显示基板及显示面板的制作方法

1.本发明属于显示技术领域，具体涉及一种显示基板及显示面板。


背景技术：

2.显示面板包括液晶面板、oled(organiclight-emitting diode；有机电致发光二极管)面板、qled(quantum dot light emitting diodes；量子点发光二极管)面板等各种类型；其中，以液晶面板为例，其通常是由一彩膜基板(color filtersubstrate，cf substrate)、一薄膜晶体管阵列基板(thin film transistor arraysubstrate，tft array substrate)以及一配置于两基板间的液晶层(liquid crystallayer)所构成。发明人发现显示面板在结构可靠性分离强度测试中，显示面板的阵列基板的周边区的绝缘层之间容易出现开裂现象。


技术实现要素：

3.本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种显示基板及显示面板。
4.第一方面，本公开实施例提供一种显示基板，包括显示区和环绕所述显示区的周边区；所述显示基板包括：
5.基底；
6.多层绝缘层，沿背离所述基底方向依次设置；所述多层绝缘层中的每层位于所述显示区和所述周边区；
7.凸起结构，设置在所述多层绝缘层中的至少部分两相邻的绝缘层之间，且所述凸起结构位于所述周边区。
8.其中，所述凸起结构的侧壁上设置有环绕其周向的凹槽。
9.其中，所述多层绝缘层包括沿背离所述基底方向依次设置的层间绝缘层和平坦化层；所述凸起结构位于所述层间绝缘层和所述平坦化层之间。
10.其中，还包括设置在所述基底上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管位于所述显示区；所述层间绝缘层位于所述薄膜晶体管的源极和漏极所在层靠近所述基底的一侧；所述凸起结构与所述薄膜晶体管的源极和漏极同层设置。
11.其中，所述凸起结构沿背离所述基底方向叠层设置的第一子结构、第二子结构、第三子结构；所述薄膜晶体管的源极和漏极均包括沿背离所述基底方向叠层设置的第一金属层、第二金属层、第三金属层；其中，所述第一子结构和所述第一金属层同层设置且材料相同；所述第二子结构与所述第二金属层同层设置且材料相同；所述第三子结构与所述第三金属层同层设置且材料相同。
12.其中，当所述凸起结构的侧壁上设置有环绕其周向的凹槽时，所述第二子结构在所述基底上的正投影的外边界位于所述第一子结构、所述第三子结构在所述基底上的正投影的外边界内侧，以在所述凸起结构的侧壁形成所述凹槽。
13.其中，所述第三子结构靠近基底的表面与第二子结构的外边界所在表面的切线的夹角为55
°-
75
°
。
14.其中，所述第一金属层、第二金属层和所述第三金属层的材料包括钛、钼、铝、铜中的至少一种或几种组合。
15.其中，所述凸起结构位于所述周边区的拐角位置。
16.其中，所述凸起结构环绕所述显示区设置。
17.其中，所述凸起结构的数量为至少一个个，且所述凸起结构连续设置。
18.其中，所述凸起结构的数量为多个，且多个间隔设置。
19.其中，每个所述凸起结构在所述基底上的正投影的形状包括正方形或者矩形。
20.第二方面，本公开实施例提供一种显示面板，其包括上述的显示基板。
21.其中，所述显示面板包括液晶面板、oled面板、qled面板中的任一种。
附图说明
22.图1为一种显示基板的结构示意图；
23.图2为图1的a-a的剖面图；
24.图3为本公开实施例的显示基板的示意图；
25.图4为图3的b-b位置的一种剖面图；
26.图5为图3的b-b位置的另一种剖面图；
