基板处理装置以及基板处理方法与流程

1.本发明涉及基板处理装置以及基板处理方法。


背景技术：

2.通常，半导体元件是通过包括在硅晶圆之类基板上形成电路图案的光刻工艺的各种工艺来制造。
3.在这样的半导体元件的制造工艺中产生颗粒、有机污染物、金属杂质之类各种异物。这样的异物在基板上引起缺陷，从而直接影响半导体元件的成品率。因此，在半导体元件的制造工艺中，为了去除异物，一定需要清洗基板的过程。
4.为了清洗基板，执行用清洗剂清洗基板的清洗工艺以及干燥基板的干燥工艺。
5.作为干燥工艺，执行使用超临界流体来干燥基板的超临界干燥工艺。
6.超临界流体在临界温度以上的温度以及临界压力以上的压力下同时具有气体和液体的性质，扩散性和浸水性出色，溶解度高，表面张力低，因此在干燥基板的干燥工艺中非常有效地使用。
7.为了执行这样的超临界干燥工艺，需要在基板所在的基板处理容器中形成高温的超临界环境。
8.作为以往技术，专利文献1公开了具备基板处理容器、流体供应部、导热元件板、表面温度测定传感器的基板清洗装置。根据专利文献1，表面温度测定传感器感测基板所在的空间的温度。
9.随着重复进行干燥基板的干燥工艺，基板处理容器的表面温度上升。由于基板处理容器的表面温度上升，基板处理容器的表面温度分布发生偏差。因基板处理容器的表面温度分布的偏差，超临界流体不均匀地扩散。而且，因超临界流体的不均匀扩散，可能在基板上发生缺陷。
10.(专利文献1)韩国公开号10-2011-0080362(2011.07.13)


技术实现要素：

11.本发明的目的在于提供能够测定基板处理容器的表面温度并基于基板处理容器的表面温度来确定是否向基板处理容器运进基板的基板处理装置以及基板处理方法。
12.用于达到上述的目的的根据本发明的实施例的基板处理装置可以包括：基板清洗单元，构成为清洗基板；基板干燥单元，构成为干燥基板；以及搬运机械手，构成为在基板清洗单元和基板干燥单元之间搬运基板，基板干燥单元可以包括具有容纳基板的基板处理空间的基板处理容器，在搬运机械手中可以设置对基板处理容器的表面温度进行测定的表面温度测定传感器。
13.可以是，根据本发明的实施例的基板处理装置还包括：控制部，基于通过表面温度测定传感器测定到的基板处理容器的表面温度，确定是否将基板运进基板处理容器。
14.搬运机械手可以包括：第一手部，构成为从基板干燥单元运出基板；第二手部，构
成为向基板清洗单元运进基板；以及第三手部，构成为从基板清洗单元运出基板并向基板干燥单元运进基板，表面温度测定传感器可以设置于第一手部。
15.第一手部可以包括：基板安放部件，被安放基板；以及导向部件，构成为从基板安放部件凸出而支承基板的侧面，表面温度测定传感器可以安装于在导向部件凹陷的容纳槽内。
16.基板处理容器可以包括彼此结合而形成基板处理空间的第一主体以及第二主体，第一主体可以具备与第二主体面对的第一对应面，第二主体可以具备与第一主体的第一对应面面对的第二对应面，表面温度测定传感器可以构成为测定第一对应面或者第二对应面的表面温度。
17.表面温度测定传感器可以设置多个，在第二主体中可以以第二对应面的中心为基准向圆周方向配置多个加热模组，多个表面温度测定传感器可以构成为从在与配置多个加热模组的圆相同的圆或者具有相同的中心的圆上配置的多个测定点位测定第二对应面的表面温度。
18.可以是，表面温度测定传感器是非接触式温度传感器。
19.可以是，根据本发明的实施例的基板处理方法，使用基板处理装置来处理基板，基板处理装置包括：基板清洗单元，构成为清洗基板；以及基板干燥单元，构成为干燥基板，并包括容纳基板的基板处理容器，基板处理方法包括：(a)测定基板处理容器的表面温度的步骤；(b)判断基板处理容器的表面温度是否超出预先设定的基准温度范围的步骤；以及(c)当基板处理容器的表面温度在预先设定的基准温度范围内时，将基板从基板清洗单元向基板干燥单元搬运的步骤。
