显示装置及其制造方法与流程

1.本发明涉及一种显示装置及其制造方法。更详细地，涉及一种可靠性得到改善的显示装置以及所述显示装置的制造方法。


背景技术：

2.近来，随着技术的发展，正在生产小型化、轻量化的同时性能更显著的显示装置。直到现在，显示装置中现有阴极射线管电视(cathode ray tube；crt)在性能或价格方面具有很多优势而被广泛使用，然而，在小型化或便携性方面备受瞩目的是克服crt的缺点并具有小型化、轻量化以及低功耗等优点的显示装置。例如，等离子显示(plasma display)装置、液晶显示(liquid crystal display；lcd)装置以及有机发光显示(organic light emitting display；oled)装置等备受瞩目。
3.以往，为了密封配置在基底基板上的有机发光结构物，所述有机发光显示装置可以包括薄膜封装层(thin film encapsulation；tfe)。所述薄膜封装层具有无机层和有机层反复配置的结构，一直为了改善所述薄膜封装层的可靠性而努力。


技术实现要素：

4.本发明的一目的在于提供一种包括可靠性得到改善的薄膜封装层的显示装置。
5.本发明的另一目的在于提供一种用于改善薄膜封装层的可靠性的显示装置的制造方法。
6.然而，本发明的目的不限于上述的目的，在不脱离本发明的构思以及领域的范围内，可以进行各种扩展。
7.为了实现前述的本发明的一目的，可以是，根据本发明的一实施例的显示装置包括：发光结构物，配置于基板上；以及薄膜封装层，配置于所述发光结构物上，并包括含氮氧化硅的无机层以及有机层，所述无机层的至少一部分具有1.6mpa以上的应力扩大系数。
8.根据一实施例，可以是，所述无机层的折射率为1.8以下。
9.根据一实施例，可以是，所述无机层包括：第一无机层，配置于所述发光结构物与所述有机层之间，并包含氮氧化硅；以及第二无机层，配置于所述有机层上，并包含氮氧化硅。
10.根据一实施例，可以是，所述第一无机层的至少一部分具有1.6mpa以上的应力扩大系数。
11.根据一实施例，可以是，所述第二无机层的至少一部分具有1.6mpa以上的应力扩大系数。
12.根据一实施例，可以是，所述无机层包括：第一阻挡层，具有1.6mpa以上的应力扩大系数；以及第二阻挡层，具有小于1.6mpa的应力扩大系数。
13.根据一实施例，可以是，所述第一阻挡层配置于所述第二阻挡层上。
14.根据一实施例，可以是，所述第一阻挡层的折射率以及所述第二阻挡层的折射率
之差为小于0.05。
15.为了实现前述的本发明的一目的，可以是，根据本发明的一实施例的显示装置包括：发光结构物，配置于基板上，以及薄膜封装层，配置于所述发光结构物上，并包括含氮氧化硅的无机层以及有机层，所述无机层的至少一部分具有小于9.0
×
10
18
spins/cm3的自旋密度(spin density)。
16.根据一实施例，可以是，所述无机层包括：第一阻挡层，具有小于9.0
×
10
18
spins/cm3的自旋密度；以及第二阻挡层，配置于所述第一阻挡层下方，并具有9.0
×
10
18
spins/cm3以上的自旋密度。
17.根据一实施例，可以是，所述第一阻挡层配置于所述第二阻挡层上。
18.根据一实施例，可以是，所述第一阻挡层具有1.6mpa以上的应力扩大系数，所述第二阻挡层具有小于1.6mpa的应力扩大系数。
19.根据一实施例，可以是，所述第一阻挡层的折射率以及所述第二阻挡层的折射率为1.8以下，所述第一阻挡层的折射率以及所述第二阻挡层的折射率之差为小于0.05。
20.根据一实施例，可以是，所述第一阻挡层在500小时期间在85℃的温度以及85％的湿度下不被氧化。
21.为了实现前述的本发明的另一目的，可以是，根据本发明的一实施例的显示装置的制造方法包括：在基板上形成发光结构物的步骤；形成包括含氮氧化硅的无机层以及有机层的薄膜封装层以覆盖所述发光结构物的步骤；以及对所述无机层的至少一部分进行氢气(h2)等离子体处理的步骤。
22.根据一实施例，可以是，对所述无机层的至少一部分进行氢气等离子体处理的步骤使得所述无机层的悬空键(dangling bond)的数量减少。
23.根据一实施例，可以是，形成所述薄膜封装层的步骤包括：在所述发光结构物上形成含氮氧化硅的第一无机层的步骤；在所述第一无机层上形成所述有机层的步骤；以及在所述有机层上形成含氮氧化硅的第二无机层的步骤。
