光收发器中使用高导热界面材料的从激光器管芯的热提取路径的制作方法

1.本公开内容的实施例属于半导体封装领域，具体而言，属于用于使用高导热界面材料的从诸如激光器管芯的集成电路(ic)管芯的热提取路径的方法和系统。


背景技术：

2.当今的消费电子市场经常要求需要非常复杂的电路的复杂功能。按比例缩放至越来越小的基本构件块(例如晶体管)已使得能够在单个管芯上并入更复杂的电路，其中每一代都是渐进的。半导体封装用于保护集成电路(ic)芯片或管芯，并为管芯提供到外部电路的电接口。随着对更小电子设备的需求增加，半导体封装被设计为更加紧凑且必须支持更大的电路密度，这在一些情况下可产生热传导问题。
3.例如，半导体封装包含至少一个在陶瓷载体上的管芯，该陶瓷载体被安装到印刷电路板(pcb)。引线接合将管芯耦合到pcb，并且壳体覆盖管芯。为了提供从管芯的有效传导路径，热凝胶或热垫(pad)被放置在管芯上以将热量吸出。然而，由于热垫的相对厚的接合线(～500至700μm)，这种解决方案不是非常有效。热垫压缩也会在管芯上施加应力，这会使性能劣化。pcb、管芯、热垫和壳体的不同热膨胀系数(cte)会在封装中产生由封装内的cte失配引起的应力。
附图说明
4.图1示出了示例半导体封装和其中的热传导路径的截面图。
5.图2示出了光收发器半导体封装和其中的热提取路径的截面图。
6.图3a和3b分别示出了对来自图1的激光器驱动器管芯和激光器管芯的背面温度以及来自图2的激光器驱动器管芯和激光器管芯的背面温度进行比较的热仿真。
7.图4示出了用于制造半导体封装的过程。
8.图5示出了根据本公开内容实施例的电子系统的框图。
9.图6是根据本文公开的一个或多个实施例的集成电路(ic)设备组件的截面侧视图，该集成电路设备组件可以包括使用高导热界面材料的从管芯的一个或多个热提取路径。
10.图7示出了根据本公开内容的一种实施方式的计算设备。
具体实施方式
11.描述了用于使用高导热界面材料从诸如激光器管芯的集成电路(ic)管芯提取热量的方法和系统。在以下描述中，阐述了许多具体细节，诸如具体材料和加工方式，以便提供对本公开内容的实施例的透彻理解。对于本领域技术人员来说显而易见的是，可以在没有这些具体细节的情况下实践本公开内容的实施例。在其他实例中，没有详细描述诸如单镶嵌或双镶嵌处理的众所周知的特征，以免不必要地使本公开内容的实施例难以理解。此
外，应当理解，图中所示的各种实施例是说明性表示，并不一定按比例绘制。在一些情况下，以最有助于理解本公开内容的方式依次将各种操作描述为多个分立的操作，然而，描述的顺序不应被解释为暗示这些操作必须是顺序相关的。特别地，这些操作不需要以所呈现的顺序来执行。
12.也可以在以下描述中使用某些术语，仅用于参考的目的，并因此不旨在作为限制。例如，诸如“上”、“下”、“上方”、“下方”、“底部”和“顶部”的术语指的是所参考的附图中的方向。诸如“前”、“后”、“后部”和“侧面”的术语描述了部件的部分在一致但任意的参照系内的取向和/或位置，这通过参照描述所讨论的部件的文本和相关联的附图而是清楚的。这样的术语可以包括上面具体提到的词语、其派生词和类似含义的词语。
13.本文描述的一个或多个实施例涉及用于在半导体封装中使用高导热界面材料从集成电路(ic)管芯(例如激光器管芯)提取热量的方法和结构。
14.根据本文所述的一个或多个实施例，公开了用于在半导体封装中使用高导热界面材料从ic管芯(例如激光器管芯)提取热量的方法和结构。该半导体封装包括衬底、衬底之上的陶瓷区域以及陶瓷载体之上的ic管芯。离开ic管芯的热提取路径包括：i)在ic管芯之上的热界面材料，热界面材料具有约25至80μm的厚度；ii)在热界面材料之上的集成散热器；iii)在集成散热器之上的陶瓷载板；以及iv)在陶瓷载板和半导体封装的壳体之间的导电热垫。在实施例中，ic管芯可以包括激光器或光子管芯，并且半导体封装可以包括光收发器。