20.可以是，根据本发明的实施例的基板处理方法还包括：(d)当基板处理容器的表面温度不在预先设定的基准温度范围内时，调节基板处理容器的温度的步骤。
21.根据本发明的实施例的基板处理方法可以还包括：在(a)步骤之前，检测基板处理容器中是否存在先行基板，当基板处理容器中存在先行基板时，可以在将先行基板从基板处理容器运出的同时执行(a)步骤。
22.基板处理装置可以包括多个基板处理容器，(a)步骤以及(b)步骤可以针对多个基板处理容器执行，(c)步骤可以向多个基板处理容器中的表面温度在预先设定的基准温度范围内的基板处理容器优先运进基板。
23.可以是，根据本发明的实施例的基板处理方法还包括：对多个基板处理容器中的表面温度不在预先设定的基准温度范围内的基板处理容器的温度进行调节的步骤。
24.基板处理装置可以包括搬运机械手，搬运机械手包括第一手部、第二手部、第三手部，从基板干燥单元运出基板的过程可以通过第一手部执行，向基板清洗单元运进基板的过程可以通过第二手部执行，从基板清洗单元运出基板并向基板干燥单元运进基板的过程可以通过第三手部执行，测定基板处理容器的表面温度的过程可以通过设置于第一手部的表面温度测定传感器执行。
25.可以是，根据本发明的实施例的基板处理方法，使用基板处理装置来处理基板，基板处理装置包括：基板清洗单元，构成为清洗基板；以及基板干燥单元，构成为干燥基板，并包括容纳基板的基板处理容器，基板处理方法包括：(a)从基板清洗单元运出基板的步骤；(b)测定基板处理容器的表面温度的步骤；(c)判断基板处理容器的表面温度是否超出预先
设定的基准温度范围的步骤；(d)当基板处理容器的表面温度在预先设定的基准温度范围内时，将基板向基板干燥单元搬运的步骤；以及(e)当基板处理容器的表面温度不在预先设定的基准温度范围内时，将基板运进基板清洗单元的步骤。
26.可以是，根据本发明的实施例的基板处理方法还包括：(f)当基板处理容器的表面温度不在预先设定的基准温度范围内时，调节基板处理容器的温度的步骤。
27.根据本发明的实施例的基板处理方法可以还包括：在(a)步骤之前，检测基板处理容器中是否存在先行基板的步骤，当基板处理容器中存在先行基板时，可以在将先行基板从基板处理容器运出的同时执行(a)步骤。
28.可以是，在(e)步骤中，向运进基板清洗单元中的基板供应药液而防止基板的表面的干燥。
29.基板处理装置可以包括多个基板处理容器，(b)步骤以及(c)步骤可以针对多个基板处理容器执行，(d)步骤可以向多个基板处理容器中的表面温度在预先设定的基准温度范围内的基板处理容器优先运进基板。
30.可以是，根据本发明的实施例的基板处理方法还包括：对多个基板处理容器中的表面温度不在预先设定的基准温度范围内的基板处理容器的温度进行调节的步骤。
31.基板处理装置可以包括搬运机械手，搬运机械手包括第一手部、第二手部、第三手部，从基板干燥单元运出基板的过程可以通过第一手部执行，向基板清洗单元运进基板的过程可以通过第二手部执行，从基板清洗单元运出基板并向基板干燥单元运进基板的过程可以通过第三手部执行，测定基板处理容器的表面温度的过程可以通过设置于第一手部的表面温度测定传感器执行。
32.基于根据本发明的实施例的基板处理装置以及基板处理方法，构成为对基板处理容器的表面温度进行测定的表面温度测定传感器设置于搬运机械手。因此，表面温度测定传感器能够准确测定基板处理容器的表面温度。由此，能够防止在基板处理容器的表面温度超出预先设定的温度范围的状态下将基板运进基板处理容器。因此，能够防止因在基板处理容器的表面温度超出预先设定的温度范围的状态下基板运进基板处理容器的内部而可能发生的超临界流体的不均匀分布，由此，能够防止因超临界流体的不均匀分布而可能发生的基板的缺陷。
附图说明
