于图2描述的第一金属层202)。可以蚀刻或以其他方式去除vcsel设备300的一个或多个其他层，以允许第一接触层304接触金属层。
54.第一反射镜306可以设置在第一接触层304上。例如，第一反射镜306可以设置在(例如，直接设置在)第一接触层304的表面(例如，第一接触层304的顶表面)上，或者设置在第一接触层304和第一反射镜306之间的一个或多个中间层或结构(例如，一个或多个间隔物、一个或多个覆层和/或其他示例)上。第一反射镜306可以与关于图2描述的第一反射镜206相同或相似。例如，第一反射镜306可以包括反射器，例如包括一组交替的介电层的介电dbr反射镜，或者包括一组交替的砷化镓层和铝镓砷层的半导体dbr反射镜。在一些实施方式中，第一反射镜306可以是n掺杂反射镜(例如，n掺杂dbr)。例如，第一反射镜306可以包括一组交替的n掺杂砷化镓(n-gaas)层和n掺杂铝镓砷(n-algaas)层，或者一组交替的具有低铝百分比(低al n-algaas)的n掺杂铝镓砷层和具有高铝百分比(高al n-algaas)的n掺杂铝镓砷层。
55.隧道结308可以设置在第一反射镜306上。例如，隧道结308可以设置在(例如，直接设置在)第一反射镜306的表面(例如，第一反射镜306的顶表面)上，或者设置在第一反射镜306和隧道结308之间的一个或多个中间层或结构(例如，一个或多个间隔物、一个或多个覆层和/或其他示例)上。隧道结308可以与关于图2描述的隧道结208相同或相似，并且可以包括一组高掺杂交替半导体层，例如一组交替的高n掺杂半导体层和高p掺杂半导体层。例如，隧道结308可以包括一组交替的高n掺杂砷化镓(n
–‑
gaas)层和高p掺杂铝镓砷(p -铝镓砷)层(反之亦然)。
56.oa层310可以设置在隧道结308上。例如，oa层310可以设置在(例如，直接设置在)隧道结308的表面上，或者设置在隧道结308和oa层310之间的一个或多个中间层上。oa层310可以与关于图2描述的oa层210相同或相似。例如，oa层310可以包括一组交替的氧化层和非氧化层，例如一组交替的氧化铝层和砷化镓层。
57.p掺杂层312可以设置在oa层310上。例如，p掺杂层312可以设置在(例如，直接设置在)oa层310的表面上，或者设置在oa层310和p掺杂层312之间的一个或多个中间层(例如，一个或多个间隔物、一个或多个覆层和/或其他示例)上。p掺杂层312可以与关于图2描述的p掺杂层212相同或相似。例如，p掺杂层312可以包括至少一个p掺杂半导体层，例如p掺杂砷化镓(p-gaas)层或p掺杂铝镓砷(p-algaas)层，或者可以包括p掺杂反射器，例如包括一组交替的p掺杂砷化镓(p-gaas)层和p掺杂铝镓砷(p-algaas)层的p掺杂dbr具有低al百分比(低al p-algaas)和具有高al百分比(高al p-algaas)的p掺杂铝镓砷层或一组交替的p掺杂铝镓砷层。
58.有源区314可以设置在p掺杂层312上。例如，有源区314可以设置在(例如，直接设置在)p掺杂层312的表面上，或者设置在p掺杂层312和有源区314之间的一个或多个中间层(例如，一个或多个间隔物、一个或多个覆层和/或其他示例)上。有源区314可以与关于图2描述的有源区214相同或相似。例如，有源区314可以包括一个或多个量子阱，例如至少一个稀氮化物量子阱(例如，gainnas量子阱和/或gainnassb量子阱)，和/或一个或多个量子点
层，例如至少一个ingas或inas量子点层。
