量子点发光器件及其制备方法、显示基板、显示装置与流程

1.本技术涉及显示技术领域，尤其涉及量子点发光器件及其制备方法、显示基板、显示装置。


背景技术：

2.量子点具有发射光谱窄，颜色可调节范围宽、色域广，荧光寿命长的优点，有望成为下一代主流显示技术。
3.现有技术中，在量子点器件的制备过程中，形成量子点层之后需要沉积电子传输层或空穴传输层，然而沉积电子传输层或空穴传输层的过程会产生大量缺陷，导致载流子注入不平衡，引起量子点荧光淬灭从而使器件效率、寿命降低。


技术实现要素：

4.本技术实施例提供了量子点发光器件及其制备方法、显示基板、显示装置，用以提高量子点发光器件的发光效率和寿命。
5.本技术实施例提供的一种量子点发光器件，量子点发光器件包括：衬底，在衬底一侧堆叠设置的第一电极、量子点发光功能层、第二电极；
6.量子点发光功能层包括：量子点层，对量子点层靠近第二电极一侧的表面进行离子交换获得的第一传输层。
7.在一些实施例中，量子点层包括壳核量子点；
8.第一传输层为对壳核量子点的壳层进行离子交换获得的壳层。
9.在一些实施例中，第一电极为阳极，第二电极为阴极，第一传输层包括电子传输层；
10.电子传输层包括：对壳核量子点的壳层进行阴离子交换获得的第一壳层。
11.在一些实施例中，壳核量子点的壳层的材料包括锌化合物；
12.第一壳层的材料包括氧化锌。
13.在一些实施例中，第一电极为阴极，第二电极为阳极，第一传输层包括空穴传输层；
14.空穴传输层包括：对壳核量子点的壳层先进行阴离子交换再进行阳离子交换获得的第二壳层。
15.在一些实施例中，壳核量子点的壳层的材料包括锌化合物；
16.第二壳层的材料包括氧化镍或氧化钨。
17.本技术实施例提供的一种量子点发光器件的制备方法，包括：
18.在衬底一侧形成第一电极；
19.在第一电极背离衬底一侧形成量子点层；
20.对量子点层的表面进行离子交换工艺形成第一传输层；
21.在第一传输层背离量子点层的一侧形成第二电极层。
22.在一些实施例中，在第一电极背离衬底一侧形成量子点层，具体包括：
23.在第一电极背离衬底一侧涂覆包括壳核量子点的量子点层；
24.对量子点层的表面进行离子交换工艺形成第一传输层，具体包括：
25.在量子点层的表面涂覆离子交换溶液，并进行退火处理，以使量子点层背离第一电极一侧的表面的壳层发生离子交换反应形成第一传输层；
26.在第一传输层表面涂覆清洗液去除离子交换反应形成的其余产物。
27.在一些实施例中，第一电极为阳极，第二电极为阴极；在量子点层的表面涂覆离子交换溶液，并进行退火处理，形成第一传输层，具体包括：
28.在量子点层的表面涂覆阴离子交换溶液，进行退火处理，以使量子点层背离第一电极一侧的表面的壳层发生阴离子交换反应形成电子传输层。
29.在一些实施例中，壳核量子点的壳的材料包括锌化合物，在量子点层的表面涂覆阴离子交换溶液，进行退火处理，以使量子点层背离第一电极一侧的表面的壳层发生阴离子交换反应形成电子传输层，具体包括：
30.在量子点层的表面旋涂第一预设浓度的氢氧化钠溶液，并在第一预设温度下进行持续第一预设时长的退火处理，形成氧化锌壳层作为电子传输层。
31.在一些实施例中，第一电极为阴极，第二电极为阳极；在量子点层的表面涂覆离子交换溶液，并进行退火处理，形成第一传输层，具体包括：
32.在量子点层的表面涂覆阴离子交换溶液，进行退火处理，以使量子点层背离第一电极一侧的表面的壳层发生阴离子交换反应形成第一壳层；
33.在第一壳层表面涂覆清洗液去除阴离子交换反应形成的其余产物；
34.在第一壳层的表面涂覆阳离子交换溶液，进行退火处理，以使第一壳层发生阳离子交换反应形成空穴传输层。
35.在一些实施例中，壳核量子点的壳的材料包括锌化合物；在量子点层的表面涂覆阴离子交换溶液，进行退火处理，以使量子点层背离第一电极一侧的表面的壳层发生阴离子交换反应形成第一壳层，具体包括：
36.在量子点层的表面旋涂第一预设浓度的氢氧化钠溶液，并在第一预设温度下进行持续第一预设时长的退火处理，形成氧化锌壳层；
