显示装置和制造该显示装置的方法与流程

显示装置和制造该显示装置的方法
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求2020年12月28日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2020-0185213号的优先权和权益，其公开内容通过引用整体并入本文。
技术领域
3.一个或多个实施例的方面涉及一种显示装置和一种制造该显示装置的方法。


背景技术：

4.近来，显示装置的各种用途和应用已经变得更加多样化。此外，随着显示装置已经变得更薄且更轻，它们的潜在使用范围逐渐扩大。
5.随着显示装置中被显示区域占据的面积的扩大，已经添加了与显示装置组合或关联的各种功能。为了在扩大面积的同时添加各种功能，正在对包括显示区域中的开口的显示装置进行研究。
6.在本背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对背景技术的理解，并且因此，在本背景技术部分中讨论的信息不一定构成现有技术。


技术实现要素：

7.一个或多个实施例的方面涉及一种其中通过激光剥离工艺去除在开口周围的有机材料的显示装置以及一种制造该显示装置的方法。
8.在具有开口的显示装置中，诸如湿气或其他污染物等的异物可能穿透开口的侧表面并且损坏显示元件。一个或多个实施例包括一种具有被配置为防止或减少湿气通过开口传输的结构的显示装置以及一种制造该显示装置的方法。然而，这样的技术问题是示例，并且根据本公开的实施例不限于此。
9.附加的方面将在以下的描述中部分地阐述，并且部分地将从描述中显而易见，或者可以通过本公开所呈现的实施例的实践而习得。
10.根据一个或多个实施例，一种显示装置，包括：基板，该基板包括开口区域、显示区域和非显示区域，显示区域围绕开口区域，并且非显示区域在开口区域和显示区域之间；以及显示元件，该显示元件设置在显示区域中并且包括顺序堆叠的第一电极、发射层和第二电极，其中，第二电极从显示区域延伸到非显示区域，并且包括由第二电极的面对并且围绕开口区域的边缘限定的第二电极孔，并且从开口区域的中心到第二电极的边缘的第一部分的第一距离与从开口区域的中心到第二电极的边缘的第二部分的第二距离不同。
11.根据一些实施例，在平面图中，第二电极的边缘可以包括至少一个台阶差。
12.根据一些实施例，第二电极的边缘可以进一步包括第三部分，该第三部分与第一部分和第二部分中的每一个交叉，并且与第一部分和第二部分中的每一个相交。
13.根据一些实施例，该显示装置可以进一步包括：设置在非显示区域中并且围绕开口区域的挡坝部分，其中，从挡坝部分的面对开口区域的内表面到第一部分的第三距离可
以与从挡坝部分的面对开口区域的内表面到第二部分的第四距离不同。
14.根据一些实施例，该显示装置可以进一步包括：包括第一功能层和第二功能层中的至少一个的功能层，该第一功能层在第一电极和发射层之间，并且该第二功能层在发射层和第二电极之间，其中，该功能层可以从显示区域延伸到非显示区域并且包括功能层孔，该功能层孔由功能层的面对并且围绕开口区域的边缘限定，并且功能层孔的形状可以与第二电极孔的形状相同。
15.根据一些实施例，该显示装置可以进一步包括：覆盖显示元件并且包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层的封装层，其中，第一无机封装层和第二无机封装层可以从显示区域延伸到非显示区域以与第二电极孔重叠。
16.根据一些实施例，该显示装置可以进一步包括：在基板和显示元件之间的无机绝缘层，其中，第一无机封装层可以在第二电极孔中接触无机绝缘层。
17.根据一些实施例，在平面图中，第二电极的限定第二电极孔的边缘可以包括多个台阶差。
18.根据一些实施例，从开口区域的中心到第二电极的限定第二电极孔的边缘的距离可以在第二电极孔的圆周方向上减小。
19.根据一些实施例，该显示装置可以进一步包括与开口区域重叠的部件。
20.根据一个或多个实施例，一种制造显示装置的方法，包括：在基板之上形成牺牲层图案，该基板包括第一区域和围绕第一区域的第二区域，该牺牲层图案与第一区域重叠并且包括面对第二区域的边缘；在第二区域中形成第一电极；在第一电极和牺牲层图案上形成功能层和第二电极，该功能层包括第一功能层和第二功能层中的至少一个；以及将激光照射到牺牲层图案，其中，从第一区域的中心到牺牲层图案的边缘的第一边缘部分的第一距离与从第一区域的中心到牺牲层图案的边缘的第二边缘部分的第二距离不同。
21.根据一些实施例，在平面图中，牺牲层图案的边缘可以包括至少一个台阶差。
22.根据一些实施例，牺牲层图案的边缘可以进一步包括第三边缘部分，该第三边缘部分与第一边缘部分和第二边缘部分中的每一个交叉，并且与第一边缘部分和第二边缘部分中的每一个相交，其中，该方法可以进一步包括：选择牺牲层图案的设置在第一边缘部分和第三边缘部分之间的部分作为起点和终点中的一个并且照射激光。
23.根据一些实施例，第一区域的中心和激光的照射路径之间的距离可以在牺牲层图案的圆周方向上减小。
24.根据一些实施例，激光的照射可以包括沿着螺旋照射路径照射激光。
25.根据一些实施例，该方法可以进一步包括：去除与牺牲层图案重叠的第二电极以形成第二电极孔，以及去除与牺牲层图案重叠的功能层以形成功能层孔。
26.根据一些实施例，该方法可以进一步包括：在第二电极上形成封装层，该封装层包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层，其中，第一无机封装层和第二无机封装层可以与第二电极孔和功能层孔重叠。
27.根据一些实施例，在平面图中，牺牲层图案的边缘可以包括多个台阶差。
28.根据一些实施例，从第一区域的中心到牺牲层图案的边缘的距离可以在牺牲层图案的边缘的圆周方向上减小。
29.根据一些实施例，该方法可以进一步包括：在基板中形成开口区域，该开口区域与
第一区域重叠。
附图说明
30.本公开的某些实施例的以上和其他方面、特征和特性将从结合附图的以下描述中更显而易见，在附图中：
31.图1是根据一些实施例的显示装置的透视图；
32.图2是根据一些实施例的显示装置的截面图；
33.图3是根据一些实施例的显示面板的平面图；
34.图4是根据一些实施例的显示面板的像素的等效电路图；
35.图5是根据一些实施例的显示面板的一部分的平面图；
36.图6a至图6c是根据一些实施例的显示面板的一部分的平面图；
37.图7a是根据一些实施例的显示面板的沿着图6a的线b-b'截取的截面图；
38.图7b是根据一些实施例的显示面板的沿着图6a的线c-c'截取的截面图；
39.图8是根据一些实施例的显示面板的沿着图6a的线b-b'截取的截面图；
40.图9a至图9c是根据一些实施例的基板和牺牲层图案的平面图；
41.图10a是根据一些实施例的基板和牺牲层图案的沿着图9a的线d-d'截取的截面图；
42.图10b是根据一些实施例的基板和牺牲层图案的沿着图9a的线e-e'截取的截面图；
43.图11a是示出根据一些实施例的制造显示装置的方法的平面图；
44.图11b是根据一些实施例的基板和牺牲层图案的沿着图11a的线f-f'截取的截面图；
45.图12a是示出根据一些实施例的制造显示装置的方法的平面图；
46.图12b是根据一些实施例的基板和牺牲层图案的沿着图12a的线g-g'截取的截面图；
47.图13a是示出根据一些实施例的制造显示装置的方法的平面图；
48.图13b是根据一些实施例的基板和牺牲层图案的沿着图13a的线h-h'截取的截面图；
49.图14是根据一些实施例的基板和牺牲层图案的沿着图13a的线h-h'截取的截面图；
50.图15a是示出根据一些实施例的制造显示装置的方法的平面图；
51.图15b是根据一些实施例的基板和牺牲层图案的沿着图15a的线i-i'截取的截面图；并且
52.图16a和图16b是根据要与实施例进行比较的比较例的基板和牺牲层图案的平面图。
具体实施方式
53.现在，将更详细地参考在附图中图示的一些实施例的方面，其中，贯穿全文，相同的附图标记指代相同的元件。就此而言，本示例实施例可以具有不同的形式，并且不应被解
释为限于本文阐述的描述。因此，下面仅通过参考各图来描述实施例，以解释本描述的各方面。如本文所使用的，术语“和/或”包括关联的所列项中的一个或多个的任何和全部组合。贯穿本公开，表述“a、b和c中的至少一个”指示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c中的所有或者其变体。
54.由于本公开允许各种变化和众多实施例，某些实施例将在附图中图示并且在书面描述中描述。将参考下面参考附图详细地描述的实施例阐明本公开的效果和特征以及用于实现它们的方法。然而，本公开不限于以下实施例，并且可以以各种形式体现。
55.在下文中，将参考附图描述一些实施例的方面，其中，贯穿全文，相同的附图标记指代相同的元件，并且省略了其重复描述。
56.虽然诸如“第一”和“第二”的术语可以用于描述各种部件，但是这样的部件决不限于以上术语。以上术语用于区分一个部件与另一部件。
57.如本文所使用的单数形式“一”、和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。
58.将理解，如本文所使用的术语“包括”和/或“包含”指定了所述特征或部件的存在，但是不排除一个或多个其他特征或部件的添加。
59.将进一步理解，当层、区域或部件被称为在另一层、区域或部件“上”时，它可以直接或间接在该另一层、区域或部件上。也就是说，例如，可以存在居间层、区域或部件。
60.为了便于解释，可以夸大或缩小附图中元件的尺寸。例如，因为为了便于解释而任意地图示了附图中元件的尺寸和厚度，所以本公开不限于此。
