显示装置及制造显示装置的方法与流程

1.实施例涉及一种显示装置。更具体地，实施例涉及一种有机发光显示装置以及制造有机发光显示装置的方法。


背景技术：

2.显示装置可以包括多个像素，该多个像素发射用于显示图像的光。多个像素中的每一个可以包括用于产生驱动电流的多个晶体管以及用于基于驱动电流发射光的发光元件。
3.每个像素的多个晶体管可以包括有源图案，有源图案包括半导体材料。


技术实现要素：

4.当有源图案包括彼此电分离的区域时，在制造或使用显示装置的过程中所引入的静电可能损坏有源图案。
5.实施例提供了一种制造显示装置的方法，该方法用于防止显示装置在制造过程中被损坏。
6.实施例提供了一种具有改善的显示质量的显示装置。
7.实施例中的制造显示装置的方法可以包括：在基底上形成有源图案，有源图案包括第一区域、与第一区域间隔开的第二区域以及设置在第一区域与第二区域之间的第三区域；在有源图案上形成绝缘层；在绝缘层中限定暴露第一区域的一部分的第一接触孔、暴露第二区域的一部分的第二接触孔以及暴露第三区域的开口；在基本上同一时间在绝缘层上形成填充第一接触孔和第二接触孔的导电图案并去除第三区域；并且在导电图案上形成平坦化层。
8.在实施例中，在基本上同一时间形成导电图案并去除第三区域可以包括：在绝缘层上形成填充第一接触孔和第二接触孔以及开口的导电层并且蚀刻导电层的填充开口的一部分以及第三区域。
9.在实施例中，平坦化层可以接触彼此面对的第一区域的侧表面和第二区域的侧表面。
10.在实施例中，该方法可以进一步包括在形成有源图案之前在基底上形成缓冲层。
11.在实施例中，平坦化层可以接触缓冲层。
12.在实施例中，在基本上同一时间形成导电图案并去除第三区域可以包括部分地蚀刻缓冲层的与第三区域重叠的一部分。
13.在实施例中，第一接触孔、第二接触孔以及开口可以在基本上同一时间被限定。
14.在实施例中，在基本上同一时间形成导电图案并去除第三区域之后，第一区域和第二区域可以物理上彼此分离。
15.在实施例中，绝缘层可以包括顺序地堆叠在有源图案上的栅极绝缘层、第一层间绝缘层以及第二层间绝缘层。
16.实施例中的显示装置可以包括：有源图案，该有源图案设置在基底上并且包括第一区域以及与第一区域间隔开的第二区域；绝缘层，该绝缘层设置在有源图案上并且在绝缘层中限定分别暴露第一区域的一部分和第二区域的一部分的第一接触孔和第二接触孔；导电图案，该导电图案设置在绝缘层上并且分别通过第一接触孔和第二接触孔接触第一区域和第二区域；以及平坦化层，该平坦化层设置在导电图案上并接触彼此面对的第一区域的侧表面和第二区域的侧表面。
17.在实施例中，显示装置可以进一步包括设置在基底与有源图案之间的缓冲层。
18.在实施例中，与在第一区域与第二区域之间的一部分重叠的开口可以限定在绝缘层中。
19.在实施例中，平坦化层可以通过开口接触缓冲层。
20.在实施例中，缓冲层可以具有与第一区域与第二区域之间的一部分重叠的沟槽。
21.在实施例中，显示装置可以进一步包括：驱动晶体管，该驱动晶体管产生驱动电流；发光二极管，该发光二极管基于驱动电流发射光；第一初始化晶体管，该第一初始化晶体管向驱动晶体管的栅极电极提供第一初始化电压；以及第二初始化晶体管，该第二初始化晶体管向发光二极管的阳极电极提供与第一初始化电压不同的第二初始化电压。
22.在实施例中，第一区域可以是第一初始化晶体管的源极电极，并且第二区域可以是第二初始化晶体管的源极电极。
23.在实施例中，显示装置可以进一步包括：第一初始化电压线，该第一初始化电压线传输第一初始化电压并电连接到第一区域；以及第二初始化电压线，该第二初始化电压线传输第二初始化电压并电连接到第二区域。
24.在实施例中，显示装置可以进一步包括：驱动晶体管，该驱动晶体管产生驱动电流；存储电容器，该存储电容器包括连接到驱动晶体管的栅极电极的第一电极以及与第一电极重叠的第二电极；发光二极管，该发光二极管基于驱动电流发射光；初始化晶体管，该初始化晶体管向存储电容器的第一电极提供初始化电压；以及参考晶体管，该参考晶体管向存储电容器的第二电极提供参考电压。
25.在实施例中，第一区域可以是初始化晶体管的漏极电极，并且第二区域可以是参考晶体管的漏极电极。
26.在实施例中，显示装置可以进一步包括：初始化电压线，该初始化电压线传输初始化电压并电连接到第一区域；以及参考电压线，该参考电压线传输参考电压并电连接到第二区域。
27.在实施例中的制造显示装置的方法中，连接到有源图案的第一区域和第二区域的导电图案可以在去除有源图案的第三区域的基本上同一时间被提供，使得尽管在显示装置的制造过程中引入了静电，但是静电可以被分散并且有源图案可以不被损坏。
28.在实施例中的显示装置中，有源图案的彼此间隔开的第一区域和第二区域可以连接到导电图案，使得尽管在显示装置的制造过程或使用过程中引入静电，但是静电可以被分散并且有源图案可以不被损坏。因此，可以改善显示装置的显示质量。
附图说明
29.从以下结合附图进行的详细描述将更清楚地理解说明性的、非限制性的实施例。
30.图1是示出显示装置的平面图。
31.图2是示出像素的电路图。
32.图3是示出图2中的像素的平面图。
33.图4是示出沿着图3中的线i-i'所截取的显示装置的截面图。
34.图5、图6、图7、图8、图9、图10、图11、图12和图13是示出制造显示装置的方法的示图。
35.图14是示出像素的电路图。
36.图15是示出图14中的像素的平面图。
37.图16是示出沿着图15中的线ii-ii'所截取的显示装置的截面图。
具体实施方式
