半导体装置及其形成方法与流程

1.本揭露关于一种半导体装置及其形成方法。


背景技术：

2.除其他外，电容器可用于在电路内储存电荷。


技术实现要素：

3.根据本揭露的一些实施例中，一种形成半导体装置的方法，其包含以下步骤：在一第一电压域中形成一第一电容器；在该第一电压域中形成一第二电容器；将该第一电容器与该第二电容器并联连接；在一第二电压域中形成一第三电容器；在该第二电压域中形成一第四电容器；将该第三电容器与该第四电容器串联连接；将该第一电容器及该第二电容器与该第一电压域的一供电点及该第一电压域的一参考点并联连接；将该第四电容器连接至该第二电压域的一供电点；以及将该第三电容器连接至该第二电压域的一参考点。
4.根据本揭露的一些实施例中，一种半导体装置包括第一导电板、在第一导电板上方的介电材料的第一部分、在介电材料的第一部分上方的第二导电板、在第二导电板上方的介电材料的第二部分，在介电材料的第二部分上方的第三导电板、在第三导电板上方的介电材料的第三部分、在介电材料的第三部分上方的第四导电板、在第四导电板上方的介电材料的第四部分、及在介电材料的第四部分上方的第五导电板。第一导电通孔连接至第一导电板及第五导电板。第二导电通孔连接至第三导电板。第三导电通孔连接至第二导电板及第四导电板。
5.根据本揭露的一些实施例中，一种半导体装置包括第一电压域及第二电压域，第一电压域包括与第一供应电压相关联且包括第一供电点及第一参考点的第一电压平面。第一电容器网络跨第一供电点及第一参考点连接，且包括第一堆叠，第一堆叠包含具有第一厚度的导电材料及具有第二厚度的介电材料的多个交替层。第一供应电压小于具有第二厚度的介电材料的崩溃电压。第二电压域包括与第二供应电压相关联且包括第二供电点及第二参考点的第二电压平面。第二电容器网络跨第二供电点及第二参考点连接，且包括第二堆叠，第二堆叠包含具有第一厚度的导电材料及具有第二厚度的介电材料的多个交替层。第二供应电压大于具有第二厚度的介电材料的崩溃电压。
附图说明
6.本揭露的态样在与随附附图一起研读时自以下详细描述内容理解。应理解，附图的元件及结构不一定按比例绘制。因此，各种特征的尺寸可为了论述清楚经任意地增大或减小。
7.图1是根据一些实施例的半导体装置的横截面图；
8.图2至图15是根据一些实施例的在制造的各个阶段的半导体装置的横截面图；
9.图16至图18是根据一些实施例的电容器网络的电路图；
10.图19是图示根据一些实施例的处理半导体基板的方法的流程图；
11.图20图示根据一些实施例的实例计算机可读媒体，其中可包含用以体现本文阐述的一或多个规定的处理器可执行指令；
12.图21图示根据一些实施例的实例计算环境，其中可实施本文阐述的一或多个规定。
13.【符号说明】
14.m1,m2,m3,mx:层
[0015]vdd
:供应电压
[0016]vss
:参考电压
[0017]
100:半导体装置
[0018]
105:基板层
[0019]
110:第一区
[0020]
115:第二区
[0021]
120:半导体元件
[0022]
125:半导体元件
[0023]
130:栅极结构
[0024]
135:源极/漏极区
[0025]
140:侧壁间隔物
[0026]
145:栅极帽层
[0027]
150:栅极结构
[0028]
155:源极/漏极区
[0029]
160:侧壁间隔物
[0030]
165:栅极帽层
[0031]
170:sti结构
[0032]
175:介电层
[0033]
180:导电触点
[0034]
185:导电触点
[0035]
190:元件层
[0036]
195:介电层
[0037]
195a:第二介电层
[0038]
195b:第三介电层
[0039]
195c:第四介电层
[0040]
195n:第n介电层
[0041]
200:蚀刻停止层
[0042]
205:导电触点
[0043]
205l:接线部分
[0044]
205v:通孔部分
[0045]
210:导电电源线
[0046]
215:导电电源线
[0047]
220:钝化层
[0048]
225:导电接触垫
[0049]
230:导电接触垫
[0050]
235:聚酰亚胺层
[0051]
240:焊料凸块
[0052]
245:焊料凸块
[0053]
250:第一电容器网络
[0054]
255:第二电容器网络
[0055]
300:第一导电层
[0056]
300a～d:导电板
[0057]
305:第一介电层
[0058]
310:第二介电层
[0059]
315:第二导电层
[0060]
315a～d:导电板
[0061]
320:第三介电层
[0062]
325:第三导电层
[0063]
325a～d:导电板
[0064]
330:第四介电层
[0065]
335:第四导电层
[0066]
335a～d:导电板
[0067]
340:第五介电层
[0068]
345:第五导电层
[0069]
345a～d:导电板
[0070]
350:第六介电层
[0071]
355:罩幕
[0072]
360a～e:通孔开口
[0073]
365a～e:导电通孔
[0074]
370a:第一电容器
[0075]
370b:第二电容器
[0076]
370c:第三电容器
[0077]
370d:第四电容器
[0078]
375:电容器网络
[0079]
380a:第一电容器
[0080]
380b:第二电容器
[0081]
380c:第三电容器
[0082]
380d:第四电容器
[0083]
385:电容器网络
[0084]
395a～b:中间节点
[0085]
500:方法
[0086]
502、504、506、508、510、512、514、516、518:步骤
[0087]
600:实施例
[0088]
602:计算机可读媒体
[0089]
604:计算机可读数据
[0090]
606:处理器可执行计算机指令
[0091]
608:方法
[0092]
700:系统
[0093]
702:计算装置
[0094]
704:处理单元
[0095]
706:记忆体
[0096]
708:虚线
[0097]
710:储存器
[0098]
712:通信接口
[0099]
714:输入装置
[0100]
716:输出装置
[0101]
718:计算装置
[0102]
720:网络
具体实施方式
[0103]
以下揭示内容提供用于实施所提供标的物的不同特征的许多不同实施例、或实例。下文描述组件及配置的特定实例以简化本揭露。当然，这些仅为实例且非意欲为限制性的。举例而言，在以下描述中第一特征于第二特征上方或上的形成可包括第一及第二特征直接接触地形成的实施例，且亦可包括额外特征可形成于第一特征与第二特征之间使得第一特征及第二特征可不直接接触的实施例。此外，本揭露在各种实例中可重复参考数字及/或字母。此重复是出于简单及清楚的目的，且本身且不指明所论述的各种实施例及/或组态之间的关系。
[0104]
此外，为了方便用于描述如诸图中图示的一个元件或特征与另一(多个)元件或(多个)特征的关系的描述，在本文中可使用空间相对术语，诸如“在
……
下面”、“在
……
之下”、“下部”、“在
……
之上”、“上部”及类似者。空间相对术语意欲涵盖除了诸图中所描绘的定向以外的装置在使用或操作时的不同定向。装置可另外定向(旋转90度或处于其他定向)，且本文中所使用的空间相对描述符可类似地加以相应解释。