61.当可以不同地实现实施例时，特定工艺顺序可以不同于所描述的顺序而执行。例如，两个连续描述的工艺可以基本同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行。
62.将理解，当层、区域或部件被称为“连接”到另一层、区域或部件时，它可以“直接连接”到该另一层、区域或部件，或者可以“间接连接”到该另一层、区域或部件而其他层、区域或部件插入在其间。例如，将理解，当层、区域或部件被称为“电连接”到另一层、区域或部件时，它可以“直接电连接”到该另一层、区域或部件，或者可以“间接电连接”到该另一层、区域或部件而其他层、区域或部件插入在其间。
63.显示装置是用于显示图像的装置，并且可以包括诸如游戏控制台、多媒体装置和超微型个人计算机的便携式电子装置。显示装置可以包括液晶显示器、电泳显示器、有机发光显示器、无机发光显示器、场发射显示器、表面传导电子发射显示器、量子点显示器、等离子体显示器和阴极射线显示器。在下文中，尽管有机发光显示装置被描述为根据一些实施例的显示装置的示例，但是显示装置的实施例可以是其他类型的显示装置。
64.图1是根据一些实施例的显示装置1的透视图。
65.参考图1，显示装置1可以包括显示区域da、非显示区域nda和开口区域oa。显示区域da可以被配置为发光。多个像素可以被设置在显示区域da中。显示装置1可以使用从多个像素发射的光来显示图像。非显示区域nda可以不发光。非显示区域nda可以与显示区域da邻近。
66.开口区域oa可以被显示区域da至少部分地围绕。根据一些实施例，开口区域oa可以被显示区域da完全围绕。
67.非显示区域nda可以包括第一非显示区域nda1和第二非显示区域nda2。第一非显
示区域nda1可以围绕开口区域oa。第二非显示区域nda2可以至少部分地围绕显示区域da。根据一些实施例，第一非显示区域nda1可以完全围绕开口区域oa。显示区域da可以完全围绕第一非显示区域nda1。第二非显示区域nda2可以完全围绕显示区域da。
68.图2是根据一些实施例的显示装置1的截面图。图2可以与根据一些实施例的显示装置1的沿着线a-a'截取的截面图相对应。
69.参考图2，显示装置1可以包括显示面板10、覆盖窗20和部件30。显示面板10可以显示图像。显示面板10可以包括设置在显示区域da中的像素。像素可以每个包括显示元件和连接到其的像素电路。显示元件可以包括有机发光二极管、无机发光二极管或量子点发光二极管。在下文中，主要描述了显示元件包括有机发光二极管的情况。
70.显示面板10可以包括基板100和设置在基板100上的多层。在这种情况下，显示区域da、第一非显示区域nda1和开口区域oa可以被限定在基板100和/或多层中。作为示例，基板100可以包括显示区域da、第一非显示区域nda1和开口区域oa。在下文中，主要详细地描述了显示区域da、第一非显示区域nda1和开口区域oa被限定在基板100中的情况。
71.根据一些实施例，显示面板10可以包括基板100、显示层dsl、封装层enl、触摸传感器层tsl和光学功能层ofl。基板100可以包括玻璃或聚合物树脂，聚合物树脂诸如聚醚砜、聚芳酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素和乙酸丙酸纤维素。根据一些实施例，基板100可以具有包括以上聚合物树脂和阻挡层的多层结构。包括聚合物树脂的基板100可以是柔性的、可卷曲的且可弯折的。
72.显示层dsl可以被设置在基板100上。显示层dsl可以包括像素电路层和显示元件层，像素电路层包括多个像素电路，并且显示元件层包括多个显示元件。在这种情况下，多个像素电路可以分别连接到多个显示元件。像素电路可以包括薄膜晶体管和存储电容器。因此，显示层dsl可以包括多个显示元件、多个薄膜晶体管和存储电容器。此外，显示层dsl可以进一步包括在多个显示元件、多个薄膜晶体管和存储电容器之间的绝缘层。
73.封装层enl可以被设置在显示层dsl上。封装层enl可以被设置在显示元件上并且可以覆盖显示元件。根据一些实施例，封装层enl可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。至少一个无机封装层可以包括氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)、氧化锌(zno)、氧化硅(sio2)、硅氮化物(sin
x
)和氮氧化硅(sion)之中的至少一种无机材料。至少一个有机封装层可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括丙烯酸类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺和聚乙烯。至少一个有机封装层可以包括丙烯酸酯。
74.触摸传感器层tsl可以被设置在封装层enl上。触摸传感器层tsl可以感测外部输入(例如，与触摸事件相对应的坐标信息)。触摸传感器层tsl可以包括传感器电极和连接到传感器电极的触摸布线。触摸传感器层tsl可以通过自电容方法或互电容方法感测外部输入。
75.触摸传感器层tsl可以形成在封装层enl上。可替代地，触摸传感器层tsl可以单独形成在触摸基板上，并且然后通过诸如光学透明粘合剂的粘合剂层耦接到封装层enl。根据一些实施例，触摸传感器层tsl可以直接形成在封装层enl上。在这种情况下，粘合剂层可以不被设置在触摸传感器层tsl和封装层enl之间。
76.光学功能层ofl可以被设置在触摸传感器层tsl上。光学功能层ofl可以降低从外
部朝向显示装置1入射的光(外部光)的反射率和/或提高从显示装置1发射的光的颜色纯度。根据一些实施例，光学功能层ofl可以包括延迟器和/或偏振器。延迟器可以包括膜型延迟器或液晶型延迟器。延迟器可以包括λ/2延迟器和/或λ/4延迟器。偏振器可以包括膜型偏振器或液晶型偏振器。膜型偏振器可以包括拉伸的合成树脂膜，并且液晶型偏振器可以包括以一排列(例如，设定排列或预定排列)设置的液晶。延迟器和偏振器中的每一个可以进一步包括保护膜。
77.根据一些实施例，光学功能层ofl可以包括黑矩阵和滤色器。可以通过考虑从像素发射的光的颜色来设置滤色器。滤色器可以包括红色、绿色或蓝色颜料或染料。可替代地，除了颜料或染料之外，滤色器可以每个进一步包括量子点。可替代地，滤色器中的一些可以不包括颜料或染料，并且可以包括诸如氧化钛的散射颗粒。
78.根据一些实施例，光学功能层ofl可以包括相消干涉结构。相消干涉结构可以包括分别设置在不同层上的第一反射层和第二反射层。分别由第一反射层和第二反射层反射的第一反射光和第二反射光可以相消干涉，并且因此，可以降低外部光的反射率。
79.显示面板10可以包括开口10h。根据一些实施例，基板100可以包括开口区域oa。显示层dsl、封装层enl、触摸传感器层tsl和光学功能层ofl可以分别包括第一开口至第四开口。开口区域oa以及第一开口至第四开口可以彼此重叠以构成显示面板10的开口10h。根据一些实施例，基板100、显示层dsl、封装层enl、触摸传感器层tsl和光学功能层ofl中的至少一个可以不包括开口。作为示例，基板100、显示层dsl、封装层enl、触摸传感器层tsl和光学功能层ofl中的一个或两个可以不包括开口。
80.覆盖窗20可以被设置在显示面板10上。覆盖窗20可以保护显示面板10。覆盖窗20可以包括玻璃、蓝宝石和塑料中的至少一种。覆盖窗20可以是例如超薄玻璃(utg)或无色聚酰亚胺(cpi)。
81.部件30可以与开口区域oa重叠。部件30可以被设置在显示面板10的开口10h内部(如由图2的实线所示)，或被设置在显示面板10下面(如由虚线所示)。
82.部件30可以包括电子元件。部件30可以是使用光或声音的电子元件。作为示例，电子元件可以包括传感器，传感器诸如发射和/或接收光的红外传感器、接收光以捕获图像的照相机、输出和感测光或声音以测量距离或识别指纹的传感器、输出光的小灯以及输出声音的扬声器。使用光的电子元件可以使用诸如可见光、红外光或紫外光的各种波段的光。根据一些实施例，显示面板10的开口10h可以被理解为透射部分，从部件30输出到外部或从外部朝向电子元件行进的光和/或声音可以穿过该透射部分。
83.根据一些实施例，在显示装置1用作智能手表或汽车的仪表板的情况下，部件30可以是诸如指示信息(例如，设定信息或预定信息)(例如，车辆速度等)的时钟指针或指针的构件。在显示装置1包括时钟指针或汽车的仪表板的情况下，部件30可以穿过覆盖窗20以暴露到外部。覆盖窗20可以包括与显示面板10的开口10h重叠的开口。
84.部件30可以包括与如上所述的显示面板10的功能相关的元件，或者包括诸如增加显示面板10的美感的附件的元件。
85.图3是根据一些实施例的显示面板10的平面图，并且图4是根据一些实施例的显示面板10的像素p的等效电路图。
86.参考图3，显示面板10可以包括显示区域da、非显示区域nda和开口区域oa。在这种
情况下，显示面板10的基板100可以限定显示区域da、非显示区域nda和开口区域oa。也就是说，基板100可以包括显示区域da、非显示区域nda和开口区域oa。非显示区域nda可以包括第一非显示区域nda1和第二非显示区域nda2，第一非显示区域nda1围绕开口区域oa，并且第二非显示区域nda2围绕显示区域da的至少一部分。
87.显示面板10可以包括设置在显示区域da中的多个像素p。如图4中所示，每个像素p可以包括像素电路pc和作为连接到像素电路pc的显示元件的有机发光二极管oled。像素电路pc可以包括驱动薄膜晶体管t1、开关薄膜晶体管t2和存储电容器cst。每个像素p可以从有机发光二极管oled发射红光、绿光、蓝光或白光。
