一种显示面板的封装方法及相关设备与流程

1.本技术涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板的封装方法及相关设备。


背景技术：

2.ald(原子层沉积)封装是利用前驱体因基板表面的反应产生化学吸附后投入第二气体反应物，第二气体反应物与前驱体产生化学反应，以原子层单位形成一层薄膜，如此重复循环以达到预期膜厚的镀膜技术。ald被广泛的应用于显示面板的封装技术中。
3.然而，现有ald封装技术因为前驱体为气体，扩散性强，在基板吸附过程中会造成气体向掩膜版开口的反向内部扩张，容易导致封装膜层扩散至封装区域之外，造成封装不良问题。


技术实现要素：

4.本技术实施例提供一种显示面板的封装方法及相关设备，能够将封装膜层限制在封装区域内，减少切割区域内的封装膜层，避免发生封装膜层扩散至封装区域之外而造成封装不良的问题。
5.本技术实施例的第一方面，提供一种显示面板的封装方法，包括：
6.对待封装显示面板的封装区域和封装掩膜版的开口区域相对的空间施加电场；
7.通入无机封装层前驱体，以在所述电场作用下减少所述待封装显示面板的切割区域沉积的无机封装层。
8.在一些实施方式中，所述封装区域包括主封装区和缓冲区，所述缓冲区围绕所述主封装区，所述缓冲区设置于所述主封装区和所述切割区域之间；
9.所述对待封装显示面板的封装区域和封装掩膜版的开口区域相对的空间施加电场，包括：
10.对所述主封装区的边缘与所述开口区域的边缘相对的空间施加电场；和/或，
11.对所述缓冲区与所述开口区域的边缘相对的空间施加电场。
12.在一些实施方式中，所述对待封装显示面板的封装区域和封装掩膜版的开口区域相对的空间施加电场，包括：
13.通过对第一电极和第二电极施加电压差，以在所述封装区域和所述开口区域相对的空间形成电场，其中，所述待封装显示面板和所述封装掩膜版均设置于所述第一电极和所述第二电极之间。
14.在一些实施方式中，所述对待封装显示面板的封装区域和封装掩膜版的开口区域相对的空间施加电场，包括：
15.通过对第一电极和第二电极施加电压差，以在所述封装区域和所述开口区域相对的空间形成电场，其中，所述第一电极设置于所述待封装显示面板，所述第二电极设置于所述封装掩膜版。
16.在一些实施方式中，施加在所述封装区域和所述开口区域相对的空间的电场方向
由所述待封装显示面板指向所述封装掩膜版。
17.在一些实施方式中，施加在所述封装区域和所述开口区域相对的空间的电场方向垂直于所述待封装显示面板。
18.本技术实施例的第二方面，提供一种待封装显示面板，包括：
19.第一电极，所述第一电极用于在与封装掩膜版上的第二电极被施加电压差后，以在所述待封装显示面板的封装区域和所述封装掩膜版的开口区域相对的空间形成电场。
20.在一些实施方式中，所述待封装显示面板，还包括：
21.衬底层；
22.器件层，所述器件层设置于所述衬底层的一侧；
23.所述第一电极设置于所述衬底层远离所述器件层的一侧；或，
24.所述第一电极设置于所述衬底层与所述器件层之间；或，
25.所述第一电极设置于所述器件层内；或，
26.所述第一电极设置于所述器件层远离所述衬底层的一侧。
27.在一些实施方式中，所述第一电极在所述待封装显示面板上的正投影落入所述封装区域。
28.在一些实施方式中，所述封装区域包括主封装区和缓冲区，所述缓冲区围绕所述主封装层；
29.所述第一电极在所述待封装显示面板上的正投影覆盖所述主封装区的边缘和/或所述缓冲区。
30.在一些实施方式中，所述第一电极为环形。
31.本技术实施例的第三方面，提供一种封装掩膜版，包括：
32.第二电极，所述第二电极用于在与待封装显示面板上的第一电极被施加电压差后，以在所述待封装显示面板的封装区域和所述封装掩膜版的开口区域相对的空间形成电场。