33.图1是概要示出根据本发明的实施例的基板处理装置的图。
34.图2是概要示出根据本发明的实施例的基板处理装置的基板清洗单元的图。
35.图3以及图4是概要示出根据本发明的实施例的基板处理装置的基板干燥单元的图。
36.图5以及图6是概要示出根据本发明的实施例的基板处理装置的基板干燥单元的基板处理容器的图。
37.图7是概要示出根据本发明的实施例的基板处理装置的搬运机械手的图。
38.图8是概要示出根据本发明的实施例的基板处理方法的一例的流程图。
39.图9是概要示出根据本发明的实施例的基板处理方法的另一例的流程图。
40.图10是概要示出根据本发明的实施例的基板处理方法的又另一例的流程图。
41.(附图标记说明)
42.42：基板处理容器
43.421：第一主体
44.422：第二主体
45.50：搬运机械手
46.60：表面温度测定传感器
具体实施方式
47.下面，参照所附附图，说明根据本发明的实施例的基板处理装置以及基板处理方法。
48.首先，参照图1至图7，说明根据本发明的实施例的基板处理装置。
49.如图1所示，基板处理装置包括索引部10以及工艺处理部20。
50.索引部10包括卸载埠11以及传送架12。
51.卸载埠11、传送架12、工艺处理部20依次呈一列配置。下面，卸载埠11、传送架12、工艺处理部20所排列的方向定义为x轴方向。而且，与x轴方向垂直的方向定义为y轴方向。而且，与包含x轴方向和y轴方向的x-y平面垂直的方向定义为z轴方向。
52.在卸载埠11中安放收纳有基板的承载体13。卸载埠11设置多个。多个卸载埠11向y轴方向呈一列配置。作为承载体13，可以使用前开式晶圆传输盒(front opening unified pod(foup))。
53.工艺处理部20包括缓冲模组21、搬运腔室22、第一工艺腔室23、第二工艺腔室24、构成为控制基板处理工艺的控制部(未图示)。
54.工艺处理部20可以包括多个第一工艺腔室23以及多个第二工艺腔室24。在多个第一工艺腔室23以及多个第二工艺腔室24中可以同时或者依次处理基板。
55.搬运腔室22配置成其长度方向与x轴方向平行。
56.缓冲模组21配置于传送架12和搬运腔室22之间。在搬运腔室22和传送架12之间搬运的基板在缓冲模组21中等待。
57.传送架12在安放于卸载埠11中的承载体13和缓冲模组21之间搬运。在传送架12中设置索引轨道14和索引机械手15。
58.索引机械手15设置于索引轨道14上并沿着索引轨道14向y轴方向直线移动。索引机械手15构成为从工艺处理部20向承载体13搬运基板并从承载体13向工艺处理部20搬运基板。
59.第一工艺腔室23和第二工艺腔室24可以构成为针对一个基板依次执行工艺。
60.在第一工艺腔室23内可以执行清洗工艺、漂洗工艺、置换工艺之类液处理工艺。置换工艺可以使用有机溶剂来执行。作为有机溶剂，可以使用异丙醇(ipa)。
61.在第一工艺腔室23内设置基板清洗单元30。
62.如图2所示，基板清洗单元30包括回收容器31、旋转头32、升降模组33、喷射模组34。
63.回收容器31提供清洗基板s的空间。回收容器31构成为对供应到基板s的药剂进行回收。若在通过旋转头32使基板s旋转的状态下向基板s供应药剂，则药剂在基板s上均匀分
散之后从基板s飞散。此时，飞散的药剂可以回收到回收容器31。
64.旋转头32配置于回收容器31内。旋转头32起到将基板s支承并使其旋转的作用。
65.升降模组33构成为使回收容器31向上下方向直线移动。回收容器31向上下方向移动，从而调节回收容器31相对旋转头32的相对高度。
66.喷射模组34构成为向基板s供应处理液。喷射模组34可以设置多个。当设置多个喷射模组34时，可以通过多个喷射模组34供应不同的处理液。