88.开关薄膜晶体管t2连接到扫描线sl和数据线dl，并且可以被配置为根据从扫描线sl输入的开关电压或开关信号来将数据电压或数据信号传输到驱动薄膜晶体管t1，数据电压或数据信号从数据线dl输入。
89.存储电容器cst连接到开关薄膜晶体管t2和驱动电压线pl，并且可以存储与从开关薄膜晶体管t2传输的电压和供应到驱动电压线pl的第一电源电压elvdd之间的差相对应的电压。
90.驱动薄膜晶体管t1连接到驱动电压线pl和存储电容器cst，并且可以根据存储在存储电容器cst中的电压来控制从驱动电压线pl流到有机发光二极管oled的驱动电流。
91.有机发光二极管oled可以基于驱动电流发射具有预设亮度的光。有机发光二极管oled的第二电极可以被供应有第二电源电压elvss。
92.尽管在图4中示出像素电路pc包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器，但是薄膜晶体管的数量和存储电容器的数量可以取决于像素电路pc的设计而不同地改变。
93.再次参考图3，第一非显示区域nda1可以围绕开口区域oa。第一非显示区域nda1是诸如发光的有机发光二极管的显示元件不被设置在其中的区域。信号线可以穿过第一非显示区域nda1，信号线被配置为将信号提供到设置在开口区域oa周围的像素p。
94.扫描驱动器1100、数据驱动器1200和主电源布线可以被设置在第二非显示区域nda2中，扫描驱动器1100被配置为将扫描信号提供到每个像素p，数据驱动器1200被配置为将数据信号提供到每个像素p，并且主电源布线被配置为提供第一电源电压和/或第二电源电压。尽管在图4中示出数据驱动器1200与基板100的一侧邻近，但是根据一些实施例，数据驱动器1200可以被设置在电连接到显示面板10的一侧上的焊盘的柔性印刷电路板(fpcb)上。
95.图5是根据一些实施例的显示面板10的一部分的平面图。图5示出设置在第一非显示区域nda1中的信号线。
96.参考图5，像素p可以被设置在显示区域da中。像素p可以连接到扫描线sl和数据线dl。第一非显示区域nda1可以被设置在开口区域oa和显示区域da之间。
97.像素p可以在开口区域oa周围彼此间隔开。像素p可以在开口区域oa周围彼此垂直间隔开。像素p可以在开口区域oa周围彼此水平间隔开。
98.被配置为将信号供应到像素p的信号线之中的与开口区域oa邻近的信号线可以在开口区域oa周围绕行。数据线dl中的穿过显示区域da的一些数据线dl可以在y方向上延伸以将数据信号提供到垂直设置而开口区域oa在其间的像素p，并且可以在第一非显示区域nda1中沿着开口区域oa的边缘绕行。扫描线sl中的穿过显示区域da的一些扫描线sl可以在
x方向上延伸以将扫描信号提供到水平设置而开口区域oa在其间的像素p，并且可以在第一非显示区域nda1中沿着开口区域oa的边缘绕行。
99.图6a至图6c是根据一些实施例的显示面板10的一部分的平面图。图6a至图6c是挡坝部分dp和第二电极213的平面图。在图6a至图6c中，与图5的附图标记相同的附图标记表示相同的元件，并且因此，省略了其重复描述。
100.参考图6a，基板可以包括开口区域oa、显示区域da和第一非显示区域nda1。根据一些实施例，开口区域oa可以具有圆形形状。当从平面(例如，xy平面)或在平面图(例如，xy平面)中观察时，开口区域oa可以具有圆形形状。在这种情况下，开口区域oa可以具有开口区域oa的中心oac。根据一些实施例，开口区域oa可以具有多边形形状。根据一些实施例，开口区域oa可以具有椭圆形形状或至少部分地弯曲的形状。在下文中，主要详细地描述了开口区域oa具有圆形形状的情况。
101.像素p可以被设置在显示区域da中。显示区域da可以围绕开口区域oa。根据一些实施例，像素p可以包括作为显示元件的有机发光二极管。有机发光二极管可以包括顺序堆叠的第一电极、发射层和第二电极213。第一非显示区域nda1可以被设置在开口区域oa和显示区域da之间。至少一个挡坝部分dp可以被设置在第一非显示区域nda1中。也就是说，挡坝部分dp可以被设置在开口区域oa和显示区域da之间。
102.有机发光二极管可以进一步包括：包括第一功能层和第二功能层中的至少一个的功能层，第一功能层在第一电极和发射层之间，并且第二功能层在发射层和第二电极之间。
103.功能层和第二电极213可以是完全设置在显示区域da中的公共层。根据一些实施例，功能层和第二电极213可以被连续设置在显示区域da中。根据一些实施例，当从平面或在平面图中观察时，功能层和第二电极213可以具有基本相同的形状。在下文中，尽管当从平面或在平面图中观察时主要描述了第二电极213的形状，但是功能层的形状也可以与第二电极213的形状相同或类似。
104.第二电极213可以从显示区域da延伸到第一非显示区域nda1。换句话说，第二电极213可以在从显示区域da到开口区域oa的方向上延伸。根据一些实施例，第二电极213可以与第一非显示区域nda1重叠。
105.第二电极213可以包括第二电极孔tah2。第二电极孔tah2可以与开口区域oa重叠。第二电极孔tah2的尺寸可以大于开口区域oa的尺寸。第二电极孔tah2的尺寸可以由被第二电极孔tah2占据的面积限定。开口区域oa的尺寸可以由被开口区域oa占据的面积限定。第二电极孔tah2可以与开口区域oa完全重叠。
106.第二电极孔tah2可以与开口区域oa完全重叠并且与第一非显示区域nda1重叠。第二电极孔tah2可以暴露第一非显示区域nda1的围绕开口区域oa的一部分。
107.类似地，功能层可以具有功能层孔。功能层孔可以与开口区域oa重叠。根据一些实施例，当从平面或在平面图中观察时，功能层孔可以具有与第二电极孔tah2的形状基本相同的形状。功能层孔可以与开口区域oa完全重叠并且与第一非显示区域nda1重叠。功能层孔可以暴露第一非显示区域nda1的围绕开口区域oa的一部分。
108.第二电极213的边缘213e可以限定第二电极孔tah2。第二电极213的边缘213e可以面对并且围绕开口区域oa。因此，第二电极孔tah2的面积可以是由第二电极213的边缘213e限定的闭合曲线的内部面积。
109.第二电极213的边缘213e可以与开口区域oa间隔开。第二电极213的边缘213e可以与第一非显示区域nda1重叠，但是与开口区域oa间隔开。第二电极213的边缘213e可以是第二电极213的面对开口区域oa的端部。
110.从开口区域oa的中心oac到第二电极213的边缘213e的第一部分213e1的第一距离d1可以与从开口区域oa的中心oac到第二电极213的边缘213e的第二部分213e2的第二距离d2不同。也就是说，当从平面(例如，xy平面)或在平面图(例如，xy平面)中观察时，第二电极213的边缘213e可以具有台阶差st。根据一些实施例，第二电极213的边缘213e可以被弯折。换句话说，第二电极213的边缘213e可以包括第一部分213e1、第二部分213e2和第三部分213e3。第一部分213e1可以与第三部分213e3相交并且交叉。第二部分213e2可以与第三部分213e3相交并且交叉。也就是说，第三部分213e3的一侧可以与第一部分213e1相交，并且第三部分213e3的另一侧可以与第二部分213e2相交。
111.第一距离d1可以是在第一方向dr1上从开口区域oa的中心oac到第一部分213e1的最短距离。根据一些实施例，第一方向dr1可以是与图6a至图6c的x方向和/或y方向交叉的方向。根据一些实施例，第一方向dr1可以是图6a至图6c的x方向或y方向。第二距离d2可以是在第二方向dr2上从开口区域oa的中心oac到第二部分213e2的最短距离。根据一些实施例，第二方向dr2可以与第一方向dr1交叉。作为示例，第二方向dr2可以与第一方向dr1形成锐角、直角或钝角。根据一些实施例，第一方向dr1可以与第二方向dr2相反。
112.根据一些实施例，第一距离d1可以大于第二距离d2。在这种情况下，第一部分213e1可以比第二部分213e2更远离开口区域oa的中心oac。根据一些实施例，第一距离d1可以小于第二距离d2。在这种情况下，第一部分213e1可以比第二部分213e2更靠近开口区域oa的中心oac。
113.从开口区域oa的边缘到第一部分213e1的第一宽度w1可以与从开口区域oa的边缘到第二部分213e2的第二宽度w2不同。开口区域oa的边缘可以是将开口区域oa与第一非显示区域nda1分开的边界。第一宽度w1是第一非显示区域nda1的被第二电极孔tah2暴露并且面对第一部分213e1的区域的宽度。第二宽度w2是第一非显示区域nda1的被第二电极孔tah2暴露并且面对第二部分213e2的区域的宽度。根据一些实施例，第一宽度w1可以大于第二宽度w2。根据一些实施例，第一宽度w1可以小于第二宽度w2。
114.当第二电极213和功能层从显示区域da延伸到开口区域oa并且与开口区域oa相交时，湿气和外部空气可能穿透开口区域oa。根据一些实施例，功能层可以包括与开口区域oa重叠的功能孔，并且第二电极213可以具有与开口区域oa重叠的第二电极孔tah2。因此，第二电极213和功能层可以与开口区域oa间隔开，并且可以防止或减少湿气和外部空气通过开口区域oa渗透。
115.根据一些实施例，第一距离d1可以与第二距离d2不同。可替代地，第一宽度w1可以与第二宽度w2不同。该特性可以用于通过激光剥离工艺均匀地去除在开口区域oa周围的功能层和第二电极213，并且防止或减少对设置在第一非显示区域nda1中的绝缘层的损坏。这在下面描述。
116.根据一些实施例，从开口区域oa的中心oac到第二电极213的边缘213e的距离可以在第二电极孔tah2的圆周方向上减小。作为示例，从开口区域oa的中心oac到第二电极213的边缘213e的距离可以顺时针减小。作为另一示例，从开口区域oa的中心oac到第二电极