33.在一些实施方式中，所述封装掩膜版，还包括：
34.掩膜版主体，所述开口区域为所述掩膜版主体上的开口，所述第二电极设置在所述掩膜版主体的一侧。
35.在一些实施方式中，所述第二电极围绕所述开口区域。
36.在一些实施方式中，所述第二电极与所述开口区域边缘的距离为预设距离，所述预设距离是由所述待封装显示面板上的所述第一电极与封装区域的位置关系确定的。
37.本技术实施例的第四方面，提供一种显示面板，所述显示面板是利用如第一方面所述的显示面板的封装方法封装后得到的。
38.本技术实施例的第五方面，提供一种显示装置，包括：如第四方面所述的显示面板。
39.本技术实施例提供的显示面板的封装方法及相关设备，对待封装显示面板的封装区域和封装掩膜版的开口区域相对的空间施加电场，在电场作用下无机封装层前驱体可以按照电场的电场方向定向移动，使得在封装区域内沉积形成无机封装层，减少待封装显示面板的切割区域沉积的无机封装层，可以减少由于无机封装层向封装区域外扩散，能够避免无机封装层外扩造成的切割不良，以及避免切割形成无机封装层的断面而形成封装不良
的问题。
附图说明
40.图1为本技术实施例提供的一种显示面板的封装方法的示意性流程图；
41.图2为本技术实施例提供的一种现有显示面板的封装工艺示意图；
42.图3为本技术实施例提供的一种显示面板的封装工艺示意图；
43.图4为本技术实施例提供的一种待封装显示面板的示意性结构图；
44.图5为本技术实施例提供的另一种显示面板的封装工艺示意图；
45.图6为本技术实施例提供的又一种显示面板的封装工艺示意图；
46.图7为本技术实施例提供的再一种显示面板的封装工艺示意图；
47.图8为本技术实施例提供的一种显示面板的示意性结构框图；
48.图9为本技术实施例提供的一种显示装置的示意性结构框图。
具体实施方式
49.为了更好的理解本说明书实施例提供的技术方案，下面通过附图以及具体实施例对本说明书实施例的技术方案做详细的说明，应当理解本说明书实施例以及实施例中的具体特征是对本说明书实施例技术方案的详细的说明，而不是对本说明书技术方案的限定，在不冲突的情况下，本说明书实施例以及实施例中的技术特征可以相互组合。
50.在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。术语“两个以上”包括两个或大于两个的情况。
51.ald封装是利用前驱体因基板表面的反应产生化学吸附后投入第二气体反应物，第二气体反应物与前驱体产生化学反应，以原子层单位形成一层薄膜，如此重复循环以达到预期膜厚的镀膜技术。ald被广泛的应用于显示面板的封装技术中。然而，现有ald封装技术因为前驱体为气体，扩散性强，在基板吸附过程中会造成气体向掩膜版开口的反向内部扩张，容易导致封装膜层扩散至封装区域之外，造成封装不良问题。
52.有鉴于此，本技术实施例提供一种显示面板的封装方法及相关设备，能够将封装膜层限制在封装区域内，减少切割区域内的封装膜层，避免发生封装膜层扩散至封装区域之外而造成封装不良问题。
53.本技术实施例的第一方面，提供一种显示面板的封装方法，图1为本技术实施例提供的一种显示面板的封装方法的示意性流程图。如图1所示，本技术实施例提供的显示面板的封装方法，包括：
54.s100：对待封装显示面板的封装区域和封装掩膜版的开口区域相对的空间施加电场。在显示面板的封装过程中，可以先对待封装显示面板和封装掩膜版进行对位，对位过程
是在原子层沉积腔室内进行的，可以利用对位标识进行对位，本技术实施例不作具体限定。对位的目的是将待封装显示面板的封装区域与封装掩膜版的开口区域对应，通常待封装显示面板与封装掩膜版是相对设置的，中间留有一定空间的空隙。需要说明的是，待封装显示面板通常是在一个大张的衬底基板上同步制备多个panel(面板)，一个待封装显示面板在经过封装后，进行切割流程，将每个panel切割开，得到多个单个显示面板，单个显示面板可以用于组装得到显示装置。通常每个panel对应一个封装区域，封装区域对应的是显示面板的器件区域，封装可以保护器件不受外界水气等其他环境因素的影响，保证器件的使用寿命。封装掩膜版的开口区域可以将待封装显示面板的封装区域裸露在原子层沉积腔室内，可以使得封装材料沉积在封装区域的表面，以完成封装。