15.根据所公开的实施例，半导体封装提供了从ic/激光器管芯的有效提取或传导路径，以使ic/激光器管芯的温度以及封装的壳体与其中的部件之间的温度差量(delta)减到最小。此外，不需要为了散热的目的在ic/激光器管芯的顶部上的直接接触。
16.为了提供上下文，图1示出了示例半导体封装和其中的热传导路径的截面图。半导体封装(诸如光收发器封装100)包含与激光器管芯104相邻的激光器驱动器管芯102。激光器管芯104具有一个或多个集成光子发射器，诸如激光器，并且激光器驱动器管芯102包括集成电路，该集成电路包括用于调制由激光器发射的光束的驱动器电路。激光器驱动器管芯102和激光器管芯104被安装到陶瓷载体106，该陶瓷载体又被安装或接合到衬底108。引线接合110将激光器驱动器管芯102和激光器管芯104耦合到衬底108。集成无源设备(ipd)112和热同步管芯(hsd)114被示出在激光器管芯104之上。壳体118覆盖各种部件且完成半导体封装。需要离开激光器驱动器管芯102和激光器管芯104的热传导路径，而无需为了散热目的直接接触激光器驱动器管芯102和激光器管芯104的顶部。
17.为了提供离开激光器管芯104的传导路径，一个或多个热间隙垫116被放置在ipd 112和hsd 114上以将热量吸出。热间隙垫是热路径中的主要瓶颈之一。具有高热导率的热间隙垫也是导电的。然而，如果半导体封装的要求是将壳体接地与衬底接地电隔离，则排除了使用具有高导热率的热间隙垫。相反，放置在激光器管芯104之上的热间隙垫116是不导电的，并因此在高度上大约500-700μm而相对较厚。
18.由于热垫的相对厚的接合线，将热间隙垫116放置在激光器管芯104上以将热吸出的解决方案不是非常有效。热间隙垫压缩也会在激光器管芯104上施加应力，这会使激光器的性能劣化。衬底108、激光器驱动器管芯102、激光器管芯104、热间隙垫116和壳体118的不同热膨胀系数(cte)可在半导体封装中产生由封装内的cte失配引起的应力。此外，将热间
隙垫116放置在激光器管芯104上导致激光器管芯104的背面(顶部)的温度高于摄氏95
°
，这违反了热规范并且还与壳体118产生超过摄氏10
°
的温差。
19.因此，越来越需要提供一种从半导体封装中的ic管芯的有效热传导或提取路径，以在壳体和其中的管芯之间保持低的温度差量。将根据包括激光器管芯和伴随的激光器驱动器管芯的光收发器半导体封装来描述所公开的实施例，但是应当理解，所公开的实施例适用于包含至少一个集成电路(ic)管芯的半导体封装。
20.图2示出了光收发器半导体封装和其中的热提取路径的截面图。在光收发器中，高功率消耗来自激光器驱动器管芯202和激光器管芯204，它们两者都是传输光学子组件(tosa)的部分。tosa需要有效的热传递，以保持收发器壳体219和部件之间的低的温度差量。不能为了散热目的而直接接触激光器驱动器管芯202的顶表面，并且激光器管芯204上的激光器区域不能暴露于高压。在高温操作条件下的任何热膨胀都可能使发光路径移位并妨害光耦合效率。
21.类似于图1所示的封装，光收发器半导体封装200包括印刷电路板组件(pcba)208和安装到pcba 208的陶瓷载体206。在一个实施例中，硅中介层可以代替陶瓷载体206以降低成本。至少ic芯片(诸如激光芯片204)安装在陶瓷载体206上。在一个实施例中，激光器驱动器管芯202和/或激光器管芯204可以使用任何合适的环氧树脂附接到陶瓷载体206。在所示的实施例中，激光器驱动器管芯202也安装到与激光器管芯204相邻的陶瓷载体206。引线接合220将激光驱动器芯片202和激光器芯片204耦合到pcba 208。光收发器半导体封装200的壳体219覆盖各种部件。