[0105]
本文提供了一或多种用于形成半导体装置的技术以及由此形成的所得结构。根据一些实施例，提供导电材料及介电材料的交替层的第一堆叠以定义第一电压域中的第一电容器网络，且提供导电材料及介电材料的交替层的第二堆叠以定义第二电压域中的第二电容器网络。第一电压域的供应电压小于介电材料的崩溃电压。第二电压域的供应电压大于介电材料的崩溃电压。第一电容器网络包含与第二电容器并联连接的第一电容器，且第二电容器网络包含与第四电容器串联连接的第三电容器。
[0106]
对于大多数应用而言，与具有相对较少单元且占据设计的相对较小部分的高压功率域相比，低压功率域具有更多单元且占据设计的较大部分。电容器材料的选择可涉及材
料的介电常数k及材料的带隙之间的权衡。可选择材料以提高低电压域中的电压平面稳定电容器的电容，同时抑制高电压域中的电压平面稳定电容器的崩溃。在低电压域中提供具有并联电容器的第一电容器网络允许选择介电材料以提高电容且稳定低功率域的电压平面。在高电压域中提供具有串联电容器的第二电容器网络，降低了电容器网络中电容器上的电压，从而抑制了介电材料的崩溃。相同及/或类似的制程流程可用于不同的电压域。金属-绝缘体-金属(metal-insulator-metal，mim)电容器可用于电压大于电容器介电质崩溃电压的功率域中。
[0107]
图1是图示根据一些实施例的半导体装置100的一部分的横截面图。在一个实施例中，半导体装置100形成在基板层105上，基板层105包含磊晶层、单晶半导体材料(诸如但不限于si、ge、sige、ingaas、gaas、insb、gap、gasb、inalas、gasbp、gaassb、或inp中的至少一者)、绝缘体上硅(silicon-on-insulator，soi)结构、晶圆、或由晶圆形成的晶片。在一些实施例中，基板层105包含晶体硅或其他适合材料中的至少一者。基板层105的其他结构及/或组态在本揭露的范畴内。
[0108]
根据一些实施例，半导体装置100包含第一区110及第二区115。在一些实施例中，第一区110是核心区及/或逻辑区，其具有在第一电压域中根据第一供应电压操作的半导体元件120。在一些实施例中，第二区115是输入/输出区，其具有在第二电压域中根据第二供应电压操作的半导体元件125。举例而言，核心区中的第一供应电压可小于输入/输出区中的第二供应电压。
[0109]
在一个实施例中，第一区110形成在基板层105上或基板层105内。在一些实施例中，第一区110包含形成在基板层105上或基板层105内的半导体元件120。在一些实施例中，半导体元件120包含栅极结构130、源极/漏极区135、侧壁间隔物140、栅极帽层145等。根据一些实施例，栅极结构130通过形成包含牺牲栅极介电层、牺牲多晶硅层、及硬罩幕层的牺牲栅极结构而形成。在一些实施例中，执行图案化制程以图案化对应于待形成栅极结构的图案的硬罩幕层，且使用经图案化硬罩幕层来执行蚀刻制程以蚀刻牺牲多晶硅层及牺牲栅极介电层，从而界定牺牲栅极结构。在一些实施例中，硬罩幕层的剩余部分在蚀刻制程之后剩余的牺牲多晶硅层的部分上方形成帽层。在一些实施例中，牺牲栅极结构稍后用替换栅极介电层及替换栅电极(未分开示出)来替换。
[0110]
在一些实施例中，替换栅极介电层包含高k介电材料。如本文所用，术语“高k介电质”是指具有大于或等于约3.9(即sio2的k值)的介电常数k的材料。高k介电层的材料可包含任何适合的材料。高k介电层的材料的实例包括但不限于al2o3、hfo2、zro2、la2o3、tio2、srtio3、laalo3、y2o3、al2o
x
ny、hfo
x
ny、zro
x
ny、la2oxny、tio
x
ny、srtio
x
ny、laalo
x
ny、y2o
x
ny、sion、sin
x
、其硅酸盐、其合金及/或其他适合的材料。x的各个值独立地自0.5至3，且y的各个值独立地自0至2。在一些实施例中，栅极介电层包含通过在制程流程中的各个点处将半导体装置100曝光于氧而形成的原生氧化层，导致在经曝光表面上形成二氧化硅。在一些实施例中，在原生氧化物上方形成额外的介电材料层，诸如包含二氧化硅、高k介电材料、及/或其他适合的材料，以形成栅极介电层。
[0111]
在一些实施例中，替换栅电极包含阻障层、一或多个功函数材料层、种晶层、金属填充层、及/或其他适合的层。在一些实施例中，金属填充层包括钨、铝、铜、钴、及/或其他适合的材料。在一些实施例中，栅极介电层及/或包含栅电极的一或多个层通过以下各者中的
至少一者形成：原子层沉积(atomic layer deposition，ald)、物理气相沉积(physical vapor deposition，pvd)、化学气相沉积(chemical vapor deposition，cvd)、低压cvd(low pressure cvd，lpcvd)、原子层化学气相沉积(atomic layer chemical vapor deposition，alcvd)、超高真空cvd(ultrahigh vacuum cvd，uhvcvd)、减压cvd(reduced pressure cvd，rpcvd)、分子束磊晶(molecular beam epitaxy，mbe)、或其他适合的技术。在一些实施例中，替换栅电极经凹陷且栅极帽层145形成在凹槽中。
[0112]
在一些实施例中，侧壁间隔物140相邻于栅极结构130而形成。在一些实施例中，侧壁间隔物140通过在栅极结构130上方沉积间隔物层且执行各向异性蚀刻制程来移除间隔物层的水平部分而形成。在一些实施例中，侧壁间隔物140包含氮化硅及/或其他适合的材料。
[0113]
在一些实施例中，在形成栅极结构130之后在基板层105中形成源极/漏极区135。举例而言，在一些实施例中，经由植入制程掺杂基板层105的部分以形成源极/漏极区135。在一些实施例中，执行蚀刻制程以相邻于侧壁间隔物140凹陷基板层105，且执行磊晶生长制程以形成源极/漏极区135。元件120的其他结构及/或组态在本揭露的范畴内。
[0114]
在一个实施例中，第二区115形成在基板层105上或基板层105内。在一些实施例中，第二区115包含形成在基板层105上或基板层105内的半导体元件125。在一些实施例中，半导体元件125包含栅极结构150、源极/漏极区155、侧壁间隔物160、栅极帽层165等。在一些实施例中，描述为形成元件120的一或多种制程可用于形成元件125。在一些实施例中，描述为形成元件120的一或多种材料可用于形成元件125。在一些实施例中，由于电压域的不同，至少使用了一些不同的材料。举例而言，与元件120相比，元件125中的栅极介电材料可不同及/或可具有不同的厚度。在一些实施例中，与元件120相比，元件125中的栅电极的材料亦可不同。元件125的其他结构及/或组态在本揭露的范畴内。
[0115]
在一个实施例中，一或多个浅沟槽隔离(shallow trench isolation，sti)结构170形成在基板层105内。在一些实施例中，sti结构170通过在基板层105上方形成至少一个罩幕层而形成。在一些实施例中，罩幕层包含基板层105上方的氧化物材料层、氧化物材料层上方的氮化物材料层、及/或一或多个其他适合的层。移除罩幕层的至少一些层以界定用作模板的蚀刻罩幕，以蚀刻基板层105以形成沟槽。在沟槽中形成介电材料以界定sti结构170。在一些实施例中，sti结构170包括多层，诸如氧化物衬里、形成在氧化物衬里上方的氮化物衬里、形成在氮化物衬里上方的氧化物填充材料、及/或其他适合的材料。