37.在所述氧化锌壳层表面涂覆清洗液去除离子交换反应形成的其余产物；
38.在第一壳层的表面涂覆阳离子交换溶液，进行退火处理，以使第一壳层发生阳离子交换反应形成空穴传输层，具体包括：
39.在氧化锌壳层的表面旋涂第二预设浓度的硝酸镍溶液或硝酸钨溶液，并在第二预设温度下进行持续第二预设时长的退火处理，以使氧化锌壳层发生阳离子交换反应形成氧化镍壳层或氧化钨壳层作为空穴传输层。
40.本技术实施例提供的一种显示基板，包括多个本技术实施例提供的量子点发光器件。
41.本技术实施例提供的一种显示装置，包括本技术实施例提供的显示基板。
42.本技术实施例提供的量子点发光器件及其制备方法、显示基板、显示装置，在量子点层靠近第二电极一侧的表面进行离子交换获得第一传输层，从而无需在量子点层的表面进行沉积工艺形成第一传输层，可以避免在量子点层上沉积工艺形成第一传输层的缺陷导
致的量子点荧光淬灭，从而提高量子点发光器件的效率。并且，在量子点层的表面进行离子交换，相当于在量子点层发生原位离子交换，可以保证形成的第一传输层与量子点之间结合紧密，促进载流子注入，平衡载流子注入，进一步提高量子点发光器件的效率和寿命。
附图说明
43.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
44.图1为本技术实施例提供的一种量子点发光器件的结构示意图；
45.图2为本技术实施例提供的另一种量子点发光器件的结构示意图；
46.图3为本技术实施例提供的又一种量子点发光器件的结构示意图；
47.图4为本技术实施例提供的又一种量子点发光器件的结构示意图；
48.图5为本技术实施例提供的一种量子点发光器件的制备方法的流程示意图；
49.图6为本技术实施例提供的壳核量子点发生阴离子交换反应形成电子传输层的示意图；
50.图7为本技术实施例提供的壳核量子点先发生阴离子交换反应再发生阳离子交换反应形成空穴传输层的示意图。
具体实施方式
51.为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例的附图，对本技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。并且在不冲突的情况下，本技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于所描述的本技术的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
52.除非另外定义，本技术使用的技术术语或者科学术语应当为本技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本技术中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。
53.需要注意的是，附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本技术内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。
54.本技术实施例提供了一种量子点发光器件，如图1所示，量子点发光器件包括：衬底1，在衬底1一侧堆叠设置的第一电极2、量子点发光功能层3、第二电极4；
55.量子点发光功能层3包括：量子点层5，对量子点层5靠近第二电极4一侧的表面进行离子交换获得的第一传输层6。
56.需要说明的是，离子交换原理是一种离子对于另一种离子晶格位置的取代，通常
分为阳离子交换和阴离子交换。阳离子交换即利用阳离子对晶格中阳离子位点进行交换，阴离子交换则是利用阴离子对晶格中阴离子进行交换。离子交换过程是一个温和可控的过程，在量子点层靠近第二电极一侧的表面进行离子交换之后能够得到清晰且无缺陷的交换界面。
