功率放大器件和半导体裸片的制作方法

技术特征：
1.一种功率放大器件(100)，包括：半导体裸片(102)，其具有第一输入端子(i1)和第一输出端子(o1)；功率晶体管(q1)，其集成在所述半导体裸片上并且包括分别布置在所述功率晶体管的输入侧和输出侧的第二输入端子(i2)和第二输出端子(o2)，所述功率晶体管具有输出电容(cds)；分流网络，其包括多个第一键合线(109)，所述多个第一键合线布置为与第一电容器(c2)串联，所述第一电容器布置在所述功率晶体管的所述输入侧附近，并且其中，在所述分流网络的一端，所述多个第一键合线的一端耦接至所述第二输出端子，其中，所述分流网络的另一端至少在使用时电接地，其中，与所述多个第一键合线有关的电感以及与所述第一电容器有关的电容如此设置以至于在所述功率放大器件的工作频率处或附近，所述分流网络与所述输出电容谐振；其特征在于，所述功率放大器件还包括：耦合线对(110)，其形成在所述半导体裸片上，其中，所述耦合线对的第一线串联连接在所述第一输入端子和所述第二输入端子之间，并且其中，所述耦合线对的第二线包含在所述分流网络中，并且与所述多个第一键合线和所述第一电容器串联。2.根据权利要求1所述的功率放大器件，其中，所述分流网络布置在所述半导体裸片上。3.根据权利要求1或2所述的功率放大器件，其中，所述半导体裸片包括金属层堆叠，所述金属层堆叠包括多个金属层(l0-l4)；其中，所述耦合线对形成在所述金属层堆叠中的不同金属层上，所述耦合线对具有至少部分横向交叠；或者其中，所述耦合线对通过横向毗邻线形成、优选形成在所述金属层堆叠的相同金属层上。4.根据权利要求1至3中任一项所述的功率放大器件，其中，所述第一电容器包括第一端子和第二端子，其中，所述耦合线对的所述第一线包括连接至所述第一输入端子处的第一端以及连接至所述第二输入端子处的第二端；其中，所述耦合线对的所述第二线包括连接至所述多个第一键合线的另一端处的第三端以及连接至所述第一电容器的所述第一端子(122)处的第四端，所述第一电容器的所述第二端子至少在使用时电接地，或者其中，所述耦合线对的所述第二线包括连接至所述第一电容器的所述第二端子处的第三端以及至少在使用时电接地的第四端，所述第一电容器的所述第一端子连接至所述多个第一键合线的所述另一端。5.根据权利要求4所述的功率放大器件，其中，所述第一端布置为相比第四端更接近第三端，并且其中，所述第二端布置为相比第三端更接近第四端。6.根据权利要求1至5中任一项所述的功率放大器件，其中，所述耦合线对的所述第一线和所述第二线由各自的直线段形成。7.根据权利要求1至6中任一项所述的功率放大器件，其中，所述耦合线对和所述第一电容器是以分布方式实现的。8.根据权利要求7所述的功率放大器件，其中，所述半导体裸片包括优选相同的多个第一单元格(120a-120d)，每个第一单元格包括：
第一电容器段；第一线段(123)，其在第一线段输入端(123_i)和第一线段输出端(123_o)之间延伸；接合焊盘(121)，其通过一个或多个第一键合线(109)耦接至所述第二输出端子(o2)；以及第二线段，其一部分(124)与所述第一线段(123)的一部分形成各自的耦合线段对；其中，每个第一单元格还包括：将所述接合焊盘(121)连接至所述第二线段(124)的一端处的第一连接段(125)，以及将所述第二线段(124)的另一端连接至所述第一电容器段处的第二连接段(126)；或者将所述第二线段的一端连接至所述第一电容器段处的第一连接段，以及至少在使用时将所述第二线段的另一端接地的第二连接段，其中，所述第一电容器段布置为在所述第二线段和所述接合焊盘之间串联；其中，所述第一电容器是由多个所述第一电容器段形成的；以及其中，所述耦合线对是由多个所述耦合线段对形成的。9.根据权利要求8所述的功率放大器件，其中，所述半导体裸片还包括第一连接条(123)，多个所述第一线段输出端连接至所述第一连接条，所述第一连接条连接至或至少部分形成所述第一输入端子。10.根据权利要求8或9所述的功率放大器件，其中，所述半导体裸片还包括第二连接条(132)，多个所述第一线段输出端连接至所述第二连接条，所述第二连接条连接至或至少部分形成所述第二输入端子。