[0116]
在一些实施例中，使用高密度(high density，hdp)电浆制程形成sti结构170的填充材料。hdp制程使用包含硅烷(silane，sih4)、氧、氩、或其他适合的气体中的至少一者的前驱物气体。hdp制程包括沉积组件(其在界定沟槽的表面上形成材料)、及溅射组件(其移除或重新定位经沉积材料)。沉积与溅射的比率取决于沉积期间采用的气体比率。根据一些实施例，氩及氧充当溅射源，且基于沟槽的深宽比来判定气体比率的特定值。在形成填充材料之后，执行退火制程以使填充材料致密化。在一些实施例中，sti结构170产生用于压缩第一区110及/或第二区115的压缩应力。
[0117]
尽管基板层105及sti结构170被图示为在基板层105抵接sti结构170的界面处具有共面上表面，但相对高度可变化。举例而言，sti结构170可相对于基板层105凹陷，或基板层105可相对于sti结构170凹陷。界面处的相对高度取决于为形成sti结构170而执行的制
程，诸如沉积、平坦化、罩幕移除、表面处理、或其他适合的技术中的至少一者。在一些实施例中，sti结构170在形成元件120、125之前形成。sti结构170的其他结构及/或组态在本揭露的范畴内。
[0118]
在一些实施例中，在元件120、125上方形成介电层175。在一些实施例中，介电层175在形成替换栅极结构之前形成(若适用)。在一些实施例中，介电层175包含二氧化硅、低k材料、及/或其他适合的材料。在一些实施例中，低k层被进一步表征或分类为超低k(ultra low-k，ulk)、特低k(extra low-k，elk)、或极低k(extreme low-k，xlk)，其中分类通常基于k值。举例而言，ulk通常指具有在约2.7至约2.4之间的k值的材料，elk通常具有在约2.3至约2.0之间的k值的材料，且xlk通常指具有小于约2.0的k值的材料。在一些实施例中，介电层175包含一或多层的低k介电材料。低k介电材料具有低于约3.9的k值(介电常数)。一些低k介电材料具有低于约3.5的k值且可具有低于约2.5的k值。在一些实施例中，介电层175的材料包含si、o、c或h中的至少一者，诸如sicoh、sioc、掺氧sic(oxygen-doped sic，odc)、掺氮sic(nitrogen-doped sic，ndc)、电浆增强氧化物(plasma-enhanced oxide，peox)、及/或其他适合的材料。诸如聚合物的有机材料可用于介电层175。在一些实施例中，介电层175包含一或多层的含碳材料、有机硅酸盐玻璃、含致孔剂材料、及/或其他适合的材料。在一些实施例中，介电层175包含氮。在一些实施例中，介电层175通过使用例如cvd、pecvd、lpcvd、alcvd、旋装技术、或其他适合的技术中的至少一者来形成。在一些实施例中，介电层175包含一或多个层，其中至少一些层可具有相同的材料组成。在一些实施例中，存在一或多个层的介电层175，其中至少一些层可具有相同的材料组成。介电层175的其他结构及/或组态在本揭露的范畴内。
[0119]
在一些实施例中，第一区110包含一或多个导电触点180，其形成在介电层175中且电连接至第一区110内的元件120。在一些实施例中，第二区115包含一或多个导电触点185，其形成在介电层175中且电连接至第二区115内的元件125。导电触点180、185以任何数目的方式形成，诸如通过单镶嵌制程、双镶嵌制程、沟槽硅化物制程、及/或其他适合的技术。在一些实施例中，形成额外触点(未示出)以在不同位置接触元件120及/或元件125，诸如分页移入或移出。在一些实施例中，导电触点180、185包含阻障层、种晶层、金属填充层、及/或其他适合的层。在一些实施例中，金属填充层包含钨、铝、铜、钴、及/或其他适合的材料。导电触点180、185的其他结构及/或组态在本揭露的范畴内。在一些实施例中，元件120、125、导电触点180、185、介电层175、基板层105、或sti结构170中的至少一者界定半导体装置100的元件层190。
[0120]
在一些实施例中，半导体装置100包含形成在元件层190上方的一或多个介电层195。根据一些实施例，一或多个介电层195包含第二介电层195a、第三介电层195b、第四介电层195c、及第n介电层195n。考虑任何数目的介电层。在一些实施例中，介电层195中的至少一者包含具有中等或低介电常数的材料，诸如sio2。在一些实施例中，如介电层175的描述，介电层195中的至少一者包含具有相对高介电常数的介电材料。介电层195以任何数目的方式形成，诸如通过热生长、化学生长、ald、cvd、pecvd、及/或其他适合的技术。在一些实施例中，下部部分的介电层195中的一或多者包含ulk或elk介电材料，中间部分的介电层195中的一或多者包含低k介电材料，且上部部分的介电层195中的一或多者包含标准k介电材料，诸如掺杂或无掺杂硅玻璃。
[0121]
在一些实施例中，半导体装置100包含一或多个将介电层195分开的蚀刻停止层200。在一些实施例中，蚀刻停止层200在介电层195之间停止蚀刻制程。根据一些实施例，蚀刻停止层200包含具有不同于介电层195的蚀刻选择性的介电材料。在一些实施例中，蚀刻停止层200中的至少一者包含sin、sicn、sico、及/或cn。蚀刻停止层200以任意数目的方式形成，诸如通过热生长、化学生长、ald、cvd、pecvd、及/或其他适合的技术。
[0122]
在一些实施例中，半导体装置100包含电连接至导电触点180、185的一或多个导电触点205。在一个实施例中，导电触点205延伸穿过各自的介电层195。在一些实施例中，导电触点205中的至少一些包含通孔部分205v及接线部分205l。接线部分205l比通孔部分宽，且具有延伸至分页中的轴向长度。在一些实施例中，导电触点205包含阻障层、种晶层、金属填充层、及/或其他适合的层。在一些实施例中，金属填充层包括钨、铝、铜、钴、及/或其他适合的材料。导电触点205的其他结构及/或组态在本揭露的范畴内。在一些实施例中，特定介电层195及特定介电层195中的一或多个导电触点205的组合界定了半导体装置100的金属化层，诸如层“m1”、“m2”、“m3”、及“mx”。
[0123]
在一些实施例中，导电电源线210、215形成在上部介电层195n中。在一些实施例中，导电电源线210是与第一区110中的第一电压域相关联的正供电点或参考点，且导电电源线215是与第二区115中的第二电压域相关联的正供电点或参考点。在一些实施例中，导电电源线210、215包含阻障层、种晶层、金属填充层、及/或其他适合的层。在一些实施例中，金属填充层包含钨、铝、铜、钴、及/或其他适合的材料。在一些实施例中，提供了额外导电电源线210、215。举例而言，各个电压域包含用于正供应电压(诸如v
dd
)的导电电源线及用于参考电压(诸如v
ss
)的导电电源线。导电电源线210、215的其他结构及/或组态在本揭露的范畴内。