27.图6为本公开实施例的显示基板中的一种凸起结构的示意图；
28.图7为本公开实施例的显示基板中的一种凸起结构的示意图；
29.图8为本公开实施例的显示基板中的一种凸起结构的分布图；图9为本公开实施例的显示基板中的一种凸起结构的分布图；
30.图10为本公开实施例的显示基板中的另一种凸起结构的分布图；
31.图11为本公开实施例的显示基板中的另一种凸起结构的分布图；
32.图12为本公开实施例的显示基板中的另一种凸起结构的分布图；
33.图13为本公开实施例的一种显示面板的结构示意图。
具体实施方式
34.为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
35.除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
36.图1示意出一种显示基板的结构示意图；如图1所示，该显示基板划分为显示区q1和环绕显示区q1的周边区q2；该显示基板包括基底，设置在基底上的多层绝缘层、驱动元件(例如：薄膜晶体管、存储电容)等。其中，以该显示基板为应用至液晶面板中的阵列基板为例。当将阵列基板与彩膜基板相对盒形成显示面板时，需要在阵列基板和彩膜基板的周边区q2形成封框胶，以对液晶面板进行密封。
37.在此需要说明的是，本公开实施例中提到显示基板不仅可以应用至液晶面板，也可以应用至oled面板或者qled面板中，以及更多类型的显示面板中，为了便于理解，在本公开实施例中，仅以显示基板应用至液晶面板中为例进行说明。
38.图2为图1的a-a位置的剖面图，其中，薄膜晶体管采用顶栅型薄膜晶体管，其包括有源层104、栅极106、源极110和漏极111；多层绝缘层包括缓冲层102、第一栅绝缘层105、层间绝缘层103、平坦化层107。具体地，缓冲层 102形成在基底101上，有源层104可形成在缓冲层102上，第一栅绝缘层105 覆盖缓冲层102及有源层104，栅极106形成在第一栅绝缘层105背离有源层 104的一侧，第二栅绝缘层108覆盖栅极106和第一栅绝缘层105，层间绝缘层 103覆盖第二栅绝缘层108，源极110和漏极111形成在层间绝缘层103背离基底101的一侧并分别位于栅极106的相对两侧，该源极110和漏极111可分别通过过孔(例如：金属过孔)与有源层104的相对两侧接触。平坦化层107可覆盖源极110和漏极111和层间绝缘层103。像素电极121可形成在平坦化层107 上，并通过贯穿平坦化层107的过孔(例如：金属过孔)与漏极111连接。应当理解的是，此薄膜晶体管也可为底栅型。在该阵列基板上还可以设置公共电极109，例如，将公共电极109设置在平坦化层107上，并在公共电极109所在层上覆盖钝化层120，将像素电极121形成在钝化层120上，并使得像素电极 121通过贯穿平坦化层107和钝化层120的过孔与漏极111连接。图2中的存储电容可包括第一极板130和第二极板131，此第一极板130与栅极103同层设置，第二极板131位于第二栅绝缘层105与层间介质层103之间，并与第一极板130 相对设置。
39.举例而言，栅极103和第一极板130、第二极板131的材料可以包括金属材料或者合金材料，例如包括钼、铝及钛等。源极110和漏极111可以包括金属材料或者合金材料，例如由钼、铝及钛等形成的金属单层或多层结构，例如，该多层结构为多金属层叠层，例如钛、铝、钛三层金属叠层(al/ti/al)等。
40.发明人发现，将上述阵列基板与彩膜基板相对盒形成显示面板，在进行拉拔测试时，位于周边区q2两相邻设置的绝缘层之间容易发生脱落，特别是平坦化层和层间绝缘层在显示面板的拐角位置在拉拔测试中很容易分离开，从而影响显示面板的品质。
