一种调整芯片晶振频率的方法及装置与流程

1.本发明涉及芯片内部的晶振频率调节领域，具体而言，涉及一种调整芯片晶振频率的方法及装置。


背景技术：

2.相关技术中，很多芯片内部集成了晶振，但晶振频率在温度变低时频率会升高，温度变高时频率会降低，因此，可能导致频率敏感电路工作异常。为了防止晶振频率的漂移，通常的做法是在芯片内部添加频率校准电路，保准温度变化时频率的准确性，但是，该校准电路会增加芯片设计的复杂度以及芯片的die面积，进而引起芯片设计和制造成本的增加。
3.针对相关技术中存在的上述问题，目前尚未提出有效的解决方案。


技术实现要素：

4.本发明的主要目的在于提供一种调整芯片晶振频率的方法及装置，以解决相关技术中防止芯片内部频率的漂移采用的技术手段引起芯片制造成本增加的问题。
5.为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种调整芯片晶振频率的方法。该发明包括：确定目标芯片的异常晶振频率点，并确定异常晶振频率点对应的异常晶振频率；确定目标芯片对应的最低温度晶振频率、目标芯片对应的最高温度晶振频率以及目标芯片对应的晶振频率漂移值；依据异常晶振频率、最低温度晶振频率以及晶振频率漂移值，确定目标芯片是否处于待调整状态；在目标芯片处于待调整状态的情况下，确定晶振的调整步长；依据调整步长对异常晶振频率点的晶振频率进行调整。
6.进一步地，确定目标芯片对应的最低温度晶振频率、目标芯片对应的最高温度晶振频率，包括：在目标芯片处于最低工作温度的情况下，获取多个芯片对应的多个晶振频率，确定多个晶振频率的平均晶振频率，并将平均晶振频率确定为最低温度晶振频率；在目标芯片处于最高工作温度的情况下，获取多个芯片对应的多个晶振频率，确定多个晶振频率的平均晶振频率，并将平均晶振频率确定为最高温度晶振频率。
7.进一步地，确定目标芯片对应的晶振频率漂移值，包括：获取多个芯片对应的多个最低温度晶振频率以及多个最高温度晶振频率；计算多个第一差值，并计算多个第一差值对应的第一差值平均值，第一差值为最低温度晶振频率与最高温度晶振频率之间的差值；将第一差值平均值确定为晶振频率漂移值。
8.进一步地，依据异常晶振频率、最低温度晶振频率以及晶振频率漂移值，确定目标芯片是否处于待调整状态，包括：判断异常晶振频率与最低温度晶振频率的大小，在异常晶振频率大于或等于最低温度晶振频率的情况下，确定目标芯片处于非待调整状态；在异常晶振频率小于最低温度晶振频率的情况下，判断第二差值是否大于晶振频率漂移值，其中，第二差值为最低温度晶振频率和异常晶振频率的差值；在异常晶振频率小于最低温度晶振频率，且第二差值大于晶振频率漂移值的情况下，确定目标芯片处于非待调整状态；在异常晶振频率小于最低温度晶振频率，且第二差值小于或等于晶振频率漂移值的情况下，确定
目标芯片处于待调整状态。
9.进一步地，在目标芯片处于待调整状态的情况下，确定异常晶振频率点的调整步长，包括：依据公式一，计算调整步长，其中，公式一为k_step＝m (fosc_init-fosc_hole)/fosc_minstep，k_step为调整步长，fosc_init为最低温度晶振频率，fosc_hole为异常晶振频率，fosc_minstep为目标芯片的最小调整步长，m为补偿系数。
10.进一步地，依据调整步长对异常晶振频率点的晶振频率进行调整，包括：依据调整步长配置晶振调节寄存器，通过晶振调节寄存器对异常晶振频率点的晶振频率进行调整。
11.进一步地，在依据调整步长对异常晶振频率点的晶振频率进行调整之后，该方法包括：实时获取晶振调节寄存器的初始值以及预设步长；判断调整步长与预设步长的大小；在调整步长大于预设步长的情况下，确定第一频率初始值以及第一步长，其中，第一频率初始值为晶振调节寄存器对应的初始参数值与预设步长的和，第一步长为调整步长与预设步长的差；依据第一频率初始值以及第一步长，重新配置晶振调节寄存器；在调整步长小于或等于预设步长的情况下，确定第二频率初始值，其中，第二频率初始值为频率初始值与调整步长的和；依据第二频率初始值，重新配置晶振调节寄存器。