[0124]
在一些实施例中，在介电层195n上方形成至少一个钝化层220。在一些实施例中，钝化层220包含氧化硅/氮化硅(silicon oxide/silicon nitride，sio2/si3n4)、氮化钛、掺硅二氧化物、聚酰亚胺、及/或其他适合的材料。在一些实施例中，钝化层220通过ald、cvd、pecvd、及/或其他适合的技术形成。钝化层220的其他结构及/或组态在本揭露的范畴内。
[0125]
在一些实施例中，导电接触垫225、230形成在钝化层220中。在一些实施例中，导电接触垫225、230电连接至导电电源线210、215，且包含铝及/或其他适合的材料。导电接触垫225、230的其他结构及/或组态在本揭露的范畴内。
[0126]
在一些实施例中，聚酰亚胺层235形成在钝化层220上方，且经图案化以曝光导电接触垫225、230。在一些实施例中，聚酰亚胺层235是用光学微影术进行图案化的光敏聚酰亚胺层，且可在图案化及蚀刻之后，保留在其沉积的表面上作为钝化层。在一些实施例中，首先通过旋涂及/或其他适合的技术沉积聚酰亚胺层235的前驱物。在低温预烘烤之后，使用光源及主光罩将前驱物曝光于电磁辐射中。经曝光的前驱物的部分经交联，从而在导电接触垫225、230上方留下未曝光部分(未交联)。在后续显影期间，溶解导电接触垫225、230上方的未曝光部分，从而在导电接触垫225、230上方提供开口。在一些实施例中，在聚酰亚胺层235上方执行热固化制程。聚酰亚胺层235亦用作钝化层。聚酰亚胺层235的其他结构及/或组态在本揭露的范畴内。
[0127]
在一些实施例中，焊料凸块240、245形成在聚酰亚胺层235上方且电连接至导电接触垫225、230。在一些实施例中，在形成焊料凸块240、245之前，在导电接触垫225、230上方
形成凸块下金属层(未示出)，诸如包含镍及/或其他适合的材料。在一些实施例中，焊料凸块240、245通过向焊料材料施加焊剂及/或锡膏且执行热回流制程而形成。焊料凸块240、245的其他结构及/或组态在本揭露的范畴内。
[0128]
根据一些实施例，半导体装置100包含第一区110的第一电压域的第一电容器网络250，以稳定相关联的第一电源(诸如经由电源线210连接)，及第二区115的第二电压域的第二电容器网络255，以稳定相关联的第二电源(诸如经由电源线215连接)。举例而言，第一电容器网络250用于减小相关联的第一电源上的电压降(诸如可自大供应电流产生)的幅度，及/或第二电容器网络255用于减小相关联的第二电源上的电压降(诸如可自大供应电流产生)的幅度。在一些实施例中，电容器网络250、255形成在介电层195n中且连接至相关联的导电电源线210、215。在一些实施例中，电容器网络250、255形成在钝化层220中且连接至相关联的导电接触垫225、230。在一些实施例中，介电层195n及/或钝化层220是半导体装置100的再分配层(redistribution layer，rdl)或电压平面的部分。电容器网络250、255的其他结构及/或组态在本揭露的范畴内。
[0129]
图2至图8是根据一些实施例的半导体装置100在制造的各个阶段的横截面图。图2至图8图示电容器网络250、255的制造。在电容器网络250、255形成在介电层195n中的一些实施例中，图2至图8的至少一些行动可在形成介电层195n之前执行。在电容器网络250、255形成在钝化层220中的一些实施例中，图2至图8的至少一些行动可在形成钝化层220之前执行。
[0130]
参考图2，根据一些实施例，在第一介电层305上方形成第一导电层300。在一些实施例中，第一介电层305是介电层195n上方的蚀刻停止层200、介电层195n下方的介电层上方的蚀刻停止层、介电层195n下方的介电层、及/或介电层195n。在一些实施例中，第一介电层305包含具有相对高的介电常数的介电材料，诸如二氧化铪、二氧化锆、氧化镧、氧化钇、氧化锶、氧化钽、氧化钡、及/或其他适合的材料。第一介电层305可通过热生长、化学生长、ald、cvd pecvd、及/或其他适合的技术形成。在一些实施例中，第一导电层300包含导电材料，诸如ti、tin、ta、tan、tac、w、ir、ru、pt、铝、铜、及/或其他适合的材料。在一些实施例中，第一导电层300通过ald、pvd、cvd、热蒸发、及/或其他适合的技术形成。
[0131]
参考图3，根据一些实施例，第一导电层300经图案化以形成导电板300a、300b、300c、300d。在一些实施例中，通过在第一导电层300上方形成罩幕、执行用于移除罩幕的部分的光学微影术图案化制程来图案化第一导电层300，及执行蚀刻制程以移除第一导电层300中未被罩幕的剩余部分覆盖的部分，以界定导电板300a、300b、300c、300d。
[0132]
参考图4，根据一些实施例，在第一介电层305及导电板300a、300b、300c、300d上方形成第二介电层310，且在第二介电层310上方形成第二导电层315。在一些实施例中，第二介电层310包含具有相对高的介电常数的介电材料，诸如二氧化铪、二氧化锆、氧化镧、氧化钇、氧化锶、氧化钽、氧化钡、及/或其他适合的材料。第二介电层310可通过热生长、化学生长、ald、cvd pecvd、及/或其他适合的技术形成。在一些实施例中，第二介电层310的材料组成与第一介电层305的材料组成相同。在一些实施例中，第二介电层310的材料组成与第一介电层305的材料组成不同。在一些实施例中，第二导电层315包含导电材料，诸如ti、tin、ta、tan、tac、w、ir、ru、pt、铝、铜、及/或其他适合的材料。在一些实施例中，第二导电层315通过ald、pvd、cvd、热蒸发、及/或其他适合的技术形成。在一些实施例中，第二导电层315的
材料组成与第一导电层300的材料组成相同。在一些实施例中，第二导电层315的材料组成与第一导电层300的材料组成不同。
[0133]
参考图5，根据一些实施例，第二导电层315经图案化以形成导电板315a、315b、315c、315d。在一些实施例中，通过在第二导电层315上方形成罩幕、执行用于移除罩幕的部分的光学微影术图案化制程来图案化第二导电层315，及执行用于移除第二导电层315中未被罩幕的剩余部分覆盖的部分的蚀刻制程以以界定导电板315a、315b、315c、315d。
[0134]
参考图6，根据一些实施例，在第二介电层310及导电板315a、315b、315c、315d上方形成第三介电层320，且在第三介电层320上方形成第三导电层325。在一些实施例中，第三介电层320包含具有相对较高的介电常数的介电材料，诸如二氧化铪、二氧化锆、氧化镧、氧化钇、氧化锶、氧化钽、氧化钡、及/或其他适合的材料。第三介电层320可通过热生长、化学生长、ald、cvd pecvd、及/或其他适合的技术形成。在一些实施例中，第三介电层320的材料组成与第一介电层305及/或第二介电层310的材料组成相同。在一些实施例中，第三介电层320的材料组成与第一介电层305及/或第二介电层310的材料组成不同。在一些实施例中，第三导电层325包括导电材料，诸如ti、tin、ta、tan、tac、w、ir、ru、pt、铝、铜、及/或其他适合的材料。在一些实施例中，第三导电层325通过ald、pvd、cvd、热蒸发、及/或其他适合的技术形成。在一些实施例中，第三导电层325的材料组成与第一导电层300及/或第二导电层315的材料组成相同。在一些实施例中，第三导电层325的材料组成与第一导电层300及/或第二导电层315的材料组成不同。