11.根据权利要求10所述的功率放大器件，其中，多个所述第一电容器段布置在所述接合焊盘和所述第二连接条之间的空间内。12.根据权利要求11所述的功率放大器件，其中，每个第一线段未与各自的第二线段耦接的部分被遮蔽。13.根据权利要求8至12中任一项所述的功率放大器件，其中，所述半导体裸片还包括优选相同的多个第二单元格(120a_m)。14.根据权利要求13所述的功率放大器件，其中，所述第一单元格和所述第二单元格交替布置以至于毗邻的第一单元格和第二单元格的第一线段彼此邻接，或者以至于毗邻的第一单元格和第二单元格的所述接合焊盘和/或第一连接元件和第二连接元件彼此邻接。15.根据权利要求1至14中任一项所述的功率放大器件，其中，所述半导体裸片还包括多个输入指部(140)和多个输出指部(141)，所述多个输入指部均耦接至所述第二输入端子，所述多个输出指部均耦接至所述第二输出端子，其中，所述第二输出端子至少部分形成所述第一输出端子或者通过阻抗匹配级(111)连接至所述第一输出端子。16.根据权利要求1至15中任一项所述的功率放大器件，其中，所述第一输出端子和所述第一输入端子均由键合条(131，133)或多个键合焊盘形成。17.根据权利要求1至16中任一项所述的功率放大器件，还包括功率放大输出端(out)，所述功率放大输出端通过多个第二键合线(108)连接至所述第一输出端子。18.根据权利要求17所述的功率放大器件，还包括功率放大输入端(in)，所述功率放大输入端通过多个第三键合线直接连接至所述第一输入端子，或者通过一个或多个阻抗匹配级连接至所述第一输入端子，其中，所述一个或多个阻抗匹配级的最后的阻抗匹配级通过
多个第三键合线(107)连接至所述第一输入端子。19.根据权利要求1至18中任一项所述的功率放大器件，还包括导电基底(101)、以及与所述导电基底分离的一个或多个输入引线(104)和一个或多个输出引线(105)，其中，所述半导体裸片安装在所述导电基底上，并且其中，至少一个输入引线形成所述功率放大输入端，并且其中，至少一个输出引线形成所述功率放大输出端。20.一种半导体裸片(102)，具有第一输入端子(i1)和第一输出端子(o1)，所述半导体裸片还包括：功率晶体管(q1)，其集成在所述半导体裸片上并且包括分别布置在所述功率晶体管的输入侧和输出侧的第二输入端子(i2)和第二输出端子(o2)，所述功率晶体管具有输出电容(cds)；分流网络，其包括多个第一键合线(109)，所述多个第一键合线与第一电容器(c2)串联布置，所述第一电容器布置在所述功率晶体管的所述输入侧附近，并且其中，在所述分流网络的一端，所述多个第一键合线的一端耦接至所述第二输出端子，其中，所述分流网络的另一端至少在使用时电接地，其中，与所述多个第一键合线有关的电感以及与所述第一电容器有关的电容如此设置以至于在所述功率放大器件的工作频率处或附近，所述分流网络与所述输出电容谐振；其特征在于，所述功率放大器件还包括：耦合线对(110)，其形成在所述半导体裸片上，其中，所述耦合线对的第一线串联连接在所述第一输入端子和所述第二输入端子之间，并且其中，所述耦合线对的第二线包含在所述分流网络中，并且与所述多个第一键合线和所述第一电容器串联。

技术总结
本发明涉及一种功率放大器件和半导体裸片。本发明尤其涉及可工作在射频RF频率上、更尤其在100MHz和40GHz之间的频率范围内的功率放大器件。本发明的功率放大器件包括其上集成有功率晶体管的半导体裸片。半导体裸片包括分流网络，分流网络包括与第一电容器串联布置的多个第一键合线，第一电容器布置在功率晶体管的输入侧附近。分流网络配置为调出功率晶体管的输出电容。根据该晶体管，功率放大器件包括半导体裸片上的耦合线对，其中，耦合线对的第一线与功率晶体管的输入端串联连接，并且其中，耦合线对的第二线包含在分流网络中并且与多个第一键合线和第一电容器串联。多个第一键合线和第一电容器串联。多个第一键合线和第一电容器串联。


技术研发人员：约瑟夫斯
受保护的技术使用者：安普林荷兰有限公司
技术研发日：2021.12.17
技术公布日：2022/6/21