22.根据所公开的实施例，光收发器半导体封装200还包括离开激光器管芯204和激光器驱动器管芯202的热提取路径。热提取路径包括以下：i)集成无源设备(ipd)212或热沉管芯(hsd)214中的至少一个，ii)热界面材料(tim)216，iii)铜集成散热器(ihs)218，iv)陶瓷载板222，iv)以及导电热间隙垫224。
23.详细而言，集成无源设备(ipd)212和热沉管芯(hsd)214在激光器管芯204的顶表面上，并且可以例如经由铜柱226安装。在实施例中，ipd 212在激光器管芯204的第一部分上，并且hsd 214在激光器管芯204的第二部分上。如本文所使用的，ipd或“集成无源部件(ipc)或嵌入式无源部件”是集成在同一封装中或同一衬底上的电子部件，例如电阻器(r)、电容器(c)、电感器(l)/线圈/扼流圈、微带线、阻抗匹配元件、平衡-不平衡转换器、或其任何组合。hsd 214可以包括热沉，其是传递由激光器管芯204产生的热量的被动式(passive)热交换器。
24.热界面材料(tim)216在ipd 212和hsd 214两者之上。在一个实施例中，tim 216的在ipd 212之上的第一部分和tim 216的在hsd 214之上的第二部分之间可以存在间隙。与图1相比，tim 216相对较薄，厚度约为25至80μm。如本文所用，热界面材料是一种在配合表面之间比空气更好地改善导热的产品。热界面材料可以包括凝胶状物质或固体状垫。
25.铜ihs 218在热界面材料216之上。尽管可以使用铜来形成ihs，但是ihs可以包括便于从激光器管芯204和激光器驱动器管芯202中吸取热量的任何适当材料。在一个实施例中，铜ihs 218可以基本上在激光器驱动器管芯202和激光器管芯204两者之上延伸。铜ihs 218可以包括连接到pcba接地的至少一个部分218a。在一个实施例中，铜ihs 218的厚度可以是大约1.6毫米。
26.陶瓷载板222在铜ihs 218之上。在一个实施例中，陶瓷载板222包括氮化铝(aln)。陶瓷载板222经由接合层228接合到铜ihs 218。在一个实施例中，陶瓷载板222的厚度可以是大约0.38mm。
27.导电热间隙垫224在陶瓷载板222和光收发器半导体封装200的壳体219之间。在一个实施例中，导电热间隙垫224的厚度可以是大约0.6毫米。
28.使用陶瓷载板222和铜ihs 218作为工作台(bench)来保持激光器管芯204和激光器驱动器管芯202。该工作台用作从激光器驱动器管芯202到激光器管芯204的散热器。来自激光器管芯204上的激光器的热量于是经由铜柱226、ipd 212和hsd 214以及热界面材料216扩散到铜ihs 218。为了电隔离，并且还具有到壳体219的有效热路径，陶瓷载板222可以焊接或铜焊到铜ihs 218，并且在陶瓷载板222和光收发器半导体封装200的壳体219之间使用高导电热间隙垫224。陶瓷载板222用作壳体219与pcba 208之间的绝缘层。由于陶瓷与激光器管芯204的硅cte(热膨胀系数)匹配，所以来自附加陶瓷载板222的应力应当最小。
29.图3a和3b分别示出了对来自图1的激光器驱动器管芯102和激光器管芯104的背面温度以及来自图2的激光器驱动器管芯202和激光器管芯204的背面温度进行比较的热仿真。图3a示出了在图1的实施例中，激光器管芯104的顶部加热到93℃，并且激光器驱动器管芯102的顶部加热到115℃，导致70℃的壳体温度。因此，激光器管芯104和壳体温度之间的差量远大于10℃，违反了热标准。