57.本技术实施例提供的量子点发光器件，在量子点层靠近第二电极一侧的表面进行离子交换获得第一传输层，从而无需在量子点层的表面进行沉积工艺形成第一传输层，可以避免在量子点层上沉积工艺形成第一传输层的缺陷导致的量子点荧光淬灭，从而提高量子点发光器件的效率。并且，在量子点层的表面进行离子交换，相当于在量子点层发生原位离子交换，可以保证形成的第一传输层与量子点之间结合紧密，促进载流子注入，平衡载流子注入，进一步提高量子点发光器件的效率和寿命。
58.在一些实施例中，如图1所示，量子点层5包括壳核量子点7；壳核量子点7包括：壳层8和核层9；
59.第一传输层6为对壳核量子点的壳层8进行离子交换获得的壳层。
60.在一些实施例中，第一传输层在垂直于衬底基板方向的高度大于等于1纳米且小于等于10纳米。
61.在一些实施例中，壳核量子点的壳的材料包括锌化合物。在具体实施时，锌化合物例如可以是硫化锌(zns)。
62.在一些实施例中，壳核量子点的核的材料包括下列之一：硫化镉(cds)、(cdse)、磷化铟(inp)、硫化铅(pbs)、氯化铅铯(cspbcl3)、溴化铅铯(cspbbr3)、碘化铅铯(cspbi3)。
63.在一些实施例中，如图2所示，第一电极2为阳极10，第二电极4为阴极11，第一传输层6包括电子传输层12；
64.电子传输层12包括：对壳核量子点7的壳层8进行阴离子交换获得的第一壳层13。
65.本技术实施例提供的量子点发光器件，在量子点层靠近第二电极一侧的表面进行阴离子交换获得电子传输层，从而无需在量子点层的表面沉积电子传输层，可以避免缺陷导致的量子点荧光淬灭，从而提高量子点发光器件的效率。并且，在量子点层的表面发生原位离子交换形成电子传输层，可以保证形成的电子传输层与量子点之间结合紧密，促进电子注入，并平衡电子注入，进一步提高量子点发光器件的效率和寿命。
66.在一些实施例中，当壳核量子点的壳层的材料包括锌化合物时，第一壳层的材料包括氧化锌(zno)。
67.在具体实施时，以壳核量子点的壳层为zns为例，即需要通过离子交换反应将zns中的s交换为氧(o)。可以利用氢氧化钠溶液作为离子交换溶液涂覆在壳核量子点层表面，阴离子交换反应方程式为：zns 2naoh
→
zno na2s h2o。由于zn是活泼金属，且zns的键解离能要小于zno的键解离能，因此zno比zns更稳定，zno产物能够稳定存在。
68.在一些实施例中，当第一电极为阳极、第二电极为阴极时，阳极为透明电极，透明电极的材料例如包括氧化铟锡(ito)；阴极的材料例如包括：铝(al)、镁银合金(mgag)等。
69.在一些实施例中，当第二电极的材料包括镁银合金时，如图3所示，量子点发光器件还包括：在第二电极4背离衬底1一侧的封盖层(capping layer，cpl)17。
70.在具体实施时，cpl通常包括高折射率材料，在第二电极背离衬底一侧设置封盖层，从而可以增强第二电极的光取出效率，进一步提高器件的效率和寿命。
71.在一些实施例中，如图2、图3所示，量子点发光器件还包括：位于衬底1和阳极10之间的空穴注入层16，位于空穴注入层16和阳极10之间的空穴传输层14。
72.在一些实施例中，如图4所示，第一电极2为阴极11，第二电极4为阳极10，第一传输层6包括空穴传输层14；
73.空穴传输层14包括：对壳核量子点7的壳层8先进行阴离子交换再进行阳离子交换获得的第二壳层15。
74.本技术实施例提供的量子点发光器件，在量子点层靠近第二电极一侧的表面进行阳离子交换获得空穴传输层，从而无需在量子点层的表面沉积空穴传输层，可以避免缺陷导致的量子点荧光淬灭，从而提高量子点发光器件的效率。并且，在量子点层的表面发生原位离子交换形成空穴传输层，可以保证形成的空穴传输层与量子点之间结合紧密，促进空穴注入，并平衡空穴注入，进一步提高量子点发光器件的效率和寿命。
75.在一些实施例中，当壳核量子点的壳层的材料包括锌化合物时，第二壳层的材料包括氧化镍(nio)或氧化钨(wo3)。