213的边缘213e的距离可以逆时针减小。
117.根据一些实施例，至少一个挡坝部分dp可以被设置在开口区域oa和显示区域da之间。作为示例，一个挡坝部分dp可以被设置在第一非显示区域nda1中，或者多个挡坝部分dp可以被设置在第一非显示区域nda1中。在本说明书中，挡坝部分dp表示从参考表面突出的元件。作为示例，挡坝部分dp可以是从设置在基板之上的绝缘层中的一个绝缘层的顶表面突出的元件。
118.挡坝部分dp可以围绕开口区域oa。挡坝部分dp可以包括挡坝部分dp的面对开口区域oa的内表面dpis。在这种情况下，从开口区域oa到挡坝部分dp的距离dpd可以是从开口区域oa的边缘到挡坝部分dp的内表面dpis的距离。根据一些实施例，从开口区域oa到挡坝部分dp的距离dpd可以是恒定的。
119.功能层和第二电极213可以从显示区域da延伸到第一非显示区域nda1。功能层和第二电极213可以覆盖挡坝部分dp并且在从挡坝部分dp到开口区域oa的方向上延伸。
120.从挡坝部分dp的内表面dpis到第一部分213e1的第三距离d3可以与从挡坝部分dp的内表面dpis到第二部分213e2的第四距离d4不同。第三距离d3可以是第二电极213从挡坝部分dp的内表面dpis延伸到第一部分213e1的距离。第四距离d4可以是第二电极213从挡坝部分dp的内表面dpis延伸到第二部分213e2的距离。在这种情况下，第一宽度w1和第三距离d3的总和可以与第二宽度w2和第四距离d4的总和基本相同。作为示例，第一宽度w1和第三距离d3的总和可以与从开口区域oa到挡坝部分dp的距离dpd相同。
121.当从平面(例如，xy平面)或在平面图(例如，xy平面)中观察时，第二电极213的边缘213e可以包括至少一个台阶差st。根据一些实施例，台阶差st可以由第三部分213e3、与第三部分213e3交叉的第一部分213e1以及与第三部分213e3交叉的第二部分213e2限定。
122.参考图6a和图6b，第二电极213的边缘213e可以包括多个台阶差st。参考图6a，第二电极213的边缘213e可以包括四个台阶差st。参考图6b，第二电极213的边缘213e可以包括八个台阶差st。根据一些实施例，第二电极213的边缘213e可以包括各种数量的台阶差st。因此，从开口区域oa的中心oac到第二电极213的限定第二电极孔tah2的边缘213e的距离可以在第二电极孔tah2的圆周方向上以恒定间隔减小。
123.参考图6c，从开口区域oa的中心oac到第二电极213的边缘213e的距离可以在第二电极孔tah2的圆周方向上连续减小。作为示例，从开口区域oa的中心oac到第二电极213的限定第二电极孔tah2的边缘213e的距离可以顺时针连续减小。在这种情况下，第二电极213的边缘213e可以具有一个台阶差st。尽管在图6c中示出一个台阶差st被弯折，但是根据一些实施例，第一部分213e1和第三部分213e3可以以弯曲形状连接。此外，第二部分213e2和第三部分213e3可以以弯曲形状连接。
124.图7a是根据一些实施例的显示面板10的沿着图6a的线b-b'截取的截面图。图7b是根据一些实施例的显示面板10的沿着图6a的线c-c'截取的截面图。
125.参考图7a和图7b，显示面板10可以包括基板100、无机绝缘层iil、有机绝缘层oil、像素电路pc、数据线dl、连接电极cm、有机发光二极管oled、像素限定层118、隔离物119和封装层enl。
126.基板100可以包括显示区域da、第一非显示区域nda1和开口区域oa。第一非显示区域nda1可以被设置在显示区域da和开口区域oa之间。
127.基板100可以包括第一基底层100a、第一阻挡层100b、第二基底层100c和第二阻挡层100d。根据一些实施例，第一基底层100a、第一阻挡层100b、第二基底层100c和第二阻挡层100d可以顺序堆叠。根据一些实施例，第一基底层100a、第一阻挡层100b、第二基底层100c和第二阻挡层100d可以被连续设置。作为示例，第一基底层100a、第一阻挡层100b、第二基底层100c和第二阻挡层100d可以在从显示区域da到开口区域oa的方向上被连续设置。
128.第一基底层100a和第二基底层100c中的至少一个可以包括聚合物树脂，聚合物树脂诸如聚醚砜、聚芳酯、聚醚酰亚胺(pei)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚苯硫醚(pps)、聚酰亚胺(pi)、聚碳酸酯(pc)、三乙酸纤维素和乙酸丙酸纤维素。
129.第一阻挡层100b和第二阻挡层100d可以是被配置为防止或减少外部异物渗透的阻挡层，并且可以是包括诸如硅氮化物(sin
x
)、硅氧化物(sio
x
)和/或氮氧化硅(sion)的无机材料的单层或多层。
130.无机绝缘层iil可以被设置在基板100上。无机绝缘层iil可以包括缓冲层111、第一栅绝缘层112、第二栅绝缘层113和层间绝缘层114。无机绝缘层iil可以被设置在显示区域da和第一非显示区域nda1中。像素电路pc可以被设置在显示区域da中。像素电路pc可以包括薄膜晶体管tft和存储电容器cst。
131.缓冲层111可以被设置在基板100上。缓冲层111可以包括诸如硅氮化物(sin
x
)、氮氧化硅(sion)和氧化硅(sio2)的无机绝缘材料并且包括以上无机绝缘材料的单层或多层。
132.薄膜晶体管tft可以包括半导体层act、栅电极ge、源电极se和漏电极de。半导体层act可以被设置在缓冲层111上。半导体层act可以包括多晶硅。可替代地，半导体层act可以包括非晶硅、氧化物半导体或有机半导体。半导体层act可以包括沟道区、漏区和源区，漏区和源区分别在沟道区的两个相对侧。
133.栅电极ge可以与沟道区重叠。栅电极ge可以包括低电阻金属材料。栅电极ge可以包括：包括钼(mo)、铝(al)、铜(cu)和钛(ti)的导电材料，并且包括：包括以上材料的单层或多层。
134.在半导体层act和栅电极ge之间的第一栅绝缘层112可以包括诸如氧化硅(sio2)、硅氮化物(sin
x
)、氮氧化硅(sion)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)、氧化铪(hfo2)和氧化锌(zno)的无机绝缘材料。
135.第二栅绝缘层113可以覆盖栅电极ge。类似于第一栅绝缘层112，第二栅绝缘层113可以包括诸如氧化硅(sio2)、硅氮化物(sin
x
)、氮氧化硅(sion)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)、氧化铪(hfo2)和氧化锌(zno)的无机绝缘材料。
136.存储电容器cst的顶电极ce2可以被设置在第二栅绝缘层113上。顶电极ce2可以与其下面的栅电极ge重叠。在这种情况下，彼此重叠而其间具有第二栅绝缘层113的栅电极ge和顶电极ce2可以构成存储电容器cst。也就是说，栅电极ge可以用作存储电容器cst的底电极ce1。
137.如上所述，存储电容器cst可以与薄膜晶体管tft重叠。根据一些实施例，存储电容器cst可以不与薄膜晶体管tft重叠。
138.顶电极ce2可以包括：包括铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钙(ca)、钼(mo)、钛(ti)、钨(w)和/或铜(cu)的单层或多层。
139.层间绝缘层114可以覆盖顶电极ce2。层间绝缘层114可以包括氧化硅(sio2)、硅氮化物(sin
x
)、氮氧化硅(sion)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)、氧化铪(hfo2)或氧化锌(zno)。层间绝缘层114可以包括：包括以上无机绝缘材料的单层或多层。
140.漏电极de和源电极se可以被设置在层间绝缘层114上。漏电极de和源电极se可以通过第一栅绝缘层112、第二栅绝缘层113和层间绝缘层114的接触孔连接到半导体层act。漏电极de和源电极se可以包括具有优良导电性的材料。漏电极de和源电极se可以包括：包括钼(mo)、铝(al)、铜(cu)和钛(ti)的导电材料，并且包括：包括以上材料的单层或多层。根据一些实施例，漏电极de和源电极se可以具有ti/al/ti的多层结构。
141.有机绝缘层oil可以被设置在无机绝缘层iil上。有机绝缘层oil可以包括第一有机绝缘层115和第二有机绝缘层116。第一有机绝缘层115可以覆盖漏电极de和源电极se。第一有机绝缘层115可以包括有机绝缘材料，有机绝缘材料诸如通用聚合物(诸如聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)或聚苯乙烯(ps))、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物及其混合物。
142.连接电极cm可以被设置在第一有机绝缘层115上。在这种情况下，连接电极cm可以通过第一有机绝缘层115的接触孔连接到漏电极de或源电极se。连接电极cm可以包括具有优良导电性的材料。连接电极cm可以包括：包括钼(mo)、铝(al)、铜(cu)和钛(ti)的导电材料，并且包括：包括以上材料的单层或多层。根据一些实施例，连接电极cm可以具有ti/al/ti的多层结构。
143.第二有机绝缘层116可以覆盖连接电极cm。第二有机绝缘层116可以包括有机绝缘材料，有机绝缘材料诸如通用聚合物(诸如聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)或聚苯乙烯(ps))、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物及其混合物。
