电阻性接口材料的制作方法

电阻性接口材料
1.交叉参考
2.本专利申请主张2020年12月9日由戈蒂(gotti)等人递交的标题为“电阻性接口材料(resistive interface material)”的第17/116,559号美国专利申请的优先权，所述专利申请让与给本受让人，并且明确地以全文引用的方式并入本文中。
技术领域
3.技术领域涉及电阻性接口材料。


背景技术：

4.存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器及类似者的各种电子装置中。通过将存储器装置内的存储器单元编程到不同状态来存储信息。举例来说，二进制存储器单元可编程到两种支持状态中的一种，通常由逻辑1或逻辑0来标示。在一些实例中，单个存储器单元可支持多于两种状态，可存储所述状态中的任一个。为了存取所存储的信息，组件可读取或感测存储器装置中的至少一个所存储的状态。为了存储信息，组件可在存储器装置中写入状态或对状态进行编程。
5.存在各种类型的存储器装置和存储器单元，包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻式ram(rram)、快闪存储器、相变存储器(pcm)、自选存储器、硫族化物存储器技术等。存储器单元可以是易失性或非易失性的。


技术实现要素：

6.描述了一种方法。所述方法可包含在衬底上沉积第一金属材料以形成对应于第一存取线的第一金属材料、在第一金属材料上方沉积单元存储材料、在单元存储材料上方沉积氧化物材料以形成具有与第一金属材料、单元存储材料、电极材料和第二金属材料相比较大电阻率的薄层、在单元存储材料上方沉积电极材料以形成电极材料的至少一部分，以及在电极材料上方沉积第二金属材料以形成对应于第二存取线的第二金属材料。
7.描述了一种设备。所述设备可包含：第一金属材料，其形成在衬底上并且对应于第一存取线；存储器材料，其形成在第一金属材料上方，其中存储器材料包括经配置为选择器材料的硫族化物材料；电极材料，其形成在存储器材料上方；薄层，其形成在存储器材料、电极材料的至少一部分或这两者上方，其中薄层包括具有大于第一金属材料、电极材料和第二金属材料的电阻率的氧化物材料；以及第二金属材料，其形成在薄层上方并且对应于第二存取线。
8.描述了另一种设备。所述设备可包含：第一金属材料，其形成在衬底上并且对应于第一存取线；第一电极材料，其形成在第一金属材料上方；薄层，其形成在第一电极材料的至少一部分上方，其中薄层包括具有与第一金属材料和第一电极材料相比较大电阻率的氧化物材料，所述氧化物材料包括氧化铝或氧化铪；存储器材料，其形成在薄层上方，其中存
储器材料包括经配置为选择器材料的硫族化物材料；第二电极材料，其形成在存储器材料上方；以及第二金属材料，其形成在第二电极材料上方并且对应于第二存取线。
附图说明
9.图1说明根据如本文中所公开的实例的支持电阻性接口材料的系统的实例。
10.图2说明根据如本文中所公开的实例的支持电阻性接口材料的存储器阵列的实例。
11.图3a和3b说明根据如本文中所公开的实例的支持电阻性接口材料的存储器装置的截面的实例。
12.图4a和4b说明根据如本文中所公开的实例的支持电阻性接口材料的存储器装置的截面的实例。
13.图5a和5b说明根据如本文中所公开的实例的支持电阻性接口材料的存储器装置的截面的实例。
14.图6示出根据如本文中所公开的实例的说明支持电阻性接口材料的一或多种方法的流程图。
具体实施方式
15.存储器装置可包含存储器单元的多个存储器叠组，使得存储器单元的一个阵列可堆叠在存储器单元的另一阵列上方。每个存储器单元可与各种存取线耦合，例如字线和位线，所述存取线使得能够存取存储器单元。
16.存储器装置的制造可涉及多个步骤以沉积并选择性地移除材料的各个层。举例来说，制造存储器装置可包含金属材料、单元存储材料(例如，可用于存储存储器单元的一或多个逻辑状态的材料)、介电材料、电阻性材料、密封剂或掩模或其任何组合的沉积，并且可包含移除步骤，例如蚀刻或平坦化，以及其它实例，以选择性地移除先前沉积的材料的部分并且形成存储器单元结构。
17.为了存取存储器单元，可将电压施加到存取线(例如，施加到字线或位线)并且所引起的电流可行进穿过单元存储材料。随着时间推移，存储器单元可被存取数千次，引起数千的电流通过单个单元存储材料。在一些例子中，通过单个单元的电流可猛增(例如，显著地增大)，这可不利地影响存储器装置，例如，通过缩短存储器单元的寿命，并且继而缩短存储器装置的寿命。一些存储器系统可包含在单元存储材料上方或下方的电阻性材料，例如氮化钨硅(wsin)。
18.虽然wsin可能对电流尖峰具有一些边际效应，但是在制造期间和在制造之后材料的存在可能具有不利影响。举例来说，wsin可能具有与存储器装置中的其它材料相比不同的蚀刻速率，引起对更加复杂的制造过程的需要。此外，在蚀刻过程期间，wsin可能邻近于存储器单元无意地溅镀，这可能增大缺陷(例如，短路)的存在并且可原本引起存储器装置的存储器单元的故障。因此，可以期望的是缓解跨越存储器单元的电流尖峰同时避免由wsin的存在所引起的不利影响。
19.本文中描述了具有电阻性接口材料的存储器装置。在一些实例中，可原本包含wsin层的存储器装置可替代地包含薄层(例如，材料的相对薄的层)以缓解跨越存储器单元