38.在下文中，将参考附图详细地说明实施例中的显示装置及制造显示装置的方法。
39.将理解的是当元件被称为“在”另一元件“上”时，它可以直接在另外一个元件上或者可以在其之间存在居间元件。相反，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在居间元件。
40.将理解的是，尽管在这里可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各个元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因而，在不脱离这里的教导的情况下，可以将下面所讨论的“第一元件”、“第一组件”、“第一区域”、“第一层”或“第一部分”称为“第二元件”、“第二组件”、“第二区域”、“第二层”或“第二部分”。
41.这里所使用的术语仅出于描述特定实施例的目的而并非旨在进行限制。如这里所使用的，单数形式“一”、“一个”和“所述”旨在包括包含“至少一个”的复数形式，除非上下文另有明确指示。“或”是指“和/或”。如这里所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任何和所有组合。将进一步理解的是术语“包括(comprises)”和/或“包含(comprising)”或者“包括(includes)”和/或“包含(including)”当在本说明书中使用时指定存在所述特征、区域、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或增加一个或多个其它特征、区域、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其组。
42.此外，如附图中所示，可以在这里使用诸如“下部”或“底部”以及“上部”或“顶部”的相对术语以描述一个元件与另一元件的关系。将理解的是除了在附图中所描绘的取向之外相对术语旨在涵盖装置的不同取向。在实施例中，当附图之一中的装置被翻转时，则被描述为“在”其它元件“下”侧的元件将随后被取向为“在”其它元件的“上”侧。因此，示例性术语“下部”可以涵盖“下部”和“上部”这两个取向，这取决于附图的特定取向。类似地，当附图之一中的装置被翻转时，则被描述为在其它元件“下方”或“下面”的元件将随后被取向为在其它元件“上方”。因此，示例性术语“在
……
下方”或“在
……
下面”可以涵盖“在
……
上方”和“在
……
下方”这两个取向。
43.考虑到所讨论的测量以及与特定量的测量相关的误差(即测量系统的局限性)，如这里所使用的“大约”或“大致”包括所述值及在本领域普通技术人员所确定的特定值的可以接受偏差范围内的平均值。例如，“大约”可以是指在一个或多个标准偏差之内或者在所
述值的
±
30％、
±
20％、
±
10％、
±
5％之内。
44.除非另有定义，否则这里所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的相同含义。将进一步理解的是诸如在常用字典中所定义的那些术语应被解释为具有与它们在相关领域和本发明的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于正式的含义来解释，除非在这里明确如此定义。此外，当元件被描述为“相同”或“基本上相同”时，相同程度对于具有普通知识的人来说可以是令人满意的。
45.在下文中，将参考图1至图4来描述实施例中的显示装置。
46.图1是示出显示装置1000的实施例的平面图。
47.参考图1，显示装置1000可以包括多个像素px。像素px可以沿着第一方向dr1及与第一方向dr1交叉的第二方向dr2以矩阵形式布置。然而，本发明不局限于此，并且多个像素px可以以各种其它形式布置。每个像素px可以发射光，并且显示装置1000可以基于所述光来显示图像。
48.图2是示出像素px的实施例的电路图。在实施例中，例如，图2可以示出图1中的显示装置1000的像素px的实施例。
49.参考图2，像素px可以包括多个晶体管t1、t2、t3、t4、t5、t6和t7、存储电容器cst以及发光二极管ld。晶体管t1、t2、t3、t4、t5、t6和t7可以包括第一晶体管t1、第二晶体管t2、第三晶体管t3、第四晶体管t4、第五晶体管t5、第六晶体管t6以及第七晶体管t7。
50.第一晶体管t1可以电连接到第一电源电压线elvdd和发光二极管ld的阳极电极，并且可以将与数据线data所提供的数据信号相对应的驱动电流传输到发光二极管ld。换句话说，第一晶体管t1可以是驱动晶体管。
51.第二晶体管t2可以连接在数据线data与第一晶体管t1的第一电极之间，并且可以响应于扫描线gw所提供的扫描信号而将数据信号传输到第一晶体管t1。换句话说，第二晶体管t2可以是开关晶体管。
52.第三晶体管t3可以连接在第一晶体管t1的栅极电极与第一晶体管t1的第二电极之间，并且可以响应于扫描信号而二极管式地连接第一晶体管t1，从而补偿第一晶体管t1的阈值电压。换句话说，第三晶体管t3可以是补偿晶体管。
53.第四晶体管t4可以连接在第一初始化电压线vint1与第一晶体管t1的栅极电极之间，并且可以响应于第一初始化控制线gi所提供的第一初始化控制信号向第一晶体管t1的栅极电极提供由第一初始化电压线vint1所提供的第一初始化电压。换句话说，第四晶体管t4可以是驱动初始化晶体管。