30.图3b示出了激光器管芯204的背面仅加热到大约77℃并且激光器驱动器管芯202的顶部加热到大约89℃，提供了足够的热余量。因此，图2的热传导路径将激光器管芯204的顶部上的操作温度维持在与壳体219的操作温度的6-7℃温度差量内。
31.图4示出了用于制造半导体封装的过程。过程可以开始于将陶瓷载体或硅中介层中的一个安装到衬底(框400)。将集成电路(ic)管芯安装到陶瓷载体或硅中介层(框402)。通过以下步骤来组装离开ic管芯的热提取路径：包括在ic管芯之上形成热界面材料，热界面材料形成为具有大约25至80μm的厚度(框404)。在热界面材料之上形成集成散热器(框406)。将陶瓷载板接合在集成散热器上(框408)。在陶瓷载板和半导体封装的壳体之间形成导电热垫(框410)。
32.图5示出了根据本公开内容实施例的电子系统500的框图。电子系统500可以对应于例如便携式系统、计算机系统、过程控制系统、或利用处理器和相关联的存储器的任何其他系统。电子系统500可以包括微处理器502(具有处理器504和控制单元506)、存储器设备508、和输入/输出设备510(应当理解，在各种实施例中电子系统500可以具有多个处理器、控制单元、存储器设备单元和/或输入/输出设备)。在一个实施例中，电子系统500具有指令集，该指令集定义了将由处理器504对数据执行的操作，以及处理器504、存储器设备508和输入/输出设备510之间的其他事务。控制单元506通过循环通过一组操作来协调处理器504、存储器设备508和输入/输出设备510的操作，所述一组操作致使从存储器设备508检索指令并执行该指令。存储器设备508可包括如本说明书中所描述的非易失性存储器单元。在实施例中，如图5所示，存储器设备508被嵌入在微处理器502中。在实施例中，处理器504或电子系统500的另一部件包括诸如本文所述的那些的使用高导热界面材料从管芯的一个或多个热提取路径。
33.图6是根据本文公开的一个或多个实施例的集成电路(ic)设备组件的截面侧视
图，该集成电路设备组件可以包括使用高导热界面材料的从管芯的一个或多个热提取路径。
34.参考图6，ic设备组件600包括具有本文所述的一个或多个集成电路结构的部件。ic设备组件600包括设置在电路板602(其可以是例如主板)上的多个部件。ic设备组件600包括设置在电路板602的第一面640和电路板602的相对的第二面642上的部件。通常，部件可以设置在面640和面642中的一个或两个面上。特别地，ic设备组件600的部件中的任何合适的部件可以包括诸如本文所公开的使用高导热界面材料的从管芯的多个热提取路径。
35.在一些实施例中，电路板602可以是包括多个金属层的印刷电路板(pcb)，所述多个金属层通过介电材料层彼此分离并且通过导电过孔互连。金属层中的任何一个或多个金属层可以以期望的电路图案形成，以在耦合到电路板602的部件之间传送电信号(可选地与其他金属层结合)。在其他实施例中，电路板602可以是非pcb衬底。
36.图6中所示的ic设备组件600包括通过耦合部件616耦合到电路板602的第一面640的中介层上封装结构636。耦合部件616可以将中介层上封装结构636电和机械地耦合到电路板602，并且可以包括焊球(如图6所示)、插座的凸出和凹入部分、粘合剂、底部填充材料、和/或任何其他适当的电和/或机械耦合结构。