41.针对上述技术问题，在本公开实施例中提供一下技术方案。
42.第一方面，图3为本公开实施例的显示基板的示意图；图4为图3的b-b 位置的一种剖面图；图5为图3的b-b位置的另一种剖面图；如图3-5所示，本公开实施例提供一种显示基板，其划分为显示区q1和环绕显示区q1的周边区q2，该显示基板包括基底101，设置在基底101上的多层绝缘层和凸起结构 200。其中，多层绝缘层设置在所述基底101上，且沿背离所述基底101方向依次；多层绝缘层中的每层均位于所述显示区q1和所述周边区q2；凸起结构200 设置在多层绝缘层中至少部分两相邻的之间，且凸起结构200位于所述周边区 q2。
43.由于在本公开实施例中，在显示基板周边区q2的两相邻绝缘层之间增加凸起结构200，因此可以周边区q2膜层之间的接触面积，从而有效改善膜层间接触不足而导致膜层脱
落的现象，同时还可以避免水汽进入显示区q1，提高应用本公开实施例的显示基板的良率。
44.在一些实施例中，多个绝缘层包括沿背离所述基底101方向依次设置的层间绝缘层103和平坦化层107，凸起结构200位于层间绝缘层103和平坦化层 107之间，这样一来，可以有效避免层间绝缘层103和平坦化层107二者发生脱落的问题。当然，不仅可以在层间绝缘层103和平坦化层107之间设置凸起结构200，还可以在第一栅极106绝缘层和第二栅极106绝缘层之间设置凸起结构 200，平坦化层107和钝化层120之间设置凸起结构200，还可以是任意两相邻的绝缘层之间设置凸起结构200。以下为便于理解，以凸起结构200设置在层间绝缘层103和平坦化层107之间为例进行说明。
45.其中，层间绝缘层103采用无机材料制作而成，例如：氧化硅、氮化硅等无机材料，以达到阻水氧和阻隔碱性离子的效果；平坦化层107通常采用有机材料制作而成，例如：光刻胶、丙烯酸基聚合物、硅基聚合物等材料。
46.在一些实施例中，为进一步增大膜层之间的接触面积，在凸起结构200的侧壁上设置有环绕其周向的凹槽，以尽可能避免绝缘层之间出现脱落的问题。
47.在一些实施例中，如图2所示，层间绝缘层103位于薄膜晶体管的源极110 和漏极111所在层靠近基底101的一侧；凸起结构200与薄膜晶体管的源极110 和漏极111同层设置。在该种情况下，可以将凸起结构200和薄膜晶体管的源极110和漏极111在一次构图工艺中形成，这样设计还可减少加工步骤及掩膜板的使用，从而可降低成本。此外，应当理解的是，该凸起结构200可与薄膜晶体管的源极110、漏极111应相互断开，以避免凸起结构200在显示时通电的情况。
48.由于前述提到凸起结构200可与显示区q1中薄膜晶体管的源极110和漏极 111同层设置，因此，该隔离柱的结构、材料可与源极110和漏极111的结构和材料相同，例如，在源极110和漏极111为三层金属结构时，该凸起结构200 也可为三层金属结构。
49.在此需要说明的是，凸起结构200也可以是与源极和漏极同层设置的，具体可以根据凸起结构200而定，例如在第一栅绝缘层105、第二栅绝缘层108之间形成凸起结构，此时，凸起结构200也可以与栅极106同层设置材料相同。当显示基板为应用于oled面板中的显示基板时，此时凸起结构200还可以与数据线、电源线等金属膜层同层设置且材料相同。
50.在一个示例中，如图4所示，凸起结构200可以包括依次叠层设置的层间绝缘层103上的第一子结构201、第二子结构202、第三子结构203；薄膜晶体管的源极110和漏极111的三层金属结构分别为第一金属层、第二金属层、第三金属层；此时，第一子结构201与第一金属层同层设置，且材料相同；第二子结构202与第二金属层同层设置，且材料相同；第三子结构203与第三金属层同层设置，且材料相同。