54.第五晶体管t5可以连接在第一电源电压线elvdd与第一晶体管t1的第一电极之间，并且第六晶体管t6可以连接在第一晶体管t1的第二电极与发光二极管ld的阳极电极之间。第五晶体管t5和第六晶体管t6中的每一个可以响应于发射控制线em所提供的发射控制信号来向发光二极管ld的阳极电极提供驱动电流。换句话说，第五晶体管t5和第六晶体管t6中的每一个可以是发射控制晶体管。
55.第七晶体管t7可以连接在第二初始化电压线vint2与发光二极管ld的阳极电极之间，并且可以响应于第二初始化控制线gb所提供的第二初始化控制信号来向发光二极管ld的阳极电极提供由第二初始化电压线vint2所提供的第二初始化电压。换句话说，第七晶体
管t7可以是二极管初始化晶体管。第二初始化电压的电压电平可以与第一初始化电压的电压电平不同。在实施例中，第二初始化电压的电压电平可以低于第一初始化电压的电压电平。
56.在实施例中，晶体管t1、t2、t3、t4、t5、t6和t7中的每一个的第一电极和第二电极可以分别是源极电极和漏极电极。然而，本发明不局限于此，并且晶体管t1、t2、t3、t4、t5、t6和t7中的每一个的第一电极和第二电极可以分别是漏极电极和源极电极。
57.存储电容器cst可以连接在第一电源电压线elvdd与第一晶体管t1的栅极电极之间。存储电容器cst可以保持第一电源电压线elvdd与第一晶体管t1的栅极电极之间的电压。
58.发光二极管ld可以连接在第六晶体管t6的第二电极与第二电源电压线elvss之间。发光二极管ld可以基于驱动电流来发射光。
59.在所示的实施例中，提供施加到第四晶体管t4的第一初始化电压的第一初始化电压线vint1和提供施加到第七晶体管t7的第二初始化电压的第二初始化电压线vint2可以彼此分离，使得第一晶体管t1和发光二极管ld可以由不同的电压初始化。因此，当以低灰度驱动像素px时，可以改善显示装置1000的低灰度色斑。
60.图3是示出图2中的像素px的平面图。图4是示出沿着图3中的线i-i'所截取的显示装置1000的截面图。
61.参考图2、图3和图4，显示装置1000可以包括基底100、缓冲层101、有源图案110、栅极绝缘层102、第一导电图案、第一层间绝缘层103、第二导电图案、第二层间绝缘层104、第三导电图案145、平坦化层105、第一电极150、像素限定层106、发射层160、第二电极170以及封装层180。
62.基底100可以包括透明或不透明材料。在实施例中，例如，基底100可以包括石英基底、合成石英基底、氟化钙基底、掺氟石英基底、钠钙玻璃基底或无碱基底等。在替代实施例中，基底100可以包括柔性透明树脂基底。在实施例中，例如，透明树脂基底可以是聚酰亚胺基底。
63.缓冲层101可以设置在基底100上。缓冲层101可以防止金属原子或杂质从基底100扩散到有源图案110。此外，缓冲层101可以控制在用于形成有源图案110的结晶过程中的传热速率以获得均匀的有源图案110或基本上均匀的有源图案110。
64.有源图案110可以设置在缓冲层101上。在实施例中，有源图案110可以包括多晶硅。在另一实施例中，有源图案110可以包括氧化物半导体。在实施例中，例如，氧化物半导体可以包括铟(in)、镓(ga)、锡(sn)、锆(zr)、钒(v)、铪(hf)、镉(cd)、锗(ge)、铬(cr)、钛(ti)和锌(zn)中的至少一个的氧化物。
65.有源图案110可以包括第一区域111和第二区域112。第二区域112可以与第一区域111间隔开。换句话说，第一区域111和第二区域112可以物理上彼此分离。
66.在实施例中，第一区域111可以是第四晶体管t4的源极电极，并且第二区域112可以是第七晶体管t7的源极电极。在实施例中，例如，第四晶体管t4可以被包含在第n行的像素中，并且第七晶体管t7可以被包含在第(n-1)行的像素中，其中n是等于或大于2的自然数。然而，本发明不局限于此，并且在另一实施例中，第一区域111可以是第四晶体管t4的漏极电极，并且第二区域112可以是第七晶体管t7的漏极电极。
67.可以在缓冲层101中限定与有源图案110的第一区域111与第二区域112之间的一部分重叠的沟槽tch。沟槽tch可以具有从缓冲层101的上表面向缓冲层101的下表面凹陷的截面形状。
68.栅极绝缘层102可以设置在有源图案110上。栅极绝缘层102可以覆盖缓冲层101上的有源图案110，并且可以沿着有源图案110的轮廓具有恒定的厚度或者沿着有源图案110的轮廓而具有基本上恒定的厚度。在实施例中，栅极绝缘层102可以包括硅化合物或金属氧化物等。
69.第一导电图案可以设置在栅极绝缘层102上。第一导电图案可以包括扫描线gw、初始化控制线gi(n)/gb(n-1)、发射控制线em以及第一存储电极se1。在实施例中，例如，第一导电图案可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料等或者由金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料等组成。
70.扫描线gw可以在第一方向dr1上延伸。有源图案110可以与扫描线gw一起形成第二晶体管t2和第三晶体管t3。初始化控制线gi(n)/gb(n-1)可以在第一方向dr1上延伸。有源图案110可以与初始化控制线gi(n)/gb(n-1)一起形成被包含在第n行的像素中的第四晶体管t4以及被包含在第(n-1)行的像素中的第七晶体管t7。随后的初始化控制线gi(n 1)/gb(n)可以设置在初始化控制线gi(n)/gb(n-1)下方并在第一方向dr1上延伸。