12.为了实现上述目的，根据本发明的另一方面，提供了一种调整芯片晶振频率的装置。该装置包括：第一确定单元，用于确定目标芯片的异常晶振频率点，并确定异常晶振频率点对应的异常晶振频率；第二确定单元，用于确定目标芯片对应的最低温度晶振频率、目标芯片对应的最高温度晶振频率以及目标芯片对应的晶振频率漂移值；第三确定单元，用于依据异常晶振频率、最低温度晶振频率以及晶振频率漂移值，确定目标芯片是否处于待调整状态；第四确定单元，用于在目标芯片处于待调整状态的情况下，确定晶振的调整步长；调整单元，用于依据调整步长对异常晶振频率点的晶振频率进行调整。
13.为了实现上述目的，根据本技术的另一方面，提供了一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质包括存储的程序，其中，该程序执行上述任意一项的一种调整芯片晶振频率的方法。
14.为了实现上述目的，根据本技术的另一方面，提供了一种处理器，处理器用于运行程序，其中，该程序执行上述任意一项的一种调整芯片晶振频率的方法。
15.通过本发明，采用以下步骤：确定目标芯片的异常晶振频率点，并确定异常晶振频率点对应的异常晶振频率；确定目标芯片对应的最低温度晶振频率、目标芯片对应的最高温度晶振频率以及目标芯片对应的晶振频率漂移值；依据异常晶振频率、最低温度晶振频率以及晶振频率漂移值，确定目标芯片是否处于待调整状态；在目标芯片处于待调整状态的情况下，确定晶振的调整步长；依据调整步长对异常晶振频率点的晶振频率进行调整，解决了相关技术中防止芯片内部频率的漂移采用的技术手段引起芯片制造成本增加的问题，进而达到了自动调整晶振频率，避开可能导致敏感电路工作的异常晶振频率点的效果。
附图说明
16.构成本发明的一部分的附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
17.图1是根据本发明实施例提供的一种调整芯片晶振频率的方法的流程图一；
18.图2是根据本发明实施例提供的一种调整芯片晶振频率的方法的流程图二；
19.图3是根据本发明实施例提供的一种调整芯片晶振频率的装置的示意图。
具体实施方式
20.需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。
21.为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
22.需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
23.根据本发明的实施例，提供了一种调整芯片晶振频率的方法。
24.图1是根据本发明实施例的一种调整芯片晶振频率的方法的流程图一。如图1所示，该发明包括以下步骤：
25.步骤s101，确定目标芯片的异常晶振频率点，并确定异常晶振频率点对应的异常晶振频率。
26.上述地，芯片的晶振的频率容易漂移，即产生的交流信号频率容易发生变化，获取芯片在工作状态下的输入参数，其中，输入参数包括视频格式(如分辨率，色彩空间)，工作宽带等，根据输入的参数计算出导致敏感电路工作异常时的晶振点，从而确定芯片的异常晶振频率点以及异常晶振频率点对应的异常晶振频率，需要注意的是，该异常晶振频率点的计算方法因为不同的电路的设计而存在差异。
27.步骤s102，确定目标芯片对应的最低温度晶振频率、目标芯片对应的最高温度晶振频率以及目标芯片对应的晶振频率漂移值。
28.上述地，芯片在工作状态下的最低温度与最高温度，由芯片的出厂设置说明书确定，用于分别确定芯片对应的最低温度晶振频率、目标芯片对应的最高温度晶振频率,由最低温度晶振频率与最高温度晶振频率之间的差值确定目标芯片对应的晶振频率漂移值。
29.步骤s103，依据异常晶振频率、最低温度晶振频率以及晶振频率漂移值，确定目标芯片是否处于待调整状态。
30.上述地，依据异常晶振频率、最低温度晶振频率以及晶振频率漂移值，是否满足判断条件，来判断芯片处于待调整状态还是非待调整状态。
31.步骤s104，在目标芯片处于待调整状态的情况下，确定晶振的调整步长。