59.第二反射镜316可以设置在有源区314上。例如，第二反射镜316可以设置在(例如，直接设置在)有源区314的表面上，或者设置在有源区314和第二反射镜316之间的一个或多个中间层(例如，一个或多个间隔物、一个或多个覆层和/或其他示例)上。第二反射镜316可以与关于图2描述的第二反射镜216相同或相似。例如，第二反射镜316可以包括反射器，例如包括一组交替的介电层的介电dbr反射镜，或者包括一组交替的砷化镓层和铝镓砷层的半导体dbr反射镜。在一些实施方式中，第二反射镜316可以是n掺杂dbr。例如，第二反射镜316可以包括一组交替的n掺杂砷化镓(n-gaas)层和n掺杂铝镓砷(n-algaas)层，或者一组交替的具有低铝百分比(低al n-algaas)的n掺杂铝镓砷层和具有高铝百分比(高al n-algaas)的n掺杂铝镓砷层。
60.第二接触层318可以设置在第二反射镜316上。例如，第二接触层318可以设置在(例如，直接设置在)第二反射镜316的表面上，或者设置在第二反射镜316和第二接触层318之间的一个或多个中间层(例如，一个或多个间隔物、一个或多个覆层和/或其他示例)上。第二接触层318可以与关于图2描述的接触层218相同或相似。例如，第二接触层318可以包括至少一个n掺杂半导体层，例如n掺杂砷化镓(n-gaas)层或n掺杂铝镓砷(n-algaas)层。
61.金属层320可以设置在第二接触层318上。例如，金属层320可以设置在(例如，直接设置在)第二接触层318的表面上，或者设置在第二接触层318和金属层320之间的一个或多个中间层(例如，一个或多个间隔物、一个或多个覆层和/或其他示例)上。金属层320可以与关于图2描述的第二金属层220相同或相似。例如，金属层320可以包括电流可以流过的金属层，例如金层，和/或金属合金层，例如金-锌层。在一些实施方式中，金属层320可以是n掺杂的，并且可以被配置为vcsel设备300的阴极(例如，n金属阴极)。
62.虽然图3示出了设置在oa层310上的p掺杂层312，但是在一些实施方式中，p掺杂层312和oa层310的相应位置可以被切换。例如，p掺杂层312可以设置在隧道结308上，oa层310可以设置在p掺杂层312上，并且有源区314可以设置在oa层310上。附加地或可替代地，可以有多个p掺杂层312。例如，第一p掺杂层312可以设置在隧道结308上，oa层310可以设置在第一p掺杂层312上，第二p掺杂层312可以设置在oa层310上。
63.在一些实施方式中，如本文所述，可以使用多相生长序列来形成vcsel设备300。例如，如图3所示，第一接触层304、第一反射镜306、隧道结308、oa层310和p掺杂层312可以在多相生长序列的mocvd阶段使用mocvd工艺形成，并且有源区314、第二反射镜316、和第二接触层318可以在多相生长序列的mbe阶段(例如，其中mocvd阶段发生在mbe阶段之前)期间使用mbe工艺(例如，利用氮气(n2))形成。在形成vcsel设备300的其他层和/或结构之后，可以使用附加的形成工艺来形成金属层320。附加地或可替代地，可以蚀刻vcsel设备300的一个或多个层和/或结构，并且附加的形成工艺可以用于在第一接触层304上形成金属层。与多相生长序列相关的进一步细节在此结合图6进行描述。
64.如上所述，图3作为示例提供。其他示例可以与关于图3描述的不同。实际上，vcsel设备300可以包括与图3所示的层和/或元件相比额外的层和/或元件、更少的层和/或元件、不同的层和/或元件、或者不同布置的层和/或元件。此外，图3所示的结构和层分别显示为在其他结构和层上连续形成并且具有均匀的厚度。在实践中，结构和层可以在其他结构和层上非连续形成和/或具有非均匀厚度(例如，以与图1a-1b和图5中所示类似的方式)。