71.发射控制线em可以在第一方向dr1上延伸。有源图案110可以与发射控制线em一起形成第五晶体管t5和第六晶体管t6。第一存储电极se1可以设置在扫描线gw与发射控制线em之间。有源图案110可以与第一存储电极se1一起形成第一晶体管t1。
72.第一层间绝缘层103可以设置在第一导电图案上。第一层间绝缘层103可以覆盖栅极绝缘层102上的第一导电图案，并且可以沿着第一导电图案的轮廓具有恒定的厚度或者基本上恒定的厚度。在实施例中，例如，第一层间绝缘层103可以包括硅化合物或金属氧化物等。
73.第二导电图案可以设置在第一层间绝缘层103上。第二导电图案可以包括第一水平初始化电压线vint1_h、第二水平初始化电压线vint2_h以及第二存储电极se2。在实施例中，第二导电图案可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料等或者由金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料等组成。
74.第一水平初始化电压线vint1_h可以在第一方向dr1上延伸。第二水平初始化电压线vint2_h可以在第一方向dr1上延伸。第二存储电极se2可以在第一方向dr1上延伸。第二存储电极se2可以与第一存储电极se1重叠，并且可以与第一存储电极se1一起形成存储电容器cst。从第一电源电压线elvdd传输的第一电源电压可以被施加到第二存储电极se2。
75.第二层间绝缘层104可以设置在第二导电图案上。在实施例中，第二层间绝缘层104可以覆盖第一层间绝缘层103上的第二导电图案，并且可以沿着第二导电图案的轮廓而具有恒定的厚度或基本上恒定的厚度。在另一实施例中，第二层间绝缘层104可以充分覆盖第一层间绝缘层103上的第二导电图案，并且可以具有平坦的上表面或基本上平坦的上表面，而不在第二导电图案周围产生台阶。第二层间绝缘层104可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料或者由无机绝缘材料或有机绝缘材料组成。
76.栅极绝缘层102、第一层间绝缘层103以及第二层间绝缘层104可以形成绝缘层isl。换句话说，绝缘层isl可以包括顺序地堆叠在有源图案110上的栅极绝缘层102、第一层
间绝缘层103以及第二层间绝缘层104。
77.可以在绝缘层isl中限定第一接触孔cnt1、第二接触孔cnt2以及开口opn。第一接触孔cnt1可以暴露有源图案110的第一区域111的一部分，并且第二接触孔cnt2可以暴露有源图案110的第二区域112的一部分。
78.开口opn可以与有源图案110的第一区域111与第二区域112之间的一部分重叠。在这种情况下，开口opn可以与沟槽tch重叠。
79.第三导电图案145可以设置在第二层间绝缘层104上。第三导电图案145可以包括数据线data、第一电源电压线elvdd、第一竖直初始化电压线vint1_v以及第二竖直初始化电压线vint2_v。在实施例中，第三导电图案145可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料等或者由金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料等组成。
80.数据线data可以在第二方向dr2上延伸。数据线data可以通过限定在第二层间绝缘层104、第一层间绝缘层103以及栅极绝缘层102中的接触孔电连接到有源图案110。
81.第一电源电压线elvdd可以在第二方向dr2上延伸。第一电源电压线elvdd可以通过限定在第二层间绝缘层104、第一层间绝缘层103以及栅极绝缘层102中的接触孔电连接到有源图案110，并且可以通过限定在第二层间绝缘层104中的接触孔电连接到第二存储电极se2。
82.第一竖直初始化电压线vint1_v可以在第二方向dr2上延伸。第一竖直初始化电压线vint1_v可以通过限定在第二层间绝缘层104中的接触孔电连接到第一水平初始化电压线vint1_h。第一水平初始化电压线vint1_h和第一竖直初始化电压线vint1_v可以形成第一初始化电压线vint1。
83.第二竖直初始化电压线vint2_v可以在第二方向dr2上延伸。第二竖直初始化电压线vint2_v可以通过限定在第二层间绝缘层104中的接触孔电连接到第二水平初始化电压线vint2_h。第二水平初始化电压线vint2_h和第二竖直初始化电压线vint2_v可以形成第二初始化电压线vint2。
84.第三导电图案145可以分别通过第一接触孔cnt1和第二接触孔cnt2接触第一区域111和第二区域112。在这种情况下，有源图案110的第一区域111和第二区域112中的每一个可以电连接到显示装置1000的其它元件。在实施例中，有源图案110的第一区域111可以电连接到第一初始化电压线vint1，并且有源图案110的第二区域112可以电连接到第二初始化电压线vint2。
85.平坦化层105可以设置在第三导电图案145上。平坦化层105可以充分覆盖第二层间绝缘层104上的第三导电图案145，并且可以具有平坦的上表面或基本上平坦的上表面，而不在第三导电图案145周围产生台阶。在实施例中，平坦化层105可以包括诸如光致抗蚀剂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂或硅氧烷类树脂等的有机绝缘材料或者由诸如光致抗蚀剂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂或硅氧烷类树脂等的有机绝缘材料组成。
