一种硅片承载装置的制作方法

1.本实用新型涉及一种硅片承载装置。


背景技术：

2.异质结电池以n型单晶硅片为衬底，经过制绒清洗后在正面通过pecvd方法沉积厚度为3-5nm的本征非晶硅薄膜i-a-si和p型非晶硅薄膜p-a-si，从而形成pn异质结。在背面通过pecvd方法沉积本征非晶硅薄膜i-a-si和n型非晶硅薄膜n-a-si，从而形成背表面场。在掺杂非晶硅薄膜的两侧通过溅射的方式沉积透明导电氧化物薄膜，最后通过丝网印刷的技术在透明导电薄膜表面形成金属电极。现有的硅片承载装置由于平面度等原因，影响镀膜效果。


技术实现要素：

3.本实用新型的目的在于提供一种减小横梁的变形，保证载板平面度，改善镀膜效果的硅片承载装置。
4.本实用新型的技术解决方案是：
5.一种硅片承载装置，其特征是：包括竖梁、横梁，横梁和竖梁通过法兰连接，横梁包括位于两侧的边横梁和位于中间部位的中间横梁，边横梁由主横梁和副横梁组成，主横梁和副横梁上面加工有通孔，中间横梁上设有通孔，拉筋通过中间横梁上的通孔、边横梁上的通孔后固定在边横梁的副横梁上；托盘固定在横梁和竖梁上，并且托盘放置在拉筋上面；中间横梁、边横梁的主横梁为圆管结构，使各个方向变形效果相同，有效控制了横梁的形变程度。
6.中间横梁的左右两侧设有与托盘卡合固定的凹口。
7.本实用新型优先减小横梁的变形，保证载板平面度，改善镀膜效果。
附图说明
8.下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明。
9.图1是本实用新型一个实施例的结构示意图。
10.图2是中间横梁结构示意图。
11.图3是图2的a-a剖面图。
12.图4是边横梁结构示意图。
13.图5是图4的b-b剖面图。
14.图6是横梁和竖梁连接结构示意图。
具体实施方式
15.一种硅片承载装置，包括竖梁1、横梁2，横梁和竖梁通过法兰3连接，横梁包括位于两侧的边横梁4和位于中间部位的中间横梁5，边横梁由主横梁6和副横梁7组成，主横梁和
副横梁上面加工有通孔8，中间横梁上设有通孔9，拉筋10通过中间横梁上的通孔、边横梁上的通孔后固定在边横梁的副横梁上；托盘11固定在横梁和竖梁上，并且托盘放置在拉筋上面；中间横梁、边横梁的主横梁为圆管结构，使各个方向变形效果相同，有效控制了横梁的形变程度。主横梁内部设有阶梯面，副横梁和主横梁上的阶梯面配合。
16.中间横梁的左右两侧设有与托盘卡合固定的凹口12。
17.本实用新型中间横梁、边横梁的主横梁为圆管结构，圆管各个方向变形相同，有效减小了横梁的变形；现有工艺无法将矩形管管壁做的很厚，圆管可以，并且圆管取材方便。本实用新型可以满足镀透明导电薄膜对承载装置的形位公差的较高要求。


技术特征：
1.一种硅片承载装置，其特征是：包括竖梁、横梁，横梁和竖梁通过法兰连接，横梁包括位于两侧的边横梁和位于中间部位的中间横梁，边横梁由主横梁和副横梁组成，主横梁和副横梁上面加工有通孔，中间横梁上设有通孔，拉筋通过中间横梁上的通孔、边横梁上的通孔后固定在边横梁的副横梁上；托盘固定在横梁和竖梁上，并且托盘放置在拉筋上面；中间横梁、边横梁的主横梁为圆管结构，使各个方向变形效果相同。2.根据权利要求1所述的一种硅片承载装置，其特征是：中间横梁的左右两侧设有与托盘卡合固定的凹口。

技术总结
本实用新型公开了一种硅片承载装置，包括竖梁、横梁，横梁和竖梁通过法兰连接，横梁包括位于两侧的边横梁和位于中间部位的中间横梁，边横梁由主横梁和副横梁组成，主横梁和副横梁上面加工有通孔，中间横梁上设有通孔，拉筋通过中间横梁上的通孔、边横梁上的通孔后固定在边横梁的副横梁上；托盘固定在横梁和竖梁上，并且托盘放置在拉筋上面；中间横梁、边横梁的主横梁为圆管结构，使各个方向变形效果相同，有效控制了横梁的形变程度。本实用新型优先减小横梁的变形，保证载板平面度，改善镀膜效果。改善镀膜效果。改善镀膜效果。


技术研发人员：高晗 吴明贵 刘小明 张清清 龚汉亮
受保护的技术使用者：南通玖方新材料科技有限公司
技术研发日：2021.12.24
技术公布日：2022/6/24