电子传输层材料、QLED器件及其制备方法和显示装置与流程

电子传输层材料、qled器件及其制备方法和显示装置
技术领域
1.本发明涉及显示领域，具体地，涉及电子传输层材料及其制备方法、qled器件及其制备方法和显示装置。


背景技术：

2.量子点发光二极管(qled)在新型显示技术领域逐渐受到商业界的青睐，这是源于量子点具有发光的色纯度和稳定性好等相对优异的性能。在量子点发光二极管器件研究领域已经有大量的科研成果呈现，其中电荷在不同功能层的迁移率是qled器件的一个重要的技术参数。相关技术中的qled器件中的多采用金属氧化物纳米颗粒作为电子传输层的制作材料，而在器件中电子的注入和传输效率远大于空穴的注入和传输效率，从而导致器件中发光层的电子/空穴注入不平衡，进而限制器件效率的提升。
3.因此，目前的电子传输层材料及其制备方法、qled器件及其制备方法和显示装置仍有待改进。


技术实现要素：

4.在本发明的一个方面，本发明提出了一种电子传输层材料，包括：掺杂有掺杂元素的金属氧化物，其中，所述掺杂元素包括li和f。由此，可以精确调控电子传输层的电子迁移率。
5.根据本发明的实施例，所述金属氧化物包括zno和nio中的至少之一。由此，可以进一步调控电子传输层的电子迁移率。
6.根据本发明的实施例，所述金属氧化物中所述氟元素的质量分数为25-40％，所述金属氧化物中所述锂元素的质量分数为1-5％。由此，可以进一步调控电子传输层的电子迁移率。
7.在本发明的另一个方面，本发明提出了一种制备前面所述的电子传输层材料的方法，包括：提供溶剂，将金属氧化物加入所述溶剂中以形成第一溶液，将锂源物质和氟源物质加入所述第一溶液中以形成第二溶液，对所述第二溶液进行混合处理以形成第三溶液。由此，可以获得具有较慢电子迁移率的电子传输层材料。
8.根据本发明的实施例，所述溶剂包括乙醇和异丙醇中的至少之一，所述锂源物质为乙酸锂二水合物，所述氟源物质为四甲基氢氧化铵五水合物。由此，可以通过较为简便的方法获得掺杂有掺杂元素的金属氧化物。
9.根据本发明的实施例，所述第二溶液中所述锂源物质的质量分数为1-3％，所述第二溶液中所述氟源物质的质量分数为20-40％。由此，可以精准调控电子传输层的电子迁移率。
10.在本发明的又一个方面，本发明提出了一种制备qled器件的方法，包括：提供基板，所述基板上设置有阳极，所述阳极位于所述基板的一侧，在所述阳极远离所述基板的一侧形成空穴注入层，在所述空穴注入层远离所述阳极的一侧形成空穴传输层，在所述空穴
传输层远离所述空穴注入层的一侧形成发光层，在所述发光层远离所述空穴传输层的一侧形成电子传输层，在所述电子传输层远离所述发光层的一侧形成阴极，其中，形成所述电子传输层的材料为通过前面所述的方法制备得到的电子传输层材料。由此，可以获得一种具有较高发光效率的qled器件。
11.根据本发明的实施例，形成所述空穴注入层进一步包括：在所述阳极远离所述基板的一侧进行第一旋涂处理以形成预成型空穴注入层，对所述预成型空穴注入层进行第一退火处理以形成所述空穴注入层。由此，可以较为简便地获得空穴注入效率较高的空穴注入层。
12.根据本发明的实施例，所述第一旋涂处理的转速为3000-4000rpm，所述第一旋涂处理的时间为45-60s。由此，可以较为简便地获得厚度适中的空穴注入层。
13.根据本发明的实施例，所述第一退火处理的温度为140-160℃，所述第一退火处理的时间为10-20min。由此，可以较为简便地获得性能良好的空穴注入层。
14.根据本发明的实施例，形成所述空穴传输层进一步包括：在所述空穴注入层远离所述阳极的一侧进行第二旋涂处理以形成预成型空穴传输层，对所述预成型空穴传输层进行第二退火处理以形成所述空穴传输层。由此，可以较为简便地获得空穴迁移率较高的空穴传输层。
15.根据本发明的实施例，所述第二旋涂处理的转速为3000-3500rpm，所述第二旋涂处理的时间为40-50s。由此，可以较为简便地获得厚度适中的空穴传输层。
16.根据本发明的实施例，所述第二退火处理的温度为140-160℃，所述第二退火处理的时间为20-40min。由此，可以较为简便地获得性能良好的空穴传输层。