86.平坦化层105可以接触第一区域111的侧表面和第二区域112的侧表面。由于第一区域111和第二区域112彼此间隔开并且绝缘层isl的开口opn与第一区域111与第二区域112之间的一部分重叠，因此平坦化层105可以接触第一区域111的侧表面和第二区域112的
侧表面。
87.在实施例中，平坦化层105可以通过绝缘层isl的开口opn接触缓冲层101。平坦化层105可以填充绝缘层isl的开口opn和缓冲层101的沟槽tch。
88.第一电极150可以设置在平坦化层105上。取决于显示装置1000如何发射光，第一电极150可以包括反射材料或透射材料或者由反射材料或透射材料组成。在实施例中，第一电极150可以包括铝(al)、含铝(al)、氮化铝(aln
x
)和银(ag)中的至少一个的合金、含银(ag)、钨(w)、氮化钨(wn
x
)和铜(cu)中的至少一个的合金、含铜(cu)、镍(ni)、铬(cr)、氮化铬(crn
x
)和钼(mo)中的至少一个的合金或含钼(mo)、钛(ti)、氮化钛(tin
x
)、铂(pt)、钽(ta)、氮化钽(tan
x
)、钕(nd)、钪(sc)、氧化锌(zno
x
)、氧化铟锡(“ito”)、氧化锡(sno
x
)、氧化铟(ino
x
)、氧化镓(gao
x
)和氧化铟锌(“izo”)中的至少一个的合金等。在实施例中，例如，第一电极150可以形成为或提供为包括金属层、合金层、金属氮化物层、导电金属氧化物层和/或透明导电氧化物层的多层结构或者单层结构。
89.像素限定层106可以设置在第一电极150上。像素限定层106可以包括有机绝缘材料或无机绝缘材料等或者由有机绝缘材料或无机绝缘材料等组成。在实施例中，像素限定层106可以包括光致抗蚀剂、聚丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂或硅酮化合物等或者由光致抗蚀剂、聚丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂或硅酮化合物等组成。在实施例中，例如，可以在像素限定层106中限定部分地暴露第一电极150的开口。显示装置1000的发射区和非发射区可以通过像素限定层106的开口来限定。在实施例中，例如，发射区可以对应于像素限定层106中的限定有开口的一部分，并且非发射区可以对应于像素限定层106中的与所述开口相邻的一部分。
90.发射层160可以设置在通过像素限定层106的开口被暴露的第一电极150上。此外，发射层160可以在像素限定层106的开口的侧壁上延伸。在实施例中，发射层160可以具有包括有机发射层、空穴注入层、空穴传输层、电子传输层或电子注入层等的多层结构。
91.第二电极170可以设置在像素限定层106和发射层160上。取决于显示装置1000如何发射光，第二电极170可以包括透射材料或反射材料或者由透射材料或反射材料组成。在实施例中，例如，第二电极170可以包括铝(al)、含铝(al)、氮化铝(aln
x
)和银(ag)中的至少一个的合金、含银(ag)、钨(w)、氮化钨(wn
x
)和铜(cu)中的至少一个的合金、含铜(cu)、镍(ni)、铬(cr)、氮化铬(crn
x
)和钼(mo)中的至少一个的合金或含钼(mo)、钛(ti)、氮化钛(tin
x
)、铂(pt)、钽(ta)、氮化钽(tan
x
)、钕(nd)、钪(sc)、氧化锌(zno
x
)、氧化铟锡(“ito”)、氧化锡(sno
x
)、氧化铟(ino
x
)、氧化镓(gao
x
)和氧化铟锌(“izo”)中的至少一个的合金等。在实施例中，第二电极170可以形成为或提供为包括金属层、合金层、金属氮化物层、导电金属氧化物层和/或透明导电氧化物层的多层结构或者单层结构。
92.第一电极150、发射层160以及第二电极170可以形成发光二极管ld。在实施例中，第一电极150和第二电极170可以分别是发光二极管ld的阳极电极和阴极电极。然而，本发明不局限于此，并且在另一实施例中，第一电极150和第二电极170可以分别是发光二极管ld的阴极电极和阳极电极。
93.封装层180可以设置在第二电极170上。封装层180可以防止外部湿气和氧气的渗透。封装层180可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。至少一个无机封装层和至少一个有机封装层可以彼此交替堆叠。
94.在实施例中，封装层180可以包括第一无机封装层、有机封装层以及第二无机封装层。第一无机封装层、有机封装层以及第二无机封装层可以顺序地堆叠在第二电极170上。
95.在下文中，将参考图5至图13来描述实施例中的制造显示装置1000的方法。
96.图5、图6、图7、图8、图9、图10、图11、图12和图13是示出制造显示装置1000的方法的实施例的示图。在实施例中，图5至图13可以示出制造图3和图4中的显示装置1000的方法。
97.参考图5和图6，缓冲层101和有源图案110可以形成或设置在基底100上。
98.首先，缓冲层101可以形成或设置在基底100上。在实施例中，例如，缓冲层101可以包括硅化合物或金属氧化物等或者由硅化合物或金属氧化物等组成。
99.此后，有源图案110可以形成或设置在缓冲层101上。在实施例中，例如，有源层可以使用多晶硅或氧化物半导体形成或设置在缓冲层101上，并且有源层可以被图案化以形成有源图案110。