51.在一个示例中，如图5所示，凸起结构200包括沿背离基底101方向上依次设置的一子结构201、第二子结构202、第三子结构203；在显示区q1中形成贯穿第一栅绝缘层105、第二栅绝缘层108和层间绝缘层103、用于连接有源层104和源极110、漏极111的过孔的同时，在周边区q2中同时也形成有贯穿第一层间绝缘层105、第二层间绝缘层108和层间绝缘层103的辅助过孔，凸起结构200则形成在辅助过孔中，其中，第一子结构与第一栅绝缘层105接触，第三子结构突出于所述层间绝缘层103。薄膜晶体管的源极110和漏极111的三层金属结构分别为第一金属层、第二金属层、第三金属层；此时，第一子结构 201与第一金属层同层设置，且材料相同；第二子结构202与第二金属层同层设置，且材料相同；第三子结构203
与第三金属层同层设置，且材料相同。另外，第二子结构202在层间绝缘层103上的正投影的外边界位于第一子结构201、第三子结构203在层间介绝缘层上的正投影的外边界内侧，以在凸起结构200的侧壁形成凹槽，使得凸起结构200的纵截面成“工字形”结构。在此需要说明的是，由于工艺原因，所形成的“工字形”的凸起结构200并规整的“工字形”。在一些实施例中，在凸起结构200的侧壁形成凹槽的底面与侧壁之间存在一定的夹角，该夹角的角度范围在55
°-
75
°
左右。也即，如图6所示，第三子结构 203靠近基底的表面与第二子结构202的外边界切线所在表面的夹角为α，α的取值在55
°-
75
°
左右。如图7所示，当第二子结构202的外边界为弧面时，第三子结构203靠近基底的表面与第二子结构202的外边界切线所在表面的夹角为α，α的取值在55
°-
75
°
左右。
52.在此需要说明的是，凸起结构200的侧壁是指，其凸起结构的外表面，对于凸起结构200的周向则是环绕其外表面的方向。
53.在一些实施例中，第一金属层、第二金属层和第三金属层的材料包括钛、钼、铝、铜中的至少一种或几种组合。
54.在一个示例中，第一金属层与第三金属层可为钛层，即：第一金属层和第三金属层可采用钛(ti)材料制作而成，第二金属层可为铝层，即：第二金属层可采用铝(al)材料制作而成，这样可保证第二金属层在进行侧蚀时，第一金属与第三金属层不会受到刻蚀的影响。但不限于此，第一金属层、第二金属层、第三金属层也可采用其它材料制作而成，例如：钼、铝等金属材料或者合金材料，只要能实现上述技术效果即可，本公开对此不做限制。
55.在一些实施例中，在显示基板的周边区q2中还设置有参考电极，该参考电极具体可以为地电极gnd；在本公开实施例中以参考电极为地电极gnd为例进行说明；该地电极gnd环绕显示区q1，且位于凸起结构远离显示区q1的一侧。
56.在一个示例中，图8图7为本公开实施例的显示基板中的一种凸起结构的分布图；如图7所示，凸起结构200为一连续图案，其环绕显示区的，在显示区的一侧边位置处断开，通常该位置处对应显示面板的绑定区。
57.在一个示例中，如图7和8所示，地电极gnd可以与凸起结构200同层设置，且材料相同。例如：凸起结构200包括沿背离基底101方向上依次设置的一子结构201、第二子结构202、第三子结构203；此时，地电极gnd可以包括叠层设置的三层结构；若凸起结构200采用采用“工字形”结构，此时地电极 gnd也可以采用“工字形”结构，即如图4和5所示，地电极gnd包括膜层 201
′
、202
′
、203
′
。这样一来，不会增加工艺步骤，同时可以很好的保证相邻绝缘层之间的良好连接。
