一种膜层间与量子点发光二极管膜层间成膜的方法与流程

1.本发明涉及成膜技术领域，尤其涉及一种膜层间与量子点发光二极管膜层间成膜的方法。


背景技术：

2.自从l.e.brus等人首次制备出胶体量子点(colloidal quantum dots，简称qds)以来，胶体量子点凭借其独特的光学特性，比如禁带宽度易调谐、吸收光谱范围宽、光谱纯度高和光/化学性能稳定等，吸引了研究者的广泛关注和研究。在材料科学上取得的如此大的进展，使得基于qds的leds(简称：qled，量子点发光二极管)替代传统的无机和有机leds成为经济的，稳定的和高效能的下一代显示器成为可能。
3.目前，qled行业发展迅速，无论是在材料的开发，还是在结构的优化上都取得了很大的进步。但对于某些性能良好的材料，因为成膜上的困难而难以应用到一起。如：亲水性的溶液在亲油性的基底接触角较大，浸润性差，难以在基底上形成均匀、致密的薄膜。
4.因此，现有技术有待于改进和发展。


技术实现要素：

5.鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种膜层间与量子点发光二极管膜层间成膜的方法，旨在解决现有膜层间因极性不匹配难以成膜的问题。
6.本发明的技术方案如下：
7.一种膜层间成膜的方法，其中，包括步骤：
8.提供第一膜层；
9.在所述第一膜层上沉积具有双亲表面的辅助膜层；
10.在所述辅助膜层的双亲表面上沉积所需的第二膜层；
11.其中，所述第一膜层的表面极性与所述第二膜层的表面极性不同。
12.可选地，所述辅助膜层为tio2层，在所述第一膜层上沉积具有双亲表面的tio2层的步骤具体包括：
13.在所述第一膜层上沉积tio2层，在紫外光下照射所述tio2层，使所述tio2层的表面为双亲表面，得到具有双亲表面的tio2层。
14.可选地，所述在紫外光下照射所述tio2层的时间为10～60min。
15.可选地，所述tio2层的厚度为2～10nm。
16.一种量子点发光二极管膜层间成膜的方法，其中，包括步骤：
17.提供第一膜层；
18.在所述第一膜层上沉积具有双亲表面的辅助膜层；
19.在所述辅助膜层的双亲表面上沉积所需的第二膜层；
20.其中，所述第一膜层的表面极性与所述第二膜层的表面极性不同。
21.可选地，所述辅助膜层为tio2层，在所述第一膜层上沉积具有双亲表面的tio2层的
步骤具体包括：
22.在所述第一膜层上沉积tio2层，在紫外光下照射所述tio2层，使所述tio2层的表面为双亲表面，得到具有双亲表面的tio2层。
23.可选地，所述在紫外光下照射所述tio2层的时间为10～60min。
24.可选地，所述tio2层的厚度为2～10nm。
25.可选地，在所述tio2层的双亲表面上通过溶液法沉积所需的第二膜层。
26.可选地，所述第一膜层为电极层，所述第二膜层为载流子注入层或载流子传输层；
27.或者，所述第一膜层为载流子注入层，所述第二膜层为载流子传输层。
28.有益效果：本发明通过在难以附着的两膜层间制备一层具有双亲表面(即亲水亲油表面)的辅助膜层，使得无论是亲水性的第二膜层材料溶液，还是亲油性的第二膜层材料溶液，都能在辅助膜层上较好的成膜，这样原来不能较好附着的第二膜层通过辅助膜层变得都能很好的附着在第一膜层上，从而极大地改善了极性不匹配膜层间的成膜质量，为成膜材料的选择提供了更多的可能。
附图说明
29.图1为本发明实施例提供的一种膜层间成膜的方法的流程示意图。
30.图2为本发明实施例提供的难以成膜的膜层经辅助膜层改善后成膜的示意图。
具体实施方式
31.本发明提供一种膜层间与量子点发光二极管膜层间成膜的方法，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