17.根据本发明的实施例，形成所述发光层进一步包括：在所述空穴传输层远离所述空穴注入层的一侧进行第三旋涂处理以形成所述发光层。由此，可以较为简便地获得性能良好的发光层。
18.根据本发明的实施例，所述第三旋涂处理的转速为2000-3000rpm，所述第三旋涂处理的时间为40-50s。由此，可以较为简便地获得厚度适中的发光层。
19.根据本发明的实施例，形成所述电子传输层进一步包括：在所述发光层远离所述空穴传输层的一侧进行第四旋涂处理以形成预成型电子传输层，对所述预成型电子传输层进行第三退火处理以形成所述电子传输层。由此，可以获得电子传输速率较慢的电子传输层。
20.根据本发明的实施例，所述第四旋涂处理的转速为2000-3000rpm，所述第四旋涂处理的时间为40-50s。由此，可以较为简便地获得厚度适中的电子传输层。
21.根据本发明的实施例，所述第三退火处理的温度为70-90℃，所述第三退火处理的时间为20-40min。由此，可以较为简便地获得性能良好的电子传输层。
22.根据本发明的实施例，进一步包括：在所述阴极远离所述电子传输层的一侧形成封装层，形成所述封装层包括：在所述阴极远离所述电子传输层的一侧设置预固化胶层，对所述预固化胶层进行光照处理以形成所述封装层。由此，可通过封装层的设置提高qled器件耐外界水汽干扰的性能。
23.根据本发明的实施例，形成所述预固化胶层的材料为uv树脂，所述光照处理为紫外光照处理，所述紫外光照处理的时间为30s。由此，可较为简便地获得封装性能良好的
qled器件。
24.在本发明的又一个方面，本发明提出了一种qled器件，所述qled器件是通过前面所述的方法制备得到的。因此该qled器件具有前述制备方法的全部特征及优点，在此不再赘述。
25.根据本发明的实施例，所述空穴注入层的材料包括pedot和pvk中的至少之一，所述空穴传输层的材料包括tfb和pma中的至少之一，所述发光层的材料包括zncds、cdse和lnalas中的至少之一。由此，可以进一步提高qled器件的发光效率。
26.在本发明的又一个方面，本发明提出了一种显示装置，包括前面所述的qled器件。由于该qled器件为前述的，因此该显示装置具有前述qled器件的全部特征及优点，在此不再赘述。
附图说明
27.本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
28.图1显示了根据本发明一个实施例的制备电子传输层材料的方法的流程示意图；
29.图2显示了根据本发明一个实施例的制备qled器件的方法的流程示意图；
30.图3显示了根据本发明又一个实施例的制备qled器件的方法的流程示意图；
31.图4显示了根据本发明一个实施例的qled器件的结构示意图；
32.图5显示了根据本发明又一个实施例的qled器件的结构示意图。
33.附图标记说明：
34.100：基板；200：阳极；300：空穴注入层；400：空穴传输层；500：发光层；600：电子传输层；700：阴极；800：封装层。
具体实施方式
35.下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
36.本技术是基于发明人对以下问题的发现而做出的：
37.目前，相关技术中的qled器件通常使用未进行元素掺杂的金属氧化物作为形成电子传输层的材料，发明人发现，由于qled器件通常采用的空穴注入层和空穴传输层材料的空穴迁移率远小于形成电子传输层的金属氧化物的电子迁移率，从而导致在器件中电子的注入和传输效率远大于空穴的注入和传输效率。因为电子和空穴需要在发光层中耦合形成激子，激子辐射跃迁，发出光子，释放能量。而相关技术的qled器件中电子的传输速率又高于空穴的传输速率，使得发光层中载流子数量不平衡，出现电子为多子、空穴为少子的不平衡现象，即发光层处的电子和空穴呈现为不平衡的状态，极大地影响了器件的发光效率。
38.本技术旨在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。