58.在一个示例中，图9为本公开实施例的显示基板中的一种凸起结构的分布图；如图9所示，若凸起结构200为环绕显示区q1的连续图案时，此时凸起结构200用作接地电极gnd。这样一来，仅需要改变现有地电极gnd的图形，则可以实现相邻绝缘层之间的良好连接。与此同时，还可以减小周边区q2的面积，有利于实现显示面板的窄边框设计。
59.在一些实施例中，由于显示基板的周边区q2的拐角位置的相邻设置的绝缘层之间容易发生脱离，因此，可以仅在周边区q2的拐角位置设置凸起结构200。例如：显示面板为一四边形面板，此时凸起结构200位于显示面板的四角位置。在此需要说明的是，在本公开实施例中仅以显示面板为四边形显示面板为例进行说明，在实际应用中显示面板不局限于四边形，还可以是六边形等更多边的图形。
60.如图10所示，凸起结构200设置在周边区q2的拐角位置，且每个拐角位置处的凸起结构200的数量仅为1个，该种凸起结构200不仅可以增大膜层之间的接触面积，而且还可以避免水汽由显示面板的拐角位置进入显示区q1。当然，如图11所示，每个拐角位置处的凸起结构200的数量为多个，这样一来可以尽可能增大膜层之间的接触面积，以使两相邻膜层之间贴合更加牢固。
61.在一些实施例中，凸起结构200环绕显示区q1设置，这样一来，不仅增大了膜层之间的接触面积，而且相较于仅在拐角位置设置凸起结构200而言，可以更加有效的避免相邻设置的绝缘层在周边区q2脱落的问题。
62.如图3、8、9所示，凸起结构200环绕显示区q1设置，且凸起结构200的数量仅为1个，该种凸起结构200不仅可以增大膜层之间的接触面积，而且还可以避免水汽由显示面板的拐角位置进入显示区q1。当然，如图12所示，凸起结构200环绕显示区q1设置，且凸起结构200的数量为多个，各凸起结构 200间隔设置，这样一来可以尽可能增大膜层之间的接触面积，以使两相邻膜层之间贴合更加牢固。
63.在一些实施例中，当凸起结构200的数量为多个时，每个凸起结构200在基底101上的正投影的形状包括正方形或者矩形，当然，还可以是六边形等更多边的图形，在此不再一一列举。以下以绝缘层包括层间绝缘层103和平坦化层107，凸起结构200位于层间绝缘层103和平坦化层107之间，对本公开实施例中的显示基板的制备方法进行说明。
64.在此需要说明的是，在本公开实施例中，构图工艺，可只包括光刻工艺，或，包括光刻工艺以及刻蚀步骤，同时还可以包括打印、喷墨等其他用于形成预定图形的工艺；光刻工艺，是指包括成膜、曝光、显影等工艺过程的利用光刻胶、掩模板、曝光机等形成图形的工艺。可根据本发明中所形成的结构选择相应的构图工艺。
65.其中，在下述描述中所形成的薄膜晶体管位于显示区q1，凸起结构200位于周边区q2，在下面描述过程中不再重复赘述。
66.s1、在基底101上沉积缓冲层102，并在缓冲层102上通过构图工艺形成包括薄膜晶体管的有源层104的图形。
67.在步骤s1中，首先，通过沉积方式在缓冲层102上形成非晶硅膜(a-si)，沉积方式包括等离子体增强化学气相沉积方式、低压化学气相沉积方式。
68.接着，对非晶硅膜进行晶化，晶化方式包括采用准分子激光晶化方式、金属诱导晶化方式或固相晶化方式，将非晶硅膜转变为多晶硅膜(p-si)，然后，对多晶硅膜(p-si)进行掺杂(p型掺杂或者n型掺杂)，以决定薄膜晶体管 tft的沟道区导电类型。其中，准分子激光晶化方式、金属诱导晶化方式为两种低温多晶硅的方法，是较为常用的把非晶硅转变为多晶硅的方法。然而，本发明将非晶硅转变为多晶硅的方法，并不限制于采用低温多晶硅的方法，只要能够将有源层104转变为所需的多晶硅薄膜就可以。
