驱动装置的制作方法

1.本公开涉及一种驱动装置，且特别涉及一种应用于发光二极管显示器的驱动电路。


背景技术：

2.现今常见的发光二极管显示器的驱动电路，在像素设计上，驱动晶体管的栅极端与接收数据信号的金属层间容易有寄生电容，当数据信号的电压变化时，容易通过寄生电容将电压变化耦合至驱动晶体管的栅极端，而造成面板的亮度受到影响。


技术实现要素：

3.发明内容旨在提供本公开内容的简化摘要，以使阅读者对本公开内容具备基本的理解。此发明内容并非本公开内容的完整概述，且其用意并非在指出本公开实施例的重要/关键元件或界定本公开的范围。
4.本公开内容的一技术实施方式涉及一种驱动装置，其包含基板、第一金属线及第二金属线。第一金属线位于第一金属层，并耦接于晶体管与电容。第二金属线位于第二金属层，并用以接收参考信号，其中第一金属线与第二金属线在垂直于驱动装置的平面的方向上重叠。
5.因此，根据本公开的技术内容，本公开实施例所示的驱动装置得以减少金属层间的寄生电容对于驱动晶体管的影响，以达到面板的亮度稳定的效果。
6.在参阅下文实施方式后，本公开所属技术领域中技术人员当可轻易了解本公开的基本构思及其他发明目的，以及本公开所采用的技术手段与实施方式。
附图说明
7.为让本公开的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，说明书附图的说明如下：
8.图1是依照本公开一实施例示出一种驱动装置的详细电路图。
9.图2是依照本公开一实施例示出一种驱动装置的详细电路图。
10.图3是依照本公开一实施例示出一种如图2所示的驱动装置的结构俯视图。
11.图4是依照本公开一实施例示出一种驱动装置的结构俯视图。
12.图5是依照本公开一实施例示出一种驱动装置的结构俯视图。
13.根据惯常的作业方式，图中各种特征与元件并未依比例绘制，其绘制方式是为了以最佳的方式呈现与本公开相关的具体特征与元件。此外，在不同附图间，以相同或相似的元件符号来指称相似的元件/部件。
14.附图标记说明：
15.100,100a,300,400,500：驱动装置
16.310,410,510：基板
17.320,420,520：第一金属线
18.330,430,540：第二金属线
19.340,440,550：第三金属线
20.530：第一绝缘层
21.vdata：数据信号
22.vref：参考信号
23.em,at,cs,rs,ws,vdd：信号
24.t1～t8：晶体管
25.c1,c2：电容
26.cgd：寄生电容
27.cx：寄生电容
28.t1_g：栅极端
29.q1：节点
30.v1,v2：贯通孔
具体实施方式
31.为了使本公开内容的叙述更加详尽与完备，下文针对了本公开的实施方式与具体实施例提出了说明性的描述；但这并非实施或运用本公开具体实施例的唯一形式。实施方式中涵盖了多个具体实施例的特征以及用以建构与操作这些具体实施例的方法步骤与其顺序。然而，亦可利用其他具体实施例来实现相同或均等的功能与步骤顺序。
32.除非本说明书另有定义，此处所用的科学与技术词汇的含义与本公开所属技术领域中技术人员所理解与惯用的意义相同。此外，在不和上下文冲突的情形下，本说明书所用的单数名词涵盖该名词的复数型；而所用的复数名词时亦涵盖该名词的单数型。
33.另外，关于本文中所使用的“耦接”，可指二或多个元件相互直接作实体或电性接触，或是相互间接作实体或电性接触，亦可指二或多个元件相互操作或动作。
34.图1是依照本公开一实施例示出一种驱动装置的详细电路图。如图所示，于本公开一实施例公开的驱动装置100中，寄生电容cgd耦接于驱动晶体管t1的栅极端t1_g，且寄生电容cgd耦合数据信号vdata至驱动晶体管t1的栅极端t1_g。举例而言，数据信号vdata可以是变动电压源，然而数据信号vdata所变动的电压差值会一并通过寄生电容cgd耦合至驱动晶体管t1的栅极端t1_g，导致栅极端t1_g所接收到的电压不稳定，但本公开不以此为限。