24.根据一实施例，可以是，对所述无机层的至少一部分进行氢气等离子体处理的步骤包括对所述第一无机层的至少一部分进行氢气等离子体处理的步骤。
25.根据一实施例，可以是，对所述无机层的至少一部分进行氢气等离子体处理的步骤包括对所述第二无机层的至少一部分进行氢气等离子体处理的步骤。
26.(发明效果)
27.通过对薄膜封装层的无机层的至少一部分进行氢气等离子体处理，所述无机层的悬空键可以减少。因此，可以是所述无机层的透射率没有太大的减少的同时，改善所述无机层的密封性以及机械强度。
28.然而，本发明的效果并不限定于前述的效果，在不脱离本发明的构思以及领域的范围内，可以进行各种扩展。
附图说明
29.图1是示出根据本发明的一实施例的显示装置的平面图。
30.图2是截取图1的显示装置的截面图。
31.图3是示出放大图2的薄膜封装层的一实施例的截面图。
32.图4是示出放大图2的薄膜封装层的另一实施例的截面图。
33.图5是示出放大图2的薄膜封装层的又另一实施例的截面图。
34.图6是示出根据本发明的一实施例的显示装置的制造方法的流程图。
35.图7是示出在基板上形成发光结构物的步骤之后的制造方法的一实施例的流程图。
36.图8是示出在基板上形成发光结构物的步骤之后的制造方法的另一实施例的流程图。
37.图9是示出在基板上形成发光结构物的步骤之后的制造方法的又另一实施例的流程图。
38.(附图标记说明)
39.160：薄膜封装层
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
161：第一无机层
40.162：有机层
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
163：第二无机层
41.161h、163h：第一阻挡层
ꢀꢀꢀ
161l、163l：第二阻挡层
具体实施方式
42.以下，将参照所附附图，更详细地说明本发明的实施例。针对附图中的相同的构成要件使用相同的附图标记，将省略对相同的构成要件的重复说明。
43.图1是示出根据本发明的一实施例的显示装置10的平面图。
44.参照图1，根据本发明的一实施例的显示装置10可以划分为显示区域da以及非显示区域nda。
45.在一实施例中，在显示区域da中可以配置多个像素。所述像素可以以矩阵形态排列在整个显示区域da中。然而，其为示例性的，所述像素可以在显示区域da中以各种形态排列。显示装置10可以通过所述像素在显示区域da中显示图像。显示装置10可以是有机发光显示装置。然而，其为示例性的，显示装置10可以是液晶显示装置、电泳显示装置、等离子体显示装置等。
46.在非显示区域nda中可以配置有驱动部(例如，栅极驱动部及/或数据驱动部)，并电连接有集成电路(ic)之类的各种电子元件或印刷电路基板等。非显示区域nda可以配置为在平面上包围显示区域da。
47.图2是截取图1的显示装置的截面图。图2可以示出显示装置10的显示区域da以及非显示区域nda。
48.参照图2，显示装置10可以包括基板100、缓冲层110，晶体管tr、栅极绝缘层120、层间绝缘层130、通孔绝缘层140、发光结构物150、像素界定膜pdl以及薄膜封装层160。晶体管tr以及发光结构物150可以配置于显示区域da中。晶体管tr可以包括有源层act、栅极电极gat、源极电极se以及漏极电极de。发光结构物150可以包括下电极层151、中间层152以及上电极层153。
49.在一实施例中，基板100可以包括玻璃基板、石英基板、塑料基板等。当基板100为塑料基板时，可以包含具有柔性(flexible)、可弯曲(bendable)或者可卷曲(rollable)特性的各种物质。例如，基板100可以包含聚醚砜(polyethersulfone；pes)、聚丙烯酸酯(polyacrylate；par)、聚醚酰亚胺(polyetherimide；pei)、聚萘二甲酸乙二醇酯
(polyethylenenaphthalate；pen)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethyleneterephthalate；pet)、聚苯硫醚(polyphenylenesulfide；pps)、聚芳酯(polyarylate；par)、聚酰亚胺(polyimide；pi)、聚碳酸酯(polycarbonate；pc)以及乙酸丙酸纤维素(cellulose acetate propionate；cap)中的至少一种高分子树脂。另外，基板100可以具有包括包含所述高分子树脂的两个层和包含配置于它们之间的无机物的阻挡层的多层结构。例如，所述阻挡层可以包含硅氧化物(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)以及氮氧化硅(sio