32.上述地，在芯片满足待调整状态的条件的情况下，确定晶振的调整步长，其中，步长为调整步骤的数值。
33.步骤s105，依据调整步长对异常晶振频率点的晶振频率进行调整。
34.上述地，根据确定出的调整步骤的数量对异常晶振频率点的晶振频率进行调整。
35.在一种可选的实例中，确定目标芯片对应的最低温度晶振频率、目标芯片对应的最高温度晶振频率，包括：在目标芯片处于最低工作温度的情况下，获取多个芯片对应的多个晶振频率，确定多个晶振频率的平均晶振频率，并将平均晶振频率确定为最低温度晶振频率；在目标芯片处于最高工作温度的情况下，获取多个芯片对应的多个晶振频率，确定多个晶振频率的平均晶振频率，并将平均晶振频率确定为最高温度晶振频率。
36.上述地，分别获取多个芯片对应的最低工作温度和对应的最高工作温度下的晶振频率，并且分别计算出多个芯片对应的最低工作温度和对应的最高温工作度下的晶振频率的平均值，处于最低工作温度和最高工作温度条件下的晶振频率的平均值即为最低温度晶振频率和最高温度晶振频率，在本技术中，为了取值的准确性最低工作温度下的晶振频率下和最高工作温度下的晶振频率均指的是多个芯片对应的数值的平均值，平均值可以提高参数的准确性。
37.在一种可选的实例中，确定目标芯片对应的晶振频率漂移值，包括：获取多个芯片对应的多个最低温度晶振频率以及多个最高温度晶振频率；计算多个第一差值，并计算多个第一差值对应的第一差值平均值，第一差值为最低温度晶振频率与最高温度晶振频率之间的差值；将第一差值平均值确定为晶振频率漂移值。
38.上述地，计算多个芯片对应的多个最低温度晶振频率与多个最高温度频率的差值，并计算出上述差值的平均值，差值的平均值即为晶振频率漂移值，在本技术中，为了取值的准确性，取差值的平均值为晶振频率漂移值，平均值可以提高参数的准确性。
39.在一种可选的实例中，依据异常晶振频率、最低温度晶振频率以及晶振频率漂移值，确定目标芯片是否处于待调整状态，包括：判断异常晶振频率与最低温度晶振频率的大小，在异常晶振频率大于或等于最低温度晶振频率的情况下，确定目标芯片处于非待调整状态；在异常晶振频率小于最低温度晶振频率的情况下，判断第二差值是否大于晶振频率漂移值，其中，第二差值为最低温度晶振频率和异常晶振频率的差值；在异常晶振频率小于最低温度晶振频率，且第二差值大于晶振频率漂移值的情况下，确定目标芯片处于非待调整状态；在异常晶振频率小于最低温度晶振频率，且第二差值小于或等于晶振频率漂移值的情况下，确定目标芯片处于待调整状态。
40.上述地，在本技术中，首先通过异常晶振频率与最低温度晶振频率进行大小关系判断，当判断结果为在异常晶振频率大于或等于最低温度晶振频率的情况下，判定芯片处于非待调整状态，当判断结果为在异常晶振频率小于最低温度晶振频率的情况下，再进行最低温度晶振频率和异常晶振频率的差值与晶振频率漂移值的大小关系判断，当判断结果为最低温度晶振频率和异常晶振频率的差值大于晶振频率漂移值的情况下，判定芯片处于非待调整状态，最低温度晶振频率和异常晶振频率的差值小于或等于晶振频率漂移值的情况下，当判断结果为判定芯片处于待调整状态。依据异常晶振频率、最低温度晶振频率以及晶振频率漂移值，确定芯片是否处于待调整状态，从而决定芯片的晶振频率是否需要调整。
41.在一种可选的实例中，在目标芯片处于待调整状态的情况下，确定异常晶振频率点的调整步长，包括：依据公式一，计算调整步长，其中，公式一为k_step＝m (fosc_init-fosc_hole)/fosc_minstep，k_step为调整步长，fosc_init为最低温度晶振频率，fosc_hole为异常晶振频率，fosc_minstep为目标芯片的最小调整步长，m为补偿系数。