55.s200：通入无机封装层前驱体，以在电场作用下减少待封装显示面板的切割区域沉积的无机封装层。通常封装过程需要先向原子层沉积腔室内通入封装材料前驱体，前驱体因待封装显示面板表面的反应产生化学吸附后通入第二气体反应物，第二气体反应物与前驱体产生化学反应，以原子层单位形成一层薄膜，如此重复循环以在待封装显示面板的封装区域内形成封装膜层，通常无机封装层的形成过程需要用到封装掩膜版，则本技术实施例提供显示面板的封装方法，可以在封装区域内形成无机封装层。示例性的，无级封装层可以包括氧化铝，则氧化铝的前驱体可以包括三甲基铝，第二气体可以是氧化剂，氧化剂可以包括水、氧气或臭氧中的至少一种，本技术不作具体限定。通常无机封装层前驱体包括极性物质和非极性物质，极性物质可以在电场作用下移动；非极性物质可以通过引入极性基团进行极性修饰，使其具有极性。因此，无机封装层前驱体可以在电场作用下随着电场方向定向移动。切割区域可以围绕封装区域，切割区域作为切割线的净空区，切割线用于在切割显示面板的过程中的进行切割位置的限定。
56.示例性的，图2为本技术实施例提供的一种现有显示面板的封装工艺示意图。如图2所示，待封装显示面板包括衬底层101和器件层102，无机封装层前驱体104通过封装掩膜版103的开口区域落入封装区域。现有的封装方法，由于在开口区域的边缘容易发生类似衍射的效应，无机封装层前驱体104容易扩散至开口区域的反向的内部，如图2所示，无机封装层前驱体104会扩散至封装掩膜版非开口区域的下方，在待封装显示面板的封装区域以外的位置也形成无机封装层，待封装显示面板的封装区域以外的位置设置有切割线，在无机封装层覆盖住切割线的情况下，在切割过程中容易发生切割不良，以及无机封装层在切割位置形成断面，无机封装层的断面容易形成外部水氧的入侵通道，引起封装不良的问题。
57.针对现有技术存在的问题，图3为本技术实施例提供的一种显示面板的封装工艺示意图。如图3所示，本技术实施例提供的显示面板的封装方法，对待封装显示面板的封装区域和封装掩膜版的开口区域相对的空间施加电场107，在电场107作用下无机封装层前驱体104可以按照电场107的电场方向定向移动，电场107的电场方向可以根据无机封装层前驱体104的极性来确定，示例性的，图3所示的电场方向是由待封装显示面板指向封装掩膜版103，则在电场107的作用下，无机封装层前驱体104的移动方向是由封装掩膜版103向待封装显示面板的方向移动，无机封装层前驱体104可以是三甲基铝。示例性的，电场还可以设置为由封装掩膜版指向待封装显示面板，则无机封装层前驱体的极性与三甲基铝的极性相反，本技术不作具体限定。对待封装显示面板的封装区域和封装掩膜版的开口区域相对的空间施加电场107，在电场107作用下无机封装层前驱体104可以按照电场107的电场方向
定向移动，使得在封装区域内沉积形成无机封装层，减少待封装显示面板的切割区域沉积的无机封装层，可以减少由于无机封装层向封装区域外扩散，能够避免无机封装层外扩造成的切割不良甚至封装不良的问题。
58.本技术实施例提供的显示面板的封装方法，对待封装显示面板的封装区域和封装掩膜版的开口区域相对的空间施加电场，在电场作用下无机封装层前驱体可以按照电场的电场方向定向移动，使得在封装区域内沉积形成无机封装层，减少待封装显示面板的切割区域沉积的无机封装层，可以减少由于无机封装层向封装区域外扩散，能够避免无机封装层外扩造成的切割不良，以及避免切割形成无机封装层的断面而形成封装不良的问题。