的不期望的电流尖峰。薄层可通过在例如硫族化物存储元件(例如，在存储器单元上方或下方)的硫族化物材料上方或下方沉积具有相对高的电阻率(例如，具有与存储器装置中的至少一些(如果不是所有)其它材料相比较高的电阻率，其可以呈材料的堆叠的形式)的材料形成。在一些实例中，除其它之外，硫族化物存储元件可充当自选存储元件并且可被称作选择器装置或选择器元件。在一些实例中，薄层可由氧化物组成，例如氧化铪(hfox)、氧化铝(alox)、氧化锆(zrox)，或氮化硅(sin)，并且可增大存储元件的电阻。连同其它优点，具有薄层可提供相对高的电阻率，因此减小了电流尖峰对存储器装置的影响，同时还减小了制造存储器装置的复杂度。因此，薄层的相对高的电阻率可更好的保护存储元件(例如，存储器单元)免受不期望的电流尖峰，这可延长存储器装置的寿命周期，以及其它益处。
20.首先在如参考图1和2所描述的存储器系统和存储器阵列的上下文中描述本公开的特征。在如参考图3a到5b所描述的存储器装置的截面的上下文中描述本公开的特征。本公开的这些和其它特征通过参考如参考图6所描述的涉及电阻性接口材料的流程图进一步说明和描述。如本文中所描述，“材料”可以是或可包含至少一个“层”。在一些实例中，术语“材料”可用于描述材料的层，例如通过沉积材料形成的层。
21.图1说明根据如本文中所公开的实例的支持电阻性接口材料的系统100的实例。系统100可包含主机装置107、存储器装置110，以及耦合主机装置107与存储器装置110的多个信道115。系统100可包含一或多个存储器装置，但是一或多个存储器装置110的各方面可在单个存储器装置(例如，存储器装置110)的上下文中进行描述。
22.系统100可包含电子装置的部分，例如计算装置、移动计算装置、无线装置、图形处理装置、车辆，或其它系统。举例来说，系统100可说明计算机、膝上型计算机、平板计算机、智能电话、蜂窝电话、可穿戴装置、互联网连接装置、车辆控制器或类似者的方面。存储器装置110可以是可操作以存储用于系统100的一或多个其它组件的数据的系统的组件。
23.系统100的至少部分可以是主机装置107的实例。主机装置107可以是使用存储器来执行例如计算装置、移动计算装置、无线装置、图形处理装置、计算机、膝上型计算机、平板计算机、智能电话、蜂窝电话、可穿戴装置、互联网连接装置、车辆控制器、芯片上系统(soc)或某一其它固定或便携式电子装置内的过程的装置内的处理器或其它电路系统的实例，以及其它实例。在一些实例中，主机装置107可指实施外部存储器控制器120的功能的硬件、固件、软件或其组合。在一些实例中，外部存储器控制器120可被称作主机或主机装置107。
24.存储器装置110可以是可操作以提供可供系统100使用或参考的物理存储器地址/空间的独立装置或组件。在一些实例中，存储器装置110可经配置以与一或多个不同类型的主机装置107一起工作。主机装置107与存储器装置110之间的信令可以是可操作的以支持以下各项中的一或多个：用于调制信号的调制方案、用于传送信号的各种引脚配置、用于主机装置107和存储器装置110的物理封装的各种形状因数、主机装置107与存储器装置110之间的时钟信令和同步、计时惯例，或其它因数。
25.存储器装置110可以是可操作的以存储用于主机装置107的组件的数据。在一些实例中，存储器装置110可充当主机装置107的从属型装置(例如，响应于且执行由主机装置107通过外部存储器控制器120提供的命令)。此类命令可包含用于写入操作的写入命令、用于读取操作的读取命令、用于刷新操作的刷新命令或其它命令中的一或多个。
26.主机装置107可包含外部存储器控制器120、处理器125、基本输入/输出系统(bios)组件130或例如一或多个外围组件或一或多个输入/输出控制器的其它组件中的一或多个。主机装置107的组件可使用总线135彼此耦合。
27.处理器125可以是可操作的以针对系统100的至少部分或主机装置107的至少部分提供控制或其它功能性。处理器125可以是通用处理器、数字信号处理器(dsp)、专用集成电路(asic)、现场可编程门阵列(fpga)或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件，或这些组件的组合。在此类实例中，处理器125可以是中央处理单元(cpu)、图形处理单元(gpu)、通用gpu(gpgpu)或soc的实例，以及其它实例。在一些实例中，外部存储器控制器120可由处理器125实施或为所述处理器的一部分。
28.bios组件130可以是包含操作为固件的bios的软件组件，其可初始化且运行系统100或主机装置107的各种硬件组件。bios组件130还可管理处理器125与系统100或主机装置107的各种组件之间的数据流。bios组件130可包含存储在只读存储器(rom)、快闪存储器或任何其它非易失性存储器中的一或多个中的程序或软件。