65.图4是这里描述的示例性vcsel设备400的图(例如，示出了vcsel设备400的层配置)。例如，vcsel设备400可以包括swirvcsel设备、氧化限制vcsel设备、植入限制vcsel设备、台面限制vcsel设备、顶部发射vcsel设备或底部发射vcsel设备。在一些实施方式中，vcsel设备400可以被配置成发射输出光束(例如，输出激光束)。例如，该设备可以被配置为发射波长在近红外范围内的输出光束(例如，输出光束的波长在1200-1600纳米的范围内)。如图4所示，vcsel设备400可以包括基板402、电流阻挡层404、第一接触层406、第一反射镜408、隧道结410、oa层412、p掺杂层414、有源区416、第二反射镜418、第二接触层420和/或金属层422(例如，它们可以与本文关于图1a-1b所述的相应结构和/或层相同或类似)。
66.基板402可以包括其上生长图4所示的其他层和/或结构的基板。基板402可以与关于图2描述的基板204和/或本文关于图3描述的基板302相同或相似。例如，基板402可以包括半导体材料，例如砷化镓、磷化铟、锗和/或另一种类型的半导体材料。在一些实施方式中，基板可以是n掺杂基板，例如n型砷化镓基板、n型磷化铟基板或n型锗基板。
67.电流阻挡层404可以设置在基板402上。例如，电流阻挡层404可以设置在基板402的表面上(例如，直接设置)，或者设置在基板402和电流阻挡层404之间的一个或多个中间层(例如，一个或多个间隔物、一个或多个覆层和/或其他示例)上。电流阻挡层404可以为基板402提供电绝缘。在一些实施方式中，电流阻挡层404可以包括非导电材料，例如聚合物、聚酰胺和/或另一种类型的介电材料。
68.第一接触层406可以设置在电流阻挡层404上。例如，第一接触层406可以设置在(例如，直接设置在)电流阻挡层404的表面上，或者设置在电流阻挡层404和第一接触层406之间的一个或多个中间层(例如，一个或多个间隔物、一个或多个覆层和/或其他示例)上。第一接触层406可以与关于图3描述的第一接触层304相同或相似。在一些实施方式中，第一接触层406可以作为第一反射镜408内的层(例如，设置在第一反射镜408的层之间)被包括。在一些实施方式中，第一接触层406可以是n掺杂的，并且可以被配置为vcsel设备400的阳极(例如，n接触阳极)。例如，第一接触层406可以包括至少一个n掺杂半导体层，例如n掺杂砷化镓(n-gaas)层或n掺杂铝镓砷(n-algaas)层。在一些实施方式中，第一接触层406可以接触被配置为vcsel设备400的阳极(例如，n-金属阳极)的金属层(例如，图4中未示出，但是其类似于本文中关于图2描述的第一金属层202)。可以蚀刻或以其他方式去除vcsel设备400的一个或多个其他层，以允许第一接触层406接触金属层。
69.第一反射镜408可以设置在第一接触层406上。例如，第一反射镜408可以设置在(例如，直接设置在)第一接触层406的表面(例如，第一接触层406的顶表面)上，或者设置在第一接触层406和第一反射镜408之间的一个或多个中间层或结构(例如，一个或多个间隔物、一个或多个覆层和/或其他示例)上。第一反射镜408可以与关于图2描述的第一反射镜206和/或本文关于图3描述的第一反射镜306相同或相似。例如，第一反射镜408可以包括反射器，例如包括一组交替的介电层的介电dbr反射镜，或者包括一组交替的砷化镓层和铝镓砷层的半导体dbr反射镜。在一些实施方式中，第一反射镜408可以是n掺杂反射镜(例如，n掺杂dbr)。例如，第一反射镜408可以包括一组交替的n掺杂砷化镓(n-gaas)层和n掺杂铝镓砷(n-algaas)层，或者一组交替的具有低铝百分比(低al n-algaas)的n掺杂铝镓砷层和具有高铝百分比(高al n-algaas)的n掺杂铝镓砷层。
70.隧道结410可以设置在第一反射镜408上。例如，隧道结410可以设置在(例如，直接
设置在)第一反射镜408的表面(例如，第一反射镜408的顶表面)上，或者设置在第一反射镜408和隧道结410之间的一个或多个中间层或结构(例如，一个或多个间隔物、一个或多个覆层和/或其他示例)上。隧道结410可以与关于图2描述的隧道结208和/或本文关于图3描述的隧道结308相同或相似。隧道结410可以包括一组高掺杂交替半导体层，例如一组交替的高n掺杂半导体层和高p掺杂半导体层。例如，隧道结410可以包括一组交替的高n掺杂砷化镓(n