39.在本发明的一个方面，本发明提出了一种电子传输层材料，包括：掺杂有掺杂元素的金属氧化物，其中，掺杂元素包括li和f。通过在金属氧化物中进行锂元素和氟元素的掺杂，有效降低了电子传输层的电子迁移速率，使得发光层中的电子和空穴数量更趋于平衡，
从而有利于提高qled器件的发光效率。
40.为了便于理解，下面对本技术中的电子传输层材料具有前述有益效果的原理进行解释：
41.相关技术中通常采用未进行元素掺杂的金属氧化物纳米颗粒作为电子传输层的材料，如zno等。发明人发现，采用无元素掺杂的zno纳米颗粒作为电子传输层的qled器件中不仅存在电子注入过剩，载流子注入不平衡，发光效率低下的问题，而且zno表面缺陷较多，与量子点层直接接触时，会造成电荷积累，zno表面的缺陷状态会引起发光层的激子解离，进而导致发光层发生猝灭，使得器件的外量子效率(eqe)明显降低。
42.相关技术中通常采用在电子传输层与发光层之间插入缓冲层的方法来降低电子迁移速率，但是该方法难以明显改变zno表面的缺陷状态，zno表面缺陷态造成发光层猝灭的问题无法得到改善。
43.在本技术中，发明人通过在金属氧化物中掺杂适量的li和f，使得金属氧化物的带隙变宽，导带位置上移，增大了电子传输层和阴极界面处的电子注入势垒，使得电子的注入的难度加大，精准调控电子传输层的电子迁移率与器件的空穴迁移率相匹配，对载流子的平衡有一定改善。此外，掺杂元素还有效改善了金属氧化物的表面缺陷态，从而抑制金属氧化物对发光层产生的猝灭现象，使得发光层中的电子和空穴数量更趋于平衡，有效提高了器件的发光效率。
44.根据本发明的一些实施例，金属氧化物的种类不受特别限制，例如，金属氧化物可以包括zno和nio中的至少之一。zno和nio具有良好的晶格结构和电学特性，在室温下属于宽禁带半导体，有较高的激子束缚能，用作qled器件的电子传输层时具有较强的阻挡空穴的效果，且在可见光区的透过率高达90％以上，有助提高qled器件的发光效率。
45.根据本发明的一些实施例，金属氧化物中掺杂元素的比例不受特别限制，例如，金属氧化物中氟元素的质量分数可以为25-40％，金属氧化物中锂元素的质量分数可以为1-5％。当金属氧化物中掺杂元素的比例均位于上述范围内时，形成的电子传输层的电子迁移率与器件的空穴迁移率相匹配；当金属氧化物中掺杂元素的比例均小于上述范围内时，掺杂元素对于金属氧化物的调控效果不明显，形成电子传输层的电子迁移率仍远高于器件的空穴迁移率；当金属氧化物中掺杂元素的比例均大于上述范围内时，电子传输层的电子迁移率过低，不利于阴极的电子经电子传输层向发光层迁移。当掺杂元素中的一个的比例小于上述范围，另一个的比例大于上述范围内时，也会不利于电子的传输，导致电子的传输速率过低，不利于改善器件的性能。
46.在本发明的另一个方面，本发明提出了一种制备前述的电子传输层材料的方法，具体地，参考图1，包括以下步骤：
47.s10：提供溶剂
48.根据本发明的一些实施例，溶剂的种类不受特别限制，只要其能较好的分散金属氧化物纳米颗粒即可，例如，溶剂可以为乙醇和异丙醇中的至少一种。
49.s20：将金属氧化物加入溶剂中
50.根据本发明的一些实施例，在该步骤将金属氧化物加入溶剂中以形成第一溶液，金属氧化物的种类不受特别限制，例如，金属氧化物可以为zno和nio中的至少一种。为了便于金属氧化物更快地均匀分散在溶剂中，可以对第一溶液进行搅拌处理，搅拌处理的温度
可以为室温。
51.s30：将锂源物质和氟源物质加入第一溶液中
52.根据本发明的一些实施例，在步骤通过将锂源物质和氟源物质加入第一溶液中以形成第二溶液，通过锂源和氟源加入使得金属氧化物纳米颗粒中掺杂有适量的li和f，从而改善金属氧化物和表面缺陷态以及电子传输层的电子迁移率。
53.根据本发明的一些实施例，锂源物质和氟源物质的种类不受特别限制，例如，锂源物质可以为乙酸锂二水合物(liac
·
h2o)，氟源物质可以为四甲基氢氧化铵五水合物(tmah)。
54.根据本发明的一些实施例，向第一溶液中加入的锂源物质和氟源物质的比例不受特别限制，只要其加入后可以使得金属氧化物的电子迁移速率与空穴传输层、空穴注入层的空穴迁移率相匹配即可。例如，第二溶液中锂源物质的质量分数可以为1-3％，第二溶液中氟源物质的质量分数可以为20-40％。由此，即可以使得金属氧化物中掺杂的li和f的比例位于适当的范围内，实现电子迁移率的精准调控。