29.存储器装置110可包含装置存储器控制器155和一或多个存储器裸片160(例如，存储器芯片)以支持用于数据存储的所期望的容量或指定的容量。每个存储器裸片160可包含本地存储器控制器165(例如，本地存储器控制器165-a、本地存储器控制器165-b、本地存储器控制器165-n)以及存储器阵列170(例如，存储器阵列170-a、存储器阵列170-b、存储器阵列170-n)。存储器阵列170可以是存储器单元的集合(例如，一或多个网格、一或多个存储体、一个或多个平铺块、一或多个区段)，其中每个存储器单元是可操作的以存储至少一个位的数据。包含两个或大于两个存储器裸片的存储器装置110可被称作多裸片存储器或多裸片封装，或多芯片存储器或多芯片封装。
30.装置存储器控制器155可包含可操作以控制存储器装置110的操作的电路、逻辑或组件。装置存储器控制器155可包含使得存储器装置110能够执行各种操作且可益是可操作的以接收、发射或执行与存储器装置110的组件相关的命令、数据或控制信息的硬件、固件或指令。装置存储器控制器155可以是可操作的以与外部存储器控制器120、一或多个存储器裸片160或处理器125中的一或多个通信。在一些实例中，装置存储器控制器155可结合存储器裸片160的本地存储器控制器165控制本文中所描述的存储器装置110的操作。
31.本地存储器控制器165(例如，对于存储器裸片160在本地)可包含可操作以控制存储器裸片160的操作的电路、逻辑或组件。在一些实例中，本地存储器控制器165可以是可操作的以与装置存储器控制器155通信(例如，接收或发射数据或命令或这两者)。在一些实例中，存储器装置110可不包含可执行本文中所描述的各种功能的装置存储器控制器155和本地存储器控制器165或外部存储器控制器120。因此，本地存储器控制器165可以是可操作的以与装置存储器控制器155、与其它本地存储器控制器165或直接与外部存储器控制器120、或处理器125或其组合通信。可包含在装置存储器控制器155或本地存储器控制器165或这两者中的组件的实例可包含用于(例如，从外部存储器控制器120)接收信号的接收器、用于发射信号(例如，到外部存储器控制器120)的发射器、用于解码或解调接收到的信号的解码器、用于编码或调制待发射的信号的编码器，或可操作以用于支持装置存储器控制器155或本地存储器控制器165或这两者的所描述的操作的各种其它电路或控制器。
32.外部存储器控制器120可以是可操作的以实现在系统100或主机装置107的组件
(例如，处理器125)与存储器装置110之间的信息、数据或命令中的一或多个的传送。外部存储器控制器120可转换或转译在主机装置107的组件与存储器装置110之间交换的通信。在一些实例中，外部存储器控制器120或系统100或主机装置107的其它组件或本文中所描述的其功能可由处理器125实施。举例来说，外部存储器控制器120可以是由处理器125或系统100或主机装置107的另一组件实施的硬件、固件或软件或其某一组合。虽然将外部存储器控制器120描绘为在存储器装置110外部，但是在一些实例中，外部存储器控制器120或本文中所描述的其功能可由存储器装置110的一或多个组件(例如，装置存储器控制器155、本地存储器控制器165)实施，或反之亦然。
33.主机装置107的组件可使用一或多个信道115与存储器装置110交换信息。信道115可以是可操作的以支持在外部存储器控制器120与存储器装置110之间的通信。每个信道115可以是在主机装置107与存储器装置之间载送信息的传输媒体的实例。每个信道115可包含在与系统100的组件相关联的端子之间的一或多个信号路径或传输媒体(例如，导体)。信号路径可以是可操作以载送信号的导电路径的实例。举例来说，信道115可包含第一端子，所述第一端子包含在主机装置107处的一或多个引脚或衬垫和在存储器装置110处的一或多个引脚或衬垫。引脚可以是系统100的装置的导电输入或输出点的实例，并且引脚可以是可操作的以充当信道的部分。
34.信道115(和相关联的信号路径和端子)可专用于传送一或多种类型的信息。举例来说，信道115可包含一或多个命令和地址(ca)信道186、一或多个时钟信号(ck)信道188、一或多个数据(dq)信道190、一或多个其它信道192，或其组合。在一些实例中，可使用单倍数据速率(sdr)信令或双倍数据速率(ddr)信令在信道115上传送信令。在sdr传信中，信号的一个调制符号(例如，信号电平)可针对每个时钟循环(例如，在时钟信号的上升或下降边缘上)进行登记。在ddr信令中，信号的两个调制符号(例如，信号电平)可针对每个时钟循环(例如，在时钟信号的上升边缘和下降边缘两者上)进行登记。
35.在一些实例中，存储器阵列170可包含一或多个存储器单元，所述存储器单元包含硫族化物存储元件，除其它之外，其可充当自选存储元件并且可被称作选择器装置或选择器元件。硫族化物存储元件可经由相应的电极(例如，第一电极和第二电极)与一或多个存取线(例如，字线和位线)耦合。如本文中所描述，由一或多个沉积和一或多个移除过程引起的硫族化物存储元件和相应的电极可被称作柱或堆叠。