[0135]
参考图7，根据一些实施例，第三导电层325经图案化以形成导电板325a、325b、325c、325d。在一些实施例中，通过在第三导电层325上方形成罩幕、执行用于移除罩幕的部分的光学微影术图案化制程来图案化第三导电层325，及执行用于移除第三导电层325中未被罩幕的剩余部分覆盖的部分的蚀刻制程以界定导电板325a、325b、325c、325d。
[0136]
参考图8，根据一些实施例，在第三介电层320及导电板325a、325b、325c、325d上方形成第四介电层330，且在第四介电层330上方形成第四导电层335。在一些实施例中，第四介电层330包含具有相对高的介电常数的介电材料，诸如二氧化铪、二氧化锆、氧化镧、氧化钇、氧化锶、氧化钽、氧化钡、及/或其他适合的材料。第四介电层330可通过热生长、化学生长、ald、cvd pecvd、及/或其他适合的技术形成。在一些实施例中，第四介电层330的材料组成与第一介电层305、第二介电层310、及/或第三介电层320的材料组成相同。在一些实施例中，第四介电层330的材料组成与第一介电层305、第二介电层310、及/或第三介电层320的材料组成不同。在一些实施例中，第四导电层335包含导电材料，诸如ti、tin、ta、tan、tac、w、ir、ru、pt、铝、铜、及/或其他适合的材料。在一些实施例中，第四导电层335通过ald、pvd、cvd、热蒸发、及/或其他适合的技术形成。在一些实施例中，第四导电层335的材料组成与第一导电层300、第二导电层315、及/或第三导电层325的材料组成相同。在一些实施例中，第四导电层335的材料组成与第一导电层300、第二导电层315、及/或第三导电层325的材料组成不同。
[0137]
参考图9，根据一些实施例，第四导电层335经图案化以形成导电板335a、335b、335c、335d。在一些实施例中，通过在第四导电层335上方形成罩幕、执行用于移除罩幕的部分的光学微影术图案化制程来图案化第四导电层335，及执行用于移除第四导电层335中未被罩幕的剩余部分覆盖的部分的蚀刻制程以界定导电板335a、335b、335c、335d。
[0138]
参考图10，根据一些实施例，在第四介电层330及导电板335a、335b、335c、335d上方形成第五介电层340，且在第五介电层340上方形成第五导电层345。在一些实施例中，第五介电层340包含具有相对高的介电常数的介电材料，诸如二氧化铪、二氧化锆、氧化镧、氧化钇、氧化锶、氧化钽、氧化钡、及/或其他适合的材料。第五介电层340可通过热生长、化学生长、ald、cvd pecvd、及/或其他适合的技术形成。在一些实施例中，第五介电层340的材料组成与第一介电层305、第二介电层310、第三介电层320、及/或第四介电层330的材料组成相同。在一些实施例中，第五介电层340的材料组成与第一介电层305、第二介电层310、第三介电层320、及/或第四介电层330的材料组成不同。在一些实施例中，第五导电层345包含导电材料，诸如ti、tin、ta，tan、tac、w、ir、ru、pt、铝、铜、及/或其他适合的材料。在一些实施例中，第五导电层345通过ald、pvd、cvd、热蒸发、及/或其他适合的技术形成。在一些实施例中，第五导电层345的材料组成与第一导电层300、第二导电层315、第三导电层325、及/或第四导电层335的材料组成相同。在一些实施例中，第五导电层345的材料组成与第一导电层300、第二导电层315、第三导电层325、及/或第四导电层335的材料组成不同。
[0139]
参考图11，根据一些实施例，第五导电层345经图案化以形成导电板345a、345b、345c、345d。在一些实施例中，通过在第五导电层345上方形成罩幕、执行用于移除罩幕的部分的光学微影术图案化制程来图案化第五导电层345，及执行用于移除第五导电层345中未被罩幕的剩余部分覆盖的部分的蚀刻制程以界定导电板345a、345b、345c、345d。
[0140]
参考图12，根据一些实施例，在第五介电层340及导电板345a、345b、345c、345d上方形成第六介电层350。在一些实施例中，执行化学机械研磨(chemical mechanical polishing，cmp)制程以平坦化第六介电层350。在一些实施例中，第六介电层350包含具有相对高的介电常数的介电材料，诸如二氧化铪、二氧化锆、氧化镧、氧化钇、氧化锶，氧化钽、氧化钡、及/或其他适合的材料。第六介电层350可通过热生长、化学生长、ald、cvd pecvd、及/或其他适合的技术形成。在一些实施例中，第六介电层350的材料组成与第一介电层305、第二介电层310、第三介电层320、第四介电层330、及/或第五介电层340的材料组成相同。在一些实施例中，第六介电层350的材料组成与第一介电层305、第二介电层310、第三介电层320、第四介电层330、及/或第五介电层340的材料组成不同。
[0141]
参考图13，根据一些实施例，在第六介电层350上方形成罩幕355。在一些实施例中，罩幕355通过形成共同界定罩幕堆叠的多个单独形成的层来形成，诸如硬罩幕层、底部抗反射涂膜(bottom antireflective coating，barc)层、有机平坦化层(organic planarization layer，opl)、光阻剂层、及/或其他适合的层。硬罩幕层由pvd、溅射、cvd、lpcvd、alcvd、uhvcvd、rpcvd、ald、mbe、lpe、旋装、生长、或其他适合的技术中的至少一者形成。在一些实施例中，硬罩幕层包含硅、氮、或其他适合的材料中的至少一者。在一些实施例中，barc层是使用旋涂制程施加的聚合物层。在一些实施例中，opl包含使用旋涂制程施加的有机聚合物。在一些实施例中，opl包含介电层。在一些实施例中，根据一些实施例，光阻剂层通过旋涂、喷涂、或其他适合的技术中的至少一者形成。光阻剂为负光阻剂或正光阻剂。关于负光阻剂，负光阻剂的区在被光源照射时变得不可溶，使得在后续显影阶段将溶剂施加至负光阻剂上移除了负光阻剂的未照射区。因此，在负光阻剂中形成的图案是由光源与负光阻剂之间的模板的不透明区(诸如罩幕)界定的图案的负影像。在正光阻剂中，正光阻剂的照射区变得可溶且在显影期间经由施加溶剂而经移除。因此，在正光阻剂中形成的
图案是在光源与正光阻剂之间的模板的不透明区(诸如罩幕)的正影像。一或多个蚀刻剂具有选择性，使得一或多个蚀刻剂以比一或多个蚀刻剂移除或蚀刻掉光阻剂更大的速率移除或蚀刻掉通过光阻剂曝光的或未覆盖的一或多个层。因此，光阻剂中的开口允许一或多个蚀刻剂在光阻剂下方的一或多个层中形成相应的开口，且从而将光阻剂中的图案转移至光阻剂下方的一或多个层。在图案转移之后，光阻剂被剥离或冲走。
[0142]
在一些实施例中，硬罩幕层经图案化以界定罩幕355。光阻剂层使用辐射源及主光罩曝光以界定光阻剂层中的图案，且移除光阻剂层的部分以界定经图案化光阻剂层。使用经图案化光阻剂层作为模板来蚀刻下伏opl、barc层、及/或硬罩幕层以形成罩幕355且曝光罩幕355下方的第六介电层350的部分。