42.上述地，依据公式一：k_step＝m (fosc_init-fosc_hole)/fosc_minstep，计算调整步长，调整步长为异常晶振频率点需要调整的步骤的数值，其中，最低温度晶振频率fosc_init通过公式二：fosc_init＝(fosc_init[1] ... fosc_init[n])/n计算得出，n为芯片的数量；记录晶振调节寄存器对应的初始参数值为c_init，通过公式三：c_init k得出频率值，记录其频率值为fosc_initk[i]，k为步长，将第i颗芯片的最小步长记录为fosc_minstep[i]，通过公式四：fosc_minstep[i]＝(fosc_initk[i]-fosc_init[i])/k计算得出，计算n颗芯片的最小调整步长的平均值，即计算芯片的最小调整步长，通过公式五：fosc_minstep＝(fosc_minstep[1] ... fosc_minstep[n])/n计算得出；m为补偿系数,作用是用来补偿不同芯片之间的微小差异。
[0043]
在一种可选的实例中，依据调整步长对异常晶振频率点的晶振频率进行调整，包括：依据调整步长配置晶振调节寄存器，通过晶振调节寄存器对异常晶振频率点的晶振频率进行调整。
[0044]
上述地，依据晶振调节寄存器接收到的调整步长对异常晶振频率点的晶振频率进行调整。通过软件配置晶振调节寄存器，芯片内部包含多个模块，晶振频率突变也对各个模块产生影响，各个模块也需要根据步长进行调整，建议每次的调整步长为x,x为≥1的整数，x即为预设步长，具体的配置可以根据芯片内部各个模块对于晶振频率的突变接受能力来制定，突变接受能力越强，x可选择的值越大，反之x值越小越好。
[0045]
在一种可选的实例中，在依据调整步长对异常晶振频率点的晶振频率进行调整之后，该方法包括：实时获取晶振调节寄存器对应的初始参数值以及预设步长；判断调整步长与预设步长的大小；在调整步长大于预设步长的情况下，确定第一频率初始值以及第一步长，其中，第一频率初始值为晶振调节寄存器对应的初始参数值与预设步长的和，第一步长为调整步长与预设步长的差；依据第一频率初始值以及第一步长，重新配置晶振调节寄存器；在调整步长小于或等于预设步长的情况下，确定第二频率初始值，其中，第二频率初始值为频率初始值与调整步长的和；依据第二频率初始值，重新配置晶振调节寄存器。
[0046]
上述地，记录晶振调节寄存器对应的初始参数值为c_init，判断调整步长k_step与预设步长x的大小关系，在k_step＞x的情况下，执行以下步骤：c_init＝c_init x，k_step＝k_step-x，重新配置晶振调节寄存器，另外，芯片内部的其他模块因为晶振频率的调整而需要实时配置其参数，需要在每一次晶振频率调整时候对其进行配置，最后返回到k_step与x的大小关系判断，在k_step≤x的情况下，执行以下步骤：c_init＝c_init k_step，重新配置晶振调节寄存器以及芯片的部分模块的参数。
[0047]
在本技术提供的一种实施例中，如图2所示，图2是根据本发明实施例提供的一种调整芯片晶振频率的方法的流程图二，获取芯片在工作状态下的输入参数，确定异常晶振频率点对应的晶振频率fosc_hole，判断是否满足在异常晶振频率小于最低温度晶振频率，且最低温度晶振频率和异常晶振频率的差值小于或等于晶振频率漂移值的判定条件，不满足判定条件的情况下不需要调整晶振频率，满足判定条件的情况下，通过公式k_step＝m (fosc_init-fosc_hole)/fosc_minstep计算调整步长，记录初始的晶振调节寄存器对应的初始参数值为c_init，在k_step＞x的情况下，执行以下步骤：c_init＝c_init x，k_step＝k_step-x，重新配置晶振调节寄存器以及芯片的部分模块的参数，在k_step≤x的情况下，执行以下步骤：c_init＝c_init k_step，重新配置晶振调节寄存器以及部分模块的参数。
[0048]
本发明实施例提供的一种调整芯片晶振频率的方法，通过确定目标芯片的异常晶振频率点，并确定异常晶振频率点对应的异常晶振频率；确定目标芯片对应的最低温度晶振频率、目标芯片对应的最高温度晶振频率以及目标芯片对应的晶振频率漂移值；依据异常晶振频率、最低温度晶振频率以及晶振频率漂移值，确定目标芯片是否处于待调整状态；在目标芯片处于待调整状态的情况下，确定晶振的调整步长；依据调整步长对异常晶振频率点的晶振频率进行调整，解决了相关技术中防止芯片内部频率的漂移采用的技术手段引起芯片制造成本增加的问题，进而达到了自动调整晶振频率，避开可能导致敏感电路工作的异常晶振频率点的效果。