36.在一些实例中，柱可包含一或多个薄层以保护硫族化物元件免受在存取操作期间可能出现的不期望的电流尖峰并且与其它潜在过程或技术相比简化与柱相关的生产过程。薄层可通过在硫族化物存储元件上方或下方(例如，在选择器装置上方或下方)沉积具有相对高的电阻率的材料形成。在一些实例中，薄层可由氧化物组成，例如氧化铪(hfox)、氧化铝(alox)、氧化锆(zrox)，或氮化硅(sin)，并且可增大柱整体和柱中的一或多种材料的电阻。因此，一或多个薄层的相对高的电阻率可保护存储元件免受原本将由电流流动所引起的电流尖峰，举例来说，穿过例如存储元件的柱的一或多个部分来自存取线(例如，来自字线或位线)。如本文中所描述，“材料”可以是或可包含至少一个“层”。在一些实例中，术语“材料”可用于描述材料的层，例如通过沉积材料形成的层。
37.图2说明根据如本文中所公开的实例的存储器阵列200的实例。存储器阵列200可以是参考图1所描述的存储器阵列或存储器裸片的部分的实例。存储器阵列200可包含定位
在衬底(未示出)上方的存储器单元的第一叠组207以及处于第一阵列或叠组207的顶部上的存储器单元的第二叠组209。虽然存储器阵列200的实例包含两个叠组207、209，但是存储器阵列200可包含任何数量的叠组(例如，一个或多于两个)。
38.存储器阵列200还可包含行线210-a、行线210-b、行线210-c、行线210-d、列线215-a和列线215-b，其可以是行线210和列线215的实例。第一叠组207和第二叠组209的一或多个存储器单元可包含在存取线之间的柱中的一或多种硫族化物材料。举例来说，存取线之间的单个堆叠可包含第一电极、第一硫族化物材料(例如，选择器组件)、第二电极、第二硫族化物材料(例如，存储元件)或第三电极中的一或多个。虽然用数字指示符标记图2中包含的一些元件，未标记其它对应的元件，但是所述元件是相同的或将理解为类似的，以便增大所描绘的特征的可见度和清晰度。
39.第一叠组207的一或多个存储器单元可包含电极225-a、存储元件220-a或电极225-b中的一或多个。第二叠组209的一或多个存储器单元可包含电极225-c、存储元件220-b和电极225-d。存储元件220可以是硫族化物材料的实例，例如相变存储元件、阈值化存储元件，或自选存储元件。在一些实例中，第一叠组207和第二叠组209的存储器单元可具有共同导线，使得一或多个叠组207和一或多个叠组209的对应的存储器单元可共享列线215或行线210。举例来说，第二叠组209的第一电极225-c和第一叠组207的第二电极225-b可与列线215-a耦合，使得列线215-a可由竖直邻近存储器单元共享。
40.在一些实例中，存储元件220的材料可包含硫族化物材料或其它合金，包含硒(se)、碲(te)、砷(as)、锑(sb)、碳(c)、锗(ge)、硅(si)或铟(in)，或其各种组合。在一些实施例中，主要具有硒(se)、砷(as)和锗(ge)的硫族化物材料可被称作sag合金。在一些实例中，sag合金还可包含硅(si)且此类硫族化物材料可被称作sisag合金。在一些实例中，sag合金可包含硅(si)或铟(in)或其组合且此类硫族化物材料可相应地被称作sisag合金或insag合金，或其组合。在一些实例中，硫族化物玻璃可包含额外元素，例如氢(h)、氧(o)、氮(n)、氯(cl)或氟(f)，其各自可呈原子或分子形式。
41.在一些实例中，存储元件220可以是相变存储器单元的实例。在此类实例中，用于存储元件220中的材料可基于合金(例如上文所列的合金)且可操作以便在存储器单元的正常操作期间经历到不同物理状态的相变或改变。举例来说，相变存储器单元可具有非晶状态(例如，相对无序的原子配置)和结晶状态(例如，相对有序的原子配置)。在一些情况下，存储元件的一部分可经历与逻辑状态相关联的材料改变。
42.在一些实例中，例如为了对存储器单元或自选存储器单元取阈值，存储器单元所支持的逻辑状态的集合中的一些或全部可与硫族化物材料的非晶状态相关联(例如，处于单个状态的材料可以是可操作的以存储不同的逻辑状态)。在一些实例中，存储元件220可以是自选存储器单元的实例。在此类实例中，用于存储元件220中的材料可基于合金(例如上文所列的合金)且可操作以便在存储器单元的正常操作期间经历到不同的物理状态的改变。举例来说，自选存储器单元可具有高阈值电压状态和低阈值电压状态。高阈值电压状态可对应于第一逻辑状态(例如，重置(reset)状态)，且低阈值电压状态可对应于第二逻辑状态(例如，设置(set)状态)。
43.在自选存储器单元(例如，包含电极225-a、存储元件220-a和电极225-b)的编程(写入)操作期间，用于写入操作的极性可影响(确定、设置、编程)存储元件220的材料的特
定行为或特性，例如材料的阈值电压。取决于由存储元件220的材料所存储的逻辑状态的存储元件220的材料的阈值电压中的差异(例如，当材料正存储逻辑状态
‘0’
与逻辑状态
‘1’
时的阈值电压之间的差异)可对应于存储元件220的读取窗口。
44.在一些实例中，存储器阵列200的架构可被称作交叉点架构，其中存储器单元形成在行线210与列线215之间的拓扑交叉点处。此类交叉点架构可与其它存储器架构相比以较低的生产成本提供相对高密度的数据存储。举例来说，交叉点架构可具有与其它架构相比拥有减小的面积并且因而增大的存储器单元密度的存储器单元。举例来说，与具有6f2存储器单元面积的其它架构(例如具有三端子选择器元件的那些架构)相比，所述架构可具有4f2存储器单元面积，其中f是最小特征大小。举例来说，dram可使用晶体管，其为三端子装置，作为用于每个存储器单元的选择器元件，并且与交叉点架构相比可具有较大的存储器单元面积。