76.在具体实施时，以壳核量子点的壳层为zns为例，即需要通过阴离子交换反应将zns中的s交换为氧(o)获得zno、再通过阳离子交换反应将zno中的zn交换为镍(ni)或钨(w)。在具体实施时，阴离子交换过程，可以利用氢氧化钠溶液作为离子交换溶液涂覆在壳核量子点层表面，阴离子交换反应方程式为：zns 2naoh
→
zno na2s h2o。当需要获得nio作为空穴传输层时，阴离子交换反应之后在zno壳层表面涂覆硝酸镍(ni(no3)2)溶液，阳离子交换反应方程式为：zno 2ni(no3)2→
zn(no3)2 nio。当需要获得wo3作为空穴传输层时，阴离子交换反应之后在zno壳层表面涂覆硝酸钨(ni(no3)2)溶液，阳离子交换反应方程式为：3zno 2w(no3)3→
3zn(no3)2 2wo3。
77.在一些实施例中，当第一电极为阴极、第二电极为阳极时，阴极为透明电极，透明电极的材料例如包括氧化铟锡(ito)；阳极的材料例如包括：铝(al)、镁银合金(mgag)等。
78.在一些实施例中，当阳极的材料包括镁银合金时，如图5所示，量子点发光器件还可以包括：在第二电极4背离衬底1一侧的cpl 17。
79.在具体实施时，cpl通常包括高折射率材料，在第二电极背离衬底一侧设置封盖层，从而可以增强第二电极的光取出效率，进一步提高器件的效率和寿命。
80.在一些实施例中，如图4、图5所示，量子点发光器件还包括：位于阴极11和衬底1之间的电子传输层12，位于空穴传输层14和阳极之间的空穴注入层16。
81.在一些实施例中，衬底例如为透明衬底。透明衬底的材料例如包括玻璃或聚酰亚胺等。
82.在一些实施例中，空穴注入层的材料例如包括聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)-聚(苯乙烯磺酸盐)(pedot：pass)。
83.基于同一发明构思，本技术实施例还提供了一种量子点发光器件的制备方法，如图6所示，包括：
84.s101、在衬底一侧形成第一电极；
85.s102、在第一电极背离衬底一侧形成量子点层；
86.s103、对量子点层的表面进行离子交换工艺形成第一传输层；
87.s104、在第一传输层背离量子点层的一侧形成第二电极层。
88.本技术实施例提供的量子点发光器件的制备方法，在量子点层的表面进行离子交换工艺获得第一传输层，从而无需在量子点层的表面进行沉积工艺形成第一传输层，可以避免在量子点层上沉积工艺形成第一传输层的缺陷导致的量子点荧光淬灭，从而提高量子点发光器件的效率。并且，在量子点层的表面进行离子交换，相当于在量子点层发生原位离子交换，可以保证形成的第一传输层与量子点之间结合紧密，促进载流子注入，平衡载流子注入，进一步提高量子点发光器件的效率和寿命。
89.在一些实施例中，步骤s102在第一电极背离衬底一侧形成量子点层，具体包括：
90.在第一电极背离衬底一侧涂覆包括壳核量子点的量子点层；
91.步骤s103对量子点层的表面进行离子交换工艺形成第一传输层，具体包括：
92.在量子点层的表面涂覆离子交换溶液，并进行退火处理，以使量子点层背离第一电极一侧的表面的壳层发生离子交换反应形成第一传输层；
93.在第一传输层表面涂覆清洗液去除离子交换反应形成的其余产物。
94.需要说明的是，量子点与离子交换溶液发生离子交换反应除了生成第一传输层，还会形成其他产物，本技术实施例提供的量子点发光器件的制备方法，在离子交换反应形成第一传输层之后再通过清洗液去除其余产物，避免离子交换反应的其余产物影响载流子传输。
95.在一些实施例中，在形成第二电极之前，还包括：对离子交换反应完成的膜层进行x射线衍射(x-ray diffraction，xrd)表征。这样可以通过xrd表征结果判断是否存在量子点壳层材料和第一传输层材料两相，若存在则表明离子交换反应完成；若不存第一传输层材料可再次进行离子交换溶液涂覆、退火的步骤，继续进行离子交换反应。
96.接下来以第一电极为阳极、第二电极为阴极为例，对本技术实施例提供的量子点发光器件的制备方法进行举例说明。
97.在一些实施例中，在量子点层的表面涂覆离子交换溶液，并进行退火处理，形成第一传输层，具体包括：