35.图2是依照本公开一实施例示出一种驱动装置的详细电路图。如图所示，本公开一实施例公开的驱动装置100a中，寄生电容cx耦接于驱动晶体管t1的栅极端t1_g，且寄生电容cx用以耦合参考信号vref至驱动晶体管t1的栅极端t1_g。举例而言，参考信号vref可以是稳定电压源或接地，故参考信号vref没有变动的电压差值，故经由寄生电容cx耦合至驱动晶体管t1的栅极端t1_g的电压为稳定电压，但本公开不以此为限。
36.图3是依照本公开一实施例示出一种如图2所示的驱动装置的结构俯视图。如图所示，驱动装置300包含基板310、第一金属线320及第二金属线330。于连接关系上，第一金属线320位于第一金属层，并耦接于晶体管t1与电容c1，第二金属线330位于第二金属层，且第一金属线320与第二金属线330在垂直于驱动装置300的平面(例如xy平面)的方向(例如与
xy平面垂直的z方向)上重叠。
37.举例而言，基板310可以是任何半导体，例如，非晶硅(amorphous silicon,a-si)、氧化铟镓锌(indium gallium zinc oxide,igzo)及低温多晶硅(low temperature poly-silicon,ltps)，但本公开不以此为限。
38.为减少金属层间的寄生电容对于驱动晶体管的影响，以达到面板的亮度稳定的技术，本公开提供如图3所示的驱动装置300的相关操作详细说明如下所述。
39.请一并参阅图2及图3，在一实施例中，第二金属线330用以接收参考信号vref。举例而言，参考信号vref可以是稳定电压或接地，故参考信号vref没有变动的电压差值，故经由寄生电容cx耦合至驱动晶体管t1的栅极端t1_g的电压为稳定电压，但本公开不以此为限。
40.请参阅图3，在一实施例中，第一金属线320与第二金属线330在垂直于驱动装置300的平面的方向上部分重叠。
41.请一并参阅图2及图3，在一实施例中，驱动装置300还包含第三金属线340，第三金属线340位于第二金属层，并用以接收数据信号vdata，且数据信号vdata经由第三金属线340传递至电容c1，而数据信号vdata经由电容c1耦合至晶体管t1。
42.在一实施例中，第三金属线340与第二金属线330在垂直于驱动装置300的平面的方向上不重叠。
43.在一实施例中，第二金属线330与第三金属线340平行且相距一距离。
44.请参阅图3，在一实施例中，驱动装置300包含基板310、第一金属线320所位于的第一金属层、第一绝缘层(图中未示)、贯通孔v2、第二金属线330所位于的第二金属层、第二绝缘层(图中未示)。于连接关系上，第一金属层位于基板310上方，第一绝缘层堆叠于第一金属层上方，第二金属层通过贯通孔v2贯通第一绝缘层耦接于第一金属层，第二绝缘层堆叠于第二金属层上方。
45.图4是依照本公开一实施例示出一种驱动装置的结构俯视图。如图所示，驱动装置400包含基板410、第一金属线420及第二金属线430。于连接关系上，第一金属线420位于第一金属层，并耦接于晶体管t1与电容c1，第二金属线430位于第二金属层，且第一金属线420与第二金属线430在垂直于驱动装置400的平面(例如xy平面)的方向(例如与xy平面垂直的z方向)上不重叠。
46.举例而言，基板410可以是任何半导体，例如，非晶硅(amorphous silicon,a-si)、氧化铟镓锌(indium gallium zinc oxide,igzo)及低温多晶硅(low temperature poly-silicon,ltps)，但本公开不以此为限。
47.在操作上，在一实施例中，第二金属线430用以接收数据信号vdata。举例而言，数据信号vdata可以为变动电压源，然而，由于第一金属线420与第二金属线430在垂直于驱动装置400的平面的方向上不重叠，所以第一金属线420与第二金属线430间的寄生电容很小，故数据信号vdata所变动的电压差值不会通过寄生电容耦合至晶体管t1的栅极端t1_g，但本公开不以此为限。
48.请一并参阅图1与图4，在一实施例中，数据信号vdata经由第二金属线430传递至电容c1，而数据信号vdata经由电容c1耦合至晶体管t1。
49.请参阅图4，在一实施例中，驱动装置400还包含第三金属线440，第三金属线440位