x
ny)中的至少一种。因此，基板100可以具有单层结构或多层结构。
50.缓冲层110可以配置于基板100上。缓冲层110可以防止金属原子或杂质从基板100向晶体管tr的有源层act扩散的现象。另外，缓冲层110通过在用于形成有源层act的结晶工艺期间调节热的提供速度来均匀地形成有源层act。
51.有源层act可以配置于缓冲层110上。在一实施例中，有源层act可以包括硅半导体。例如，所述硅半导体可以包含非晶硅、多晶硅等。在另一实施例中，有源层act可以包括氧化物半导体。例如，所述氧化物半导体可以包含锌、铟、镓、锡、钛、磷的氧化物中的一种或它们的组合。具体地，所述氧化物半导体可以包含氧化锌、锌-锡氧化物、锌-铟氧化物、铟氧化物、钛氧化物，铟-镓-锌氧化物以及铟-锌-锡氧化物中的一种以上。
52.栅极绝缘层120可以配置于有源层act上。栅极绝缘层120可以执行绝缘有源层act和栅极电极gat的作用。栅极绝缘层120可以包含绝缘物质。例如，栅极绝缘层120可以包含硅氧化物、氮化硅，氮氧化硅(sio
x
ny)、钛氧化物、钽氧化物等。
53.栅极电极gat可以配置于栅极绝缘层120上。在栅极电极gat中可以施加有向晶体管tr施加导通/截止信号的栅极信号。栅极电极gat可以包含金属、合金、导电金属氧化物、透明导电物质等。例如，栅极电极gat可以包含银、含银的合金、钼、含钼的合金、铝、含铝的合金、氮化铝、钨、氮化钨、铜、镍、铬、氮化铬、钛、钽、铂、钪、铟锡氧化物、铟锌氧化物等。
54.层间绝缘层130可以配置于栅极电极gat上。层间绝缘层130可以执行绝缘栅极电极gat和源极电极se以及漏极电极de的作用。层间绝缘层130可以包含绝缘物质。例如，层间绝缘层130可以包含硅氧化物、氮化硅、氮氧化硅(sio
x
ny)、钛氧化物、钽氧化物等。
55.源极电极se以及漏极电极de可以配置于层间绝缘层130上。源极电极se可以通过接受信号而向栅极电极gat传输信号，漏极电极de可以向下电极层151传输信号。源极电极se以及漏极电极de可以通过贯通层间绝缘层130以及栅极绝缘层120的接触孔与有源层act接触。
56.通孔绝缘层140可以配置于源极电极se以及漏极电极de上。通孔绝缘层140可以包含有机绝缘物质。例如，通孔绝缘层140可以包含光刻胶、聚丙烯类树脂、聚酰胺类树脂、丙烯类树脂等。通孔绝缘层140可以形成为具有实质上平坦的上面。
57.下电极层151可以配置于通孔绝缘层140上。下电极层151可以包含金属、合金、导电金属氧化物、透明导电物质等。下电极层151可以通过贯通通孔绝缘层140的接触孔与源极电极se或漏极电极de连接。在一实施例中，下电极层151可以用作阳极(anode)电极。在另一实施例中，下电极层151可以用作阴极(cathode)电极。
58.像素界定膜pdl可以配置于下电极层151上。像素界定膜pdl可以划分所述各像素的发光区域。像素界定膜pdl可以是包含有机物质的有机绝缘膜。例如，像素界定膜pdl可以包含聚丙烯类化合物、聚酰胺类化合物、聚四氟乙烯之类的氟碳化合物、苯并环丁烯化合物
等之类的有机绝缘物质。像素界定膜pdl可以包括暴露下电极层151的上面的开口。
59.中间层152可以配置于下电极层151上。中间层152可以以单层提供，但也可以以包含各种功能层的多层提供。例如，中间层152可以具有空穴注入层(hole injection layer)、空穴传输层(hole transport layer)、发光层(emission layer)、电子传输层(electron transport layer)以及电子注入层(electron injection layer)等以单一或者复合的结构叠层的结构。
60.上电极层153可以配置于中间层152上。上电极层153可以在中间层152上覆盖像素界定膜pdl。在一实施例中，上电极层153可以用作阴极电极。在另一实施例中，上电极层153可以用作阳极电极。