32.本发明实施例提供一种膜层间成膜的方法，如图1所示，包括步骤：
33.s10、提供第一膜层；
34.s20、在所述第一膜层上沉积具有双亲表面的辅助膜层；
35.s30、在所述辅助膜层的双亲表面上沉积所需的第二膜层；
36.其中，所述第一膜层的表面极性与所述第二膜层的表面极性不同。
37.本实施例中，所述第一膜层的表面极性与所述第二膜层的表面极性不同可以包括以下两种情况：第一膜层的表面极性为亲水性，第二膜层的表面极性为亲油性；或者，第一膜层的表面极性为亲油性，第二膜层的表面极性为亲水性。
38.结合图2所示，由于第二膜层与第一膜层的表面极性不同，需要附着的第二膜层材料溶液2在第一膜层1的表面接触角较大，浸润性差，因此难以在第一膜层1上形成均匀、致密的第二膜层。本实施例通过在难以附着的两膜层间制备一层具有双亲表面(即亲水亲油表面)的辅助膜层3，使得无论是亲水性的第二膜层材料溶液2，还是亲油性的第二膜层材料溶液2，都能在辅助膜层3上较好的铺展，这样原来不能较好附着的第二膜层通过辅助膜层3变得都能很好的附着在第一膜层1上，从而极大地改善了极性不匹配膜层间的成膜质量，为成膜材料的选择提供了更多的可能。
39.在一种实施方式中，所述辅助膜层为tio2层，在所述第一膜层上沉积具有双亲表面的tio2层的步骤具体包括：
40.在所述第一膜层上沉积tio2层，在紫外光下照射所述tio2层，使所述tio2层的表面变为双亲表面，得到具有双亲表面的tio2层。
41.tio2层的表面为亲水表面，其与水的本征接触角为81
°
。在经过紫外光照射后，可使水和油在tio2的表面接触角变为0
°
，可以完全铺展，tio2层的表面呈超双亲性。在光照停止后，又可逐渐恢复相对疏水的81
°
，这就是tio2的光致超双亲性。
42.在经过紫外光照射tio2层一段时间后，tio2层的表面变为双亲表面，这样无论是亲水性的第二膜层材料溶液，还是亲油性的第二膜层材料溶液，都能在tio2层表面形成形貌良好的第二膜层。本实施例利用tio2的光致超双亲性，在两层难以附着的膜层间制备一层极薄的tio2层，使得原来不能较好附着的第二膜层通过tio2层变得都能很好的附着在第一膜层上，从而极大地改善了极性不匹配膜层间的成膜质量，为成膜材料的选择提供了更多的可能。
43.在一种实施方式中，所述在紫外光下照射所述tio2层的时间为10～60min。
44.在一种实施方式中，所述tio2层的厚度为2～10nm。在难以成膜的膜层间制备一层极薄的tio2层，即可解决后者成膜困难的问题。
45.本发明实施例提供一种量子点发光二极管膜层间成膜的方法，其中，包括步骤：
46.提供第一膜层；
47.在所述第一膜层上沉积具有双亲表面的辅助膜层；
48.在所述辅助膜层的双亲表面上沉积所需的第二膜层；
49.其中，所述第一膜层的表面极性与所述第二膜层的表面极性不同。
50.需说明的是，本实施例的量子点发光二极管具有多种形式，且具有两种结构：正置结构和倒置结构。在一种实施方式中，量子点发光二极管包括阳极、量子点发光层和阴极。在一种实施方式中，量子点发光二极管还包括设置于所述阳极和量子点发光层之间的空穴注入层和空穴传输层中的至少一种，设置于所述阴极和量子点发光层之间的电子注入层和电子传输层中的至少一种。当然量子点发光二极管不限于包括上述膜层，还可以包括空穴阻挡层、电子阻挡层等中的至少一种。
51.本实施例中，第一膜层可以为上述膜层中的任何一种。在一种实施方式中，所述第一膜层为电极层，所述第二膜层为载流子注入层或载流子传输层；或者，所述第一膜层为载流子注入层，所述第二膜层为载流子传输层。例如，第一膜层可以为阳极，第二膜层可以为靠近所述阳极设置的空穴注入层或空穴传输层；或者，第一膜层可以为空穴注入层，第二膜层可以为靠近所述空穴注入层设置的空穴传输层。