67.在第二工艺腔室24中可以执行干燥基板的干燥工艺。干燥工艺可以使用超临界流体来执行。作为超临界流体，可以使用二氧化碳。超临界流体起到将在形成于基板的上面的微细电路图案之间残留的异物去除的作用。
68.在第二工艺腔室24内设置针对基板执行干燥工艺的基板干燥单元40。
69.如图3以及图4所示，基板干燥单元40构成为对残留有机溶剂的基板s进行干燥。基板干燥单元40可以使用超临界流体来干燥基板s。
70.基板干燥单元40包括壳体41、基板处理容器42、升降模组43、加热模组44、阻断模组45、排气模组46、流体供应模组47、夹紧模组48、移动模组49。
71.在壳体41的内部配置基板处理容器42、升降模组43、加热模组44、阻断模组45。
72.在基板处理容器42的内部设置容纳基板s的基板处理空间428。基板处理容器42包括第一主体421以及第二主体422。
73.第一主体421和第二主体422彼此结合，从而能够密闭基板处理空间428。
74.第一主体421具有底面(与第二主体422面对的第一对应面425)。第一主体421的第一对应面425形成为台阶。第一主体421的第一对应面425的中央位于比边缘低处。例如，第一主体421可以形成为大致圆筒形状。第一主体421可以通过升降模组43相对于第二主体422上升或者下降。
75.在第一主体421中形成第一流体供应流路423以及第一流体排出流路429。超临界流体可以通过第一流体供应流路423向基板处理空间428供应。
76.第二主体422与第一主体421结合来形成基板处理空间428。第二主体422位于第一主体421的上方。
77.第二主体422具有上面(与第一主体421的第一对应面425面对的第二对应面426)。第二主体422的第二对应面426可以形成为中央位于比边缘高处的形状。例如，第二主体422可以提供为大致圆筒形状。
78.在第二主体422中形成第二流体供应流路424。超临界流体可以通过第二流体供应流路424向基板处理空间428供应。
79.在第二主体422的第二对应面426中设置基板支承部427。基板支承部427起到在基板处理空间428内支承基板s的作用。基板s具有处理面(基板s的上面)以及非处理面(基板s的下面)。基板s被基板支承部427支承为处理面朝向第二主体422且非处理面朝向第一主体421。
80.升降模组43使第一主体421上升或下降来调节第一主体421和第二主体422间相对位置。升降模组43使第一主体421上升，从而第一主体421和第二主体422能够彼此紧贴(参照图4)。升降模组43使第一主体421下降，从而第一主体421和第二主体422能够彼此隔开(参照图3)。
81.加热模组44构成为加热基板处理空间428。加热模组44将供应到基板处理空间428中的超临界流体加热到临界温度以上而将超临界流体保持为超临界状态。加热模组44可以构成为加热器。加热模组44可以设置于第二主体422内。例如，加热模组44可以插入于在第二主体422形成的槽。
82.如图5以及图6所示，多个加热模组44可以以第二主体422的第二对应面426的中心为基准而沿着圆周方向配置。多个加热模组44可以以第二主体422的第二对应面426的中心为基准而配置在一个圆上。多个加热模组44可以以均匀的间隔配置。因此，多个加热模组44能够均匀地加热基板处理空间428。
83.另一方面，在第二主体422内可以设置温度传感器441。例如，温度传感器441可以插入于在第二主体422形成的槽。
84.控制部基于通过温度传感器441测定的温度来控制加热模组44，从而调整基板处理空间428内的温度。
85.阻断模组45防止从第一流体供应流路423供应的超临界流体向基板s的非处理面直接供应。例如，阻断模组45可以包括阻断板。
86.排气模组46构成为排出在基板处理空间428内存在的工艺副产物。