[0049]
需要说明的是，在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行，并且，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。
[0050]
本发明实施例还提供了一种调整芯片晶振频率的装置，需要说明的是，本发明实施例的一种调整芯片晶振频率的装置可以用于执行本发明实施例所提供的用于一种调整芯片晶振频率的方法。以下对本发明实施例提供的一种调整芯片晶振频率的装置进行介绍。
[0051]
图3是根据本发明实施例的一种调整芯片晶振频率的装置的示意图。如图3所示，该装置包括：第一确定单元301，用于确定目标芯片的异常晶振频率点，并确定异常晶振频率点对应的异常晶振频率；第二确定单元302，用于确定目标芯片对应的最低温度晶振频率、目标芯片对应的最高温度晶振频率以及目标芯片对应的晶振频率漂移值；第三确定单元303，用于依据异常晶振频率、最低温度晶振频率以及晶振频率漂移值，确定目标芯片是否处于待调整状态；第四确定单元304，用于在目标芯片处于待调整状态的情况下，确定晶振的调整步长；调整单元305，用于依据调整步长对异常晶振频率点的晶振频率进行调整。
[0052]
在一种可选的实例中，第二确定单元302，包括：第一确定子单元，用于在目标芯片处于最低工作温度的情况下，获取多个芯片对应的多个晶振频率，确定多个晶振频率的平均晶振频率，并将平均晶振频率确定为最低温度晶振频率；第二确定子单元，用于在目标芯片处于最高工作温度的情况下，获取多个芯片对应的多个晶振频率，确定多个晶振频率的平均晶振频率，并将平均晶振频率确定为最高温度晶振频率。
[0053]
在一种可选的实例中，第三确定单元303，包括：获取子单元，用于获取多个芯片对应的多个最低温度晶振频率以及多个最高温度晶振频率；第一计算子单元，用于计算多个第一差值，并计算多个第一差值对应的第一差值平均值，第一差值为最低温度晶振频率与最高温度晶振频率之间的差值；第四确定子单元，用于将第一差值平均值确定为晶振频率漂移值。
[0054]
在一种可选的实例中，第三确定单元303，包括：第一判断子单元，用于判断异常晶振频率与最低温度晶振频率的大小，在异常晶振频率大于或等于最低温度晶振频率的情况下，确定目标芯片处于非待调整状态；第二判断子单元，用于在异常晶振频率小于或等于最低温度晶振频率的情况下，判断第二差值是否大于晶振频率漂移值，其中，第二差值为最低温度晶振频率和异常晶振频率的差值；第五确定子单元，用于在异常晶振频率小于或等于最低温度晶振频率，且第二差值大于晶振频率漂移值的情况下，确定目标芯片处于非待调整状态；第六确定子单元，用于在异常晶振频率小于或等于最低温度晶振频率，且第二差值
小于或等于晶振频率漂移值的情况下，确定目标芯片处于待调整状态。
[0055]
在一种可选的实例中，第四确定单元304，包括：第二计算子单元，用于依据公式一，计算调整步长，其中，公式一为
[0056]
k_step＝m (fosc_init-fosc_hole)/fosc_minstep，k_step为调整步长，fosc_init为最低温度晶振频率，fosc_hole为异常晶振频率，fosc_minstep为目标芯片的最小调整步长，m为补偿系数。
[0057]
在一种可选的实例中，调整单元，包括：调整子单元，用于依据调整步长配置晶振调节寄存器，通过晶振调节寄存器对异常晶振频率点的晶振频率进行调整。
[0058]
在一种可选的实例中，该装置包括：获取单元，用于在依据调整步长对异常晶振频率点的晶振频率进行调整之后，实时获取晶振调节寄存器对应的初始参数值以及预设步长；判断单元，用于判断调整步长与预设步长的大小；第五确定单元，用于在调整步长大于预设步长的情况下，确定第一频率初始值以及第一步长，其中，第一频率初始值为晶振调节寄存器对应的初始参数值与预设步长的和，第一步长为调整步长与预设步长的差；第一配置单元，用于依据第一频率初始值以及第一步长，重新配置晶振调节寄存器；第六确定单元，用于在调整步长小于或等于预设步长的情况下，确定第二频率初始值，其中，第二频率初始值为频率初始值与调整步长的和；第二配置单元，用于依据第二频率初始值，重新配置晶振调节寄存器。