37.中介层上封装结构636可以包括通过耦合部件618耦合到中介层604的ic封装620。耦合部件618可以采用针对应用的任何合适的形式，诸如上面参考耦合部件681讨论的形式。尽管图6中示出了单个ic封装620，但是多个ic封装可以耦合到中介层604。应当理解，附加的中介层可以耦合到中介层604。中介层604可以提供用于桥接电路板602和ic封装620的中间衬底。ic封装620可以是或包括例如管芯(例如管芯104或204)或任何其他合适的部件。通常，中介层604可以将连接扩展到较宽的间距或者将连接重新布线到不同的连接。例如，中介层604可以将ic封装620(例如，管芯)耦合到耦合部件816的球栅阵列(bga)，以便耦合到电路板602。在图6所示的实施例中，ic封装620和电路板602附接到中介层604的相对侧。在其他实施例中，ic封装620和电路板602可以附接到中介层604的同一侧。在一些实施例中，三个或更多个部件可以通过中介层604互连。
38.中介层604可以由环氧树脂、玻璃纤维增强环氧树脂、陶瓷材料或诸如聚酰亚胺的聚合物材料形成。在一些实施方式中，中介层604可由交替的刚性或柔性材料形成，该交替的刚性或柔性材料可包括与上述用于半导体衬底中的材料相同的材料，诸如硅、锗、以及其他iii-v族和iv族材料。中介层604可包括金属互连810和过孔608，包括但不限于穿硅过孔(tsv)606。中介层604还可以包括嵌入式设备，包括无源设备和有源设备两者。这样的设备可以包括但不限于电容器、去耦电容器、电阻器、电感器、保险丝、二极管、变压器、传感器、静电放电(esd)设备和存储器设备。也可以在中介层604上形成更复杂的设备，诸如射频(rf)设备、功率放大器、功率管理设备、天线、阵列、传感器和微机电系统(mems)设备。中介层上封装结构636可以采用本领域已知的任何中介层上封装结构的形式。
39.ic设备组件600可以包括通过耦合部件622耦合到电路板602的第一面640的ic封装624。耦合部件622可以采用以上参考耦合部件622讨论的任何实施例的形式，并且ic封装624可以采用以上参考ic封装620讨论的任何实施例的形式。
40.图6中所示的ic设备组件600包括通过耦合部件628耦合到电路板602的第二面642的堆叠式封装(package-on-package)结构634。堆叠式封装结构634可以包括通过耦合部件
630耦合在一起的ic封装626和ic封装632，使得ic封装626被设置在电路板602和ic封装632之间。耦合部件628和630可以采取上述耦合部件816的任何实施例的形式，并且ic封装626和632可以采取上述ic封装620的任何实施例的形式。堆叠式封装结构634可以根据本领域已知的任何堆叠式封装结构来配置。
41.图7示出了根据本公开内容的一种实施方式的计算设备700。计算设备700容纳板702。板702可以包括多个部件，包括但不限于处理器704和至少一个通信芯片706。处理器704物理和电地耦合到板702。在一些实施方式中，至少一个通信芯片706也物理和电地耦合到板702。在另外的实施方式中，通信芯片706是处理器704的一部分。
42.取决于其应用，计算设备700可以包括其他部件，其可以或可以不物理且电地耦合到板702。这些其他部件包括但不限于，易失性存储器(例如，dram)、非易失性存储器(例如rom)、闪存、图形处理器、数字信号处理器、加密处理器、芯片组、天线、显示器、触摸屏显示器、触摸屏控制器、电池、音频编码解码器、视频编码解码器、功率放大器、全球定位系统(gps)设备、指南针、加速度计、陀螺仪、扬声器、相机和大容量储存设备(例如，硬盘驱动器、光盘(cd)、数字多用途盘(dvd)等等)。