87.流体供应模组47构成为向基板处理空间428供应超临界流体。超临界流体通过临界温度以及临界压力以超临界状态供应。流体供应模组47可以包括多个供应线。
88.夹紧模组48构成为固定第一主体421以及第二主体422。如图2所示，可以在第一主体421和第二主体422彼此紧贴的状态下，第一主体421以及第二主体422被夹紧模组48固定。夹紧模组48包括构成为与第一主体421以及第二主体422紧贴的第一夹紧部件481以及第二夹紧部件482。
89.移动模组49可以构成为使第一夹紧部件481以及第二夹紧部件482移动。第一夹紧部件481和第二夹紧部件482可以通过移动模组49彼此相邻地移动来固定第一主体421以及第二主体422(参照图4)。第一夹紧部件481和第二夹紧部件482可以通过移动模组49彼此隔开地移动来解除第一主体421以及第二主体422(参照图3)。
90.另一方面，在搬运腔室22中，在缓冲模组21、第一工艺腔室23、第二工艺腔室24之间搬运基板。
91.如图1所示，在搬运腔室22内设置导轨221和搬运机械手50。
92.导轨221配置成其长度方向与x轴方向平行。搬运机械手50设置在导轨221上。搬运机械手50沿着导轨221向x轴方向直线移动。
93.如图3所示，搬运机械手50执行将基板s搬运到基板干燥单元40的基板处理空间428内而搭载于基板支承部427的作用。另外，搬运机械手50执行从基板干燥单元40的基板支承部427向外部运出基板s的作用。
94.如图7所示，搬运机械手50可以包括多个手部51、52、53。
95.多个手部51、52、53可以包括第一手部51、第二手部52、第三手部53。
96.第一手部51、第二手部52、第三手部53可以向垂直方向呈一列配置。第一手部51配置于最上层，第三手部53配置于最下层。第二手部52配置于第一手部51和第三手部53之间。第一手部51、第二手部52、第三手部53可以各自独立移动。
97.第一手部51、第二手部52、第三手部53具有基板安放部件54、第一导向部件55、第
二导向部件56。
98.在基板安放部件54中安放基板s。基板安放部件54可以将基板s以水平状态支承。基板安放部件54可以形成为板状。
99.第一导向部件55以及第二导向部件56从基板安放部件54凸出。第一导向部件55以及第二导向部件56支承基板s的侧面。第一导向部件55以及第二导向部件56防止基板s从基板安放部件54脱离。
100.第一手部51可以用于将在第二工艺腔室24内完成处理的基板s从第二工艺腔室24运出。即，第一手部51可以用于从基板干燥单元40的基板处理空间428运出基板s。
101.第二手部52可以用于将基板s运进第一工艺腔室23。即，第二手部52可以用于在基板清洗单元30的旋转头32上搭载基板s。
102.第三手部53可以用于将在第一工艺腔室23内完成处理的基板s运进第二工艺腔室24。即，第三手部53可以用于将基板s从基板清洗单元30的旋转头32运出之后，将基板s运进基板干燥单元40的基板支承部427。此时，第三手部53可以用于将涂布有有机溶剂的基板s从基板清洗单元30运进基板干燥单元40。
103.向第一工艺腔室23运进基板s的工艺、从第一工艺腔室23运出基板s的工艺、向第二工艺腔室24运进基板s的工艺、从第二工艺腔室24运出基板s的工艺可以通过第一手部51、第二手部52、第三手部53同时或者依次执行。因此，向第一工艺腔室23运进基板s的工艺、从第一工艺腔室23运出基板s的工艺、向第二工艺腔室24运进基板s的工艺、从第二工艺腔室24运出基板s的工艺能够迅速且有效地执行。
104.另一方面，本发明不限于搬运机械手具备3个手部的结构，本发明也可以适用于搬运机械手具备单一手部的结构、搬运机械手具备2个手部的结构、搬运机械手具备4个以上的手部的结构。