144.有机发光二极管oled可以被设置在第二有机绝缘层116上。有机发光二极管oled可以发射红光、绿光或蓝光，或者发射红光、绿光、蓝光或白光。有机发光二极管oled可以包括第一电极211、发射层212b、功能层212f和第二电极213。第一电极211可以是有机发光二极管oled的像素电极，并且第二电极213可以是有机发光二极管oled的对电极。
145.第一电极211可以被设置在第二有机绝缘层116上。第一电极211可以通过第二有机绝缘层116的接触孔电连接到连接电极cm。第一电极211可以包括诸如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟(in2o3)、氧化铟镓(igo)或氧化铝锌(azo)的导电氧化物。根据一些实施例，第一电极211可以包括：包括银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)或其化合物的反射层。根据一些实施例，第一电极211可以进一步包括在反射层上/下的层，该层包括ito、izo、zno或in2o3。作为示例，第一电极211可以具有ito/ag/ito堆叠的多层结构。
146.像素限定层118可以被设置在第一电极211上，像素限定层118包括暴露第一电极211的中心部分的开口118op。像素限定层118可以包括有机绝缘材料和/或无机绝缘材料。像素限定层118的开口118op可以限定从有机发光二极管oled发射的光的发射区域。作为示例，开口118op的宽度可与发射区域的宽度相对应。
147.隔离物119可以被设置在像素限定层118上。隔离物119可以包括诸如聚酰亚胺的
有机绝缘材料。可替代地，隔离物119可以包括诸如硅氮化物(sin
x
)或氧化硅(sio2)的无机绝缘材料，或者有机绝缘材料和无机绝缘材料。
148.根据一些实施例，隔离物119可以包括与像素限定层118的材料不同的材料。可替代地，根据一些实施例，隔离物119可以包括与像素限定层118的材料相同的材料。在这种情况下，像素限定层118和隔离物119可以在使用半色调掩模的掩模工艺期间同时形成。
149.发射层212b可以被设置在像素限定层118的开口118op中。发射层212b可以包括发射具有预设颜色的光的聚合物有机材料或低分子量有机材料。
150.功能层212f可以包括第一功能层212a和第二功能层212c中的至少一个，第一功能层212a在第一电极211和发射层212b之间，并且第二功能层212c在发射层212b和第二电极213之间。作为示例，第一功能层212a可以被设置在第一电极211和发射层212b之间，并且第二功能层212c可以在发射层212b和第二电极213之间被省略。作为另一示例，可以省略在第一电极211和发射层212b之间的第一功能层212a，并且第二功能层212c可以被设置在发射层212b和第二电极213之间。作为另一示例，第一功能层212a可以被设置在第一电极211和发射层212b之间，并且第二功能层212c可以被设置在发射层212b和第二电极213之间。在下文中，主要详细地描述了设置第一功能层212a和第二功能层212c的情况。
151.第一功能层212a可以包括例如空穴传输层(htl)，或者包括htl和空穴注入层(hil)。第二功能层212c可以包括电子传输层(etl)和/或电子注入层(eil)。与下面描述的第二电极213相同，第一功能层212a和/或第二功能层212c可以是形成为完全覆盖基板100的公共层。
152.第二电极213可以包括具有低功函数的导电材料。作为示例，第二电极213可以包括：包括银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)或其合金的(半)透明层。可替代地，第二电极213可以进一步包括在(半)透明层上/下的层，该层包括ito、izo、zno或in2o3。
153.根据一些实施例，覆盖层215可以进一步被设置在第二电极213上。覆盖层215可以包括氟化锂(lif)、无机材料和/或有机材料。
154.第一非显示区域nda1可以包括第一子非显示区域snda1和第二子非显示区域snda2。第一子非显示区域snda1可以比第二子非显示区域snda2更远离开口区域oa。也就是说，第二子非显示区域snda2可以被设置在第一子非显示区域snda1和开口区域oa之间。
155.根据一些实施例，第二有机绝缘层116可以覆盖第一有机绝缘层115的侧表面。根据一些实施例，第二有机绝缘层116可以暴露第一有机绝缘层115的侧表面。
156.根据一些实施例，像素限定层118可以覆盖第二有机绝缘层116的侧表面。根据一些实施例，像素限定层118可以暴露第二有机绝缘层116的侧表面。
157.信号线(例如，参考图5描述的数据线dl)可以被设置在第一子非显示区域snda1中。根据一些实施例，数据线dl可以被设置在无机绝缘层iil和第一有机绝缘层115之间和/或在第一有机绝缘层115和第二有机绝缘层116之间。在数据线dl被设置在不同层上的情况下，可以减少第一非显示区域nda1的宽度。尽管在图7a和图7b中示出数据线dl被设置在第一子非显示区域snda1中，但是绕行以上参考图5描述的开口区域oa的扫描线也可以被设置在第一子非显示区域snda1中。
158.挡坝部分dp可以包括堆叠的多个层。根据一些实施例，挡坝部分dp可以从无机绝
缘层iil的顶表面iilus突出。作为示例，挡坝部分dp可以从层间绝缘层114的顶表面突出。作为另一示例，挡坝部分dp可以从缓冲层111的顶表面突出。在这种情况下，第一栅绝缘层112、第二栅绝缘层113和层间绝缘层114可以不被设置在第二子非显示区域snda2中。也就是说，第一栅绝缘层112、第二栅绝缘层113和层间绝缘层114可以在第一子非显示区域snda1中断开。作为另一示例，挡坝部分dp可以从第一栅绝缘层112、第二栅绝缘层113和层间绝缘层114中的一个的顶表面突出。在下文中，主要详细地描述了挡坝部分dp在层间绝缘层114的顶表面上突出并且第一栅绝缘层112、第二栅绝缘层113和层间绝缘层114与第二子非显示区域snda2重叠的情况。
159.根据一些实施例，挡坝部分dp可以包括有机图案层116a、第一顶部有机图案层118a和第二顶部有机图案层119a。有机图案层116a可以与第一有机绝缘层115和第二有机绝缘层116分开。根据一些实施例，有机图案层116a可以包括与第二有机绝缘层116的材料相同的材料。根据一些实施例，有机图案层116a可以包括与第一有机绝缘层115的材料相同的材料。根据一些实施例，有机图案层116a可以包括第一有机图案层和设置在第一有机图案层上的第二有机图案层。在这种情况下，第一有机图案层可以包括与第一有机绝缘层115的材料相同的材料。第二有机图案层可以包括与第二有机绝缘层116的材料相同的材料。
160.第一顶部有机图案层118a可以被设置在有机图案层116a上。根据一些实施例，第一顶部有机图案层118a可以被设置在有机图案层116a的顶表面上。第一顶部有机图案层118a可以与像素限定层118分开。第一顶部有机图案层118a可以包括与像素限定层118的材料相同的材料。
161.第二顶部有机图案层119a可以被设置在第一顶部有机图案层118a上。第二顶部有机图案层119a可以与隔离物119分开。第二顶部有机图案层119a可以包括与隔离物119的材料相同的材料。
162.第一功能层212a、第二功能层212c、第二电极213和覆盖层215可以每个从显示区域da延伸到第一非显示区域nda1。根据一些实施例，第一功能层212a、第二功能层212c、第二电极213和覆盖层215可以每个覆盖挡坝部分dp并且在从挡坝部分dp的内表面dpis到开口区域oa的方向上延伸。
163.第一功能层212a、第二功能层212c、第二电极213和覆盖层215可以每个在第一非显示区域nda1中断开。根据一些实施例，第一功能层212a、第二功能层212c、第二电极213和覆盖层215可以每个包括暴露无机绝缘层iil的顶表面iilus的透射孔tah。根据一些实施例，功能层212f可以包括暴露无机绝缘层iil的顶表面iilus的功能层孔tah1。第二电极213可以包括暴露无机绝缘层iil的顶表面iilus的第二电极孔tah2。此外，覆盖层215可以包括暴露无机绝缘层iil的顶表面iilus的覆盖层孔tah3。
164.透射孔tah的面积可以大于开口区域oa的面积。当包括有机材料的功能层212f完全形成在第一非显示区域nda1中以延伸到开口区域oa时，鉴于有机材料的特性，湿气可能通过功能层212f朝向设置在显示区域da中的有机发光二极管oled渗透。根据一些实施例，功能层212f可以包括与第二子非显示区域snda2重叠的功能层孔tah1。因此，可以防止或减少湿气或异物通过功能层212f渗透到有机发光二极管oled。
165.根据一些实施例，从开口区域oa的边缘到第一部分213e1的宽度w1可以与从开口区域oa的边缘到第二部分213e2的第二宽度w2不同。第一宽度w1是无机绝缘层iil的通过第
一非显示区域nda1中的第二电极孔tah2暴露并且面对第一部分213e1的顶表面iilus的宽度。第二宽度w2是无机绝缘层iil的通过第一非显示区域nda1中的第二电极孔tah2暴露并且面对第二部分213e2的顶表面iilus的宽度。根据一些实施例，第一宽度w1可以大于第二宽度w2。根据一些实施例，第一宽度w1可以小于第二宽度w2。因此，通过激光剥离工艺均匀地去除了在开口区域oa周围的功能层212f、第二电极213和覆盖层215，并且可以防止或减少对设置在第一非显示区域nda1中的基板100和无机绝缘层iil的损坏。