43.通信芯片706实现用于向和从计算设备700传输数据的无线通信。术语“无线”和其派生词可用于描述可通过使用调制电磁辐射经由非固态介质来通信数据的电路、设备、系统、方法、技术、通信信道等。该术语并不意味着相关联的设备不包含任何导线，尽管在一些实施例中它们可以不包含。通信芯片706可以实现多种无线标准或协议中的任何一种，包括但不限于wi-fi(ieee 802.11系列)、wimax(ieee802.16系列)、ieee 802.20、长期演进(lte)、ev-do、hspa 、hsdpa 、hsupa 、edge、gsm、gprs、cdma、tdma、dect、蓝牙、其派生物、以及被指定为3g、4g、5g及之后的任何其他无线协议。计算设备700可以包括多个通信芯片706。例如，第一通信芯片706可以专用于诸如wi-fi和蓝牙的较短距离无线通信，并且第二通信芯片706可以专用于诸如gps、edge、gprs、cdma、wimax、lte、ev-do等的较长距离无线通信。
44.计算设备700的处理器704包括封装在处理器704内的集成电路管芯。在本公开内容的一些实施方式中，处理器的集成电路管芯包括根据本公开内容的实施例的实施方式的使用高导热界面材料的从管芯的一个或多个热提取路径。术语“处理器”可以指处理来自寄存器和/或存储器的电子数据以将该电子数据转换为可以存储在寄存器和/或存储器中的其他电子数据的任何设备或设备的一部分。
45.通信芯片706也包括封装在通信芯片706内的集成电路管芯。根据本公开内容的实施例的另一实施方式，通信芯片的集成电路管芯包括根据本公开内容的实施例的实施方式的使用高导热界面材料的从管芯的一个或多个热提取路径。
46.在另外的实施方式中，容纳在计算设备700内的另一部件可以包含集成电路管芯，该集成电路管芯包括根据本公开内容的实施例的实施方式的使用高导热界面材料的从管芯的一个或多个热提取路径。
47.在各种实施方式中，计算设备700可以是膝上型电脑、上网本电脑、笔记本电脑、超级本电脑、智能电话、平板电脑、个人数字助理(pda)、超移动pc、移动电话、台式计算机、服务器、打印机、扫描器、监视器、机顶盒、娱乐控制单元、数码相机、便携式音乐播放器、或数码摄像机。在进一步的实施方式中，计算设备700可以是处理数据的任何其他电子设备。
48.因此，本文描述的实施例包括使用高导热界面材料的从管芯的热提取路径。
49.以上对本公开内容的实施例的所示实施方式的描述(包括摘要中所描述的)不是旨在是详尽无遗的或将本公开内容限制为所公开的精确形式。虽然为了说明的目的，本文描述了本公开内容的具体实施方式和示例，但是如相关领域的技术人员将认识到的，在本公开内容的范围内各种等同修改是可能的。
50.根据以上详细描述，可以对本公开内容进行这些修改。在所附权利要求中使用的术语不应被解释为将本公开内容限制于在说明书和权利要求中公开的特定实施方式。相反，本公开内容的范围完全由所附权利要求确定，所附权利要求将根据权利要求解释的既定原则来释义。
51.示例实施例1：一种半导体封装包括衬底和安装到衬底的陶瓷载体。集成电路(ic)管芯安装到陶瓷载体。离开ic管芯的热提取路径包括：i)在ic管芯之上的热界面材料，热界面材料具有约25至80μm的厚度；ii)在热界面材料之上的集成散热器；iii)在集成散热器之上的陶瓷载板；以及iv)在陶瓷载板和半导体封装的壳体之间的导电热垫。
52.示例实施例2：实施例1的半导体封装，其中，热提取路径还包括集成无源设备(ipd)或热沉管芯(hsd)中的至少一个。
53.示例实施例3：实施例2的半导体封装，其中，ipd或hsd中的至少一个经由铜柱安装到ic管芯的顶表面。
54.示例实施例4：实施例3的半导体封装，其中，ipd在ic管芯的第一部分上，并且hsd在ic管芯的第二部分之上。
55.示例实施例5：实施例2、3或4的半导体封装，其中，热界面材料在ipd或hsd中的至少一个之上。
