硅基OLED微显示器及其制备方法与流程

硅基oled微显示器及其制备方法
技术领域
1.本发明属于微显示技术领域，具体地说，本发明涉及一种硅基oled微显示器及其制备方法。


背景技术：

2.micro oled(organic light emitting display)被称为下一代显示技术的黑马，现已广泛应用于机戴头盔、枪瞄、夜视仪等军用市场，并且随着ar/vr以及自动驾驶等新技术的应用，micro oled微显示器将迎来爆发式的增长。市场上现有的终端产品多为头戴式或穿戴式设备。在微显示制作流程中，利用ocr(optical clear resin)光学胶对cg glass和晶圆进行压合时，会造成oled层与玻璃盖板平行度变差，影响oled器件的出光率。


技术实现要素：

3.本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明提供一种硅基oled微显示器，目的是改善oled层与玻璃盖板的平行度。
4.为了实现上述目的，本发明采取的技术方案为：硅基oled微显示器，包括硅基cmos驱动电路基板、设置于硅基cmos驱动电路基板上的oled结构、设置于硅基cmos驱动电路基板上且覆盖oled结构的封装层、设置于封装层上的第一oc层、设置于第一oc层上的彩胶层、设置于彩胶层上的第二oc层、设置于第二oc层上的ocr层、设置于ocr层上的玻璃盖板和设置于所述封装层上的隔离柱，隔离柱设置多个且所有隔离柱分布在所述第一oc层、彩胶层和第二oc层的外侧四周，隔离柱的高度等于第一oc层、彩胶层、第二oc层和ocr层四者厚度之和。
5.所述第二oc层覆盖所述彩胶层和所述第一oc层。
6.所述ocr层覆盖所述第二oc层、所述隔离柱和所述封装层。
7.本发明还提供了一种硅基oled微显示器的制备方法，包括步骤：
8.s1、在硅基底上制作cmos电路，形成硅基cmos驱动电路基板；
9.s2、在硅基cmos驱动电路基板上制备oled结构；
10.s3、整面制备封装层；
11.s4、在封装层上制备隔离柱；
12.s5、在封装层上依次制备第一oc层、彩胶层、第二oc层；
13.s6、在第二oc层上制备ocr层，最后在ocr层上贴合玻璃盖板。
14.本发明的硅基oled微显示器，通过设置隔离柱对玻璃盖板提供支撑，可以改善oled层与玻璃盖板的平行度，确保oled器件的出光率。
附图说明
15.本说明书包括以下附图，所示内容分别是：
16.图1是本发明硅基oled微显示器层结构示意图；
17.图2是本发明硅基oled微显示器的俯视图；
18.图中标记为：1、硅基cmos驱动电路基板；2、oled结构；3、封装层；4、第一oc层；5、彩胶层；6、第二oc层；7、ocr层；8、玻璃盖板；9、隔离柱。
具体实施方式
19.下面对照附图，通过对实施例的描述，对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明，目的是帮助本领域的技术人员对本发明的构思、技术方案有更完整、准确和深入的理解，并有助于其实施。
20.需要说明的是，在下述的实施方式中，所述的“第一”和“第二”并不代表结构和/或功能上的绝对区分关系，也不代表先后的执行顺序，而仅仅是为了描述的方便。
21.如图1和图2所示，本发明提供了一种硅基oled微显示器，包括硅基cmos驱动电路基板1、设置于硅基cmos驱动电路基板1上的oled结构2、设置于硅基cmos驱动电路基板1上且覆盖oled结构2的封装层3、设置于封装层3上的第一oc层4、设置于第一oc层4上的彩胶层5、设置于彩胶层5上的第二oc层6、设置于第二oc层6上的ocr层7、设置于ocr层7上的玻璃盖板8和设置于所述封装层3上的隔离柱9，隔离柱9设置多个且所有隔离柱9分布在所述第一oc层4、彩胶层5和第二oc层6的外侧四周，隔离柱9的高度等于第一oc层4、彩胶层5、第二oc层6和ocr层7四者厚度之和，隔离柱9的高度也即封装层3与玻璃盖板8之间的垂直距离。隔离柱9与玻璃盖板8相接触，通过隔离柱9对玻璃盖板8提供支撑，可以改善oled层与玻璃盖板8的平行度，确保oled器件的出光率。
22.具体地说，如图1和图2所示，第二oc层6覆盖彩胶层5和第一oc层4，ocr层7覆盖第二oc层6、所述隔离柱9和封装层3。隔离柱9垂直设置在封装层3上，隔离柱9位于封装层3和玻璃盖板8之间，所有隔离柱9同时对玻璃盖板8提供支撑，可以确保玻璃盖板8和封装层3的平行度符合要求，提高产品质量。
23.如图1和图2所示，作为优选的，隔离柱9为半球形结构，隔离柱9的外圆面与玻璃盖板8相接触，隔离柱9的端部与封装层3连接。隔离柱9的直径为5-10um，相邻两个隔离柱9之间的距离为4-5um。
24.如图1和图2所示，在本实施例中，隔离柱9共设置十个。
25.本发明还提供了一种硅基oled微显示器的制备方法，包括如下的步骤：
26.s1、在硅基底上制作cmos电路，形成硅基cmos驱动电路基板1；
27.s2、在硅基cmos驱动电路基板1上制备oled结构2；
28.s3、整面制备封装层3；
29.s4、在封装层3上制备隔离柱9；
30.s5、在封装层3上依次制备第一oc层4、彩胶层5、第二oc层6；
31.s6、在第二oc层6上制备ocr层7，最后在ocr层7上贴合玻璃盖板8。
32.在上述步骤s4中，在靠近oled显示区的四周间隔4-5um，用喷墨打印方法打印出直径为5-10um且形状为半球形的隔离柱9，使隔离柱9的高度等于接下来做的第一oc层4、彩胶层5、第二oc层6和ocr层7的厚度之和，以此来固定玻璃盖板8和封装层3的平行度。
33.以上结合附图对本发明进行了示例性描述。显然，本发明具体实现并不受上述方式的限制。只要是采用了本发明的方法构思和技术方案进行的各种非实质性的改进；或未
经改进，将本发明的上述构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本发明的保护范围之内。