105.在基板干燥单元40内执行干燥基板s的工艺的过程中，第一主体421以及第二主体422的表面温度增加。即，向基板处理空间428供应的超临界流体的温度比基板处理空间428的设定温度高，因此基板处理容器42的表面温度(即，第一主体421的表面温度以及第二主体422的表面的温度)增加。
106.若基板处理容器42的表面温度增加，则超临界流体不均匀地扩散，因此在基板s上发生缺陷。
107.另一方面，基板干燥单元40具备温度传感器441。但是，温度传感器441设置于基板处理容器42的第二主体422的内部，因此温度传感器441的位置和第二主体422的第二对应面426的位置之间存在位置差异t(参照图3)。因这样的位置差异t，温度传感器441不能准确地测定第二对应面426的表面温度。
108.因此，为了防止基板处理容器42的表面温度增加引起的基板s的缺陷，可以在搬运机械手50设置表面温度测定传感器60(参照图7)。
109.表面温度测定传感器60可以安装于第一手部51。表面温度测定传感器60可以是非接触式温度传感器。非接触式温度传感器可以是测定来自物体的红外辐射率的红外线传感器。表面温度测定传感器60可以是自动调节焦距的非接触式温度传感器。
110.在第一手部51中可以安装多个表面温度测定传感器60。
111.作为一例，如图5所示，多个表面温度测定传感器60可以构成为从在与配置多个加
热模组44的圆具有相同的中心(同心)的圆上配置的多个测定点位m测定第二主体422的第二对应面426的表面温度。为此，多个表面温度测定传感器60可以配置在与配置多个加热模组44的圆具有同心的圆上。
112.作为另一例，如图6所示，多个表面温度测定传感器60可以构成为从在与配置多个加热模组44的圆相同的圆上配置的多个测定点位m测定第二主体422的第二对应面426的表面温度。为此，多个表面温度测定传感器60可以配置在与配置多个加热模组44的圆相同的圆上。
113.如此，多个表面温度测定传感器60构成为从与多个加热模组44的位置相对应的多个测定点位m测定第二主体422的第二对应面426的表面温度，因此能够更准确地测定第二主体422的第二对应面426的表面温度。
114.另一方面，当搬运机械手50具备单一手部时，可以在单一手部安装表面温度测定传感器60。当搬运机械手50具备2个或者4个以上的手部时，表面温度测定传感器60可以安装于位于最上层的手部。
115.另一方面，表面温度测定传感器60可以构成为不仅测定第二主体422的第二对应面426还测定第一主体421的第一对应面425的表面温度。即，表面温度测定传感器60可以构成为测定第一对应面425或者第二对应面426的表面温度，或测定第一对应面425以及第二对应面426全部的表面温度。
116.表面温度测定传感器60与控制部连接。控制部可以基于通过表面温度测定传感器60测定的基板处理容器42的表面温度，确定是否将基板运进基板处理容器42。
117.另外，当通过表面温度测定传感器60测定的基板处理容器42的表面温度小于预先设定的基准温度范围时，控制部控制加热模组44以加热基板处理空间428。
118.另外，当通过表面温度测定传感器60检测的基板处理容器42的表面温度超过预先设定的基准温度时，控制部可以使加热模组44不加热基板处理空间428。
119.在此，预先设定的温度范围是适合于基板s的特性的温度范围。预先设定的温度范围可以如下获得：在基板s位于基板处理容器42内的状态下，在使基板处理容器42的表面温度变化的同时测定是否发生基板s的缺陷，测定不发生基板s的缺陷时的温度。预先设定的温度范围可以从多个温度测定值的平均或者偏差获得。
120.可以是，在第一手部51的第一导向部件55以及第二导向部件56中形成以预定的深度凹陷的容纳槽551、561，表面温度测定传感器60安装于容纳槽551、561内。因此，在第一手部51搬运基板s的过程中，表面温度测定传感器60与基板s不接触。因此，能够防止基板s和表面温度测定传感器60接触时可能发生的基板s或者表面温度测定传感器60的损坏。