59.在一些实施方式中，图4为本技术实施例提供的一种待封装显示面板的示意性结构图。如图4所示，封装区域包括主封装区201和缓冲区202，缓冲区202围绕主封装区201，缓冲区202设置于主封装区201和切割区域203之间。
60.步骤s100，可以包括：
61.对主封装区的边缘与开口区域的边缘相对的空间施加电场；和/或，
62.对缓冲区与开口区域的边缘相对的空间施加电场。
63.示例性的，电场可以覆盖缓冲区和主封装区的边缘，或电场只覆盖缓冲区域，还可以是电场只覆盖主封装区的边缘，主要可以根据电场覆盖的精度以及电场强度所决定，本技术实施例不作具体限定。电场也可以覆盖封装区域和开口区域相对的整个空间，还可以是电场只覆盖封装区域与开口区域相对的空间的边缘。电场覆盖空间的边缘可以使得无机封装层精准的沉积在封装区域内，不会沉积到切割区域，或者只有极少的无机封装层扩散至切割区域，少到不会影响切割工艺，也不会形成水氧入侵通道，本技术不作具体限定。
64.在一些实施方式中，步骤s100，可以包括：
65.通过对第一电极和第二电极施加电压差，以在封装区域和开口区域相对的空间形成电场，其中，待封装显示面板和封装掩膜版均设置于第一电极和第二电极之间。示例性的，第一电极和第二电极可以设置在原子层沉积设备上，具体可以设置在原子层沉积腔室内的对应位置，第一电极和第二电极通电后可以形成电场107，在待封装显示面板和封装掩膜版对位完成后，可以将第一电极和第二电极移至对位后的待封装显示面板和封装掩膜版的两侧，之后对第一电极和第二电极施加电压差，可以在封装区域和开口区域相对的空间形成电场107，即对封装区域和开口区域相对的空间施加电场107。电场107占据的空间可以是围绕封装区域的环形、覆盖封装区域边缘的环形、覆盖缓冲区域的环形或者覆盖主封装区边缘和缓冲区域的环形，本技术实施例不作具体限定。
66.本技术实施例提供的显示面板的封装方法，电场可以通过第一电极和第二电极通入电压差得到，第一电极和第二电极可以搭载于待封装显示面板和封装掩膜版之外，针对相同型号的待封装显示面板进行重复利用，无需更改待封装显示面板和封装掩膜版的结构，容易实现。
67.在一些实施方式中，步骤s100，可以包括：
68.通过对第一电极和第二电极施加电压差，以在封装区域和开口区域相对的空间形成电场，其中，第一电极设置于待封装显示面板，第二电极设置于封装掩膜版。
69.示例性的，图5为本技术实施例提供的另一种显示面板的封装工艺示意图。如图5所示，第一电极106设置于衬底层101与器件层102之间，第一电极106是一整块，第一电极
106在衬底层101上的正投影可以覆盖封装区域。第二电极105设置于封装掩膜版103的一侧。图6为本技术实施例提供的又一种显示面板的封装工艺示意图。如图6所示，第一电极106是环形的，第一电极106可以围绕封装区域、覆盖封装区域的边缘、只覆盖缓冲区或覆盖缓冲区和主封装区的边缘，本技术不作具体限定。第二电极105设置于封装掩膜版103的一侧，在待封装显示面板与封装掩膜版对位后，第一电极106和第二电极105可以是错位的位置关系。图7为本技术实施例提供的再一种显示面板的封装工艺示意图。如图7所示，第一电极106也是环形的，在待封装显示面板与封装掩膜版对位后，第一电极106和第二电极105可以是正对位置关系，第二电极105在衬底层101上的正投影覆盖第一电极106在衬底层101上的正投影。示例性的，如图5-7所示，第一电极106可以通入正电压，第二电极105可以通途入负电压，以形成待封装显示面板指向封装掩膜版方向的电场。