[0143]
参考图14，根据一些实施例，形成了通孔开口360a、360b、360c、360d、360e。在一些实施例中，执行蚀刻制程以使用罩幕355作为蚀刻模板来图案化介电层305、310、320、330、340、350及导电板300a、315a、315b、325a、325d、335a、335b、345a、345c，以界定形成通孔开口360a、360b、360c、360d、360e。蚀刻制程包含电浆蚀刻制程、活性离子蚀刻(reactive ion etching，rie)制程、或其他适合的技术中的至少一者。蚀刻制程包含根据一些实施例的各向异性蚀刻制程。
[0144]
参考图15，根据一些实施例，导电通孔365a、365b、365c、365d、365e形成在通孔开口360a、360b、360c、360d、360e中。在一些实施例中，导电通孔365a、365b、365c、365d、365e通过pvd、溅射、cvd、lpcvd、alcvd、uhvcvd、rpcvd、ald、mbe、lpe、旋装、生长、或其他适合的技术中的至少一者形成。在一些实施例中，导电通孔365a、365b、365c、365d、365e中的至少一者包含钨、铝、铜、钴、或其他适合的材料中的至少一者。在一些实施例中，导电通孔365a、365b、365c、365d、365e中的至少一者包含多个层，诸如阻障层、种晶层、导电填充层、及/或其他适合的层。在一些实施例中，执行诸如化学机械平坦化(chemical mechanical planarization，cmp)的平坦化制程，以移除延伸至通孔开口360a、360b、360c、360d、360e之外的导电通孔365a、365b、365c、365d、365e的材料。在一些实施例中，平坦化制程移除了罩幕355。
[0145]
根据一些实施例，导电板300a、315a及导电板300a、315a之间的介电层310的一部分界定第一电容器370a。导电板315a、325a及导电板315a、325a之间的介电层320的一部分界定第二电容器370b。导电板325a、355a及导电板325a、335a之间的介电层330的一部分界定第三电容器370c。导电板335a、345a及导电板335a、345a之间的介电层330的一部分界定第四电容器370d。电容器370a、370b、370c、370d界定电容器网络375。在一些实施例中，电容器370a、370b、370c、370d是以并联配置电耦合，使得电容器网络375的电容是各个电容器370a、370b、370c、370d的电容的和。在一些实施例中，电容器网络375对应于图1中的电容器网络250。
[0146]
根据一些实施例，导电板300b、300c、300d、315b、315c、315d及导电板300b、300c、300d、315b、315c、315d之间的介电层310的一部分界定第一电容器380a。导电板315b、315c、315d、325b、325c、325d及导电板315b、315c、315d、325b、325c、325d之间的介电层320的一部分界定第二电容器380b。导电板325b、325c、325d、335b、335c、335d及导电板325b、325c、325d、335b、335c、335d之间的介电层330的一部分界定第三电容器380c。导电板335b、335c、335d、345b、345c、345d及导电板335b、335c、335d、345b、345c、345d之间的介电层330的一部
分界定第四电容器380d。电容器380a、380b、380c、380d界定电容器网络385。在一些实施例中，电容器380a、380b、380c、380d中的至少两者是以串联配置电耦合，使得电容器网络385的电容小于电容器网络375的电容。在一些实施例中，电容器网络385对应于图1中的电容器网络255。
[0147]
参考图16及图17，根据一些实施例，分别图示了电容器网络375、385的电路图400a、400b。根据一些实施例，正供应电压(诸如v
dd
)被施加至导电通孔365b、365d，且负供应电压(诸如v
ss
)被施加至导电通孔365a、365e。导电通孔365c用作内部连接器。如图16中所图示，根据一些实施例，电容器370a、370b、370c、370d并联连接。如图17中所图示，电容器380a、380b串联连接，且电容器380c、380d串联连接。两组串联电容器(380a、380b与380c、380d)并联连接。导电通孔365c将电容器380a、380b之间界定的中间节点395a连接至电容器380c、380d之间界定的中间节点395b。
[0148]
导电通孔365b连接至导电电源线210或导电接触垫225，且导电通孔365d连接至导电电源线215或导电接触垫230。在一些实施例中，导电通孔365a连接至第一区110中的另一导电电源线或导电触点(未示出)，及/或导电通孔365e连接至第二区115中的另一导电电源线或导电触点(未示出)。
[0149]
参考图18，根据一些实施例，电容器网络385中的电容器380a、380b、380c、380d亦可并联连接。电容器380a、380b、380c、380d通过施加正供应电压(诸如v
dd
)至导电通孔365d、365e及施加负供应电压(例如v
ss
)至导电通孔365c而并联连接。
[0150]
在电容器370a、370b、370c、370d并联连接的电容器网络375中，在供应电压小于介电层305、310、320、330、340、350的材料的崩溃电压的情况下，电容增大。这种情况允许选择介电材料以提高第一区110中的元件120的效能。在电容器网络385中提供电容器380a、380b、380c、380d的串联配置允许在第二区的供应电压大于介电材料的崩溃电压的情况下使用相同的介电材料(若将供应电压施加在单个电容器上)。
[0151]
电容器网络385提供的灵活性在于，对于低电压域，电容器380a、380b、380c、380d可以图18中所示的并联配置连接，且对于高电压域，电容器380a、380b、380c、380d可以图17中所示的串联配置连接。然而，由于与电容器网络385中的导电板面积相比，电容器网络375中的导电板面积减小，因此并联连接的电容器网络385的总电容将小于电容器网络375的总电容。
[0152]
图19是图示根据一些实施例的用于形成半导体装置的方法500的流程图。在步骤502处，在第一电压域中形成第一电容器。在步骤504处，在第一电压域中形成第二电容器。在步骤506处，第一电容器与第二电容器并联连接。在步骤508处，在第二电压域中形成第三电容器。在步骤510处，在第二电压域中形成第四电容器。在步骤512处，第三电容器与第四电容器串联连接。在步骤514处，第一电容器及第二电容器与第一电压域的供电点及第一电压域的参考点并联连接。在步骤516处，第四电容器连接至第二电压域的供电点。在步骤518处，第三电容器连接至第二电压域的参考点。
[0153]
又另一实施例涉及计算机可读媒体，其包含处理器可执行指令，处理器可执行指令用以实施本文所呈现的技术中的一或多者。图20中图示了示例性计算机可读媒体，其中实施例600包含计算机可读媒体602(例如，cd-r、dvd-r、快取驱动器、硬式磁盘机的盘片等)，其上编码有计算机可读数据604。计算机可读数据604又包含一组处理器可执行计算机