69.最后，通过构图工艺形成包括有源层104的图形。即在多晶硅膜上形成一层光刻胶，对光刻胶进行曝光和显影，然后对多晶硅膜进行干法刻蚀，以形成包括有源层104的图形。
70.另外，缓冲层102可以选择与si的晶格结构相近的材料制作，以便于在缓冲层102的上方形成a-si薄膜(即下一步骤中的非晶硅膜)，使得在后续的薄膜晶体管tft中的第一栅绝缘层105的形成过程中，只需将a-si薄膜与存储电容的极板重叠区域以外的部分刻蚀
掉即可形成存储电容中的电介质层，从而不必采用掺杂方式形成存储电容的极板。
71.s2、在完成步骤s1的基底101上形成第一栅绝缘层105，并在第一栅绝缘层105之上形成包括栅极106和存储电容的第一极板130的图形。
72.在步骤s2中，首先，采用等离子体增强化学气相沉积方式、低压化学气相沉积方式、大气压化学气相沉积方式或电子回旋谐振化学气相沉积方式或溅射方式在有源层104的上方形成第一栅绝缘层105；接着，采用溅射方式、热蒸发方式、等离子体增强化学气相沉积方式、低压化学气相沉积方式、大气压化学气相沉积方式或电子回旋谐振化学气相沉积方式形成栅金属膜。最后，构图工艺，形成包括栅极106的图形。
73.在该步骤中，还进一步包括：采用离子注入法，将有源层104(p-si)对应着源极110和漏极111的区域进行掺杂，以增强有源层104与源极110和漏极111的欧姆接触，保证p-si与源极110、漏极111形成良好的欧姆接触；而在对应着栅极106的区域不需进行掺杂，因为，此次掺杂是在栅极106的图形刻蚀完成后进行的，因为有栅极106的阻挡作用，对与栅极106对应的区域的有源层104的部分p-si无法进行掺杂；同时，因为这部分p-si是作为沟道存在的，也无需进行掺杂。其中，离子注入方式包括具有质量分析仪的离子注入方式、不具有质量分析仪的离子云式注入方式、等离子注入方式或固态扩散式注入方式。即本实施例中，由低温多晶硅材料经晶化、掺杂、离子注入等多个步骤，最终形成具有良好半导体性质的有源层104。
74.s3、在完成步骤s2的基底101上形成第二栅绝缘层108，并在第二栅绝缘层108之上形成包括存储电容的第二极板131的图形。
75.在步骤s3中可以采用溅射方式、热蒸发方式、等离子体增强化学气相沉积方式、低压化学气相沉积方式、大气压化学气相沉积方式或电子回旋谐振化学气相沉积方式形成金属膜层，并通过构图工艺形成包括存储电容第二极板131 的图像。
76.s4、在完成步骤s3的基底101上形成层间绝缘层103，并在层间绝缘层103 之上形成包括源极110和漏极111，以及凸起结构200的图形。
77.在步骤s4中可以采用溅射方式、热蒸发方式、等离子体增强化学气相沉积方式、低压化学气相沉积方式、大气压化学气相沉积方式或电子回旋谐振化学气相沉积方式形成源漏金属膜，并在源漏金属膜上涂覆光刻胶，之后采用灰阶掩膜版或者半曝光掩膜版去除，周边区q2的部分光刻胶，去除显示区q1的全部光刻胶，并通过刻蚀工艺形成源极110和漏极11的图形；接下来，去除显示区的光刻胶，并通过刻蚀工艺(刻蚀液包括hno3,h2so4)形成包括工字型的凸起结构200和地电极gnd的图形。
78.其中，当源漏金属层包括由ti/al/ti三层金属材料时，三层金属沿背离基底方向三层的厚度分别为
79.在一个示例中，凸起结构200背离基底101的高度为ti/al/ti三层的厚度分别为凸起结构200的宽度为30～50um；在另一个示例中，凸起结构200背离基底101的高度为ti/al/ti三层的厚度分别为凸起结构200的宽度为30～50um。s5、在完成步骤s4的基底 101上形成平坦化层107，并在平坦化层107之上形成包括公共电极109图形。