–‑
gaas)层和高p掺杂铝镓砷(p -algaas)层(反之亦然)。
71.oa层412可以设置在隧道结410上。例如，oa层412可以设置在(例如，直接设置在)隧道结410的表面上，或者设置在隧道结410和oa层412之间的一个或多个中间层上。oa层412可以与关于图2描述的oa层210和/或本文关于图3描述的oa层310相同或相似。例如，氧化层412可以包括一组交替的氧化层和非氧化层，例如一组交替的氧化铝层和砷化镓层。
72.p掺杂层414可以设置在oa层412上。例如，p掺杂层414可以设置在oa层412的表面上(例如，直接设置在oa层412的表面上)，或者设置在oa层412和p掺杂层414之间的一个或多个中间层(例如，一个或多个间隔物、一个或多个覆层和/或其他示例)上。p掺杂层414可以与关于图2描述的p掺杂层212和/或本文关于图3描述的p掺杂层312相同或相似。例如，p掺杂层414可以包括至少一个p掺杂半导体层，例如p掺杂砷化镓(p-gaas)层或p掺杂铝镓砷(p-algaas)层，或者可以包括p掺杂反射器，例如包括一组交替的p掺杂砷化镓(p-gaas)层和p掺杂铝镓砷(p-algaas)层的p掺杂dbr具有低al百分比(低al p-algaas)和具有高al百分比(高al p-algaas)的p掺杂铝镓砷层或一组交替的p掺杂铝镓砷层。
73.有源区416可以设置在p掺杂层414上。例如，有源区416可以设置在(例如，直接设置在)p掺杂层414的表面上，或者设置在p掺杂层414和有源区416之间的一个或多个中间层(例如，一个或多个间隔物、一个或多个覆层和/或其他示例)上。有源区416可以与关于图2描述的有源区214和/或本文关于图3描述的有源区314相同或相似。例如，有源区416可以包括一个或多个量子阱，例如至少一个稀氮化物量子阱(例如，gainnas量子阱和/或gainnassb量子阱)，和/或一个或多个量子点层，例如至少一个ingas或inas量子点层。
74.第二反射镜418可以设置在有源区416上。例如，第二反射镜418可以设置在(例如，直接设置在)有源区416的表面上，或者设置在有源区416和第二反射镜418之间的一个或多个中间层(例如，一个或多个间隔物、一个或多个覆层和/或其他示例)上。第二反射镜418可以与关于图2描述的第二反射镜216和/或本文关于图3描述的第二反射镜316相同或相似。例如，第二反射镜418可以包括反射器，例如包括一组的交替的介电层的介电dbr反射镜，或者包括一组交替的gaas层和algaas层的半导体dbr反射镜。在一些实施方式中，第二反射镜418可以是n掺杂dbr。例如，第二反射镜418可以包括一组交替的n掺杂砷化镓(n-gaas)层和n掺杂铝镓砷(n-algaas)层，或者一组交替的具有低铝百分比(低al n-algaas)的n掺杂铝镓砷层和具有高铝百分比(高al n-algaas)的n掺杂铝镓砷层。
75.第二接触层420可以设置在第二反射镜418上。例如，第二接触层420可以设置在(例如，直接设置在)第二反射镜418的表面上，或者设置在第二反射镜418和第二接触层420之间的一个或多个中间层(例如，一个或多个间隔物、一个或多个覆层和/或其他示例)上。第二接触层420可以与关于图2描述的接触层218和/或本文关于图3描述的第二接触层318相同或相似。例如，第二接触层420可以包括至少一个n掺杂半导体层，例如n掺杂砷化镓(n-gaas)层或n掺杂铝镓砷(n-algaas)层。