56.示例实施例6：实施例2、3、4或5的半导体封装，其中，热界面材料(tim)在ipd或hsd两者之上，并且tim的在ipd之上的第一部分和tim的在hsd之上的第二部分之间存在间隙。
57.示例实施例7：实施例1、2、3、4、5或6的半导体封装，其中，集成散热器包括铜。
58.示例实施例8：实施例1、2、3、4、5、6或7的半导体封装，其中，集成散热器的厚度约为1.6毫米。
59.示例实施例9：实施例1、2、3、4、5、6、7或8的半导体封装，其中，陶瓷载板包括氮化铝(aln)。
60.示例实施例10：实施例1、2、3、4、5、6、7、8或9的半导体封装，其中，陶瓷载板的厚度约为0.38mm。
61.示例实施例11：实施例1、2、3、4、5、6、7、8、9或10的半导体封装，其中，导电热间隙垫的厚度约为0.6毫米。
62.示例实施例12：实施例1、2、3、4、5、6、7、8、9、10或11的半导体封装，其中，热提取路径将ic管芯的顶部上的操作温度与壳体的操作温度维持在6-7℃的温度差量内。
63.示例实施例13：一种光收发器封装包括印刷电路板组件(pcba)和安装到pcba的陶瓷载体或硅中介层。激光器管芯安装到陶瓷载体或硅中介层。离开激光器管芯的热提取路径包括：集成无源设备(ipd)，在激光器管芯的第一部分上，热沉管芯(hsd)，在激光器管芯的第二部分之上，热界面材料，在ipd和hsd两者之上，铜集成散热器，在热界面材料之上；陶瓷载板，在铜集成散热器之上，以及导电热间隙垫，在陶瓷载板与光学半导体封装的壳体之
间。
64.示例实施例14：实施例13的光收发器封装，其中，热界面材料的厚度约为25μm至80μm。
65.示例实施例15：实施例13或14的光收发器封装，其中，热界面材料(tim)在ipd或hsd两者之上，并且tim的在ipd之上的第一部分与tim的在hsd之上的第二部分之间存在间隙。
66.示例实施例16：实施例13、14或15的光收发器封装，还包括激光器驱动器管芯，该激光器驱动器管芯与pcba上的激光器管芯相邻安装。
67.示例实施例17：实施例13、14、15或16的光收发器封装，其中，铜集成散热器(ihs)在激光器驱动器管芯和激光器管芯两者之上延伸。
68.示例实施例18：实施例13、14、15、16或17的光收发器封装，其中，铜ihs包括连接到pcba接地的至少一个部分。
69.示例实施例19：实施例13、14、15、16、17或18的光收发器封装，其中，铜ihs的厚度约为1.6毫米。
70.示例实施例20：实施例13、14、15、16、17、18或19的光收发器封装，其中，陶瓷载板包括氮化铝(aln)。
71.示例实施例21：实施例13、14、15、16、17、18、19或20的光收发器封装，其中，陶瓷载板的厚度约为0.38mm。
72.示例实施例22：实施例13、14、15、16、17、18、19、20或21的光收发器封装，其中，导电热间隙垫的厚度约为0.6毫米。
73.示例实施例23：实施例13、14、15、16、17、18、19、20、21或22的光收发器封装，其中，热提取路径将激光器管芯的顶部上的操作温度与壳体的操作温度维持在6-7℃的温度差量内。
74.示例实施例24：一种制造半导体封装的方法，该方法包括将陶瓷载体或硅中介层中的一个安装到衬底，以及将集成电路(ic)管芯安装到陶瓷载体或硅中介层。通过以下步骤来组装离开ic管芯的热提取路径：在ic管芯之上形成热界面材料，该热界面材料形成为具有约25至80μm的厚度；在热界面材料之上形成集成散热器；将陶瓷载板接合到集成散热器上；以及在陶瓷载板与半导体封装的壳体之间形成导电热垫。
75.示例实施例25：实施例24的方法，还包括将集成无源设备或热沉管芯中的至少一个安装在ic管芯的顶表面与热界面材料之间。