166.从开口区域oa到挡坝部分dp的距离dpd可以是从开口区域oa的边缘到挡坝部分dp的内表面dpis的距离。根据一些实施例，从开口区域oa到挡坝部分dp的距离dpd可以是恒定的。
167.从挡坝部分dp的内表面dpis到第一部分213e1的第三距离d3可以与从挡坝部分dp的内表面dpis到第二部分213e2的第四距离d4不同。第三距离d3可以是第二电极213从挡坝部分dp的内表面dpis的端部延伸到第一部分213e1的距离。第四距离d4可以是第二电极213从挡坝部分dp的内表面dpis的端部延伸到第二部分213e2的距离。根据一些实施例，第一宽度w1和第三距离d3的总和可以与第二宽度w2和第四距离d4的总和基本相同。作为示例，第一宽度w1和第三距离d3的总和可以与从开口区域oa到挡坝部分dp的距离dpd相同。
168.封装层enl可以覆盖有机发光二极管oled。封装层enl可以被设置在第二电极213和/或覆盖层215上。根据一些实施例，封装层enl可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在图7a和图7b中示出封装层enl包括顺序堆叠的第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330。
169.第一无机封装层310和第二无机封装层330可以每个从显示区域da延伸到第一非显示区域nda1。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以被完全并且连续设置在第一非显示区域nda1中。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以每个延伸到挡坝部分dp并且可以在挡坝部分dp的顶表面上彼此接触。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以每个延伸到开口区域oa。
170.第一无机封装层310和第二无机封装层330可以每个与透射孔tah重叠。详细地，第一无机封装层310和第二无机封装层330可以与功能层孔tah1、第二电极孔tah2和覆盖层孔tah3重叠。在这种情况下，第一无机封装层310可以在透射孔tah中接触无机绝缘层iil的顶表面iilus。作为示例，第一无机封装层310可以在功能层孔tah1和/或第二电极孔tah2中接触无机绝缘层iil的顶表面iilus。因此，因为有机层不被设置在无机绝缘层iil的顶表面iilus上，所以可以防止或减少湿气朝向设置在显示区域da中的有机发光二极管oled渗透。
171.有机封装层320可以通过涂覆单体并且使其硬化来形成。单体的流动可以通过挡坝部分dp来控制。也就是说，有机封装层320的端部可以被设置在挡坝部分dp的一侧。
172.图8是根据一些实施例的显示面板10的沿着图6a的线b-b'截取的截面图。在图8中，因为与图7a和图7b的附图标记相同的附图标记表示相同的构件，所以省略了其重复描述。
173.参考图8，显示面板10可以包括基板100、无机绝缘层iil、有机绝缘层oil、像素电路pc、数据线dl、连接电极cm、有机发光二极管oled、像素限定层118、隔离物119、封装层enl和触摸传感器层tsl。
174.触摸传感器层tsl可以被设置在封装层enl上。触摸传感器层tsl可以包括第一绝
缘层41、第二绝缘层43、第三绝缘层45、第一导电层cml1、第四绝缘层47、第二导电层cml2和第五绝缘层49。
175.第一绝缘层41可以被设置在第二无机封装层330上。根据一些实施例，第一绝缘层41可以沿着第二无机封装层330的形状被设置。根据一些实施例，可以省略第一绝缘层41。
176.第二绝缘层43可以被设置在第一绝缘层41上。第二绝缘层43可以被设置在第二子非显示区域snda2中。第二绝缘层43的顶表面可以是平坦的。第二绝缘层43可以具有围绕开口区域oa的封闭形状(例如，圆环形状)。第二绝缘层43的一侧可以面对开口区域oa，并且第二绝缘层43的另一侧可以面对显示区域da。根据一些实施例，第二绝缘层43的一部分可以在覆盖有机封装层320的边缘的同时与有机封装层320的一部分重叠。
177.第三绝缘层45可以被设置在第一绝缘层41和第二绝缘层43上。第三绝缘层45可以被设置在第二绝缘层43的是平坦的顶表面上。
178.第一绝缘层41和第三绝缘层45可以包括：包括诸如硅氧化物(sio
x
)、硅氮化物(sin
x
)和/或氮氧化硅(sion)的无机材料的单层或多层。
179.第二绝缘层43可以包括有机绝缘材料。作为示例，第二绝缘层43可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以是透明的。作为示例，第二绝缘层43可以包括硅类树脂、丙烯酸类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺和聚乙烯。
180.第一导电层cml1和第二导电层cml2可以包括导电材料(例如，每种金属)。作为示例，第一导电层cml1和第二导电层cml2可以包括钼(mo)、铝(al)、铜(cu)和钛(ti)，并且包括：包括以上材料的单层或多层。根据一些实施例，第一导电层cml1和第二导电层cml2可以具有ti/al/ti顺序堆叠的结构。
181.第一导电层cml1和/或第二导电层cml2可以包括被配置为感测触摸输入的多个触摸电极。根据一些实施例，触摸传感器层tsl可以包括在平面图中在x方向(参见图3)上延伸的触摸电极以及在y方向(参见图3)上延伸的触摸电极。触摸电极可以通过互电容方法感测输入并且被提供到第一导电层cml1和/或第二导电层cml2。根据一些实施例，触摸电极可以通过自电容方法感测输入并且被提供到第一导电层cml1或第二导电层cml2。
182.第四绝缘层47可以被设置在第一导电层cml1和第二导电层cml2之间。第四绝缘层47可以包括：包括诸如硅氧化物(sio
x
)、硅氮化物(sin
x
)和/或氮氧化硅(sion)的无机材料的单层或多层。
183.尽管在图8中示出触摸传感器层tsl包括第一导电层cml1和第二导电层cml2，但是根据一些实施例，触摸传感器层tsl可以包括第一导电层cml1和第二导电层cml2中的一个。
184.第五绝缘层49可以被设置在第二导电层cml2上。根据一些实施例，第五绝缘层49的顶表面可以是平坦的。第五绝缘层49可以包括有机绝缘材料。作为示例，第五绝缘层49可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以是透明的。作为示例，第五绝缘层49可以包括硅类树脂、丙烯酸类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺和聚乙烯。
185.在下文中，详细地描述了制造显示装置的方法。
186.图9a至图9c是根据一些实施例的基板100和牺牲层图案sp的平面图。在图9a至图9c中，因为与图6a至图6c的附图标记相同的附图标记表示相同的构件，所以省略了其重复描述。
187.参考图9a至图9c，基板100可以包括第一区域r1和第二区域r2。第一区域r1可以包
括第一子区域r1-1和第二子区域r1-2。第二子区域r1-2可以围绕第一子区域r1-1。第一子区域r1-1可以是包括开口区域的区域。第二子区域r1-2可以是包括第一非显示区域的区域。
188.根据一些实施例，第一区域r1可以具有圆形形状。当从平面(例如，xy平面)或在平面图(例如，xy平面)中观察时，第一区域r1可以具有圆形形状。在这种情况下，第一区域r1可以包括第一区域r1的中心rc1。根据一些实施例，第一区域r1可以具有多边形形状。根据一些实施例，第一区域r1可以具有椭圆形形状或至少部分地弯曲的形状。在下文中，详细地描述了第一区域r1具有圆形形状的情况。
189.第二区域r2可以围绕第一区域r1。根据一些实施例，第二区域r2可以完全围绕第一区域r1。第二区域r2可以包括显示区域。
190.牺牲层图案sp可以形成在基板100之上。牺牲层图案sp可以与第一区域r1重叠。根据一些实施例，牺牲层图案sp可以包括与第一子区域r1-1重叠的图案孔sph。图案孔sph的中心可以基本与第一区域r1的中心rc1相同。根据一些实施例，牺牲层图案sp可以不包括图案孔sph并且被设置在整个第一子区域r1-1中。在下文中，主要详细地描述了牺牲层图案sp包括第一子区域r1-1中的图案孔sph的情况。
191.牺牲层图案sp可以与第二区域r2间隔开。也就是说，牺牲层图案sp可以不与第二区域r2重叠。牺牲层图案sp可以包括面对第二区域r2的边缘spe。牺牲层图案sp的边缘spe可以被设置在第二子区域r1-2中并且可以面对第二区域r2。
192.牺牲层图案sp的尺寸可以小于第一区域r1的尺寸。牺牲层图案sp的尺寸可以由被牺牲层图案sp占据的面积限定。第一区域r1的尺寸可以由被第一区域r1占据的面积限定。因此，第一区域r1可以与牺牲层图案sp完全重叠，并且牺牲层图案sp的边缘spe可以与第二区域r2间隔开。此外，第二子区域r1-2的一部分可以不与牺牲层图案sp重叠并且可以围绕牺牲层图案sp。