指令606，处理器可执行计算机指令606用以根据本文阐述的一或多个原理来操作。在一些实施例600中，处理器可执行计算机指令606用以执行方法608，诸如上述方法中的至少一些。在一些实施例中，处理器可执行计算机指令606用以实施系统，诸如上述系统中的至少一些。许多这种计算机可读媒体可由熟悉此项技术者设计，用以根据本文所呈现的技术来操作。
[0154]
图21及以下讨论提供了实施本文阐述的规定中的一或多者的实施例的适合的计算环境的简要、一般性描述。图21的操作环境仅是适合的操作环境的一个实例，且不旨在对操作环境的使用范围或功能性提出任何限制。实例计算装置包括但不限于个人计算机、服务器计算机、手持或膝上型装置、移动设备(诸如移动电话、个人数字助理(personal digital assistants，pda)、媒体播放机、及类似者)、多处理器系统、消费性电子产品、迷你计算机、主机计算机、包括上述任何系统或设备的分散式计算环境、及类似者。
[0155]
尽管非必需的，但实施例在由一或多个计算装置执行的“计算机可读指令”的一般上下文中描述。计算机可读指令可经由计算机可读媒体分布(下文讨论)。计算机可读指令可实施为执行特定任务或实现特定抽象数据类型的程序模块，诸如功能、对象、应用程序界面(application programming interfaces，api)、数据结构、及类似者。通常，计算机可读指令的功能性可在各种环境中根据需要进行组合或分布。
[0156]
图21描绘了包含计算装置702的系统700的实例，以实施本文提供的一些实施例。在一些组态中，计算装置702包括至少一个处理单元704及记忆体706。根据计算装置的确切组态及类型，记忆体706可是挥发性的(诸如ram，举例而言)、非挥发性的(诸如rom、快取记忆体等，举例而言)、或两者的一些组合。组态在图21中用虚线708图示。
[0157]
在一些实施例中，计算装置702可包括额外特征及/或功能性。举例而言，计算装置702亦可包括额外储存器(例如，可移式及/或非可移式)，包括但不限于磁储存器、光储存器、及类似者。这种额外储存器在图21中由储存器710图示。在一些实施例中，用于实施本文提供的一或多个实施例的计算机可读指令可在储存器710中。储存器710亦可储存用于实施操作系统、应用程序、及类似者的其他计算机可读指令。举例而言，计算机可读指令可被加载至记忆体706中以供处理单元704执行。
[0158]
本文中使用的术语“计算机可读媒体”包括计算机储存媒体。计算机储存媒体包括挥发性及非挥发性、可移式及非可移式媒体，这些媒体以用于储存诸如计算机可读指令或其他数据的信息的任何方法或技术实施。记忆体706及储存器710是计算机储存媒体的实例。计算机储存媒体包括但不限于ram、rom、eeprom、快取记忆体或其他记忆体技术、cd-rom、多样化数字光盘(digital versatile disks，dvd)或其他光储存器、磁卡带、磁带、磁盘储存器或其他磁储存装置、或可用于储存所需信息且可由计算装置702存取的任何其他媒体。任何此类计算机储存媒体可是计算装置702的一部分。
[0159]
在一些实施例中，计算装置702包含允许计算装置702与其他装置通信的通信接口712或多个通信接口。通信接口712可包括但不限于数据机、网络接口卡(network interface card，nic)、集成网络接口、射频发射器/接收器、红外线端口、通用串行总线(universal serial bus，usb)连接、或用于将计算装置702连接至其他计算装置的其他接口。通信接口712可实施有线连接或无线连接。通信接口712可发送及/或接收通信媒体。
[0160]
术语“计算机可读媒体”可包括通信媒体。通信媒体通常在诸如载波或其他传输机
制的“调变数据信号”中体现计算机可读指令或其他数据，且包括任何信息递送媒体。术语“调变数据信号”可包括一信号，信号的特征中的一或多者经设定或改变以在信号中编码信息。
[0161]
计算装置702可包括输入装置714(多个)，诸如键盘、鼠标、笔、语音输入装置、触控输入装置、红外线相机、视频输入装置、及/或任何其他适合的输入装置。输出装置716(多个)(诸如一或多个显示器、扬声器、列印机、及/或任何其他适合的输出装置)亦可包括在计算装置702中。输入装置714及输出装置716可经由有线连接、无线连接、或其任何组合连接至计算装置702。在一些实施例中，来自另一计算装置的输入装置或输出装置可用作计算装置702的输入装置714(多个)或输出装置716(多个)。
[0162]
计算装置722的组件可通过各种互连(诸如总线)连接。这种互连可包括周边组件互连(peripheral component interconnect，pci)，诸如pci-express、usb、firewire(ieee 1394)、光总线结构、及类似者。在一些实施例中，计算装置702的组件可通过网络互连。举例而言，记忆体706可由位于通过网络互连的不同实体位置的多个实体记忆体单元组成。
[0163]
熟悉此项技术者将认识到，用于储存计算机可读指令的储存装置可跨网络分布。举例而言，可经由网络720存取的计算装置718可储存计算机可读指令以实施本文提供的一或多个实施例。计算装置702可存取计算装置718且下载计算机可读指令的一部分或全部以供执行。或者，计算装置702可根据需要下载计算机可读指令的片段，或可在计算装置702处执行一些指令，且可在计算装置718处执行一些指令。
[0164]
根据一些实施例，形成半导体装置的方法包括在第一电压域中形成第一电容器及在第一电压域中形成第二电容器。第一电容器与第二电容器并联连接。在第二电压域中形成第三电容器及第四电容器。第三电容器与第四电容器串联连接。第一电容器及第二电容器与第一电压域的供电点及第一电压域的参考点并联连接。第四电容器连接至第二电压域的供电点。第三电容器连接至第二电压域的参考点。在一些实施例中，该第一电容器、该第二电容器、该第三电容器、或该第四电容器中的至少一者包含一介电材料。在一些实施例中，该介电材料包含一高k介电材料。在一些实施例中，该第一电压域与小于该介电材料的一崩溃电压的一第一供应电压相关联，且该第二电压域与大于该介电材料的该崩溃电压的一第二供应电压相关联。在一些实施例中，形成该第一电容器的步骤包含以下步骤：形成一第一导电板；在该第一导电板上方形成该介电材料的一第一部分；以及在该介电材料的该第一部分及该第一导电板上方形成一第二导电板，该第一电容器包含该第一导电板、该第二导电板、及该介电材料的该第一部分；以及形成该第二电容器的步骤包含以下步骤：在该第二导电板上方形成该介电材料的一第二部分；以及在该介电材料的该第二部分及该第二导电板上方形成一第三导电板，该第二电容器包含该第二导电板、该第三导电板、及该介电材料的该第二部分，且将该第一电容器与该第二电容器并联连接的步骤包含以下步骤：形成将该第一导电板连接至该第三导电板且连接至该第一供应电压的一第一导电通孔；以及形成连接至该第二导电板及一参考电压的一第二导电通孔。在一些实施例中，形成该第三电容器的步骤包含以下步骤：形成一第一导电板；在该第一导电板上方形成该介电材料的一第一部分；以及在该介电材料的该第一部分及该第一导电板上方形成一第二导电板，该第三电容器包含该第一导电板、该第二导电板、及该介电材料的该第一部分，形成该第四电容器的步骤包含以下步骤：在该第二导电板上方形成该介电材料的一第二部分；以及在该