121.下面，参照图8来说明根据本发明的实施例的基板处理方法的一例。
122.首先，搬运机械手50的第三手部53向第一工艺腔室23的基板清洗单元30移动而将通过基板清洗单元30完成处理的基板s(后续基板s)从基板清洗单元30运出(s10)。
123.而且，控制部检测在第二工艺腔室24的基板干燥单元40的基板处理容器42中是否存在先行基板s(s11)。
124.若在基板干燥单元40的基板处理容器42内存在先行基板s(s12)，则不能向基板处理容器42运进基板s，因此搬运机械手50的第一手部51从基板处理容器42运出先行基板s(s13)。
125.在搬运机械手50的第一手部51运出先行基板s的过程中，可以通过设置于第一手部51的表面温度测定传感器60测定基板处理容器42的表面温度(s13)。
126.另一方面，若在基板处理容器42内不存在先行基板s(s12)，则搬运机械手50的第一手部51向基板干燥单元40移动而测定基板处理容器42的表面温度(s14)。
127.而且，控制部判断测定到的基板处理容器42的表面温度是否在基准温度范围内(s16)。
128.若测定到的基板处理容器42的表面温度在基准温度范围内(s16)，则搬运机械手50的第三手部53向基板处理容器42运进后续基板s(s17)。由此，在基板干燥单元40的基板处理容器42中执行干燥基板s的过程。
129.另一方面，若测定到的基板处理容器42的表面温度不在基准温度范围内(s16)，即当基板处理容器42的表面温度小于或超过预先设定的温度范围时，可以执行调节基板处理容器42的内部温度的过程(s15)。
130.作为一例，在调节基板处理容器42的内部温度的过程中，第一手部51可以继续位于基板处理容器42的内部。作为另一例，在调节基板处理容器42的内部温度的过程中，第一手部51可以从基板处理容器42向外部移动而位于基板处理容器42的外部。
131.若完成调节基板处理容器42的内部温度的过程，则重新执行用安装于第一手部51中的表面温度测定传感器60测定基板处理容器42的表面温度的过程(s14)。
132.此时，当基板处理容器42的表面温度小于或超过预先设定的温度范围时，可以重新执行调节基板处理容器42的内部温度的过程(s15)。
133.另一方面，当基板处理容器42的表面温度在预先设定的温度范围内时，搬运机械手50的第三手部53向基板处理容器42内移动而向基板处理容器42运进基板s。
134.由此，可以在针对基板s适当地设定的温度范围内针对基板s执行处理。
135.下面，参照图9来说明根据本发明的实施例的基板处理方法的另一例。
136.首先，搬运机械手50的第三手部53向第一工艺腔室23的基板清洗单元30移动而将通过基板清洗单元30完成处理的基板s从基板清洗单元30运出(s20)。
137.而且，搬运机械手50的第一手部51向基板干燥单元40移动而测定基板处理容器42的表面温度(s21)。
138.而且，控制部判断测定到的基板处理容器42的表面温度是否在基准温度范围内(s22)。
139.若测定到的基板处理容器42的表面温度在基准温度范围内(s16)，则搬运机械手50的第三手部53向基板处理容器42运进基板s(s29)。由此，在基板干燥单元40的基板处理容器42中执行干燥基板s的过程。
140.另一方面，若测定到的基板处理容器42的表面温度不在基准温度范围内(s22)，即当基板处理容器42的表面温度小于或超过预先设定的温度范围时，搬运机械手50的第三手部53将基板s向基板清洗单元30重新运进(s23)。针对重新运进基板清洗单元30的基板s，可以进行干燥防止工艺(s24)。在干燥防止工艺中，可以针对基板s喷射药液，由此，能够防止基板s的表面干燥。