100.有源图案110可以包括第一区域111、第二区域112以及第三区域113。第二区域112可以与第一区域111间隔开。第三区域113可以位于第一区域111与第二区域112之间。
101.参考图7和图8，绝缘层isl可以形成或设置在有源图案110上。栅极绝缘层102、第一导电图案、第一层间绝缘层103、第二导电图案以及第二层间绝缘层104可以顺序地形成或设置在有源图案110上。绝缘层isl可以包括顺序地堆叠在有源图案110上的栅极绝缘层102、第一层间绝缘层103以及第二层间绝缘层104。
102.参考图9，可以在绝缘层isl中限定第一接触孔cnt1、第二接触孔cnt2以及开口opn。第一接触孔cnt1可以暴露有源图案110的第一区域111的一部分，并且第二接触孔cnt2可以暴露有源图案110的第二区域112的一部分。开口opn可以暴露有源图案110的第三区域113。
103.在实施例中，第一接触孔cnt1、第二接触孔cnt2以及开口opn可以以同时的方式或基本上同时的方式来限定。即，第一接触孔cnt1、第二接触孔cnt2以及开口opn可以在同一时间或基本上同一时间限定。在实施例中，例如，第一接触孔cnt1、第二接触孔cnt2以及开口opn可以通过使用单个光掩模的单个光刻工艺在同一时间或基本上同一时间限定。
104.参考图10，导电层140可以形成或设置在绝缘层isl上。导电层140可以填充第一接触孔cnt1、第二接触孔cnt2以及开口opn。因此，导电层140可以分别通过第一接触孔cnt1、第二接触孔cnt2以及开口opn接触有源图案110的第一区域111、第二区域112以及第三区域113。
105.参考图11和图12，可以通过对导电层140进行图案化来形成或提供第三导电图案145，并且可以去除有源图案110的第三区域113。
106.为了形成第三导电图案145，可以使用蚀刻材料来蚀刻导电层140的填充绝缘层isl的开口opn的一部分。因此，可以去除导电层140的填充绝缘层isl的开口opn的该一部分以暴露有源图案110的第三区域113。
107.在形成第三导电图案145的工艺中，可以使用蚀刻材料来蚀刻有源图案110的第三区域113。因此，可以去除有源图案110的第三区域113使得有源图案110的第一区域111和第二区域112可以物理上彼此分离。在这种情况下，可以暴露第一区域111的侧表面和第二区域112的侧表面。此外，可以暴露缓冲层101的与有源图案110的第三区域113重叠的一部分。
因此，可以在同一时间或基本上同一时间形成或提供第三导电图案145并可以去除有源图案110的第三区域113。
108.在实施例中，在去除有源图案110的第三区域113的工艺中，缓冲层101的与有源图案110的第三区域113重叠的一部分可以被蚀刻材料部分地蚀刻。因此，可以在缓冲层101的与有源图案110的第三区域113重叠的一部分中限定沟槽tch。尽管在图12中未示出，但是在蚀刻有源图案110的第三区域113和部分地蚀刻缓冲层101的一部分的工艺中可以部分地蚀刻绝缘层isl的通过导电层140的图案化被暴露的一部分。
109.参考图13，平坦化层105可以形成或设置在第三导电图案145上。
110.在实施例中，平坦化层105可以接触第一区域111的侧表面和第二区域112的侧表面。有源图案110的第一区域111和第二区域112可以彼此间隔开，绝缘层isl的开口opn可以与第一区域111与第二区域112之间的一部分重叠，并且有源图案110的第三区域113可以被去除，使得平坦化层105可以接触第一区域111的侧表面和第二区域112的侧表面。
111.在实施例中，平坦化层105可以接触缓冲层101。平坦化层105可以通过绝缘层isl的开口opn接触缓冲层101的沟槽tch和有源图案110的第一区域111与第二区域112之间的一部分。
112.在根据比较示例的制造显示装置的方法中，第三区域可能不形成或限定在有源图案的第一区域与第二区域之间。在这种情况下，由于在形成有源图案和绝缘层的工艺中有源图案的第一区域和第二区域彼此分离，因此有源图案的第一区域和第二区域可能容易受到从外部引入的静电的影响。
113.然而，在实施例中的制造显示装置1000的方法中，第三区域113可以形成或设置在有源图案110的第一区域111与第二区域112之间。在这种情况下，在形成有源图案110和绝缘层isl的工艺中有源图案110的第一区域111和第二区域112可以通过第三区域113被物理连接，使得有源图案110可以抵抗从外部引入的静电。此外，在同一时间或基本上同一时间，可以形成或提供第三导电图案145并可以去除有源图案110的第三区域113，使得第一区域111和第二区域112中的每一个可以通过第三导电图案145电连接到显示装置1000的其它元件，并且有源图案110的第一区域111和第二区域112可以抵抗从外部引入的静电。
114.在下文中，将参考图14和图15来描述实施例中的显示装置1000。
115.图14是示出像素px的电路图。在实施例中，例如，图14可以示出图1中的显示装置1000的像素px的另一实施例。
116.参考图14，像素px可以包括多个晶体管t1、t2、t3、t4、t5、t6、t7、t8和t9、存储电容器cst、保持电容器chd以及发光二极管ld。晶体管t1、t2、t3、t4、t5、t6、t7、t8和t9可以包括第一晶体管t1、第二晶体管t2、第三晶体管t3、第四晶体管t4、第五晶体管t5、第六晶体管t6、第七晶体管t7、第八晶体管t8以及第九晶体管t9。