61.薄膜封装层160可以配置于上电极层153上。薄膜封装层160可以防止外部的水分以及氧气的渗透。薄膜封装层160可以包括无机层和有机层。所述无机层和所述有机层可以彼此交替叠层。在一实施例中，薄膜封装层160可以包括第一无机层161、配置于第一无机层161上的有机层162以及配置于有机层162上的第二无机层163，但不限于此。例如，薄膜封装层160可以包括第一无机层161、配置于第一无机层161上的第二无机层163。换句话说，有机层162可以省略。
62.另一方面，薄膜封装层160的所述无机层具有易碎(brittle)特性，可能导致基于压力的机械特性脆弱。尤其，在发光结构物150的制造过程中会存在无数颗粒，所述颗粒上的所述无机层受到很大的压力影响，因此所述无机层中可能发生裂纹。
63.换句话说，防止对于水分和氧气的渗透的密封性以及防止所述裂纹的机械强度可以是薄膜封装层160的重要的物性。附加的，由于薄膜封装层160配置于发光结构物150上，因此光的透射率也可以是重要的物性。因此，薄膜封装层160有必要改善密封性、机械强度以及透射率。
64.另一方面，缺陷密度(defect density)可以是判断密封性的指标。缺陷密度意指在薄膜封装层160的所述无机层中原子的缺陷程度。换句话说，缺陷密度是可以与在所述无机层中水分以及氧气渗透引起的所述无机层与水分以及氧气原子的结合程度相对应。例如，若所述无机层与水分以及氧气原子结合而发生缺陷，则显示装置10的显示质量降低而在画质上发生不良。因此，若缺陷密度低，则表示薄膜封装层160的可以渗透水分以及氧气的缺陷小，因此可能密封性高。另外，自旋密度(spin density)可以成为判断缺陷密度的标准。因此，自旋密度越低缺陷密度也越低，由此密封性可能高。
65.另外，应力扩大系数可以成为判断机械强度的标准。具体地，应力扩大系数可以与基于所述颗粒的压力引起发生所述裂纹所需的能量相对应。换句话说，应力扩大系数越大发生所述裂纹所需的能量越大，因此机械强度可能高。例如，在应力扩大系数大的情况下，不发生所述裂纹或者即使发生所述裂纹，所述裂纹的长度也可能小。
66.折射率(refractive index)可以成为判断透射率的标准。折射率越低，透射的光的折射越小，所述光的路径的变化小，因此透射率可能高。
67.另一方面，作为所述无机层的材料，氮化硅(sin
x
)的密封性以及机械强度比氮氧化硅(sio
x
ny)优异。例如，氮化硅的应力扩大系数可以是约1.68mpa，氮氧化硅(sio
x
ny)的应力扩大系数根据氮(n)含量可以是约1.31mpa至约1.43mpa。因此，氮化硅的机械强度可以高于氮氧化硅(sio
x
ny)的机械强度。另外，氮化硅的自旋密度可以是约2.99
×
10
18
spins/cm3，
氮氧化硅(sio
x
ny)的自旋密度根据氮含量可以是约9.8
×
10
18
spins/cm3至约1.06
×
10
19
spins/cm3。因此，氮化硅的缺陷密度低于氮氧化硅(sio
x
ny)的缺陷密度，从而氮化硅的密封性可以高于氮氧化硅(sio
x
ny)的密封性。
68.然而，氮化硅的透射率可以低于氮氧化硅(sio
x
ny)的透射率。例如，氮化硅的折射率可以大于约1.8，氮氧化硅(sio
x
ny)的折射率可以是约1.4以上且约1.8以下。因此，在作为薄膜封装层160的所述无机层使用氮氧化硅(sio
x
ny)的情况下，由于透射率高，从而能够改善显示装置10的显示质量。
69.因此，透射率也不容忽视，因此正在持续研究作为薄膜封装层160的所述无机层的材料使用什么样的无机物质。由此，本发明可以提供一种作为所述无机层的材料使用透射率高的氮氧化硅(sio
x
ny)的同时，也能够改善密封性以及机械强度的方案。
70.图3是示出放大图2的薄膜封装层的一实施例的截面图。
71.参照图3，薄膜封装层160可以包括第一无机层161、配置于第一无机层161上的有机层162以及配置于有机层162上的第二无机层163。然而，其为示例性的，薄膜封装层160可以包括第一无机层161以及配置于第一无机层161上的第二无机层163。换句话说，有机层162可以省略。第一无机层161以及第二无机层163可以包含氮氧化硅(sio
x
ny)。
72.第一无机层161可以包括第二阻挡层161l以及配置于第二阻挡层161l上的第一阻挡层161h。第一阻挡层161h可以通过在第一无机层161上进行使用氢气(h2)的等离子体处理而形成。由此，能够减少第一无机层161的悬空键(dangling bond)的数量。换句话说，通过存在于第一无机层161的表面的自由基或最外壳电子与氢气等离子体的氢气结合，能够形成第一阻挡层161h。即，第一阻挡层161h可以意指受使用氢气的等离子体的影响的第一无机层161的上部，第二阻挡层161l可以意指不受使用氢气的等离子体的影响的第一无机层161的下部。第一无机层161包括受使用氢气的等离子体的影响的第一阻挡层161h，从而如后述那样能够改善密封性以及机械强度。