76.金属层422可以设置在第二接触层420上。例如，金属层422可以设置在(例如，直接设置在)第二接触层420的表面上，或者设置在第二接触层420和金属层422之间的一个或多个中间层(例如，一个或多个间隔物、一个或多个覆层和/或其他示例)上。金属层422可以与关于图2描述的第二金属层220和/或本文关于图3描述的金属层320相同或相似。例如，金属层422可以包括电流可以流过的金属层，例如金层，和/或金属合金层，例如金-锌层。在一些实施方式中，金属层422可以是n掺杂的，并且可以被配置为vcsel设备400的阴极(例如，n金属阴极)。
77.虽然图4示出了设置在oa层412上的p掺杂层414，但是在一些实施方式中，p掺杂层414和oa层412的相应位置可以被切换。例如，p掺杂层414可以设置在隧道结410上，oa层412可以设置在p掺杂层414上，并且有源区416可以设置在oa层412上。附加地或可替代地，可以有多个p掺杂层414。例如，第一p掺杂层414可以设置在隧道结410上，oa层412可以设置在第一p掺杂层414上，第二p掺杂层414可以设置在oa层412上。
78.在一些实施方式中，如本文所述，可以使用多相生长序列来形成vcsel设备400。例如，如图4所示，电流阻挡层404、第一接触层406、第一反射镜408、隧道结410、oa层412和p掺杂层414可以在多相生长序列的mocvd阶段期间使用mocvd形成，有源区416、第二反射镜418，和第二接触层420可在多相生长序列的mbe阶段期间(例如，其中mocvd阶段发生在mbe阶段之前)使用mbe工艺(例如，利用氮气(n2))形成。在形成vcsel设备400的其他层和/或结构之后，可以使用附加的形成工艺来形成金属层422。附加地或可替代地，可以蚀刻vcsel设备400的一个或多个层和/或结构，并且附加的形成工艺可以用于在第一接触层406上形成金属层。与多相生长序列相关的进一步细节在此结合图6进行描述。
79.如上所述，图4作为示例提供。其他示例可以与关于图4描述的不同。实际上，与图4所示的层和/或元件相比，vcsel设备400可以包括额外的层和/或元件、更少的层和/或元件、不同的层和/或元件、或者不同布置的层和/或元件。此外，图4所示的结构和层分别显示为在其他结构和层上连续形成并且具有均匀的厚度。在实践中，结构和层可以在其他结构和层上非连续形成和/或具有非均匀厚度(例如，以与图1a-1b和图5中所示类似的方式)。
80.图5是这里描述的示例vcsel设备500的图。vcsel设备500可以与参考图2描述的vcsel设备200相同或相似。例如，vcsel设备500可以包括与vcsel设备200的相应层和/或结构相同或相似的第一金属层502、基板504、第一反射镜506、隧道结508、oa层510、p掺杂层512、有源区514、第二反射镜516、接触层518和/或第二金属层520。
81.如图5中进一步示出的，vcsel设备500可以包括多个vcsel发射器522(例如，它们分别与本文关于图1描述的发射器100相同或相似)。多个vcsel发射器522可以共享第一金属层502和基板504，但是每个vcsel发射器522可以通过形成在vcsel设备500上的其他层和/或结构的进一步处理来限定。例如，如图5所示，每个vcsel发射器可以由一对通路(例如，使用化学蚀刻工艺蚀刻的通路)限定，其中每个通路涂覆有隔离层524和第二金属层520(例如，使得第二金属层520的一部分填充通路，并且第二金属层520的一部分设置在vcsel设备500的顶面上。隔离层524可以为第二金属层520提供电绝缘，并且可以包括非导电材料，例如聚合物、聚酰胺和/或另一种类型的介电材料。如图5中进一步所示，对于每个通路，可以从隔离层524移除部分526，以使得与通路相关联的第二金属层520的一部分接触接触层518。这允许电流在第二金属层520(例如，被配置为n-金属阴极)和第一金属层502(例如，