45.虽然图2的实例示出了两个存储器叠组，但是其它配置是可能的。在一些实例中，可在衬底上方构造存储器单元的单个存储器叠组，其可被称作二维存储器。在一些实例中，存储器单元的两个或大于两个叠组可以类似方式在三维交叉点架构中配置。此外，在一些情况下，图2中所示或参考其所描述的元件可如所示或描述而彼此电耦合但是在物理上重新布置(例如，存储元件220和可能的选择元件或电极225可在行线210与列线215之间电串联，但是不需要处于柱或堆叠配置中)。
46.在一些实例中，第一叠组207和/或第二叠组209可包含具有与其它元件相比相对高的电阻率的一或多个薄层。通过在第一叠组207和/或第二叠组209中包含一或多个薄层，可被称作选择器装置的相应的存储元件220可以是不太易受电流尖峰影响的，例如，在存取操作期间。举例来说，一或多个薄层可通过在存储元件220上方和/或下方沉积具有相对高的电阻率的材料形成。在一些实例中，一或多个薄层可由氧化物组成，例如氧化铪(hfox)、氧化铝(alox)、氧化锆(zrox)，或氮化硅(sin)，并且可增大第一叠组207、第二叠组209或(例如，存储元件220的)存储器单元的电阻。因此，一或多个薄层的相对高的电阻率可保护存储器单元免受原本将由穿过包含存储元件的柱来自存取线(例如，来自行线210或列线215)的电流流动所引起的电流尖峰。如本文中所描述，“材料”可以是或可包含至少一个“层”。在一些实例中，术语“材料”可用于描述材料的层，例如通过沉积材料形成的层。
47.图3a示出根据本公开的实例的在材料的层已经沉积在衬底上作为制造存储器装置的过程的序列的部分之后的存储器装置的一部分的截面300-a。各种沉积过程可用于沉积图3a的层，包含但不限于化学气相沉积(cvd)、金属有机化学气相沉积(mocvd)、等离子体增强型cvd(pecvd)、物理气相沉积(pvd)、溅镀沉积、原子层沉积(ald)，其可包含热和等离子体辅助型(增强型)ald，或分子束外延法(mbe)，或其任何组合，以及其它技术。
48.截面300-a可包含衬底305。在一些实例中，衬底305可以是硅衬底、例如二氧化硅或氮化硅的绝缘衬底、多晶硅衬底，其它实例，或其任何组合。在一些实例中，存储器装置的其它组件可形成在衬底305的其它部分上，例如与存储器控制器相关联的逻辑电路系统、感测组件，或其它组件。
49.截面300-a可包含第一金属材料(例如，第一金属层)310。第一金属材料310可以是通过在衬底305上方(例如，到其上)沉积金属材料形成的导电层，所述金属材料例如包含钨、铝、钛、氮化钛、硅、多晶硅或其任何组合的材料。第一金属材料310可对应于可用于存取
存储器装置的一或多个存储器单元的存取线，例如字线或位线。
50.截面300-a可包含材料(例如，电阻性材料)315。材料315可通过在第一金属材料310上方(例如，到其上)沉积具有相对高的电阻率的材料形成，所述材料例如包含钨、硅、氮或其任何组合的材料。举例来说，材料315可由氮化钨硅(wsin)材料组成，所述材料可具有与第一金属材料310相比较高的电阻率。
51.截面300-a可包含第一电极材料(例如，第一电极层)320、存储器材料(例如，存储器材料层)325，以及第二电极材料(例如，第二电极层)330。第一电极材料320可通过在材料315上方(例如，到其上)沉积第一电极材料形成，所述材料例如基于导电碳的材料。存储器材料325可通过在第一电极材料320上方(例如，到其上)沉积单元存储材料形成。举例来说，单元存储材料可以是可变电阻材料、硫族化物材料或相变材料，并且可以沉积以引起在第一电极材料320上方形成存储器单元。
52.第二电极材料330可通过在存储器材料325上方(例如，到其上)沉积第二电极材料形成。第二电极材料330可以是与第一电极材料相同的材料，例如，基于导电碳的材料，或者可以是不同的导电材料，例如不同的金属材料。共同地，第一电极材料320、存储器材料325和第二电极材料330可用于形成一或多个存储器单元，其中的至少一些(如果不是其中的每一个)可与第一金属材料310耦合(例如，连接到所述第一金属材料、与所述第一金属材料接触)。存储器材料可被用作存储器单元的存储元件以存储存储器单元的逻辑状态以及在一些实例中作为选择器装置以实现所引起的存储器单元的选择。
53.在一些实例中，第二电极材料330可包含一或多个部分。举例来说，第二电极材料的第一部分330-a可通过在存储器材料325上方(例如，到其上)沉积第二电极材料形成。第二电极材料的第一部分330-a可以是与第一电极材料相同的材料，例如，基于导电碳的材料，或者可以是不同的导电材料，例如不同的金属材料。第二电极材料的第一部分330-a可首先沉积(例如，在第二电极材料的第二部分330-b之前)，使得薄层(例如，薄层)335可沉积在层之间(例如，在沉积第二电极材料的第一部分330-a之后并且在沉积第二电极材料的第二部分330-b之前)。如本文中所描述，薄层335可被包含为整体所引起的存储器单元的部分并且可包含在存取操作期间缓解不期望的电流尖峰的材料性质，例如相对高的电阻率等等，以及其它益处。在一些实例中，薄层335具有大于第一金属材料310的电阻率，所述材料可包含wsin材料。在某一实例中，薄层335可具有大于截面300-a中所示的所有材料的电阻率。