73.第一无机层161的至少一部分可以具有约1.6mpa以上的应力扩大系数。换句话说，具有约1.6mpa以上的应力扩大系数的第一无机层161的至少一部分可以是第一阻挡层161h。例如，第一阻挡层161h的应力扩大系数可以是约1.68mpa。另外，第一无机层161的至少一部分可以具有小于约1.6mpa的应力扩大系数。换句话说，具有小于约1.6mpa的应力扩大系数的第一无机层161的至少一部分可以是第二阻挡层161l。
74.第一无机层161的至少一部分可以具有小于约9.0
×
10
18
spins/cm3的自旋密度(spin density)。换句话说，具有小于约9.0
×
10
18
spins/cm3的自旋密度的第一无机层161的至少一部分可以是第一阻挡层161h。例如，第一阻挡层161h的自旋密度可以是约8.56
×
10
18
spins/cm3。另外，第一无机层161的至少一部分可以具有约9.0
×
10
18
spins/cm3以上的自旋密度。换句话说，具有约9.0
×
10
18
spins/cm3以上的自旋密度的第一无机层161的至少一部分可以是第二阻挡层161l。
75.第一无机层161的折射率可以是约1.8以下。换句话说，第一阻挡层161h的折射率以及第二阻挡层161l的折射率可以是约1.8以下。更详细地，第一阻挡层161h的折射率与第二阻挡层161l的折射率之差可以是小于约0.05。例如，可以是，第二阻挡层161l的折射率为约1.64，第一阻挡层161h的折射率为约1.66。
76.即，可以是，第一无机层161的折射率没有太大的差异的同时，第一无机层161的应
力扩大系数大，自旋密度小。换句话说，第一无机层161即使包括了第一阻挡层161h，透射率也优异，同时由于第一无机层161包括了第一阻挡层161h，从而能够改善密封性以及机械强度。
77.图4是放大图2的薄膜封装层的另一实施例的截面图。
78.参照图4，薄膜封装层160可以包括第一无机层161、配置于第一无机层上的有机层162以及配置于有机层162上的第二无机层163。然而，其为示例性的，薄膜封装层160可以包括第一无机层161以及配置于第一无机层161上的第二无机层163。换句话说，有机层162可以省略。第一无机层161以及第二无机层163可以包含氮氧化硅(sio
x
ny)。
79.第二无机层163可以包括第二阻挡层163l以及配置于第二阻挡层163l上的第一阻挡层163h。第一阻挡层163h可以通过在第二无机层163上进行使用氢气的等离子体处理而形成。由此，能够减少第二无机层163的悬空键的数量。换句话说，通过存在于第二无机层163的表面的自由基或最外壳电子与氢气等离子体的氢气结合，能够形成第一阻挡层163h。即，第一阻挡层163h可以意指受使用氢气的等离子体的影响的第二无机层163的上部，第二阻挡层163l可以意指不受使用氢气的等离子体的影响的第二无机层163的下部。第二无机层163包括受使用氢气的等离子体的影响的第一阻挡层163h，从而如后述那样能够改善密封性以及机械强度。
80.第二无机层163的至少一部分可以具有约1.6mpa以上的应力扩大系数。换句话说，具有约1.6mpa以上的应力扩大系数的第二无机层163的至少一部分可以是第一阻挡层163h。例如，第一阻挡层163h的应力扩大系数可以是约1.68mpa。另外，第二无机层163的至少一部分可以具有小于约1.6mpa的应力扩大系数。换句话说，具有小于约1.6mpa的应力扩大系数的第二无机层163的至少一部分可以是第二阻挡层163l。
81.第二无机层163的至少一部分可以具有小于约9.0
×
10
18
spins/cm3的自旋密度。换句话说，具有小于约9.0
×
10
18
spins/cm3的自旋密度的第二无机层163的至少一部分可以是第一阻挡层163h。例如，第一阻挡层163h的自旋密度可以是约8.56
×
10
18
spins/cm3。另外，第二无机层163的至少一部分可以具有约9.0
×
10
18
spins/cm3以上的自旋密度。换句话说，具有约9.0
×
10
18