98.在量子点层的表面涂覆阴离子交换溶液，进行退火处理，以使量子点层背离第一电极一侧的表面的壳层发生阴离子交换反应形成电子传输层。
99.在一些实施例中，壳核量子点的壳的材料包括锌化合物，在量子点层的表面涂覆阴离子交换溶液，进行退火处理，以使量子点层背离第一电极一侧的表面的壳层发生阴离子交换反应形成电子传输层，具体包括：
100.在量子点层的表面旋涂第一预设浓度的氢氧化钠溶液，并在第一预设温度下进行持续第一预设时长的退火处理，形成氧化锌壳层作为电子传输层。
101.在具体实施时，壳核量子点发生阴离子交换反应形成电子传输层的示意图如图6所示；以壳核量子点的壳层为zns为例，离子交换反应方程式为zns 2naoh
→
zno na2s h2o；第一预设浓度例如可以是5毫克/毫升(mg/ml)，第一预设温度例如可以是100摄氏度(℃)，第一预设时长例如可以是10分钟(min)；即在量子点层的表面旋涂浓度为5mg/ml naoh溶液，再进行100℃退火处理10min，从而完成离子交换反应。
102.需要说明的是，第一传输层在垂直于衬底基板方向的高度与第一预设浓度、第一预设温度、以及第一预设时长有关，在具体实施时，第一预设浓度、第一预设温度、以及第一预设时长可以根据实际需要的第一传输层在垂直于衬底基板方向的高度进行设置。
103.在具体实施时，在形成第二电极之前，对离子交换反应完成的膜层进行xrd表征；如存在zns和zno两相，则表明离子交换反应完成；若不存在zno可再次进行氢氧化钠溶液涂覆、退火等步骤，继续进行离子交换反应。
104.在具体实施时，形成氧化锌壳层作为电子传输层之后，在第一传输层表面涂覆清洗液去除离子交换反应形成的其余产物，具体包括：
105.在第一传输层表面旋涂乙醇去除离子交换反应形成的其余产物。即通过乙醇去除离子交换反应生成的硫化钠(na2s)。
106.在一些实施例中，在第一电极背离衬底一侧形成量子点层之前，还包括：
107.在第一电极背离衬底一侧依次旋涂空穴注入层、空穴传输层。在第一电极背离衬底一侧形成量子点层即在空穴传输层背离空穴注入层一侧形成量子点层。
108.在一些实施例中，可以采用蒸镀工艺形成第一电极、第二电极。
109.在一些实施例中，在第一传输层背离量子点层的一侧形成第二电极层之后，还包括：
110.在第二电极层背离衬底一侧形成cpl。
111.接下来以第一电极为阴极、第二电极为阳极为例，对本技术实施例提供的量子点发光器件的制备方法进行举例说明。
112.在一些实施例中，在量子点层的表面涂覆离子交换溶液，并进行退火处理，形成第一传输层，具体包括：
113.在量子点层的表面涂覆阴离子交换溶液，进行退火处理，以使量子点层背离第一电极一侧的表面的壳层发生阴离子交换反应形成第一壳层；
114.在第一壳层表面涂覆清洗液去除阴离子交换反应形成的其余产物；
115.在第一壳层的表面涂覆阳离子交换溶液，进行退火处理，以使第一壳层发生阳离子交换反应形成空穴传输层。
116.在具体实施时，壳核量子点先发生阴离子交换反应再发生阳离子交换反应形成空穴传输层的示意图如图7所示。
117.在一些实施例中，壳核量子点的壳的材料包括锌化合物；在量子点层的表面涂覆阴离子交换溶液，进行退火处理，以使量子点层背离第一电极一侧的表面的壳层发生阴离子交换反应形成第一壳层，具体包括：
118.在量子点层的表面旋涂第一预设浓度的氢氧化钠溶液，并在第一预设温度下进行持续第一预设时长的退火处理，形成氧化锌壳层；
119.在所述氧化锌壳层表面涂覆清洗液去除离子交换反应形成的其余产物；
120.在第一壳层的表面涂覆阳离子交换溶液，进行退火处理，以使第一壳层发生阳离子交换反应形成空穴传输层，具体包括：
121.在氧化锌壳层的表面旋涂第二预设浓度的硝酸镍溶液，并在第二预设温度下进行持续第二预设时长的退火处理，以使氧化锌壳层发生阳离子交换反应形成氧化镍壳层作为空穴传输层。
