一种fA级输入偏置电流的运算放大器的制作方法

技术特征：
1.一种fa级输入偏置电流的运算放大器，所述运算放大器分别与正电源v
dd
、负电源v
ss
、同相输入端v
in
、反相输入端v
in-和保护输出端grd连接，其特征在于，包括：esd保护电路模块，所述esd保护电路模块包括若干相互连接的二极管，限流电阻r1，限流电阻r2，防闩锁电阻r3；互补源级跟随器电路模块，所述互补源级跟随器电路模块包括相互级联的nmos源级跟随器和pmos源级跟随器；所述互补源级跟随器电路模块分别与正电源v
dd
、负电源v
ss
、限流电阻r1、限流电阻r2连接；v
gs
校准电路模块，所述v
gs
校准电路模块包括v
gs
校准逻辑电路；所述v
gs
校准电路模块与所述互补源级跟随器电路模块连接，用于调整pmos源级跟随器的栅源电压；主运算放大电路模块a1，所述主运算放大电路模块a1分别与限流电阻r1、限流电阻r2连接；所述主运算放大电路模块a1用于进行电流放大。2.根据权利要求1所述的fa级输入偏置电流的运算放大器，其特征在于，所述esd保护电路模块包括相互连接的二极管d1、二极管d2、二极管d3、二极管d4、二极管d5、二极管d6；二极管d1的阳极与保护输出端grd连接，阴极与同相输入端v
in
连接；二极管d2的阳极与同相输入端v
in
连接，阴极与保护输出端grd连接；二极管d3的阳极与反相输入端v
in-连接，阴极与保护输出端grd连接；二极管d4的阳极与保护输出端grd连接，阴极与反相输入端v
in-连接；二极管d5的阳极与保护输出端grd连接，阴极与正电源v
dd
连接；二极管d6的阳极与负电源v
ss
连接，阴极与保护输出端grd连接。3.根据权利要求2所述的fa级输入偏置电流的运算放大器，其特征在于，所述限流电阻r1的一端与同相输入端v
in
连接，另一端与所述主运算放大电路模块a1的同相输入端连接；所述限流电阻r2的一端与反相输入端v
in-连接，另一端与所述主运算放大电路模块a1的反相输入端连接。4.根据权利要求3所述的fa级输入偏置电流的运算放大器，其特征在于，所述防闩锁电阻r3的一端与保护输出端grd连接，另一端与所述互补源级跟随器电路模块的输出端连接。5.根据权利要求4所述的fa级输入偏置电流的运算放大器，其特征在于，所述nmos源级跟随器包括nmos晶体管m1和可变电流源i1；所述pmos源级跟随器包括pmos晶体管m2和电流源i2。6.根据权利要求5所述的fa级输入偏置电流的运算放大器，其特征在于，所述nmos晶体管m1的栅极与所述主运算放大电路模块a1的同相输入端连接；所述nmos晶体管m1的漏极与正电源v
dd
连接；所述nmos晶体管m1的源极通过可变电流源i1与负电源v
ss
连接。7.根据权利要求6所述的fa级输入偏置电流的运算放大器，其特征在于，所述pmos晶体管m2的栅极与nmos晶体管m1的源级连接；所述pmos晶体管m2的漏极与负电源v
ss
连接，所述pmos晶体管m2的漏极还通过限流电阻r2与保护输出端grd连接；所述pmos晶体管m2的源极通过电流源i2与正电源v
dd
连接。8.根据权利要求7所述的fa级输入偏置电流的运算放大器，其特征在于，所述v
gs
校准电路模块的v
gs
校准逻辑电路与所述可变电流源i1连接，用于调整所述可变电流源i1的电流大小，从而使nmos晶体管m1的栅源电源与所述pmos晶体管m2的栅源电压的绝对值相等。9.根据权利要求8所述的fa级输入偏置电流的运算放大器，其特征在于，当v
gs
校准逻辑电路增大所述可变电流源i1的电流时，所述nmos晶体管m1的栅源电压相应增大；当v
gs
校准
逻辑电路减小所述可变电流源i1的电流时，所述nmos晶体管m1的栅源电压相应减小。

技术总结
一种fA级输入偏置电流的运算放大器，包括ESD保护电路模块，互补源级跟随器电路模块，V


技术研发人员：程金星 王庆波 于艾 温伟伟 吴友朋
受保护的技术使用者：中国人民解放军96901部队23分队
技术研发日：2022.04.02
技术公布日：2022/6/21