spins/cm3以上的自旋密度的第二无机层163的至少一部分可以是第二阻挡层163l。
82.第二无机层163的折射率可以是约1.8以下。换句话说，第一阻挡层163h的折射率以及第二阻挡层163l的折射率可以是约1.8以下。更详细地，第一阻挡层163h的折射率与第二阻挡层163l的折射率之差可以是小于约0.05。例如，可以是，第二阻挡层163l的折射率为约1.64，第一阻挡层163h的折射率为约1.66。
83.即，可以是，第二无机层163的折射率没有太大的差异的同时，第二无机层163的应力扩大系数大，自旋密度小。换句话说，第二无机层163即使包括了第一阻挡层163h，透射率也优异，同时由于第二无机层163包括了第一阻挡层163h，从而能够改善密封性以及机械强度。
84.图5是示出放大图2的薄膜封装层的又另一实施例的截面图。
85.参照图5，薄膜封装层160可以包括第一无机层161、配置于第一无机层上的有机层162以及配置于有机层162上的第二无机层163。然而，其为示例性的，薄膜封装层160可以包括第一无机层161以及配置于第一无机层161上的第二无机层163。换句话说，有机层162可
以省略。第一无机层161以及第二无机层163可以包含氮氧化硅(sio
x
ny)。
86.可以是，第一无机层161包括第二阻挡层161l以及配置于第二阻挡层161l上的第一阻挡层161h，第二无机层163包括第二阻挡层163l以及配置于第二阻挡层163l上的第一阻挡层163h。第一阻挡层161h、163h各自可以通过在第一无机层161以及第二无机层163上进行使用氢气的等离子体处理而形成。由此，能够减少第一无机层161以及第二无机层163各自的悬空键的数量。换句话说，通过存在于第一无机层161以及第二无机层163各自表面的自由基或最外壳电子与氢气等离子体的氢气结合，能够形成第一阻挡层161h、163h。即，第一阻挡层161h、163h各自可以意指受使用氢气的等离子体的影响的第一无机层161以及第二无机层163各自的上部，第二阻挡层161l、163l各自可以意指不受使用氢气的等离子体的影响的第一无机层161以及第二无机层163各自的下部。第一无机层161以及第二无机层163包括受使用氢气的等离子体的影响的第一阻挡层161h、163h，从而如后述那样能够改善密封性以及机械强度。
87.第一无机层161以及第二无机层163各自的至少一部分可以具有约1.6mpa以上的应力扩大系数。换句话说，具有约1.6mpa以上的应力扩大系数的第一无机层161以及第二无机层163各自的至少一部分可以是第一阻挡层161h、163h。例如，第一阻挡层161h、163h各自的应力扩大系数可以是约1.68mpa。另外，第一无机层161以及第二无机层163各自的至少一部分可以具有小于约1.6mpa的应力扩大系数。换句话说，具有小于约1.6mpa的应力扩大系数的第一无机层161以及第二无机层163的至少一部分可以是第二阻挡层161l、163l。
88.第一无机层161以及第二无机层163各自的至少一部分可以具有小于约9.0
×
10
18
spins/cm3的自旋密度。换句话说，具有小于约9.0
×
10
18
spins/cm3左右的自旋密度的第一无机层161以及第二无机层163各自的至少一部分可以是第一阻挡层161h、163h。例如，第一阻挡层161h、163h的自旋密度可以是约8.56
×
10
18
spins/cm3。另外，第一无机层161以及第二无机层163各自的至少一部分可以具有约9.0
×
10
18
spins/cm3以上的自旋密度。换句话说，具有约9.0
×
10
18
spins/cm3以上的自旋密度的第一无机层161以及第二无机层163各自的至少一部分可以是第二阻挡层161l、163l。
89.第一无机层161以及第二无机层163各自的折射率可以是约1.8以下。换句话说，第一阻挡层161h、163h的折射率以及第二阻挡层161l、163l的折射率可以是约1.8以下。更详细地，第一阻挡层161h、163h的折射率与第二阻挡层161l、163l的折射率之差可以是小于约0.05左右。例如，可以是，第二阻挡层161l,163l的折射率为约1.64，第一阻挡层161h、163h的折射率为约1.66。
90.即，可以是，第一无机层161以及第二无机层163各自的折射率没有太大的差异的同时，第一无机层161以及第二无机层163各自的应力扩大系数大，自旋密度小。换句话说，第一无机层161以及第二无机层163各自即使包括了第一阻挡层161h、163h，透射率优异的同时，由于第一无机层161以及第二无机层163各自包括了第一阻挡层161h、163h，从而能够改善密封性以及机械强度。