55.s40：对第二溶液进行混合处理
56.根据本发明的一些实施例，混合处理的方法不受特别限制，例如，混合处理的方式可以为搅拌处理，优选地，搅拌处理的时间可以为1h，搅拌处理的温度可以为室温。
57.在本发明的又一个方面，本发明提出了一种制备qled器件的方法，具体地，参考图2，包括以下步骤：
58.s100：提供基板
59.根据本发明的一些实施例，在步骤提供基板，基板的种类不受特别限制，例如，基板可采用导电玻璃，具体地，导电玻璃在使用前可经过预处理，预处理包括：依次采用异丙醇、水、丙酮对导电玻璃进行超声清洗，再对其采用紫外uv处理，处理时间可以为5-10min，由此可有效去除导电玻璃表面残存的油溶性或水溶性杂质，紧接着可以在基板的一侧表面形成阳极，形成阳极的材料不受特别限制，例如，形成阳极的材料可以为ito。由此，即可提供一种设置有阳极的基板，其中阳极位于基板的一侧表面。
60.s200：在阳极远离基板的一侧形成空穴注入层
61.根据本发明的一些实施例，在该步骤中，在阳极远离基板的一侧形成空穴注入层。形成空穴注入层的方法不受特别限制，例如，可以在阳极远离基板的一侧进行第一旋涂处理以形成预成型空穴注入层，对预成型空穴注入层进行第一退火处理以形成空穴注入层。由此，在外加电场的作用下，空穴可以从阳极注入空穴注入层。
62.根据本发明的一些实施例，第一旋涂处理的转速的转速和时间不受特别限制，例如，第一旋涂处理的转速可以为3000-4000rpm，第一旋涂处理的时间可以为45-60s。由此，可以较为简便地获得厚度适中的空穴注入层。
63.根据本发明的一些实施例，第一退火处理的温度和时间不受特别限制，例如，第一退火处理的温度可以为140-160℃，第一退火处理的时间可以为10-20min。由此，可以较为简便地获得空穴注入效率较高的空穴注入层。
64.根据本发明的一些实施例，形成空穴注入层的材料不受特别限制，例如，形成空穴注入层的材料可以为pedot、pvk或者其它商业化适用于空穴注入层的化合物。
65.s300：在空穴注入层远离阳极的一侧形成空穴传输层
66.根据本发明的一些实施例，在步骤中，在空穴注入层远离阳极的一侧形成空穴传输层。形成空穴传输层的方法不受特别限制，例如，可以在空穴注入层远离阳极的一侧进行第二旋涂处理以形成预成型空穴传输层，对预成型空穴传输层进行第二退火处理以形成空穴传输层。由此，以便空穴注入层的空穴经空穴传输层向发光层迁移。
67.根据本发明的一些实施例，第二旋涂处理的转速和时间不受特别限制，例如，第二旋涂处理的转速可以为3000-3500rpm，第二旋涂处理的时间可以为40-50s。由此，可以较为简便地获得厚度适中的空穴传输层。
68.根据本发明的一些实施例，第二退火处理的温度和时间不受特别限制，例如，第二退火处理的温度为140-160℃，第二退火处理的时间为20-40min。由此，可以较为简便地获得空穴传输效率较高的空穴传输层。
69.根据本发明的一些实施例，形成空穴传输层的材料不受特别限制，例如，形成空穴传输层的材料可以为tfb、pma或者其它商业化适用于空穴传输层的化合物。
70.s400：在空穴传输层远离空穴注入层的一侧形成发光层
71.根据本发明的一些实施例，因为电子和空穴需要在发光层中耦合形成激子，激子辐射跃迁，发出光子，释放能量。而电子的传输速率又高于空穴的传输速率，使得发光层中载流子数量不平衡，出现电子为多子、空穴为少子的不平衡现象。在本技术中，在该步骤中在空穴传输层远离空穴注入层的一侧形成发光层，其中，形成发光层的材料可以为量子点发光材料。
72.根据本发明的一些实施例，形成发光层的方法不受特别限制，例如，可以在空穴传输层远离空穴注入层的一侧进行第三旋涂处理以形成发光层。根据本发明的一些实施例，第三旋涂处理的转速和时间不受特别限制，例如，第三旋涂处理的转速可以为2000-3000rpm，第三旋涂处理的时间可以为40-50s。由此，可以较为简便地获得厚度适中的发光层。
73.根据本发明的一些实施例，形成发光层的材料不受特别限制，例如，形成发光层的材料可以为zncds、cdse、lnalas或者其它商业化适用于发光层的化合物。