[0059]
本发明实施例提供的一种调整芯片晶振频率的装置，通过第一确定单元301，用于确定目标芯片的异常晶振频率点，并确定异常晶振频率点对应的异常晶振频率；第二确定单元302，用于确定目标芯片对应的最低温度晶振频率、目标芯片对应的最高温度晶振频率以及目标芯片对应的晶振频率漂移值；第三确定单元303，用于依据异常晶振频率、最低温度晶振频率以及晶振频率漂移值，确定目标芯片是否处于待调整状态；第四确定单元304，用于在目标芯片处于待调整状态的情况下，确定晶振的调整步长；调整单元305，用于依据调整步长对异常晶振频率点的晶振频率进行调整，解决了相关技术中防止芯片内部频率的漂移采用的技术手段引起芯片制造成本增加的问题，进而达到了自动调整晶振频率，避开可能导致敏感电路工作的异常晶振频率点的效果。
[0060]
所述一种调整芯片晶振频率的装置包括处理器和存储器，上述第一确定单元301等均作为程序单元存储在存储器中，由处理器执行存储在存储器中的上述程序单元来实现相应的功能。
[0061]
处理器中包含内核，由内核去存储器中调取相应的程序单元。内核可以设置一个或以上，通过调整内核参数来解决了相关技术为防止芯片内部频率的漂移采用的技术手段引起芯片制造成本增加的技术问题。
[0062]
存储器可能包括计算机可读介质中的非永久性存储器，随机存取存储器(ram)和/或非易失性内存等形式，如只读存储器(rom)或闪存(flash ram)，存储器包括至少一个存储芯片。
[0063]
本发明实施例提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有程序，该程序被处理器执行时实现所述一种调整芯片晶振频率的方法。
[0064]
本发明实施例提供了一种处理器，所述处理器用于运行程序，其中，所述程序运行时执行所述一种调整芯片晶振频率的方法。
[0065]
本发明实施例提供了一种设备，设备包括处理器、存储器及存储在存储器上并可在处理器上运行的程序，处理器执行程序时实现以下步骤：确定目标芯片的异常晶振频率点，并确定异常晶振频率点对应的异常晶振频率；确定目标芯片对应的最低温度晶振频率、目标芯片对应的最高温度晶振频率以及目标芯片对应的晶振频率漂移值；依据异常晶振频率、最低温度晶振频率以及晶振频率漂移值，确定目标芯片是否处于待调整状态；在目标芯片处于待调整状态的情况下，确定晶振的调整步长；依据调整步长对异常晶振频率点的晶振频率进行调整。
[0066]
进一步地，确定目标芯片对应的最低温度晶振频率、目标芯片对应的最高温度晶振频率，包括：在目标芯片处于最低工作温度的情况下，获取多个芯片对应的多个晶振频率，确定多个晶振频率的平均晶振频率，并将平均晶振频率确定为最低温度晶振频率；在目标芯片处于最高工作温度的情况下，获取多个芯片对应的多个晶振频率，确定多个晶振频率的平均晶振频率，并将平均晶振频率确定为最高温度晶振频率。
[0067]
进一步地，确定目标芯片对应的晶振频率漂移值，包括：获取多个芯片对应的多个最低温度晶振频率以及多个最高温度晶振频率；计算多个第一差值，并计算多个第一差值对应的第一差值平均值，第一差值为最低温度晶振频率与最高温度晶振频率之间的差值；将第一差值平均值确定为晶振频率漂移值。
[0068]
进一步地，依据异常晶振频率、最低温度晶振频率以及晶振频率漂移值，确定目标芯片是否处于待调整状态，包括：判断异常晶振频率与最低温度晶振频率的大小，在异常晶振频率大于或等于最低温度晶振频率的情况下，确定目标芯片处于非待调整状态；在异常晶振频率小于最低温度晶振频率的情况下，判断第二差值是否大于晶振频率漂移值，其中，第二差值为最低温度晶振频率和异常晶振频率的差值；在异常晶振频率小于最低温度晶振频率，且第二差值大于晶振频率漂移值的情况下，确定目标芯片处于非待调整状态；在异常晶振频率小于最低温度晶振频率，且第二差值小于或等于晶振频率漂移值的情况下，确定目标芯片处于待调整状态。