80.在步骤s5中可以采用涂覆(例如：旋涂)的方式形成平坦化层107；之后采用溅射方
式、热蒸发方式或等离子体增强化学气相沉积方式、低压化学气相沉积方式、大气压化学气相沉积方式或电子回旋谐振化学气相沉积方式沉积导电金属膜。其中，导电金属膜具有高反射率并且满足一定的金属功函数要求，常采用双层膜或三层膜结构：ito(氧化铟锡)/ag(银)/ito(氧化铟锡)或者ag(银)/ito(氧化铟锡)结构；或者，把上述结构中的ito换成izo(氧化铟锌)、igzo(氧化铟镓锌)或ingasno(氧化铟镓锡)，最后通过构图工艺形成包括公共电极109的图形。
81.s6、在完成步骤s5的基底101上，形成钝化层120，并在对应薄膜晶体管漏极111的位置形成贯穿钝化层120和平坦化层107的过孔。
82.在步骤s6中，可以与沉积第一栅绝缘层105的方式相同，钝化层120可采用等离子体增强化学气相沉积方式、低压化学气相沉积方式、大气压化学气相沉积方式或电子回旋谐振化学气相沉积方式沉积形成，钝化层120可采用单层的氧化硅材料或者氧化硅材料、氮化硅材料形成多个子层的叠层。然后，通过第四次构图工艺，形成包括钝化层120的图形，并在对应着漏极111的区域形成贯穿钝化层120和平坦化层107的过孔。
83.s7、在完成步骤s6的基底101上，通过构图工艺形成包括像素电极121的图形，该像素电极121通过贯穿钝化层120和平坦化层107的过孔与薄膜晶体管的漏极111连接。
84.在步骤s7中可以采用溅射方式、热蒸发方式或等离子体增强化学气相沉积方式、低压化学气相沉积方式、大气压化学气相沉积方式或电子回旋谐振化学气相沉积方式沉积导电金属膜。其中，导电金属膜具有高反射率并且满足一定的金属功函数要求，常采用双层膜或三层膜结构：ito(氧化铟锡)/ag(银) /ito(氧化铟锡)或者ag(银)/ito(氧化铟锡)结构；或者，把上述结构中的ito换成izo(氧化铟锌)、igzo(氧化铟镓锌)或ingasno(氧化铟镓锡)，最后通过构图工艺形成包括像素电极121的图形。
85.至此完成本公开实施例中的显示基板的制备。当然，在本公开实施例的显示基板中可以形成配向层等结构，在此不一一描述。
86.第二方面，本公开实施例提供一种显示面板，该显示面板可以包括是上述的显示基板。本公开实施例中的显示面板具体可以液晶面板、oled面板、qled 面板中的任意一种。
87.在一些实施例中，图13为本公开实施例的一种显示面板的结构示意图；如图13所示，该显示面板可以为液晶面板，其不仅包括上述实施例中的显示基板，而且还包括与显示基板相对设置的彩膜基板，以及设置在二者之间的液晶层 401，用于维持显示基板和彩膜基板之间盒厚的隔离柱601，以及用于将显示基板和彩膜基板密封的封框胶501。在本公开实施例中彩膜基板包括基底301，依次设置在基底上的彩色滤光层和介质层302；其中，彩色滤光层可以包括红色滤光片r、绿色滤光片g、蓝色滤光片b，以及设置在任意两相邻彩色滤光片之间的黑矩阵bm。
88.在此需要说明的是，在本公开实施例中只是给出一种彩膜基板的结构，实际上彩膜基板的彩色滤光层中的彩色滤光片不局限于包括r、g、b三种颜色。
89.在一些实施例中，该显示面板可以应用在车载显示屏中，但应当理解的是，本公开实施例的显示面板也不局限应用于车载显示屏中。例如电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
90.可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精
神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。