74.s500：在发光层远离空穴传输层的一侧形成电子传输层
75.根据本发明的一些实施例，在该步骤中在发光层远离空穴传输层的一侧形成电子传输层，形成电子传输层的材料可以为通过前述的方法制备得到的电子传输层材料，在此不再赘述。
76.根据本发明的一些实施例，形成电子传输层的方法不受特别限制，例如，可以在发光层远离空穴传输层的一侧进行第四旋涂处理以形成预成型电子传输层，对预成型电子传输层进行第三退火处理以形成电子传输层。由此，可以获得电子传输速率较慢的电子传输层。
77.根据本发明的一些实施例，第四旋涂处理的转速和时间不受特别限制，例如，第四旋涂处理的转速可以为2000-3000rpm，第四旋涂处理的时间可以为40-50s。由此，可以较为简便地获得厚度适中的电子传输层。
78.根据本发明的一些实施例，第三退火处理的温度和时间不受特别限制，例如，第三退火处理的温度可以为70-90℃，第三退火处理的时间可以为20-40min。由此，以便阴极的电子经电子传输层向有机发光层迁移。
79.s600：在电子传输层远离发光层的一侧形成阴极
80.根据本发明的一些实施例，在该步骤中在电子传输层远离发光层的一侧形成阴极，形成阴极的材料不受特别限制，例如，形成阴极的材料可以为al膜或izo膜。具体地，可通过真空蒸镀工艺形成al膜，或通过磁控溅射工艺形成izo膜。
81.为了避免外界水汽进入qled器件内部，提高qled器件的使用寿命，参考图3，制备qled器件的步骤可以进一步包括：
82.s700：在阴极远离电子传输层的一侧形成封装层
83.根据本发明的一些实施例，在该步骤中在阴极远离电子传输层的一侧形成封装层，形成封装层的方法不受特别限制，例如，可以在阴极远离电子传输层的一侧设置预固化胶层，对预固化胶层进行光照处理以形成封装层。通过封装层的设置可以有效阻隔外界水氧对于qled器件内部结构的侵蚀，提高qled的结构稳定性和耐用性。
84.根据本发明的一些实施例，形成预固化胶层的材料种类不受特别限制，例如，形成预固化胶层的材料可以为uv树脂，从而可以通过紫外光照处理使其固化。紫外光照处理的时间可以为30s。由此，可较为简便地获得封装性能良好的qled器件。
85.在本发明的又一个方面，本发明提出了一种qled器件，该qled器件是通过前述的方法制备得到的。因此该qled器件具有前述制备方法的全部特征及优点，在此不再赘述。
86.根据本发明的一些实施例，参考图4，该qled器件包括：基板100，基板100上设置有阳极200，阳极200位于基板100的一侧，空穴注入层300，空穴注入层300位于阳极200远离基板100的一侧，空穴传输层400，空穴传输层400位于空穴注入层300远离阳极200的一侧，发光层500，发光层500位于空穴传输层400远离空穴注入层300的一侧，电子传输层600，电子传输层600位于发光层500远离空穴传输层400的一侧，阴极700，阴极700位于电子传输层600远离发光层500的一侧，其中，电子传输层600的材料为通过前述的方法制备得到的电子传输层材料。
87.根据本发明的一些实施例，qled器件的结构不受特别限制，例如，参考图5，在阴极700远离电子传输层600的一侧，还可以具有封装层800，通过封装层的设置可以有效阻隔外界水氧对于qled器件内部结构的侵蚀，提高qled的结构稳定性和耐用性。
88.根据本发明的一些实施例，qled器件中各层的材料不受特别限制，例如，空穴注入层的材料可以包括pedot，空穴传输层的材料可以包括tfb，发光层的材料可以包括zncds。由此，可以进一步提高qled器件的发光效率。
89.在本发明的又一个方面，本发明提出了一种显示装置，该显示装置包括前述的qled器件。因此该显示装置具有前述qled器件的全部特征及优点，在此不再赘述。
90.下面通过具体的实施例对本技术的方案进行说明，需要说明的是，下面的实施例仅用于说明本技术，而不应视为限定本技术的范围。实施例中未注明具体技术或条件的，按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市购获得的常规产品。