117.第一晶体管t1可以电连接在第一电源电压线elvdd与发光二极管ld的阳极电极之间，并且第一晶体管t1的栅极电极可以连接到存储电容器cst的第一电极。第一晶体管t1可以向发光二极管ld提供与数据线data所提供的数据信号相对应的驱动电流。换句话说，第一晶体管t1可以是驱动晶体管。
118.第二晶体管t2可以连接在数据线data与存储电容器cst的第二电极之间，并且可以响应于扫描线gw所提供的扫描信号将数据信号传输到存储电容器cst。换句话说，第二晶
体管t2可以是开关晶体管。
119.第三晶体管t3可以连接在第一晶体管t1的栅极电极与第一晶体管t1的第二电极之间，并且可以响应于补偿控制线gc所提供的补偿控制信号二极管式地连接第一晶体管t1以补偿第一晶体管t1的阈值电压。换句话说，第三晶体管t3可以是补偿晶体管。
120.存储电容器cst可以连接在第一晶体管t1的栅极电极与第二晶体管t2的第二电极之间。存储电容器cst可以保持第一晶体管t1的栅极电极与第二晶体管t2的第二电极之间的电压。
121.第四晶体管t4可以连接在初始化电压线vint与存储电容器cst的第一电极之间，并且可以响应于第一初始化控制线gi所提供的第一初始化控制信号向第一晶体管t1的栅极电极提供由初始化电压线vint提供的初始化电压。换句话说，第四晶体管t4可以是驱动初始化晶体管。
122.第五晶体管t5可以连接在参考电压线vref与存储电容器cst的第二电极之间，并且可以响应于补偿控制线gc所提供的补偿控制信号向存储电容器cst的第二电极提供由参考电压线vref所提供的参考电压。换句话说，第五晶体管t5可以是参考晶体管。
123.第九晶体管t9可以连接在第一电源电压线elvdd与第一晶体管t1的第一电极之间，并且第六晶体管t6可以连接在第一晶体管t1的第二电极与发光二极管ld的阳极电极之间。第九晶体管t9和第六晶体管t6可以响应于由第一发射控制线em1所提供的第一发射控制信号和由第二发射控制线em2所提供的第二发射控制信号分别向发光二极管ld的阳极电极提供驱动电流。换句话说，第九晶体管t9和第六晶体管t6中的每一个可以是发射控制晶体管。在实施例中，第一发射控制信号和第二发射控制信号可以具有彼此相同的信号波形或基本上相同的信号波形，并且可以具有彼此不同的信号时序。
124.第七晶体管t7可以连接在初始化电压线vint与发光二极管ld的阳极电极之间，并且可以响应于由第二初始化控制线gb1所提供的第二初始化控制信号向发光二极管ld的阳极电极提供初始化电压。换句话说，第七晶体管t7可以是二极管初始化晶体管。
125.第八晶体管t8可以连接在偏置电压线vbias与第一晶体管t1的第一电极之间，并且可以响应于由第三初始化控制线gb2所提供的第三初始化控制信号向第一晶体管t1的第一电极提供由偏置电压线vbias所提供的偏置电压。在实施例中，第三初始化控制信号可以与第二初始化控制信号相同。
126.在实施例中，晶体管t1、t2、t3、t4、t5、t6、t7、t8和t9中的每一个的第一电极和第二电极可以分别是源极电极和漏极电极。然而，本发明不局限于此，并且晶体管t1、t2、t3、t4、t5、t6、t7、t8和t9中的每一个的第一电极和第二电极可以分别是漏极电极和源极电极。
127.保持电容器chd可以连接在第一电源电压线elvdd与存储电容器cst的第二电极之间。保持电容器chd可以保持第一电源电压线elvdd与存储电容器cst的第二电极之间的电压。
128.发光二极管ld可以连接在第六晶体管t6的第二电极与第二电源电压线elvss之间。发光二极管ld可以基于驱动电流发射光。
129.在所示实施例中，提供用于控制第二晶体管t2的扫描信号的扫描线gw和提供用于控制第三晶体管t3的补偿控制信号的补偿控制线gc可以分离，从而可以充分保证在高频模式下由第三晶体管t3对第一晶体管t1的阈值电压进行补偿的时间。因此，像素px可以被驱
动为包括低频模式和高频模式的可变频率模式。
130.图15是示出图14中的像素px的平面图。图16是示出沿着图15中的线ii-ii'所截取的显示装置1000的截面图。
131.参考图14、图15和图16，显示装置1000可以包括基底100、缓冲层101、有源图案110、栅极绝缘层102、第一导电图案、第一层间绝缘层103、第二导电图案、第二层间绝缘层104、第三导电图案145、第一平坦化层105、第四导电图案190、第二平坦化层107、第一电极150、像素限定层106、发射层160、第二电极170以及封装层180。将不重复参考图14、图15和图16所描述的对显示装置1000的元件的描述，所述描述与参考图2、图3和图4所描述的对显示装置1000的描述相同或基本上相同。
132.在实施例中，有源图案110的第一区域111可以是第四晶体管t4的漏极电极，并且有源图案110的第二区域112可以是第五晶体管t5的漏极电极。然而，本发明不局限于此，并且在另一实施例中，有源图案110的第一区域111可以是第四晶体管t4的源极电极，并且有源图案110的第二区域112可以是第五晶体管t5的源极电极。
133.第一导电图案可以包括第一栅极电极至第九栅极电极以及第一保持电极。有源图案110可以与第一栅极电极至第九栅极电极一起形成第一晶体管至第九晶体管t1、t2、t3、t4、t5、t6、t7、t8和t9。