[0069]
进一步地，在目标芯片处于待调整状态的情况下，确定异常晶振频率点的调整步长，包括：依据公式一，计算调整步长，其中，公式一为k_step＝m (fosc_init-fosc_hole)/fosc_minstep，k_step为调整步长，fosc_init为最低温度晶振频率，fosc_hole为异常晶振频率，fosc_minstep为目标芯片的最小调整步长，m为补偿系数。
[0070]
进一步地，依据调整步长对异常晶振频率点的晶振频率进行调整，包括：依据调整步长配置晶振调节寄存器，通过晶振调节寄存器对异常晶振频率点的晶振频率进行调整。
[0071]
进一步地，在依据调整步长对异常晶振频率点的晶振频率进行调整之后，该方法包括：实时获取晶振调节寄存器对应的初始参数值以及预设步长；判断调整步长与预设步长的大小；在调整步长大于预设步长的情况下，确定第一频率初始值以及第一步长，其中，第一频率初始值为晶振调节寄存器对应的初始参数值与预设步长的和，第一步长为调整步长与预设步长的差；依据第一频率初始值以及第一步长，重新配置晶振调节寄存器；在调整步长小于或等于预设步长的情况下，确定第二频率初始值，其中，第二频率初始值为频率初始值与调整步长的和；依据第二频率初始值，重新配置晶振调节寄存器。
[0072]
本文中的设备可以是服务器、pc、pad、手机等。
[0073]
本发明还提供了一种计算机程序产品，当在数据处理设备上执行时，适于执行初
始化有如下方法步骤的程序：确定目标芯片的异常晶振频率点，并确定异常晶振频率点对应的异常晶振频率；确定目标芯片对应的最低温度晶振频率、目标芯片对应的最高温度晶振频率以及目标芯片对应的晶振频率漂移值；依据异常晶振频率、最低温度晶振频率以及晶振频率漂移值，确定目标芯片是否处于待调整状态；在目标芯片处于待调整状态的情况下，确定晶振的调整步长；依据调整步长对异常晶振频率点的晶振频率进行调整。
[0074]
进一步地，确定目标芯片对应的最低温度晶振频率、目标芯片对应的最高温度晶振频率，包括：在目标芯片处于最低工作温度的情况下，获取多个芯片对应的多个晶振频率，确定多个晶振频率的平均晶振频率，并将平均晶振频率确定为最低温度晶振频率；在目标芯片处于最高工作温度的情况下，获取多个芯片对应的多个晶振频率，确定多个晶振频率的平均晶振频率，并将平均晶振频率确定为最高温度晶振频率。
[0075]
进一步地，确定目标芯片对应的晶振频率漂移值，包括：获取多个芯片对应的多个最低温度晶振频率以及多个最高温度晶振频率；计算多个第一差值，并计算多个第一差值对应的第一差值平均值，第一差值为最低温度晶振频率与最高温度晶振频率之间的差值；将第一差值平均值确定为晶振频率漂移值。
[0076]
进一步地，依据异常晶振频率、最低温度晶振频率以及晶振频率漂移值，确定目标芯片是否处于待调整状态，包括：判断异常晶振频率与最低温度晶振频率的大小，在异常晶振频率大于或等于最低温度晶振频率的情况下，确定目标芯片处于非待调整状态；在异常晶振频率小于最低温度晶振频率的情况下，判断第二差值是否大于晶振频率漂移值，其中，第二差值为最低温度晶振频率和异常晶振频率的差值；在异常晶振频率小于最低温度晶振频率，且第二差值大于晶振频率漂移值的情况下，确定目标芯片处于非待调整状态；在异常晶振频率小于最低温度晶振频率，且第二差值小于或等于晶振频率漂移值的情况下，确定目标芯片处于待调整状态。
[0077]
进一步地，在目标芯片处于待调整状态的情况下，确定异常晶振频率点的调整步长，包括：依据公式一，计算调整步长，其中，公式一为k_step＝m (fosc_init-fosc_hole)/fosc_minstep，k_step为调整步长，fosc_init为最低温度晶振频率，fosc_hole为异常晶振频率，fosc_minstep为目标芯片的最小调整步长，m为补偿系数。
[0078]
进一步地，依据调整步长对异常晶振频率点的晶振频率进行调整，包括：依据调整步长配置晶振调节寄存器，通过晶振调节寄存器对异常晶振频率点的晶振频率进行调整。