70.本技术实施例提供的显示面板的封装方法，将第一电极设置于待封装显示面板，第二电极设置于封装掩膜版，可以在待封装显示面板与封装掩膜版对位的过程中实现第一电极和第二电极的对位，无需单独对第一电极和第二电极进行对位，使得第一电极和第二电极形成的电场对无机封装层前驱体的定向移动的控制精度更高，无机封装层沉积的位置更为精准，能够较大程度的将无机封装层限制在封装区域内，不会扩散至封装区域之外。
71.在一些实施方式中，施加在封装区域和开口区域相对的空间的电场方向由待封装显示面板指向所述封装掩膜版。
72.示例性的，如图5和图6所示，电场107的电场方向是由待封装显示面板指向所述封装掩膜版的弯曲电场线。如图7所示，施加在封装区域和开口区域相对的空间的电场方向垂直于待封装显示面板。电场107的电场方向是垂直的电场线。电场线的形状主要依据第一电极106和第二电极105的位置关系所决定，本技术实施例不作具体限定。
73.本技术实施例的第二方面，提供一种待封装显示面板，包括：第一电极，第一电极用于在与封装掩膜版上的第二电极被施加电压差后，以在待封装显示面板的封装区域和封装掩膜版的开口区域相对的空间形成电场。示例性的，参考图5-图7，第一电极106设置在待封装显示面板内。
74.本技术实施例提供的待封装显示面板，通过第一电极与封装掩膜版上的第二电极被施加电压差后，在待封装显示面板的封装区域和封装掩膜版的开口区域相对的空间形成电场，可以实现利用第一电极和第二电极对待封装显示面板的封装区域和封装掩膜版的开口区域相对的空间施加电场，在电场作用下无机封装层前驱体可以按照电场的电场方向定向移动，使得在封装区域内沉积形成无机封装层，减少待封装显示面板的切割区域沉积的无机封装层，可以减少由于无机封装层向封装区域外扩散，能够避免无机封装层外扩造成的切割不良，以及避免切割形成无机封装层的断面而形成封装不良的问题。
75.在一些实施方式中，本技术实施例提供的待封装显示面板，还包括：衬底层；器件层，器件层设置于衬底层的一侧。
76.示例性的，第一电极设置于衬底层远离器件层的一侧。在柔性显示面板中，在显示面板制备完成后会将衬底层剥离掉，第一电极可以随着衬底层的剥离一起被剥离掉，不会影响到最后得到显示面板的结构。
77.示例性的，参考图5-图7，第一电极106设置于衬底层101与器件层102之间。同理，在衬底层101需要剥离的待封装显示面板中将第一电极106设置在衬底层101与器件层102
之间，可以在剥离衬底层101的过程中将第一电极106一并剥离掉，可以避免影响显示面板的结构。
78.示例性的，第一电极106设置于器件层102内，但是第一电极106的两侧需要用绝缘层隔离开，避免在通电过程中与其他线路连接影响形成电场的范围。
79.示例性的，第一电极106设置于器件层102远离衬底层101的一侧，即第一电极106可以设置在器件层102的表面，无机封装层可以覆盖或部分覆盖在第一电极106上，本技术实施例不作具体限定。
80.在一些实施方式中，第一电极在待封装显示面板上的正投影落入封装区域，第一电极在待封装显示面板上的正投影也可以理解为第一电极在衬底层上的正投影。
81.在一些实施方式中，封装区域包括主封装区和缓冲区，缓冲区围绕主封装层；第一电极在待封装显示面板上的正投影覆盖主封装区的边缘和/或缓冲区。
82.在一些实施方式中，第一电极为环形。示例性的，第一电极在待封装显示面板上的正投影围绕主封装区。
83.本技术实施例限定了第一电极的位置，第一电极可以是环形的，也可以是面状，第一电极的位置需要与第二电极的位置进行匹配，可以根据需求的电场的范围和电场强度来设置第一电极的具体位置。
84.本技术实施例的第三方面，提供一种封装掩膜版，包括：第二电极，第二电极用于在与待封装显示面板上的第一电极被施加电压差后，以在待封装显示面板的封装区域和封装掩膜版的开口区域相对的空间形成电场。