134.第二导电图案可以包括存储电极和第二保持电极。存储电极可以与第一栅极电极重叠，并且可以与第一栅极电极一起形成存储电容器cst。在实施例中，例如，第一栅极电极和存储电极可以分别是存储电容器cst的第一电极和第二电极。第二保持电极可以与第一保持电极重叠，并且可以与第一保持电极一起形成保持电容器chd。
135.第三导电图案145可以包括扫描线gw、补偿控制线gc、第一初始化控制线gi、初始化电压线vint、水平参考电压线vref1、第一发射控制线em1、第二发射控制线em2、第二初始化控制线gb1、第三初始化控制线gb2以及偏置电压线vbias。
136.扫描线gw可以在第一方向dr1上延伸。扫描线gw可以通过限定在第二层间绝缘层104和第一层间绝缘层103中的接触孔电连接到第二栅极电极。
137.补偿控制线gc可以在第一方向dr1上延伸。补偿控制线gc可以通过限定在第二层间绝缘层104和第一层间绝缘层103中的接触孔电连接到第三栅极电极和第五栅极电极。
138.第一初始化控制线gi可以在第一方向dr1上延伸。第一初始化控制线gi可以通过限定在第二层间绝缘层104和第一层间绝缘层103中的接触孔电连接到第四栅极电极。
139.初始化电压线vint可以在第一方向dr1上延伸。初始化电压线vint可以通过限定在第二层间绝缘层104、第一层间绝缘层103以及栅极绝缘层102中的接触孔电连接到有源图案110。
140.水平参考电压线vref1可以在第一方向dr1上延伸。水平参考电压线vref1可以通过限定在第二层间绝缘层104、第一层间绝缘层103以及栅极绝缘层102中的接触孔电连接到有源图案110。
141.第一发射控制线em1可以在第一方向dr1上延伸。第一发射控制线em1可以通过限定在第二层间绝缘层104和第一层间绝缘层103中的接触孔电连接到第九栅极电极。
142.第二发射控制线em2可以在第一方向dr1上延伸。第二发射控制线em2可以通过限定在第二层间绝缘层104和第一层间绝缘层103中的接触孔电连接到第六栅极电极。
143.第二初始化控制线gb1可以在第一方向dr1上延伸。第二初始化控制线gb1可以通过限定在第二层间绝缘层104和第一层间绝缘层103中的接触孔电连接到第七栅极电极。
144.第三初始化控制线gb2可以在第一方向dr1上延伸。第三初始化控制线gb2可以通过限定在第二层间绝缘层104和第一层间绝缘层103中的接触孔电连接到第八栅极电极。
145.偏置电压线vbias可以在第一方向dr1上延伸。偏置电压线vbias可以通过限定在第二层间绝缘层104、第一层间绝缘层103以及栅极绝缘层102中的接触孔电连接到有源图案110。
146.第三导电图案145可以分别通过第一接触孔cnt1和第二接触孔cnt2接触第一区域111和第二区域112。在这种情况下，有源图案110的第一区域111和第二区域112中的每一个可以电连接到显示装置1000的其它元件。在实施例中，有源图案110的第一区域111可以电连接到初始化电压线vint，并且有源图案110的第二区域112可以电连接到水平参考电压线vref1。
147.第四导电图案190可以设置在第一平坦化层105上。第四导电图案190可以包括数据线data、第一电源电压线elvdd以及竖直参考电压线vref2。在实施例中，第四导电图案190可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料等。
148.数据线data可以在第二方向dr2上延伸。数据线data可以通过限定在第一平坦化层105、第二层间绝缘层104、第一层间绝缘层103以及栅极绝缘层102中的接触孔电连接到有源图案110。
149.第一电源电压线elvdd可以在第二方向dr2上延伸。第一电源电压线elvdd可以通过限定在第一平坦化层105中的接触孔电连接到第三导电图案145。
150.竖直参考电压线vref2可以在第二方向dr2上延伸。竖直参考电压线vref2可以通过限定在第一平坦化层105中的接触孔电连接到水平参考电压线vref1。水平参考电压线vref1和竖直参考电压线vref2可以形成参考电压线vref。
151.第二平坦化层107可以设置在第四导电图案190与第一电极150之间。第二平坦化层107可以充分覆盖第一平坦化层105上的第四导电图案190，并且可以具有平坦的上表面或基本上平坦的上表面而不在第四导电图案190周围产生台阶。在实施例中，第二平坦化层107可以包括诸如光致抗蚀剂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂或硅氧烷类树脂等的有机绝缘材料或者由诸如光致抗蚀剂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂或硅氧烷类树脂等的有机绝缘材料组成。
152.在所示的实施例中，参考图15，有源图案110的第一区域111可以是第四晶体管t4的漏极电极，并且有源图案110的第二区域112可以是第五晶体管t5的漏极电极。然而，本发明不局限于此。在另一实施例中，有源图案110的第一区域111可以是第一晶体管t1的漏极电极，并且有源图案110的第二区域112可以是第二晶体管t2的漏极电极。
153.实施例中的显示装置可以应用于被包含在计算机、笔记本计算机、移动电话、智能电话、智能平板计算机、便携式媒体播放器(“pmp”)、个人数字助理(“pda”)或mp3播放器等中的显示装置。
154.尽管已经参考附图描述了实施例中的显示装置及制造显示装置的方法，但是所示实施例是示例，并且可以在不脱离本发明的技术精神的情况下由具有相关技术领域中的普通知识的人员做出修改和变化。