122.在具体实施时，以壳核量子点的壳层为zns为例，即需要通过阴离子交换反应将zns中的s交换为氧(o)获得zno、再通过阳离子交换反应将zno中的zn交换为镍(ni)。在具体实施时，阴离子交换过程，可以利用氢氧化钠溶液作为离子交换溶液涂覆在壳核量子点层
表面，阴离子交换反应方程式为：zns 2naoh
→
zno na2s h2o。第一预设浓度例如可以是5毫克/毫升(mg/ml)，第一预设温度例如可以是100摄氏度(℃)，第一预设时长例如可以是10分钟(min)；即在量子点层的表面旋涂浓度为5mg/ml naoh溶液，再进行100℃退火处理10min，从而完成阴离子交换反应，形成第一壳层。阴离子交换反应之后在zno壳层表面涂覆硝酸镍(ni(no3)2)溶液，阳离子交换反应方程式为：zno 2ni(no3)2→
zn(no3)2 nio；第二预设浓度例如可以是5毫克/毫升(mg/ml)，第二预设温度例如可以是100摄氏度(℃)，第二预设时长例如可以是10分钟(min)；即在第一壳层的表面旋涂浓度为5mg/ml的ni(no3)2溶液，再进行100℃退火处理10min，从而完成阳离子交换反应。
123.在具体实施时，第一预设浓度、第一预设温度、第一预设时长、第二预设浓度、第二预设温度、以及第二预设时长可以根据实际需要的第一传输层在垂直于衬底基板方向的高度进行设置。
124.在具体实施时，在进行阳离子交换反应之前，对阴离子交换反应完成的膜层进行xrd表征；如存在zns和zno两相，则表明离子交换反应完成；若不存在zno可再次进行氢氧化钠溶液涂覆、退火等步骤，继续进行离子交换反应。在形成第二电极之前，对阳离子交换反应完成的膜层进行xrd表征；如存在zns和nio两相，则表明离子交换反应完成；若不存在nio可再次进行ni(no3)2溶液涂覆、退火等步骤，继续进行离子交换反应。
125.或者，在一些实施例中，壳核量子点的壳的材料包括锌化合物；在量子点层的表面涂覆阴离子交换溶液，进行退火处理，以使量子点层背离第一电极一侧的表面的壳层发生阴离子交换反应形成第一壳层，具体包括：
126.在量子点层的表面旋涂第一预设浓度的氢氧化钠溶液，并在第一预设温度下进行持续第一预设时长的退火处理，形成氧化锌壳层；
127.在所述氧化锌壳层表面涂覆清洗液去除离子交换反应形成的其余产物；
128.在第一壳层的表面涂覆阳离子交换溶液，进行退火处理，以使第一壳层发生阳离子交换反应形成空穴传输层，具体包括：
129.在氧化锌壳层的表面旋涂第二预设浓度的硝酸钨溶液，并在第二预设温度下进行持续第二预设时长的退火处理，以使氧化锌壳层发生阳离子交换反应形成氧化钨壳层作为空穴传输层。
130.在具体实施时，以壳核量子点的壳层为zns为例，即需要通过阴离子交换反应将zns中的s交换为氧(o)获得zno、再通过阳离子交换反应将zno中的zn交换为钨(w)。在具体实施时，阴离子交换过程，可以利用氢氧化钠溶液作为离子交换溶液涂覆在壳核量子点层表面，阴离子交换反应方程式为：zns 2naoh
→
zno na2s h2o。第一预设浓度例如可以是5毫克/毫升(mg/ml)，第一预设温度例如可以是100摄氏度(℃)，第一预设时长例如可以是10分钟(min)；即在量子点层的表面旋涂浓度为5mg/ml naoh溶液，再进行100℃退火处理10min，从而完成阴离子交换反应，形成第一壳层。阴离子交换反应之后在zno壳层表面涂覆硝酸钨(ni(no3)2)溶液，阳离子交换反应方程式为：3zno 2w(no3)3→
3zn(no3)2 2wo3。第二预设浓度例如可以是5毫克/毫升(mg/ml)，第二预设温度例如可以是100摄氏度(℃)，第二预设时长例如可以是10分钟(min)；即在第一壳层的表面旋涂浓度为5mg/ml的w(no3)3溶液，再进行100℃退火处理10min，从而完成阳离子交换反应。
131.在具体实施时，第一预设浓度、第一预设温度、第一预设时长、第二预设浓度、第二
预设温度、以及第二预设时长可以根据实际需要的第一传输层在垂直于衬底基板方向的高度进行设置。