54.截面300-a可包含薄层(例如，材料的相对薄的层)335。薄层335可通过在第二电极材料的第一部分330-a上方(例如，到其上)沉积具有相对高的电阻率的材料形成，所述材料例如包含铪、铝、氧、另一种材料或其任何组合的材料。举例来说，薄层335可由氧化铪(hfox)、氧化铝(alox)、氧化锆(zrox)或氮化硅(sin)组成，并且可增大所引起的存储器单元(例如，由存储器材料325组成的存储器单元)的电阻以防止在存取操作期间的不期望的电流尖峰。此外，薄层335可与同材料的堆叠中的其它元件(例如，在截面300-a中示出)相同或类似的蚀刻速率相关联。因此，薄层335可减少跨越存储器材料325的不期望的电流尖峰，同时简化相关联的存储器装置的制造过程，这是由于对较少的蚀刻和/或材料移除步骤的需要。
55.举例来说，在与例如具有例如wsin的一或多个层的替代方式相比时薄层335可提
供增多的益处。举例来说，薄层335可沉积在可原本包含wsin的位置中(例如，在第二电极材料的第一部分330-a上方)。省略wsin的一或多个层并且添加薄层335可进一步增大存储器单元的电阻率，这可在存取操作期间更好的保护存储器单元免受不期望的电流尖峰同时还促进了更好的生产过程。举例来说，在存储器材料325与第二金属材料345之间包含薄层335可缓解原本将由从第二金属材料345到存储器材料325的电流流动所引起的电流尖峰。此外，与所使用的wsin的其它实例相比可使用较少数量(例如，减小的厚度)的薄层335。举例来说，至少5nm的wsin可已经能够用于提供一些电阻性益处，然而小于或等于1nm的薄层335可提供增多的电阻性益处。包含具有相对小的厚度的薄层335可减小存储器单元的总体高度，以及其它益处，其也可以是所期望的。
56.在一些实例中，第二电极材料330可包含形成在薄层335上方的第二电极材料的第二部分330-b。第二电极材料的第二部分330-b可通过在薄层335上方(例如，到其上)沉积第二电极材料形成。第二电极材料的第二部分330-b可以是与第一电极材料320(或第二电极材料的第一部分330-a)相同的材料，例如，或者可以是不同的导电材料，例如不同的金属材料。第二电极材料的第二部分330-b可在薄层335之后沉积使得薄层335位于第二电极材料的第一部分330-a与第二电极层的第二部分之间。
57.截面300-a可包含可选的第二材料(例如，第二电阻性材料)340。第二材料340可通过在第二电极材料330的第二部分(例如，上部部分)上方(例如，到其上)沉积具有相对高的电阻率的材料形成，所述材料例如包含钨、硅、氮或其任何组合的材料。举例来说，第二材料340可由氮化钨硅(wsin)材料组成，所述材料可具有与第二金属材料345相比较高的电阻率。
58.截面300-a可包含第二金属材料345。第二金属材料345可通过在沉积过程期间在第二电极材料330的一部分上方沉积金属材料形成。举例来说，第二金属材料345可沉积在第二电阻性材料340或第二电极材料330(如果第二电阻性层并不包含在材料的堆叠中)的第二部分(例如，上部部分)上。第二金属材料345可对应于可用于存取一或多个存储器单元的存取线，例如字线或位线。在一些实例中，如果第一金属材料310对应于字线，那么第二金属材料345可对应于位线，或反之亦然。第一电极材料320和第二电极材料330可将导电连接件提供到第一金属材料310或第二金属材料345或这两者。如本文中所描述，“材料”可以是或可包含至少一个“层”。在一些实例中，术语“材料”可用于描述材料的层，例如通过沉积材料形成的层。
59.图3b描绘截面300-b，其可表示在一或多个沉积和一或多个移除过程已经完成之后形成的一或多个柱350的截面。举例来说，柱350可表示蚀刻由截面300-a表示的材料的不同的堆叠的结果。柱350可各自包含存储器单元105并且可在执行一或多个移除程序之后形成以移除第一金属材料310-a的一部分、材料315-a、第一电极材料320-a、存储器材料325-a、第二电极材料的一或多个部分330-a、薄层335-a，以及第二金属材料345-a。在一些实例中，移除程序可移除第二电阻性材料340的一部分。移除过程可包含平坦化过程，例如cmp，和/或蚀刻过程，例如化学蚀刻(也被称作“湿式蚀刻”)、等离子体蚀刻(也被称作“干式蚀刻”)、其它实例，或其任何组合。
60.在截面300-b中描绘的第一柱350-a可包含第一金属材料310-a、材料315-a、第一电极材料320-a、存储器材料325-a、第二电极材料的第一部分330-c、薄层335-a、第二电极
材料的第二部分330-d、第二电阻性材料340-a，以及第二金属材料345-a。第一柱350-a可包含存储器单元105-a，其可包含第一电极材料320-a、存储器材料325-a、第二电极材料的第一部分330-c、薄层335-a，以及第二电极材料的第二部分330-d。