52.由于第二膜层与第一膜层的表面极性不同，第二膜层材料溶液在第一膜层的表面接触角较大，浸润性差，因此难以在第一膜层上形成均匀、致密的第二膜层。本实施例通过在难以附着的两膜层间制备一层具有双亲表面(即亲水亲油表面)的辅助膜层，使得无论是亲水性的第二膜层材料溶液，还是亲油性的第二膜层材料溶液，都能在辅助膜层上较好的成膜(即不同极性的溶剂都能较好的铺展于辅助膜层的表面)，这样原来不能较好附着的第二膜层通过辅助膜层变得都能很好的附着在第一膜层上，从而极大地改善了极性不匹配膜层间的成膜质量，提高了量子点发光二极管的性能，为量子点发光二极管材料的选择提供了更多的可能。
53.在一种实施方式中，所述辅助膜层为tio2层，在所述第一膜层上沉积具有双亲表
面的tio2层的步骤具体包括：
54.在所述第一膜层上沉积tio2层，在紫外光下照射所述tio2层，使所述tio2层的表面为双亲表面，得到具有双亲表面的tio2层。
55.tio2层的表面为亲水表面，其与水的本征接触角为81
°
。在经过紫外光照射后，可使水和油在tio2的表面接触角变为0
°
，可以完全铺展，tio2层的表面呈超双亲性。在光照停止后，又可逐渐恢复相对疏水的81
°
，这就是tio2的光致超双亲性。
56.在经过紫外光照射tio2层一段时间后，tio2层的表面变为双亲表面，这样无论是亲水性的第二膜层材料溶液，还是亲油性的第二膜层材料溶液，都能在tio2层表面形成形貌良好的第二膜层。本实施例利用tio2的光致超双亲性，在两层难以附着的膜层间制备一层极薄的tio2层，使得原来不能较好附着的第二膜层通过tio2层变得都能很好的附着在第一膜层上，从而极大地改善了极性不匹配膜层间的成膜质量，提高了量子点发光二极管的性能，为量子点发光二极管材料的选择提供了更多的可能。
57.在一种实施方式中，所述在紫外光下照射所述tio2层的时间为10～60min。
58.在一种实施方式中，所述tio2层的厚度为2～10nm。在难以成膜的膜层间制备一层极薄的tio2层，即可解决后者成膜困难的问题。
59.在一种实施方式中，在所述tio2层的双亲表面上通过溶液法沉积所需的第二膜层。本实施例利用tio2的光致超双亲性，在两层难以附着的膜层间制备一层极薄的tio2层，使得原来不能较好附着的第二膜层通过tio2层变得都能顺利的沉积在第一膜层上，从而极大地改善了极性不匹配膜层间的成膜质量。
60.下面通过具体的实施例对本发明做具体说明。
61.实施例1
62.ito/pmma
63.在ito层表面旋涂一层5nm的tio2层，150℃下退火15min，然后在紫外光下照射30min，在黄光环境下旋涂pmma溶液(dmso为溶剂)，退火得到pmma层。
64.实施例2
65.ag/pmma
66.在ag电极表面蒸镀一层2nm的tio2层，然后在紫外光下照射30min，在黄光环境下旋涂pmma溶液(dmso为溶剂)，退火得到pmma层。
67.实施例3
68.tfb/pmma
69.在tfb层上面旋涂一层5nm的tio2层，150℃下退火15min，然后在紫外光下照射30min，在黄光环境下旋涂pmma溶液(dmso为溶剂)，退火得到pmma层。
70.综上所述，本发明提供的一种膜层间与量子点发光二极管膜层间成膜的方法，本发明利用tio2的光致超双亲性，在两层难以附着的膜层间制备一层极薄的tio2层，使得原来不能较好附着的第二膜层通过tio2层变得都能很好的附着在第一膜层上，从而极大地改善了极性不匹配膜层间的成膜质量，提高了量子点发光二极管的性能，为量子点发光二极管材料的选择提供了更多的可能。
71.应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保
护范围。