被配置为n-金属阳极)之间流动，这可以导致vcsel发射器522发光(例如，作为输出光束)。例如，vcsel发射器522可以被配置成发射波长在近红外范围内的输出光束(例如，输出光束的波长在1200-1600纳米的范围内)。
82.在图5所示的配置中，每个vcsel发射器522可以被独立驱动(例如，由与每个vcsel发射器522相关联的第二金属层520的各个部分驱动)。因此，对于图5所示的两个vcsel发射器522，并且在特定时刻，两个vcsel发射器522都可以发光，两个vcsel发射器522都可以不发光，或者一个vcsel发射器522可以发光而另一个vcsel发射器522可以不发光。
83.如上所述，图5作为示例提供。其他示例可以与关于图5描述的不同。实际上，者与图5所示的层和/或元件相比，vcsel设备500可以包括额外的层和/或元件、更少的层和/或元件、不同的层和/或元件、或不同地布置的层和/或元件。
84.图6是用于形成vcsel设备(例如，与参考图2-5描述的vcsel设备200、300、400和/或500相同或相似的vcsel设备)的多相生长序列的示例性实施方式600的图。如图6所示，vcsel设备可以通过形成基板602、电流阻挡层604、第一接触层606、第一反射镜608、隧道结610、oa层612、p掺杂层614、有源区616、第二反射镜618和/或第二接触层620来形成。基板602、电流阻挡层604、第一接触层606、第一反射镜608、隧道结610、oa层612、p-掺杂层614、有源区616、第二反射镜618和/或第二接触层620可以与本文结合图1a-1b和2-5描述的相应结构和/或层相同或相似。
85.如图6所示，多相生长序列可以包括mocvd阶段630。在mocvd阶段630期间，mocvd工艺可用于形成外延结构(例如，将成为vcsel设备)的第一部分的一层或多层。例如，如图6所示，mocvd工艺可用于在基板602上形成第一反射镜608，在第一反射镜608上形成隧道结610，在隧道结610上形成oa层612，和/或在oa层612上形成p掺杂层614。在一些实施方式中，mocvd工艺可以用于在基板602上形成第一反射镜608、在第一反射镜608上形成隧道结610、在隧道结610上形成p掺杂层614和/或在p掺杂层614上形成oa层612。
86.如虚线框所示，电流阻挡层604和/或第一接触层606是可选的，并且可以针对特定的外延结构配置来形成(例如，如图3-4所示)。例如，mocvd工艺可用于在基板602上形成电流阻挡层604，在电流阻挡层604上形成第一接触层606，在第一接触层606上形成第一反射镜608。作为另一示例，mocvd工艺可用于在基板602上形成第一接触层606，并在第一接触层606上形成第一反射镜608。在两个示例中，mocvd工艺可用于形成隧道结610、oa层612和/或p掺杂层614，如上所述。附加地或可替代地，mocvd工艺可以用于在有机发光层612之前形成p掺杂层614。例如，mocvd工艺可用于在隧道结610上形成p掺杂层614以及在p掺杂层614上形成oa层612。
87.如图6进一步所示，在mocvd阶段630结束之后，多相生长序列可以包括过渡期(例如，mocvd阶段630之后和mbe阶段640之前的时间)。例如，在过渡期间，由mocvd阶段630形成的外延结构的第一部分可以从mocvd工艺环境(例如，在mocvd阶段630期间使用的)物理移动到分子束外延工艺环境(例如，在mbe阶段640期间使用的)。
88.如图6进一步所示，多相生长序列可以包括mbe阶段640。在mbe阶段640期间，mbe工艺可用于形成外延结构的第二部分的一层或多层。例如，如图6所示，mbe工艺可用于在p掺杂层614上形成有源区616，在有源区616上形成第二反射镜618，和/或在第二反射镜618上形成第二接触层620。因此，在第二mbe阶段640完成之后，形成垂直腔面发射激光器(例如，