61.在截面300-b中描绘的第二柱350-b可包含第一金属材料310-a、材料315-a、第一电极材料320-a、存储器材料325-a、第二电极材料的第一部分330-c、薄层335-a、第二电极材料的第二部分330-d，以及第二金属材料345-a。第一柱350-a可包含存储器单元105-b，其可包含第一电极材料320-a、存储器材料325-a、第二电极材料的第一部分330-c、薄层335-a，以及第二电极材料的第二部分330-d。与第一柱350-a相比第二柱350-b可省略第二电阻性材料340-a(例如，可不包含第二电阻性材料340-a)，这可以是设计选择的事项。
62.第一柱350-a和第二柱350-b可各自基于蚀刻(例如，一或多次)材料的堆叠形成，所述材料的堆叠可包含在截面300-a中说明的材料中的一或多种。在一些实例中，材料可在多个方向上(例如，在两个方向上)经蚀刻，并且材料可以是在单个蚀刻过程之前或之后沉积的以在存储器单元的叠组中形成第一柱350-a和/或第二柱350-b。举例来说，第一柱350-a或第二柱350-b的第一金属材料310-a可在经沉积之前经图案化(例如，经蚀刻)。图案化第一金属材料310-a可引起非自对准存取线。在其它实例中，第一柱350-a或第二柱350-b的第一金属材料310-a可在经沉积之后经图案化(例如，经蚀刻)。图案化第一金属材料310-a可引起自对准存取线。
63.因此，具有包含例如氧化铪(hfox)、氧化铝(alox)、氧化锆(zrox)或氮化硅(sin)的氧化物材料的一或多个薄层335并且具有与至少一些(如果不是所有)其它材料(例如，在截面300-a中所示的材料)相比相对高的电阻率可缓解在存取操作期间原本存在的不期望的电流尖峰以及实现与其它技术相比更加流线化且简化的生产过程。如本文中所描述，“材料”可以是或可包含至少一个“层”。在一些实例中，术语“材料”可用于描述材料的层，例如通过沉积材料形成的层。
64.图4a示出根据本公开的实例的在材料的层已经沉积在衬底上作为制造存储器装置的过程的序列的部分之后的存储器装置的一部分的截面400-a。各种沉积过程可用于沉积图4a的层，包含但不限于化学气相沉积(cvd)、金属有机化学气相沉积(mocvd)、等离子体增强型cvd(pecvd)、物理气相沉积(pvd)、溅镀沉积、原子层沉积(ald)，其可包含热和等离子体辅助型(增强型)ald，或分子束外延法(mbe)，或其任何组合，以及其它技术。
65.截面400-a可包含衬底405。在一些实例中，衬底405可以是硅衬底、例如二氧化硅或氮化硅的绝缘衬底、多晶硅衬底，其它实例，或其任何组合。在一些实例中，存储器装置的其它组件可形成在衬底405的其它部分上，例如与存储器控制器相关联的逻辑电路系统、感测组件，或其它组件。
66.截面400-a可包含第一金属材料(例如，第一金属层)410。第一金属材料410可以是通过在衬底405上方(例如，到其上)沉积金属材料形成的导电层，所述金属材料例如包含钨、铝、钛、氮化钛、硅、多晶硅、钌(ru)、钼(mo)或其任何组合的材料。第一金属材料410可对应于可用于存取存储器装置的一或多个存储器单元的存取线，例如字线或位线。
67.截面400-a可包含材料(例如，电阻性材料)415。材料415可通过在第一金属材料410上方(例如，到其上)沉积具有相对高的电阻率的材料形成，所述材料例如包含钨、硅、氮或其任何组合的材料。举例来说，材料415可由氮化钨硅(wsin)材料组成，所述材料可具有
与第一金属材料410相比较高的电阻率。
68.截面400-a可包含第一电极材料(例如，第一电极层)420、存储器材料(例如，存储器材料层)425，以及第二电极材料(例如，第二电极层)430。第一电极材料420可通过在材料415上方(例如，到其上)沉积第一电极材料形成，所述材料例如基于导电碳的材料。存储器材料425可通过在第一电极材料420上方(例如，到其上)沉积单元存储材料形成。举例来说，单元存储材料可以是可变电阻材料、硫族化物材料或相变材料，并且可以沉积以引起在第一电极材料420上方形成存储器单元。
69.第二电极材料430可通过在存储器材料425的单元上方(例如，到其上)沉积第二电极材料形成。第二电极材料430可以是与第一电极材料相同的材料，例如，基于导电碳的材料，或者可以是不同的导电材料，例如不同的金属材料。共同地，第一电极材料420、存储器材料425和第二电极材料430可用于形成一或多个存储器单元，其中的至少一些(如果不是其中的每一个)可与第一金属材料410耦合(例如，连接到所述第一金属材料、与所述第一金属材料接触)。存储器材料可被用作存储器单元的存储元件以存储存储器单元的逻辑状态以及在一些实例中作为选择器装置以实现所引起的存储器单元的选择。
70.在一些实例中，第二电极材料430可包含一或多个部分。举例来说，第二电极材料的第一部分430-a可通过在存储器材料425上方(例如，到其上)沉积第二电极材料形成。第二电极材料的第一部分430-a可以是与第一电极材料420相同的材料，例如，基于导电碳的材料，或者可以是不同的导电材料，例如不同的金属材料。第二电极材料的第一部分430-a可首先沉积(例如，在第二电极材料430的后续部分之前)，使得薄层435(例如，薄层的第一部分435-a)可沉积在层之间(例如，在沉积第二电极材料的第一部分430-a之后并且在沉积第二电极材料的第二部分430-b之前和/或在沉积第二电极材料的第二部分430-b之后并且在沉积第二电极材料的第三部分430-c之前)。如本文中所描述，薄层335可被包含为整体所引起的存储器单元的部分并且可包含在存取操作期间缓解不期望的电流尖峰的材料性质，例如相对高的电阻率等等，以及其它益处。在一些实例中，薄层435-a、435-b和/或435-c具有大于第一金属材料410的电阻率，所述材料可包含wsin材料。在某一实例中，薄层435-a、435-b和/或435-c可具有大于截面400-a中所示的所有材料的电阻率。