介电材料的该第二部分及该第二导电板上方形成一第三导电板，该第四电容器包含该第二导电板、该第三导电板、及该介电材料的该第二部分，且将该第三电容器与该第四电容器串联连接的步骤包含以下步骤：形成连接至该第三导电板且连接至该第二供应电压的一第一导电通孔；以及形成连接至该第一导电板及一参考电压的一第二导电通孔。
[0165]
根据一些实施例，半导体装置包括第一导电板、在第一导电板上方的介电材料的第一部分、在介电材料的第一部分上方的第二导电板、在第二导电板上方的介电材料的第二部分，在介电材料的第二部分上方的第三导电板、在第三导电板上方的介电材料的第三部分、在介电材料的第三部分上方的第四导电板、在第四导电板上方的介电材料的第四部分、及在介电材料的第四部分上方的第五导电板。第一导电通孔连接至第一导电板及第五导电板。第二导电通孔连接至第三导电板。第三导电通孔连接至第二导电板及第四导电板。在一些实施例中，半导体装置更包含一电压平面，其包含一供电点及一参考点，其中该第一导电通孔连接至该供电点，且该第二导电通孔连接至该参考点。在一些实施例中，该电压平面用以在该供电点处接收一供应电压，且该供应电压大于该介电材料的一崩溃电压。在一些实施例中，半导体装置更包含一电压平面，其包含一供电点及一参考点，其中该第一导电通孔连接至该供电点，该第二导电通孔连接至该供电点，且该第三导电通孔连接至该参考点。在一些实施例中，该电压平面用以在该供电点处接收一供应电压，且该供应电压小于该介电材料的一崩溃电压。在一些实施例中，该介电材料包含一高k介电材料。
[0166]
根据一些实施例，半导体装置包括第一电压域及第二电压域，第一电压域包括与第一供应电压相关联且包括第一供电点及第一参考点的第一电压平面。第一电容器网络跨第一供电点及第一参考点连接，且包括第一堆叠，第一堆叠包含具有第一厚度的导电材料及具有第二厚度的介电材料的多个交替层。第一供应电压小于具有第二厚度的介电材料的崩溃电压。第二电压域包括与第二供应电压相关联且包括第二供电点及第二参考点的第二电压平面。第二电容器网络跨第二供电点及第二参考点连接，且包括第二堆叠，第二堆叠包含具有第一厚度的导电材料及具有第二厚度的介电材料的多个交替层。第二供应电压大于具有第二厚度的介电材料的崩溃电压。在一些实施例中，该第一堆叠界定跨该第一供电点及该第一参考点并联连接的一第一电容器及一第二电容器。在一些实施例中，该第一堆叠包含一第一导电层、在该第一导电层上方且界定一第一电容器的一第二导电层、在该第二导电层上方且界定一第二电容器的一第三导电层、在该第三导电层上方且界定一第三电容器的一第四导电层、及在该第四导电层上方且界定一第四电容器的一第五导电层，及该第一电容器、该第二电容器、该第三电容器、及该第四电容器跨该第一供电点及该第一参考点并联连接。在一些实施例中，该第一电容器网络包含：耦合至该第一导电层、该第三导电层、该第五导电层、及该第一供电点的一第一导电通孔；以及耦合至该第二导电层、该第四导电层及该第一参考点的一第二导电通孔。在一些实施例中，该第一电容器网络包含：耦合至该第一导电层、该第五导电层、及该第一供电点的一第一导电通孔；耦合至该第二导电层、该第四导电层、及该第一参考点的一第二导电通孔；以及耦合至该第三导电层及该第一供电点的一第三导电通孔。在一些实施例中，该第一堆叠包含一第一导电层、在该第一导电层上方且界定一第一电容器的一第二导电层、在该第二导电层上方且界定一第二电容器的一第三导电层、在该第三导电层上方且界定一第三电容器的一第四导电层、及在该第四导电层上方且界定一第四电容器的一第五导电层，该第一电容器及该第二电容器串联连接，且该
第三电容器及该第四电容器串联连接。在一些实施例中，界定在该第一电容器与该第二电容器之间的一第一中间节点连接至界定在该第三电容器与该第四电容器之间的一第二中间节点。在一些实施例中，该第一电容器网络包含：耦合至该第一导电层、该第五导电层、及该第二供电点的一第一导电通孔；耦合至该第二导电层及该第四导电层的一第二导电通孔；以及耦合至该第三导电层及该第一供电点的一第三导电通孔。
[0167]
前述内容概述若干实施例的特征，使得熟悉此项技术者可更佳地理解本揭露的态样。熟悉此项技术者应了解，其可易于使用本揭露作为用于设计或修改用于实施本文中引入的实施例的相同目的及/或达成相同优势的其他制程及结构的基础。熟悉此项技术者亦应认识到，此类等效构造且不偏离本揭露的精神及范畴，且此类等效构造可在本文中进行各种改变、取代、及替代而不偏离本揭露的精神及范畴。
[0168]
尽管已用特定于结构特征或方法动作的语言描述了标的物，但应理解，所附权利要求的标的物不一定局限于上述特定特征或动作。相反，以上描述的特定特征及动作被揭示为实施至少一些权利要求的实例形式。
[0169]
本文提供了实施例的各种操作。描述一些或全部操作的次序不应被解释为隐示这些操作必然依赖于次序。替代的次序将被理解为具有本描述的益处。此外，应理解，并非所有操作必须存在于本文提供的各个实施例中。此外，应理解，在一些实施例中，并非所有操作是必需的。
[0170]
应理解，例如为了简单及易于理解的目的，本文所描绘的层、特征、元件等以相对于彼此的特定尺寸来说明，诸如结构尺寸或定向，且在一些实施例中，其实际尺寸与本文所图示的尺寸基本不同。此外，存在用于形成本文提及的层、区、特征、元件等的各种技术，诸如以下各者中的至少一者：蚀刻技术、平坦化技术、植入技术、掺杂技术、旋装技术、溅射技术、生长技术、或诸如化学气相沉积(cvd)的沉积技术。
[0171]
此外，本文使用的“示例性”表示用作实例、例子、说明等，而不一定是有利的。如在本技术案中使用的“或”旨在表示包含性的“或”，而非排他性的“或”。此外，除非另有规定或自上下文中清楚地指向单数形式，否则在本技术案及所附权利要求书中使用的“一(a)”及“一(an)”通常被理解为意谓“一或多者”。此外，a及b及/或类似者中的至少一者通常意谓a或b或a及b两者。此外，在使用“包括(includes)”、“具有(having)”、“具有(has)”、“用(with)”、或其变形的范围内，这些术语旨在以类似于术语“包含(comprising)”的方式具有包含性。另外，除非另有规定，“第一”、“第二”、或类似者且不旨在隐示时间态样、空间态样、次序等。相反，这些术语仅用作特征、元素、项目的标识符、名称等。举例而言，第一元素及第二元素通常对应于元素a及元素b或两个不同的或两个一致的元素或相同的元素。
[0172]
此外，尽管本揭露已示出及描述了一或多个实施，但基于对本说明书及附图的研读及理解，其他熟悉此项技术者将进行等效改变及修改。本揭露包含所有这些修改及改变，且仅限于所附权利要求书的范围。特别地关于由上述组件执行的各种功能，除非另有说明，否则用于描述此类组件的术语旨在对应于执行所描述组件的指定功能的任何组件(例如，功能等效的组件)，即使在结构上不等效于所揭示的结构。另外，虽然本揭露的特定特征可仅针对若干实施中的一者而经揭示，但这种特征可与其他实施的一或多个其他特征组合，这对于任何给定的或特定的应用来说是期望的及有利的。