193.从第一区域r1的中心rc1到牺牲层图案sp的边缘spe的第一边缘部分spe1的第一距离d1可以与从第一区域r1的中心rc1到牺牲层图案sp的边缘spe的第二边缘部分spe2的第二距离d2不同。也就是说，当从平面(例如，xy平面)或在平面图(例如，xy平面)中观察时，牺牲层图案sp的边缘spe可以包括牺牲层图案sp的台阶差sst。可替代地，根据一些实施例，牺牲层图案sp的边缘spe可以被弯折。换句话说，牺牲层图案sp的边缘spe可以包括第一边缘部分spe1、第二边缘部分spe2和第三边缘部分spe3。第一边缘部分spe1可以与第三边缘部分spe3相交并且交叉。第二边缘部分spe2可以与第三边缘部分spe3相交并且交叉。也就是说，第三边缘部分spe3的一侧可以与第一边缘部分spe1相交，第三边缘部分spe3的另一侧可以与第二边缘部分spe2相交。
194.第一距离d1可以是在第一方向dr1上从第一区域r1的中心rc1到第一边缘部分spe1的最短距离。第二距离d2可以是在第二方向dr2上从第一区域r1的中心rc1到第二边缘部分spe2的最短距离。
195.根据一些实施例，第一距离d1可以大于第二距离d2。在这种情况下，第一边缘部分spe1可以比第二边缘部分spe2更远离第一区域r1的中心rc1。根据一些实施例，第一距离d1可以小于第二距离d2。在这种情况下，第一边缘部分spe1可以比第二边缘部分spe2更靠近第一区域r1的中心rc1。
196.从第一区域r1的中心rc1到牺牲层图案sp的边缘spe的距离可以在牺牲层图案sp的圆周方向上减小。作为示例，从第一区域r1的中心rc1到牺牲层图案sp的边缘spe的距离可以顺时针减小。根据一些实施例，从第一区域r1的中心rc1到牺牲层图案sp的边缘spe的距离可以逆时针减小。
197.根据一些实施例，至少一个挡坝部分dp可以被设置在第一子区域r1-1和第二区域r2之间。作为示例，一个挡坝部分dp可以被设置在第二子区域r1-2中，或者多个挡坝部分dp可以被设置在第二子区域r1-2中。挡坝部分dp可以围绕第一子区域r1-1。挡坝部分dp可以包括挡坝部分dp的面对第一子区域r1-1的内表面dpis。
198.从挡坝部分dp的内表面dpis到第一边缘部分spe1的第三距离d3可以与从挡坝部分dp的内表面dpis到第二边缘部分spe2的第四距离d4不同。第三距离d3可以是牺牲层图案sp的第一边缘部分spe1与挡坝部分dp的内表面dpis间隔开的距离。第四距离d4可以是牺牲层图案sp的第二边缘部分spe2与挡坝部分dp的内表面dpis间隔开的距离。
199.牺牲层图案sp可以是用于激光剥离工艺的牺牲层。根据一些实施例，牺牲层图案sp可以通过在基板100上完全形成牺牲层图案sp的材料并且然后对其进行图案化来形成。根据一些实施例，牺牲层图案sp可以包括铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钙(ca)、钼(mo)、钛(ti)、氮化钛(tin)、钨(w)和/或铜(cu)。根据一些实施例，牺牲层图案sp可以包括掺杂有掺杂剂的非晶硅。添加到非晶硅的掺杂剂可以是硼(b)、磷(p)、氮(n)、镍(ni)、钴(co)和氟(f)中的一种。
200.当从平面(例如，xy平面)或在平面图(例如，xy平面)中观察时，牺牲层图案sp的边缘spe可以包括牺牲层图案sp的至少一个台阶差sst。根据一些实施例，牺牲层图案sp的台阶差sst可以由第三边缘部分spe3以及第一边缘部分spe1和第二边缘部分spe2的与第三边缘部分spe3交叉的部分限定。
201.参考图9a和图9b，牺牲层图案sp的边缘部分spe可以包括牺牲层图案sp的多个台阶差sst。参考图9a，牺牲层图案sp的边缘spe可以包括牺牲层图案sp的四个台阶差sst。参考图9b，牺牲层图案sp的边缘spe可以包括牺牲层图案sp的八个台阶差sst。根据一些实施例，牺牲层图案sp的边缘spe可以包括牺牲层图案sp的各种数量的台阶差sst。因此，从第一区域r1的中心rc1到牺牲层图案sp的边缘spe的距离可以在牺牲层图案sp的圆周方向上以恒定间隔减小。
202.参考图9c，从第一区域r1的中心rc1到牺牲层图案sp的边缘spe的距离可以在牺牲层图案sp的圆周方向上连续减小。作为示例，牺牲层图案sp的边缘spe从第一区域r1的中心rc1开始可以顺时针连续减小。在这种情况下，牺牲层图案sp的边缘spe可以包括牺牲层图案sp的一个台阶差sst。尽管在图9c中示出牺牲层图案sp的一个台阶差sst被弯折，但是根据一些实施例，第一边缘部分spe1和第三边缘部分spe3可以以弯曲形状连接。此外，第二边缘部分spe2和第三边缘部分spe3可以以弯曲形状连接。
203.在下文中，基于参考图9a描述的牺牲层图案sp的形状而详细地描述了制造显示装置的方法。
204.图10a是根据一些实施例的基板100和牺牲层图案sp的沿着图9a的线d-d'截取的截面图。图10b是根据一些实施例的基板100和牺牲层图案sp的沿着图9a的线e-e'截取的截面图。在图10a至10b中，因为与图7a和图7b的附图标记相同的附图标记表示相同的构件，所
以省略了其重复描述。
205.参考图10a和图10b，无机绝缘层iil可以形成在基板100上。根据一些实施例，基板100可以包括第一区域r1和第二区域r2。第一区域r1可以包括第一子区域r1-1和第二子区域r1-2。根据一些实施例，第一子区域r1-1可以是将是开口区域的区域。第二子区域r1-2可以是将是第一非显示区域nda1的区域。第二区域r2可以是将是显示区域da的区域。
206.根据一些实施例，基板100可以包括第一基底层100a、第一阻挡层100b、第二基底层100c和第二阻挡层100d。根据一些实施例，第一基底层100a、第一阻挡层100b、第二基底层100c和第二阻挡层100d可以顺序堆叠。
207.无机绝缘层iil可以形成在基板100上。无机绝缘层iil可以包括缓冲层111、第一栅绝缘层112、第二栅绝缘层113和层间绝缘层114。无机绝缘层iil可以被设置在第一区域r1和第二区域r2中。
208.像素电路pc可以形成在第二区域r2中。像素电路pc可以包括薄膜晶体管tft和存储电容器cst。薄膜晶体管tft可以包括半导体层act、栅电极ge、源电极se和漏电极de。存储电容器cst可以包括底电极ce1和顶电极ce2。
209.信号线(例如，数据线dl)可以形成在第一子非显示区域snda1中。根据一些实施例，数据线dl可以被设置在无机绝缘层iil和第一有机绝缘层115之间和/或在第一有机绝缘层115和第二有机绝缘层116之间。
210.有机绝缘层oil可以形成在无机绝缘层iil上。有机绝缘层oil可以包括第一有机绝缘层115和第二有机绝缘层116。根据一些实施例，连接电极cm可以形成在第一有机绝缘层115和第二有机绝缘层116之间。
211.第一电极211可以形成在第二区域r2中。根据一些实施例，第一电极211可以形成在有机绝缘层oil上。第一电极211可以通过第二有机绝缘层116的接触孔电连接到连接电极cm。
212.包括开口118op的像素限定层118可以形成在第一电极211上，开口118op暴露第一电极211的中心部分。隔离物119可以形成在像素限定层118上。
213.挡坝部分dp可以形成在第二子区域r1-2中。根据一些实施例，挡坝部分dp可以从无机绝缘层iil的顶表面iilus突出。作为示例，挡坝部分dp可以从层间绝缘层114的顶表面突出。作为另一示例，挡坝部分dp可以从缓冲层111的顶表面突出。在这种情况下，第一栅绝缘层112、第二栅绝缘层113和层间绝缘层114可以不被设置在第二子非显示区域snda2中。作为另一示例，挡坝部分dp可以从第一栅绝缘层112、第二栅绝缘层113和层间绝缘层114中的一个的顶表面突出。
214.根据一些实施例，挡坝部分dp可以包括有机图案层116a、第一顶部有机图案层118a和第二顶部有机图案层119a。有机图案层116a可以与第一有机绝缘层115和第二有机绝缘层116中的一个同时形成。在这种情况下，有机图案层116a可以包括与第一有机绝缘层115和第二有机绝缘层116中的一个相同的材料。第一顶部有机图案层118a和第二顶部有机图案层119a可以形成在有机图案层116a上。根据一些实施例，第一顶部有机图案层118a可以与像素限定层118同时形成。在这种情况下，第一顶部有机图案层118a可以包括与像素限定层118的材料相同的材料。根据一些实施例，第二顶部有机图案层119a可以与隔离物119同时形成。在这种情况下，第二顶部有机图案层119a可以包括与隔离物119的材料相同的材
料。
215.牺牲层图案sp可以形成在基板100上。牺牲层图案sp可以与第一区域r1重叠。牺牲层图案sp可以与第一子区域r1-1和第二子区域r1-2重叠。牺牲层图案sp可以与第二区域r2间隔开。也就是说，牺牲层图案sp可以不与第二区域r2重叠。
216.根据一些实施例，牺牲层图案sp可以形成在无机绝缘层iil的顶表面iilus上。根据一些实施例，牺牲层图案sp可以形成在缓冲层111、第一栅绝缘层112和第二栅绝缘层113中的一个的顶表面上。作为另一示例，在第一栅绝缘层112、第二栅绝缘层113和层间绝缘层114不被设置在第一子区域r1-1和第二子非显示区域snda2中的情况下，牺牲层图案sp可以形成在缓冲层111的顶表面上。在下文中，主要详细地描述了牺牲层图案sp形成在无机绝缘层iil的顶表面iilus上的情况。
217.从挡坝部分dp的内表面dpis到第一边缘部分spe1的第三距离d3可以与从挡坝部分dp的内表面dpis到第二边缘部分spe2的第四距离d4不同。第三距离d3可以是从挡坝部分dp的内表面dpis的端部到牺牲层图案sp的第一边缘部分spe1的最短距离。第四距离d4可以是从挡坝部分dp的内表面dpis的端部到牺牲层图案sp的第二边缘部分spe2的最短距离。
218.根据一些实施例，牺牲层图案sp可以包括与半导体层act、栅电极ge、源电极se、漏电极de、顶电极ce2、连接电极cm和第一电极211中的一个相同的材料。根据一些实施例，牺牲层图案sp可以与半导体层act、栅电极ge、源电极se、漏电极de、顶电极ce2、连接电极cm和第一电极211中的一个同时形成。因此，可以不添加掩模工艺。