于第二金属层，并用以接收参考信号vref，且第三金属线440的形状与第二金属线430相同。举例而言，第二金属线430的形状可以为弯折走线的设计，第三金属线340的形状也可以与第二金属线430的形状相同，同样为弯折走线的设计，通过第二金属线430的弯折走线的设计，可使第一金属线420与第二金属线430在垂直于驱动装置400的平面的方向上不重叠，但本公开不以此为限。
50.在一实施例中，驱动装置400包含基板410、第一金属线420所位于的第一金属层、第一绝缘层(图中未示)、贯通孔v2、第二金属线430所位于的第二金属层、第二绝缘层(图中未示)。于连接关系上，第一金属层位于基板410上方，第一绝缘层堆叠于第一金属层上方，第二金属层通过贯通孔v2贯通第一绝缘层耦接于第一金属层，第二绝缘层堆叠于第二金属层上方。
51.举例而言，第一金属线420可以位于第一金属层，并耦接于晶体管t1与电容c1，第二金属线430可以位于第二金属层，且第一金属线420与第二金属线430在垂直于驱动装置400的平面的方向上不重叠，但本公开不以此为限。
52.图5是依照本公开一实施例示出一种驱动装置的结构俯视图。如图所示，驱动装置500包含基板510、第一金属线520、第一绝缘层530及第二金属线540。于连接关系上，第一金属线520位于第一金属层，并耦接于晶体管t1与电容c1，第一绝缘层530设置于第一金属层之上，第二金属线540位于第二金属层，且设置于第一绝缘层530之上，且第一金属线520、第一绝缘层530与第二金属线540在垂直于驱动装置400的平面(例如xy平面)的方向(例如与xy平面垂直的z方向)上重叠。在一实施例中，第一绝缘层530设置于第一金属线520及第二金属线540之间，本公开可通过第一绝缘层530以隔绝第一金属线520及第二金属线540之间的电性关系，使得第一金属线520及第二金属线540之间的寄生电容变小。
53.举例而言，基板510可以是任何半导体，例如，非晶硅(amorphous silicon,a-si)、氧化铟镓锌(indium gallium zinc oxide,igzo)及低温多晶硅(low temperature poly-silicon,ltps)，但本公开不以此为限。
54.在操作上，在一实施例中，第二金属线540用以接收数据信号vdata。举例而言，数据信号vdata可以为变动电压源，第一绝缘层530可以为加厚的绝缘层，由于第一金属线520与第二金属线540之间的加厚的绝缘层530可以将第一金属线520与第二金属线540的距离拉大，所以第一金属线520与第二金属线540间的寄生电容很小，故数据信号vdata所变动的电压差值不会通过寄生电容耦合至晶体管t1的栅极端t1_g，但本公开不以此为限。
55.请一并参阅图2及图5，在一实施例中，数据信号vdata经由第二金属线540传递至电容c1，而数据信号vdata经由电容c1耦合至晶体管t1。
56.请参阅图5，在一实施例中，驱动装置500包含基板510、第一金属线520所位于的第一金属层、第一绝缘层530、贯通孔v2、第二金属线540所位于的第二金属层、第二绝缘层(图中未示)。于连接关系上，第一金属层位于基板上方，第一绝缘层530堆叠于第一金属层上方，第二金属层通过贯通孔v2贯通第一绝缘层耦接于第一金属层，第二绝缘层堆叠于第二金属层上方。
57.举例而言，第一金属线520可以位于第一金属层，并耦接于晶体管t1与电容c1，第二金属线540可以位于第二金属层，且第一金属线520、第一绝缘层530与第二金属线540在垂直于驱动装置的平面的方向上重叠，但本公开不以此为限。
58.由上述本公开实施方式可知，应用本公开具有下列优点。本公开实施例所示的驱动装置得以减少金属层间的寄生电容对于驱动晶体管的影响，以达到面板的亮度稳定的效果。
59.虽然上文实施方式中公开了本公开的具体实施例，然其并非用以限定本公开。请注意，前揭附图中，元件的形状、尺寸及比例等仅为示意，是供本公开所属技术领域技术人员了解本公开之用，非用以限制本公开。本公开所属技术领域中技术人员，在不悖离本公开的原理与构思的情形下，当可对其进行各种变动与修饰，因此本公开的保护范围当以附随权利要求所界定者为准。