技术特征：
1.硅基oled微显示器，包括硅基cmos驱动电路基板、设置于硅基cmos驱动电路基板上的oled结构、设置于硅基cmos驱动电路基板上且覆盖oled结构的封装层、设置于封装层上的第一oc层、设置于第一oc层上的彩胶层、设置于彩胶层上的第二oc层、设置于第二oc层上的ocr层和设置于ocr层上的玻璃盖板，其特征在于：还包括设置于所述封装层上的隔离柱，隔离柱设置多个且所有隔离柱分布在所述第一oc层、彩胶层和第二oc层的外侧四周，隔离柱的高度等于第一oc层、彩胶层、第二oc层和ocr层四者厚度之和。2.根据权利要求1所述的硅基oled微显示器，其特征在于：所述第二oc层覆盖所述彩胶层和所述第一oc层。3.根据权利要求1所述的硅基oled微显示器，其特征在于：所述ocr层覆盖所述第二oc层、所述隔离柱和所述封装层。4.权利要求1至3任一所述的硅基oled微显示器的制备方法，其特征在于，包括步骤：s1、在硅基底上制作cmos电路，形成硅基cmos驱动电路基板；s2、在硅基cmos驱动电路基板上制备oled结构；s3、整面制备封装层；s4、在封装层上制备隔离柱；s5、在封装层上依次制备第一oc层、彩胶层、第二oc层；s6、在第二oc层上制备ocr层，最后在ocr层上贴合玻璃盖板。

技术总结
本发明公开了一种硅基OLED微显示器，包括硅基CMOS驱动电路基板、设置于硅基CMOS驱动电路基板上的OLED结构、设置于硅基CMOS驱动电路基板上且覆盖OLED结构的封装层、设置于封装层上的第一OC层、设置于第一OC层上的彩胶层、设置于彩胶层上的第二OC层、设置于第二OC层上的OCR层、设置于OCR层上的玻璃盖板和设置于封装层上的隔离柱，隔离柱设置多个且所有隔离柱分布在所述第一OC层、彩胶层和第二OC层的外侧四周。本发明的硅基OLED微显示器，通过设置隔离柱对玻璃盖板提供支撑，可以改善OLED层与玻璃盖板的平行度，确保OLED器件的出光率。本发明还提供了一种硅基OLED微显示器的制备方法。还提供了一种硅基OLED微显示器的制备方法。还提供了一种硅基OLED微显示器的制备方法。


技术研发人员：李成志 曹君
受保护的技术使用者：安徽熙泰智能科技有限公司
技术研发日：2022.03.15
技术公布日：2022/6/14