132.在具体实施时，在进行阳离子交换反应之前，对阴离子交换反应完成的膜层进行xrd表征；如存在zns和zno两相，则表明离子交换反应完成；若不存在zno可再次进行氢氧化钠溶液涂覆、退火等步骤，继续进行离子交换反应。在形成第二电极之前，对阳离子交换反应完成的膜层进行xrd表征；如存在zns和wo3两相，则表明离子交换反应完成；若不存在wo3可再次进行w(no3)溶液涂覆、退火等步骤，继续进行离子交换反应。
133.在具体实施时，形成氧化锌壳层之后，在氧化锌壳层表面涂覆清洗液去除离子交换反应形成的其余产物，具体包括：在氧化锌壳层表面旋涂乙醇去除离子交换反应形成的其余产物。即通过乙醇去除离子交换反应生成的硫化钠(na2s)。形成nio或wo3之后，在空穴传输层表面涂覆清洗液去除离子交换反应形成的其余产物，具体包括：在空穴传输层表面旋涂乙醇去除离子交换反应形成的其余产物。即通过乙醇去除离子交换反应生成的硝酸锌(zn(no3)2)。
134.在一些实施例中，在第一电极背离衬底一侧形成量子点层之前，还包括：
135.在第一电极背离衬底一侧旋涂电子传输层。在第一电极背离衬底一侧形成量子点层即在电子传输层背离第一电极一侧形成量子点层。
136.在一些实施例中，可以采用蒸镀工艺形成第一电极、第二电极。
137.在一些实施例中，在第一传输层背离量子点层的一侧形成第二电极层之后，还包括：
138.在第二电极层背离衬底一侧形成cpl。
139.基于同一发明构思，本技术实施例还提供了一种显示基板，包括多个本技术实施例提供的量子点发光器件。
140.在一些实施例中，显示基板还包括：衬底基板，位于衬底基板之上的像素驱动电路层，位于驱动电路层背离衬底基板一侧的平坦化层。在具体实施时，平坦化层例如复用为量子点发光器件的衬底。
141.在一些实施例中，显示基板包括阵列排布的多个子像素；每一子像素包括至少一个量子点发光器件；像素驱动电路层例如包括与子像素一一对应的像素驱动单元，像素驱动单元例如包括多个薄膜晶体管以及存储电容；量子点发光器件的第一电极与像素驱动单元中的薄膜晶体管的源极或漏极电连接。
142.在具体实施时，多个量子点发光器件例如包括：红光量子点发光器件，蓝光量子点发光器件，以及绿光量子点发光器件。
143.或者，在一些实施例中，包括多个量子点发光器件的显示基板作为显示产品背光模组的发光基板。在具体实施时，多个量子点发光器件例如包括：红光量子点发光器件，蓝光量子点发光器件，以及绿光量子点发光器件。
144.基于同一发明构思，本技术实施例还提供了一种显示装置，包括本技术实施例提供的显示基板。
145.在具体实施时，当显示基板作为发光基板时，显示装置还包括位于显示基板出光侧的液晶显示面板。
146.本技术实施例提供的显示装置为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、
数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本技术的限制。该显示装置的实施可以参见上述显示基板、量子点发光器件的实施例，重复之处不再赘述。
147.综上所述，本技术实施例提供的量子点发光器件及其制备方法、显示基板、显示装置，在量子点层靠近第二电极一侧的表面进行离子交换获得第一传输层，从而无需在量子点层的表面进行沉积工艺形成第一传输层，可以避免在量子点层上沉积工艺形成第一传输层的缺陷导致的量子点荧光淬灭，从而提高量子点发光器件的效率。并且，在量子点层的表面进行离子交换，相当于在量子点层发生原位离子交换，可以保证形成的第一传输层与量子点之间结合紧密，促进载流子注入，平衡载流子注入，进一步提高量子点发光器件的效率和寿命。
148.尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
149.显然，本领域的技术人员可以对本技术进行各种改动和变型而不脱离本技术的精神和范围。这样，倘若本技术的这些修改和变型属于本技术权利要求及其等同技术的范围之内，则本技术也意图包含这些改动和变型在内。