包括由mocvd阶段630形成的外延结构的第一部分和/或由mbe阶段640形成的外延结构的第二部分)。
89.在一些实施方式中，可以使用附加的形成工艺(例如，包括mbe工艺、mocvd工艺或另一种形成工艺)在vcsel设备上形成一个或多个金属层(例如，在外延结构的第一部分和外延结构的第二部分形成之后)。例如，附加形成工艺可用于在基板602的表面(例如，底面)上形成第一金属层(图6中未示出)和/或在第二接触层620的表面(例如，顶面)上形成第二金属层(图6中未示出)。在一些实施方式中，额外的形成工艺可用于蚀刻或以其他方式移除外延结构的部分，以允许第一金属层形成在第一接触层606上。第一金属层和/或第二金属层可以与本文结合图1a-1b和2-5描述的相应层相同或相似。
90.如上所述，图6作为示例提供。其他示例可以不同于关于图6所描述的。实际上，与图6所示的层和/或元件相比，多相生长序列可以包括形成额外的层和/或元件、更少的层和/或元件、不同的层和/或元件、或者不同地布置的层和/或元件。
91.前述公开内容提供了说明和描述，但不旨在穷举或将实施方式限制于所公开的精确形式。可以根据上述公开进行修改和变化，或者可以从实施方式的实践中获得修改和变化。此外，这里描述的任何实施方式都可以被组合，除非前述公开明确地提供了一个或多个实施方式不能被组合的理由。
92.即使特征的特定组合在权利要求中被引用和/或在说明书中被公开，这些组合并不旨在限制各种实施方式的公开。事实上，这些特征中的许多可以以权利要求中没有具体叙述和/或说明书中没有公开的方式组合。尽管下面列出的每个从属权利要求可以直接依赖于仅一个权利要求，但是各种实施方式的公开包括每个从属权利要求以及权利要求集中的每个其他权利要求。如这里所使用的，涉及项目列表中的“至少一个”的短语是指那些项目的任何组合，包括单个成员。例如，“a、b或c中的至少一个”意在涵盖a、b、c、a-b、a-c、b-c和a-b-c，以及相同项目的多个的任意组合。
93.除非明确描述，否则这里使用的元件、动作或指令不应被解释为关键或必要的。此外，如本文所用，冠词“一个”旨在包括一个或多个项目，并且可以与“一个或多个”互换使用。此外，如本文所用，冠词“该”旨在包括与冠词“该”相关联的一个或多个项目，并且可以与“该一个或多个”互换使用。此外，如本文所用，术语“集合”旨在包括一个或多个项目(例如，相关项目、不相关项目或相关和不相关项目的组合)，并且可以与“一个或多个”互换使用。当只打算一个项目时，使用短语“只有一个”或类似的语言。此外，如本文所用，术语“有”、“具有”、“包括”等意在是开放式术语。此外，短语“基于”意在表示“至少部分基于”，除非另有明确说明。此外，如本文所用，术语“或”在串联使用时旨在包括在内，并且可以与“和/或”互换使用，除非另有明确说明(例如，如果与“任一”或“仅其中之一”结合使用)。此外，为了便于描述，这里可以使用空间上相对的术语，例如“下”、“下方”、“底部”、“上”、“上方”、“顶部”等，来描述一个元件或特征与图中所示的另一个元件或特征的关系。除了图中所示的方向之外，空间相关术语旨在包括使用或操作中的设备、设备和/或元件的不同方向。该设备可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方向)，并且这里使用的空间相对描述符同样可以相应地解释。
94.相关申请的交叉引用
95.本技术要求2020年12月30日提交的美国临时专利申请63/132,222的优先权，该申
请题为“optimizing growth sequence and performance of dilute nitride based vcsel in hybrid growth sequence(在混合生长序列中优化基于稀氮化物的垂直腔面发射激光器的生长序列和性能)”，其内容通过引用整体结合于此。