219.图11a是示出根据一些实施例的制造显示装置的方法的平面图。图11b是根据一些实施例的基板100和牺牲层图案sp的沿着图11a的线f-f'截取的截面图。图12a是示出根据一些实施例的制造显示装置的方法的平面图。图12b是根据一些实施例的基板100和牺牲层图案sp的沿着图12a的线g-g'截取的截面图。图13a是示出根据一些实施例的制造显示装置的方法的平面图。图13b是根据一些实施例的基板100和牺牲层图案sp的沿着图13a的线h-h'截取的截面图。图14是根据一些实施例的基板100和牺牲层图案sp的沿着图13a的线h-h'截取的截面图。图15a是示出根据一些实施例的制造显示装置的方法的平面图。图15b是根据一些实施例的基板100和牺牲层图案sp的沿着图15a的线i-i'截取的截面图。
220.参考图11a和图11b，功能层212f和第二电极213可以形成在第二区域r2和牺牲层图案sp上，功能层212f包括第一功能层212a和第二功能层212c中的至少一个。根据一些实施例，功能层212f和第二电极213可以形成在第一电极211和牺牲层图案sp上。根据一些实施例，第一功能层212a、发射层212b、第二功能层212c、第二电极213和覆盖层215可以顺序形成。在这种情况下，第一功能层212a、第二功能层212c、第二电极213和覆盖层215可以完全形成在基板100上。发射层212b可以形成在像素限定层118的开口118op内部。
221.参考图12a和图12b，激光可以照射到牺牲层图案sp。激光可以在基板100的厚度方向上从基板100的底表面行进，并且可以照射到牺牲层图案sp的底表面。激光可以具有红外波长。在激光是红外射线的情况下，因为基板100和无机绝缘层iil的透射率是80％至90％或更高，所以激光可以有效地到达牺牲层图案sp。
222.激光可以沿着螺旋照射路径照射。尽管在图12a中示出激光顺时针照射，但是根据一些实施例，激光可以逆时针照射。
223.根据一些实施例，第一区域r1的中心rc1和照射路径之间的距离可以在牺牲层图
案sp的圆周方向上减小。作为示例，当激光照射到与第一边缘部分spe1相对应的区域时，第一区域r1的中心rc1和照射路径之间的距离可以相隔第一中心距离dis1。当激光照射到与第二边缘部分spe2相对应的区域时，第一区域r1的中心rc1和照射路径之间的距离可以相隔第二中心距离dis2。在这种情况下，第一中心距离dis1可以与第二中心距离dis2不同。作为示例，第一中心距离dis1可以大于第二中心距离dis2。
224.根据一些实施例，第一区域r1的中心rc1和照射路径之间的距离可以在牺牲层图案sp的圆周方向上连续减小。根据一些实施例，第一区域r1的中心rc1和照射路径之间的距离可以在牺牲层图案sp的圆周方向上以恒定间隔减小。因此，可以防止或减少激光照射到牺牲层图案sp的同一点。
225.根据一些实施例，激光可以照射到牺牲层图案sp的设置在第一边缘部分spe1和第三边缘部分spe3之间的部分spp，部分spp是起点和终点中的一个。根据一些实施例，激光可以照射到牺牲层图案sp的作为起点的部分spp。也就是说，激光可以从牺牲层图案sp的提供台阶差sst的部分开始照射。根据一些实施例，激光可以照射到牺牲层图案sp的作为终点的部分spp。也就是说，激光可以照射直至牺牲层图案sp的提供台阶差sp的部分。因此，由于包括台阶差sst的牺牲层图案sp的形状，即使激光沿着螺旋照射路径照射，也可以减少未处理区域。
226.因为牺牲层图案sp包括不透明的金属，所以牺牲层图案sp可以吸收激光。根据一些实施例，牺牲层图案sp的至少一部分可以热膨胀并且从无机绝缘层iil剥离。此外，第一功能层212a、第二功能层212c、第二电极213和覆盖层215可以与牺牲层图案sp一起剥离。
227.参考图13a和图13b，可以形成透射孔tah。根据一些实施例，功能层孔tah1可以通过去除与牺牲层图案sp重叠的功能层212f来形成。此外，第二电极孔tah2可以通过去除与牺牲层图案sp重叠的第二电极213来形成。此外，覆盖层孔tah3可以通过去除与牺牲层图案sp重叠的覆盖层215来形成。功能层孔tah1、第二电极孔tah2和覆盖层孔tah3可以每个暴露无机绝缘层iil的顶表面iilus。因为功能层孔tah1和覆盖层孔tah3与第二电极孔tah2相同或类似，所以基于第二电极孔tah2详细地描述了孔的形状。
228.第二电极213的边缘213e可以限定第二电极孔tah2。第二电极213的边缘213e可以面对并且围绕第一子区域r1-1。
229.第二电极213的边缘213e可以与第一子区域r1-1间隔开。第二电极213的边缘213e可以与第二子区域r1-2重叠并且与第一子区域r1-1间隔开。第二电极213的边缘213e可以是第二电极213的面对第一子区域r1-1的端部。
230.从第一区域r1的中心rc1到第二电极213的边缘213e的第一部分213e1的第一距离d1可以与从第一区域r1的中心rc1到第二电极213的边缘213e的第二部分213e2的第二距离d2不同。当从平面(例如，xy平面)或在平面图(例如，xy平面)中观察时，第二电极213的边缘213e可以包括台阶差st。可替代地，根据一些实施例，第二电极213的边缘213e可以被弯折。第二电极213的边缘213e的形状可归因于牺牲层图案sp的形状。
231.根据一些实施例，第一距离d1可以大于第二距离d2。在这种情况下，第一部分213e1可以比第二部分213e2更远离第一区域r1的中心rc1。根据一些实施例，第一距离d1可以小于第二距离d2。在这种情况下，第一部分213e1可以比第二部分213e2更靠近第一区域r1的中心rc1。
232.根据一些实施例，第一区域r1的中心rc1和第二电极213的边缘213e之间的距离可以在第二电极孔tah2的圆周方向上减小。
233.从挡坝部分dp的内表面dpis到第一部分213e1的第三距离d3可以与从挡坝部分dp的内表面dpis到第二部分213e2的第四距离d4不同。在这种情况下，第一距离d1和第三距离d3的总和可以与第二距离d2和第四距离d4的总和基本相同。
234.参考图14，可以形成封装层enl。封装层enl可以形成在第二电极213上。封装层enl可以形成在第一区域r1和第二区域r2中。封装层enl可以包括第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330。根据一些实施例，可以进一步形成触摸传感器层和/或光学功能层。
235.第一无机封装层310和第二无机封装层330可以从显示区域da延伸到透射孔tah以与透射孔tah重叠。根据一些实施例，第一无机封装层310和第二无机封装层330可以与功能层孔tah1、第二电极孔tah2和覆盖层孔tah3重叠。因此，第一无机封装层310可以接触无机绝缘层iil的顶表面iilus。
236.参考图15a和图15b，开口区域oa可以形成在基板100中，开口区域oa与第一区域r1重叠。根据一些实施例，开口区域oa可以形成在第一子区域r1-1中。根据一些实施例，因为第一功能层212a、第二功能层212c、第二电极213和覆盖层215在开口区域oa中不暴露到外部，所以可以防止或减少湿气通过第一功能层212a和第二功能层212c中的一个渗透。
237.图16a和图16b是根据要与实施例进行比较的比较例的基板100和牺牲层图案sp的平面图。在图16a和图16b中，因为与图12a的附图标记相同的附图标记表示相同的构件，所以省略了其重复描述。
238.参考图16a，根据比较例的激光照射路径可以不是螺旋形的。在这种情况下，激光照射的起点可以与激光照射的终点一致，并且由激光产生的能量可以在激光照射的起点和/或终点处累积。因此，基板100和在基板100上的多层可能被损坏。相反，根据一些实施例，因为激光沿着螺旋照射路径照射，所以可以防止或减少对基板100和在基板100上的多层的损坏。
239.参考图16b，在比较例中，从第一区域r1的中心rc1到牺牲层图案sp的边缘spe的距离在牺牲层图案sp的圆周方向上可以是恒定的。在这种情况下，当激光沿着螺旋照射路径照射时，激光可以不照射到牺牲层图案sp的一部分。作为示例，牺牲层图案sp可以包括激光未照射到的非激光区域nla。在这种情况下，湿气等可以通过设置在非激光区域nla中的功能层穿透第二区域r2。可替代地，可以在牺牲层图案sp中重复激光照射。
240.根据一些实施例，在牺牲层图案sp中，从第一区域r1的中心rc1到第一边缘部分的第一距离可以与从第一区域r1的中心rc1到第二边缘部分的第二距离不同。也就是说，牺牲层图案sp的边缘可以包括至少一个台阶差。因此，根据一些实施例的牺牲层图案sp可以不包括根据比较例的非激光区域nla。根据一些实施例，在形成牺牲层图案sp的同时，可以图案化和去除非激光区域nla。因此，可以防止或减少湿气等通过设置在第一区域r1中的功能层渗透到第二区域r2。
241.如上所述，根据一些实施例，通过激光剥离工艺去除设置在开口周围的有机层，并且因此，可以防止或减少由于外部湿气或异物对显示元件的损坏。
242.应该理解，本文描述的实施例应该仅在描述性的意义上考虑，而不是为了限制的
目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常应该被认为可用于其他实施例中的其他类似特征或方面。虽然已经参考各图描述了一个或多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解，在不脱离由所附权利要求及其等价形式限定的精神和范围的情况下，可以对其进行形式和细节的各种改变。