91.实验例1：
92.1、制备电子传输层材料：
93.(1)第一溶液的制备：以乙醇为溶剂，zno为金属氧化物，配置浓度为30mg/ml的zno乙醇溶液以备用。
94.(2)第二溶液的制备：将乙酸锂二水合物和四甲基氢氧化铵五水合物分别以li(2wt％)、f(35wt％)的比例加入前述的浓度为30mg/ml的zno溶液中。
95.(3)第三溶液的制备：将第二溶液在室温条件下连续搅拌1h后过滤以备用。
96.2、制备qled器件：
97.(1)提供厚度1mm的透明玻璃基板，玻璃基板的表面沉积有方阻为30ω/sq的ito电极，下称为ito基片。
98.(2)在ito基片上旋涂pedot溶液，随后进行退火处理，以形成空穴注入层。第一旋涂处理的转速为3000rpm，第一旋涂处理的时间为45s，第一退火处理温度为150℃，第一退火处理时间为15min。
99.(3)在空穴注入层上旋涂10mg/ml的tfb溶液(溶剂为氯苯)，随后进行退火处理，以形成空穴传输层。第二旋涂处理的转速为3500rpm，第二旋涂处理的时间为50s，第二退火处理的温度为150℃，第二退火处理的时间为30min。
100.(4)在空穴传输层上旋涂20mg/ml的zncds量子点(溶剂为oct)，以形成发光层。第三旋涂处理的转速为2000-3000rpm，第三旋涂处理的时间为45s。
101.(5)在发光层上旋涂前述制得的电子传输层材料，随后进行退火处理，以形成电子传输层。第四旋涂处理的转速为2500rpm，第四旋涂处理的时间为40s，第三退火处理的温度为80℃，第三退火处理的时间为30min。
102.(6)将步骤(5)中的旋涂好的器件放入蒸镀设备，以2埃/秒的速率蒸镀形成al电极，以形成阴极。
103.(7)在ito基片的旋涂面中心区域滴加uv树脂，盖玻片挤压至厚度均匀后，进行uv光照以形成封装层。紫外光照处理的时间为30s。
104.实施例2-4
105.实施例2-4与实施例1保持一致，用于设置平行实验减少偶然误差。
106.对比例1
107.对比例1与实施例1保持一致，所不同的是，对比例1中形成电子传输层的zno醇溶液中未加入锂源和氟源，即未进行步骤1中的(2)步骤，直接采用30mg/ml的zno醇溶液进行旋涂形成电子传输层。
108.对比例2-4
109.对比例2-4与对比例1保持一致，用于设置平行实验减少偶然误差。
110.对实施例1-4以及对比例1-4中的qled器件的eqe(外量子效率)进行测试，测试结果参见表1。
111.表1
[0112] 对比例1对比例2对比例3对比例4平均值eqe7.83％8.55％7.90％7.80％8.02％ 实施例1实施例2实施例3实施例4平均值eqe13.55％14.00％13.85％14.20％13.90％
[0113]
参见表1可知，qled器件的eqe由的8.02％提升至13.90％。这表明通过在金属氧化物中掺杂适量的li和f，可以使得金属氧化物的带隙变宽，导带位置上移，增大电子传输层和阴极界面处的电子注入势垒，使得电子的注入的难度加大，精准调控电子传输层的电子
迁移率与器件的空穴迁移率相匹配，有效改善载流子的平衡。本技术中所提出的电子传输层材料的改进方法简单易行，改善效果明显。
[0114]
在本发明的描述中，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明而不是要求本发明必须以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
[0115]
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“另一个实施例”等的描述意指结合该实施例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。另外，需要说明的是，本说明书中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。
[0116]
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。