[0079]
进一步地，在依据调整步长对异常晶振频率点的晶振频率进行调整之后，该方法包括：实时获取晶振调节寄存器对应的初始参数值以及预设步长；判断调整步长与预设步长的大小；在调整步长大于预设步长的情况下，确定第一频率初始值以及第一步长，其中，第一频率初始值为晶振调节寄存器对应的初始参数值与预设步长的和，第一步长为调整步长与预设步长的差；依据第一频率初始值以及第一步长，重新配置晶振调节寄存器；在调整步长小于或等于预设步长的情况下，确定第二频率初始值，其中，第二频率初始值为频率初始值与调整步长的和；依据第二频率初始值，重新配置晶振调节寄存器。
[0080]
本领域内的技术人员应明白，本发明的实施例可提供为方法、系统、或计算机程序产品。因此，本发明可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本发明可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、cd-rom、光学存储器等)上实施的计算机程序产
品的形式。
[0081]
本发明是参照根据本发明实施例的方法、设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
[0082]
这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
[0083]
这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
[0084]
在一个典型的配置中，计算设备包括一个或多个处理器(cpu)、输入/输出接口、网络接口和内存。
[0085]
存储器可能包括计算机可读介质中的非永久性存储器，随机存取存储器(ram)和/或非易失性内存等形式，如只读存储器(rom)或闪存(flash ram)。存储器是计算机可读介质的示例。
[0086]
计算机可读介质包括永久性和非永久性、可移动和非可移动媒体可以由任何方法或技术来实现信息存储。信息可以是计算机可读指令、数据结构、程序的模块或其他数据。计算机的存储介质的例子包括，但不限于相变内存(pram)、静态随机存取存储器(sram)、动态随机存取存储器(dram)、其他类型的随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、电可擦除可编程只读存储器(eeprom)、快闪记忆体或其他内存技术、只读光盘只读存储器(cd-rom)、数字多功能光盘(dvd)或其他光学存储、磁盒式磁带，磁带磁磁盘存储或其他磁性存储设备或任何其他非传输介质，可用于存储可以被计算设备访问的信息。按照本文中的界定，计算机可读介质不包括暂存电脑可读媒体(transitory media)，如调制的数据信号和载波。
[0087]
还需要说明的是，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、商品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括要素的过程、方法、商品或者设备中还存在另外的相同要素。
[0088]
本领域技术人员应明白，本发明的实施例可提供为方法、系统或计算机程序产品。因此，本发明可采用完全硬件实施例、完全软件实施例或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本发明可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、cd-rom、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。
[0089]
以上仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明。对于本领域技术人员来说，
本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的权利要求范围之内。