91.图6是示出根据本发明的一实施例的显示装置的制造方法的流程图。
92.参照图2以及图6，根据本发明的一实施例的显示装置的制造方法可以包括：在基板100上形成发光结构物150的步骤(s1000)；形成薄膜封装层160的步骤(s2000)；以及将无机层的至少一部分进行氢气(h2)等离子体处理的步骤(s3000)。
93.在基板100上形成发光结构物150的步骤(s1000)中，可以是，在基板100上形成缓冲层110、至少一个晶体管tr以及至少一个绝缘层之后，形成包括下电极层151(例如，阳极电极)、中间层152以及上电极层153(例如，阴极电极)的发光结构物150。
94.在形成薄膜封装层160的步骤(s2000)中，可以是，在发光结构物150上形成包括无机层以及有机层的薄膜封装层160。在一实施例中，形成薄膜封装层160的步骤(s2000)可以包括：在发光结构物150上形成第一无机层161的步骤；在第一无机层161上形成有机层162的步骤；以及在有机层162上形成第二无机层163的步骤。然而，其为示例性的，形成薄膜封装层160的步骤(s2000)可以包括在发光结构物150上形成第一无机层161的步骤以及在第一无机层161上形成第二无机层163的步骤。换句话说，形成有机层162的步骤可以省略。
95.在所述无机层的至少一部分进行氢气等离子体处理的步骤(s3000)中，可以是，在形成薄膜封装层160的所述无机层(例如，第一无机层161或第二无机层163)之后，在所述无机层上进行使用氢气的等离子体处理。由此，如前所述那样能够减少所述无机层的悬空键(dangling bond)的数量。换句话说，存在于所述无机层的表面的自由基或最外壳电子可以与氢气等离子体的氢气结合。
96.与进行氢气等离子体处理之前相比，随着所述无机层的悬空键减少，所述无机层的上部可以转变为第一阻挡层。可以是，由于所述第一阻挡层的悬空键减少，应力扩大系数增加，自旋密度减少。然而，与进行氢气等离子体处理之前相比，所述第一阻挡层的折射率可能极其稍微增加。换句话说，通过氢气等离子体处理使所述无机层的上部转变成所述第一阻挡层，密封性以及机械强度得到改善，且透射率依然优异。
97.更详细地，可以是，通过将所述无机层的上部进行氢气等离子体处理来减少所述无机层的悬空键，包括所述第一阻挡层的所述无机层具有约1.6mpa以上的应力扩大系数，具有小于约9.0
×
10
18
spins/cm3的自旋密度，具有约1.8以下的折射率。具体地，可以是，包括所述第一阻挡层的所述无机层具有约1.68mpa的应力扩大系数，具有约8.56
×
10
18
spins/cm3的自旋密度，具有约1.66的折射率。
98.换句话说，显示装置10的薄膜封装层160包括了包括所述第一阻挡层的所述无机层，从而可以是，在薄膜封装层160中通过相同大小的应力而不发生所述裂纹，或者即使发生所述裂纹，所述裂纹的长度短，显示装置10所显示的图像的画质成为不良的可能性可以减少，显示装置10的光透射率高而显示质量可以优异。
99.另外，当在500小时期间在85℃的温度以及85％的湿度下进行高温高湿可靠性评价(wet high temperature storage；whts)时，未经氢气等离子体处理步骤(s3000)的无机层被氧化，相反地，经过氢气等离子体处理步骤(s3000)的所述无机层可以不被氧化。可以是，利用分析设备xps(x射线光电子能谱分析，x-ray photoelectron spectroscopy)对未经氢气等离子体处理步骤(s3000)而被氧化的无机层的化学状态(chemical state)进行分析而确认。若对未经氢气等离子体处理步骤(s3000)的所述无机层进行高温高湿可靠性评价(whts)，则可以是，在氮氧化硅(sio
x
ny)中氧(o)的组成增加，氮(n)的组成减少。另外，在硅(si)的化学键状态(chemical state)下sio
x
ny的峰值可以转变为sio2的峰值，在氧(o)的化学键状态下sio2的峰值变高，在氮(n)的化学键状态下，由于包括no
x
、sin
x
以及n-h的峰值变低，通过下述反应式能够预测是否被氧化。
100.反应式：sio
x
ny h2o
→
sio
x
nh
x
(g) no
x