85.本技术实施例提供的封装掩膜版，通过第二电极用于在与待封装显示面板上的第一电极被施加电压差后，以在待封装显示面板的封装区域和封装掩膜版的开口区域相对的空间形成电场，可以实现利用第一电极和第二电极对待封装显示面板的封装区域和封装掩膜版的开口区域相对的空间施加电场，在电场作用下无机封装层前驱体可以按照电场的电场方向定向移动，使得在封装区域内沉积形成无机封装层，减少待封装显示面板的切割区域沉积的无机封装层，可以减少由于无机封装层向封装区域外扩散，能够避免无机封装层外扩造成的切割不良，以及避免切割形成无机封装层的断面而形成封装不良的问题。
86.在一些实施方式中，本技术实施例提供的封装掩膜版，还包括：掩膜版主体，开口区域为掩膜版主体上的开口，第二电极设置在掩膜版主体的一侧。
87.示例性的，参考图5-图7，第二电极105围绕开口区域，即第二电极105为环形电极。第二电极105可以设置在掩膜版的任意侧。第二电极105可以是环形的，第二电极105可以采用金属材料制备得到，还可以是其他导电材料，第二电极105与掩膜版主体之间可以设置绝缘层进行绝缘处理，本技术实施例不作具体限定。第一电极106可以采用金属制备得到，例如钼或铝等，本技术实施例不作具体限定。
88.在一些实施方式中，第二电极105与开口区域边缘的距离为预设距离，预设距离是由待封装显示面板上的第一电极106与封装区域的位置关系确定的。第二电极105的位置需要与第一电极106的位置相适应，以形成所需要的电场107。第一电极106与第二电极105在对位后正对设置可以形成垂直电场，第一电极106与第二电极105在对位后错位设置，形成的电场线是曲线，可以根据不同的无机封装层前驱体材料的种类和显示面板的具体结构来设计对位后的第一电极和第二电极的位置。
89.本技术实施例的第四方面，提供一种显示面板，图8为本技术实施例提供的一种显示面板的示意性结构框图。如图8所示，本技术实施例提供的显示面板1000是利用如第一方面所述的显示面板的封装方法封装后得到的。经过第一方面所述的显示面板的封装方法封装后，进行切割工艺，可以得到显示面板。得到的显示面板的切割断面存在较少或者不存在无机封装层，避免形成水氧入侵通道，造成封装不良问题。
90.本技术实施例的第五方面，提供一种显示装置，图9为本技术实施例提供的一种显示装置的示意性结构框图。如图9所示，本技术实施例提供的显示装置包括：如第四方面所述的显示面板1000。
91.需要说明的是，本技术实施例提供的显示装置可以是智能手机、平板电脑、电视、笔记本电脑或其他显示器等。
92.需要说明的是，在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详细描述的部分，可以参见其它实施例的相关描述。
93.本领域内的技术人员应明白，本技术的实施例可提供为方法、系统、或计算机程序产品。因此，本技术可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本技术可采用在一个或多个其中包含有计算机可读程序代码的计算机可读存储介质(包括但不限于磁盘存储器、cd-rom、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。
94.本技术是参照根据本技术实施例的方法、设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式计算机或者其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
95.尽管已描述了本说明书的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本说明书范围的所有变更和修改。
96.显然，本领域的技术人员可以对本说明书进行各种改动和变型而不脱离本说明书的精神和范围。这样，倘若本说明书的这些修改和变型属于本说明书权利要求及其等同技术的范围之内，则本说明书也意图包含这些改动和变型在内。