141.如此，当测定到的基板处理容器42的表面温度不在基准温度范围内时，可以将基板s不运进基板干燥单元40而运进基板清洗单元30，从而防止基板s的表面干燥。
142.在此过程中，可以执行调节基板处理容器42的内部温度的过程(s25)。
143.作为一例，在调节基板处理容器42的内部温度的过程中，第一手部51可以继续位于基板处理容器42的内部。作为另一例，在调节基板处理容器42的内部温度的过程中，第一手部51可以从基板处理容器42向外部移动而位于基板处理容器42的外部。
144.若完成调节基板处理容器42的内部温度的过程，则可以重新执行用安装于第一手部51中表面温度测定传感器60测定基板处理容器42的表面温度的过程(s26)。
145.此时，当基板处理容器42的表面温度小于或超过预先设定的温度范围时，可以重新执行调节基板处理容器42的内部温度的过程(s25)。
146.另一方面，当基板处理容器42的表面温度在预先设定的温度范围内时，搬运机械手50的第三手部53向执行干燥防止工艺中的基板清洗单元30移动而从基板清洗单元30运出基板s(s28)。
147.而且，搬运机械手50的第三手部53向基板干燥单元40的基板处理容器42内移动而向基板处理容器42运进基板s。
148.由此，可以在针对基板s适当地设定的温度范围内针对基板s执行处理。
149.下面，参照图10来说明根据本发明的实施例的基板处理方法的又另一例。
150.首先，搬运机械手50的第三手部53向第一工艺腔室23的基板清洗单元30移动而将通过基板清洗单元30完成处理的基板s从基板清洗单元30运出(s30)。
151.而且，搬运机械手50的第一手部51向多个基板干燥单元40的基板处理容器42移动，并通过表面温度测定传感器60测定多个基板处理容器42的表面温度(s31)。
152.而且，控制部判断是否存在测定温度为基准温度范围以内的基板干燥单元40(s32)。
153.当存在测定温度为基准温度范围以内的基板干燥单元40时，搬运机械手50的第三手部53向测定温度为基准温度范围以内的基板干燥单元40的基板处理容器42优先移动而将基板s向基板处理容器42运进(s33)。
154.当不存在测定温度为基准温度范围以内的基板干燥单元40时，可以执行调节多个基板干燥单元40的基板处理容器42的内部温度的过程(s34)。
155.若完成调节基板处理容器42的内部温度的过程，则重新执行用安装于第一手部51中的表面温度测定传感器60测定多个基板处理容器42的表面温度的过程(s31)。
156.此时，当基板处理容器42的表面温度小于或超过预先设定的温度范围时，可以重新执行调节基板处理容器42的内部温度的过程。
157.另一方面，当基板处理容器42的表面温度在预先设定的温度范围内时，搬运机械手50的第三手部53向基板处理容器42内移动而向基板处理容器42运进基板s。
158.由此，可以在针对基板s适当地设定的温度范围内针对基板s执行处理。
159.另一方面，参照图8至图10来说明的根据本发明的实施例的基板处理方法可以彼此组合。
160.基于根据本发明的实施例的基板处理装置以及基板处理方法，构成为对基板处理容器42的表面温度进行测定的表面温度测定传感器60设置于搬运机械手50。因此，表面温度测定传感器60能够准确地测定基板处理容器42的表面温度。由此，能够防止在基板处理容器42的表面温度超出预先设定的温度范围的状态下将基板s运进基板处理容器42。因此，
能够防止因基板处理容器42的表面温度超出预先设定的温度范围的状态下将基板s运进基板处理容器42的内部而可能发生的超临界流体的不均匀分布，由此，能够防止因超临界流体的不均匀分布而可能发生的基板s的缺陷。
161.例示性说明了本发明的优选实施例，但本发明的范围不限于这样的特定实施例，可以在权利要求书中记载的范畴内进行适当变更。