(g) n2(g) h2(g)。
101.然而，经过氢气等离子体处理步骤(s3000)的所述无机层即使在500小时期间在85℃的温度以及85％的湿度下进行高温高湿可靠性评价(whts)，si、o、n的组成也没有变化，因此能够预测没有被氧化。经过氢气等离子体处理步骤(s3000)的所述无机层即使在500小时期间在85℃的温度以及85％的湿度下进行高温高湿可靠性评价(whts)也不被氧化可以意指通过氢气等离子体处理而所述无机层的上部转变成所述第一阻挡层，从而密封性得到改善。
102.作为实验例，当在1000小时期间在85℃的温度以及85％的湿度下进行高温高湿可靠性评价(whts)时，包括未经氢气等离子体处理步骤(s3000)的所述无机层的显示面板在20个单元(cell)中17个单元发现画质不良而画质不良率为85％，相反地，包括经过氢气等离子体处理步骤(s3000)的所述无机层的显示面板在20个单元中只有3个单元发现画质不良而画质不良率仅为15％。因此，经过氢气等离子体处理步骤(s3000)的所述无机层的密封性能够得到改善。
103.图7是示出在基板上形成发光结构物的步骤之后的制造方法的一实施例的流程图。
104.参照图3以及图7，根据本发明的一实施例的显示装置10的制造方法在基板100上形成发光结构物150的步骤(s1000)之后，可以包括：形成第一无机层161的步骤(s2100)；对第一无机层161的至少一部分进行氢气等离子体处理的步骤(s3100)；形成有机层162的步骤(s2200)；以及形成第二无机层163的步骤(s2300)。由此，通过改变第一无机层161的上部，第一无机层161可以包括第一阻挡层161h以及第二阻挡层161l。
105.图8是在基板上形成发光结构物的步骤之后的制造方法的另一实施例的流程图。
106.参照图4以及图8，根据本发明的另一实施例的显示装置10的制造方法在基板100上形成发光结构物150的步骤(s1000)之后，可以包括：形成第一无机层161的步骤(s2100)；形成有机层162的步骤(s2200)；形成第二无机层163的步骤(s2300)；以及对第二无机层163的至少一部分进行氢气等离子体处理的步骤(s3200)。由此，通过改变第二无机层163的上部，第二无机层163可以包括第一阻挡层163h以及第二阻挡层163l。
107.图9是示出在基板上形成发光结构物的步骤之后的制造方法的又另一实施例的流程图。
108.参照图5以及图9，根据本发明的又另一实施例的显示装置10的制造方法在基板100上形成发光结构物150的步骤(s1000)之后，可以包括：形成第一无机层161的步骤(s2100)；对第一无机层161的至少一部分进行氢气等离子体处理的步骤(s3100)；形成有机层162的步骤(s2200)；形成第二无机层163的步骤(s2300)；以及对第二无机层163的至少一部分进行氢气等离子体处理的步骤(s3200)。由此，通过改变第一无机层161的上部，第一无机层161可以包括第一阻挡层161h以及第二阻挡层161l，通过改变第二无机层163的上部，第二无机层163也可以包括第一阻挡层163h以及第二阻挡层163l。
109.本发明的技术构思为通过对包含氮氧化硅(sio
x
ny)的无机物质进行氢气等离子体处理来减少所述无机物质的悬空键，由此，增加所述无机物质的应力扩大系数，获得优异的机械强度，通过降低所述无机物质的自旋密度而减少缺陷密度，从而获得优异的密封性的同时，所述无机物质的折射率没有太大的变化，从而透射率也没有太大变化。因此，对于本技术领域中具有通常知识的人来说显而易见的是，在缓冲层110、栅极绝缘层120、层间绝缘
层130之类的显示装置10中所包含的所述无机物质也可以通过氢气等离子体处理来改善密封性以及机械强度。
110.如上所述，参照本发明的示例性实施例进行了说明，但是在本技术领域中具有通常知识的人应能理解的是，在不脱离下面的权利要求范围中所记载的本发明的构思以及领域的范围内，可以将本发明进行各种修改以及变更。
111.(产业可利用性)
112.本发明可以适用于显示装置以及包括其的电子设备。例如，本发明可以适用于高分辨率智能电话、移动电话、智能平板、智能手表、平板计算机、车辆用导航系统、电视、计算机显示器、笔记本电脑等。
113.以上，参照本发明的示例性实施例进行了说明，但是在本技术领域中具有通常知识的人应能理解的是，在不脱离下面的权利要求范围中所记载的本发明的构思以及领域的范围内，可以将本发明进行各种修改以及变更。