71.截面400-a可包含薄层(例如，第一薄层)435-a。第一薄层435-a可通过在第二电极材料430上方(例如，到其上)(或在第二电极材料的第一部分430-a上方(例如，到其上))沉积具有相对高的电阻率的材料形成，所述材料例如包含铪、铝、氧或其任何组合的材料。举例来说，薄层435-a可由氧化铪(hfox)、氧化铝(alox)、氧化锆(zrox)或氮化硅(sin)组成，并且可增大所引起的存储器单元(例如，由存储器材料425组成的存储器单元)的电阻以防止在存取操作期间的不期望的电流尖峰。此外，薄层435-a可与同材料的堆叠中的其它元件(例如，在截面400-a中示出)相同或类似的蚀刻速率相关联。因此，薄层435-a可减少跨越存储器材料425的不期望的电流尖峰，同时简化相关联的存储器装置的制造过程，这是由于对较少的蚀刻和/或材料移除步骤的需要。
72.举例来说，在与例如具有例如wsin的一或多个层的替代方式相比时第一薄层435-a可提供增多的益处。举例来说，第一薄层435-a可沉积在可原本包含wsin的位置中(例如，在第二电极材料的第一部分430-a上方)。省略wsin的一或多个层并且添加第一薄层435-a可进一步增大存储器单元的电阻率，这可在存取操作期间更好的保护存储器单元免受不期
望的电流尖峰同时还促进了更好的生产过程。举例来说，在存储器材料425与第二金属材料345之间包含第一薄层435-a可缓解原本将由从第二金属材料440到存储器材料425的电流流动所引起的电流尖峰。此外，可使用较少数量(例如，减小的厚度)的薄层435。举例来说，至少5nm的wsin可已经能够用于提供一些电阻性益处，然而小于或等于1nm的薄层435可提供增多的电阻性益处。包含具有相对小的厚度的薄层435可减小存储器单元的总体高度，以及其它益处，其也可以是所期望的。
73.在一些实例中，第二电极材料430可包含形成在第一薄层435-a上方的第二电极材料的第二部分430-b。第二电极材料的第二部分430-b可通过在第一薄层435-a上方(例如，到其上)沉积第二电极材料形成。第二电极材料的第二部分430-b可以是与第一电极材料420(或第二电极材料的第一部分430-a)相同的材料，例如，或者可以是不同的导电材料，例如不同的金属材料。第二电极材料的第二部分430-b可在第一薄层435-a之后沉积使得第一薄层435-a位于第二电极材料的第一部分430-a与第二电极材料的第二部分430-b之间。
74.在一些实例中，截面400-a可包含第二薄层(例如，第二薄层)435-b。第二薄层435-b可通过在第二电极层的第二部分上方沉积具有相对高的电阻率的材料形成，所述材料例如包含铪、铝、氧或其任何组合的材料。在一些实例中，第二薄层435-b可包含与第一薄层435-a相同的或不同的电阻性材料。举例来说，第二薄层435-b可由不同的材料或材料的组合或不同水平的氧化铪(hfox)、氧化铝(alox)、氧化锆(zrox)或氮化硅(sin)(例如，较高浓度的一个或另一个)组成，并且可增大存储器单元(例如，由存储器材料425组成的存储器单元)的电阻以防止在存取操作期间的不期望的电流尖峰。举例来说，第二薄层435-b可由相同的材料和/或材料的相同的组合组成，例如相对相同水平的氧化铪(hfox)、氧化铝(alox)、氧化锆(zrox)或氮化硅(sin)(例如，相对相同浓度的一个或另一个或这两者)，并且可增大存储器单元(例如，由存储器材料425组成的存储器单元)的电阻以防止在存取操作期间的不期望的电流尖峰。
75.第一薄层435-a和第二薄层435-b可单独地且共同地增大存储器单元的电阻率，这可在存取操作期间更好的保护存储器单元免受不期望的电流尖峰。举例来说，第一薄层435-a和第二薄层435-b的存在可相对于wsin(或另一导电材料)增大存储器单元的电阻率。额外地或替代地，与仅第一薄层435-a包含在材料的堆叠中相比第二薄层435-b的存在可进一步增大存储器单元的电阻率。最终，存储器单元的电阻率可由于第一薄层435-a和第二薄层435-b的共同的厚度而增大。如本文中所描述，薄层435中的每一个的厚度可小于或等于1nm。
76.在一些实例中，第二电极材料430可包含形成在第二薄层435-b上方的第二电极材料的第三部分430-c。第二电极材料的第三部分430-c可通过在第二薄层435-b上方(例如，到其上)沉积第二电极材料形成。举例来说，第二电极材料的第三部分430-c可以与第一电极材料420(或第二电极材料的第一部分430-a或第二电极材料的第三部分430-b)是相同的材料，或者可以是不同的导电材料，例如不同的金属材料。第二电极材料的第三部分430-c可在第二薄层435-b之后沉积使得第二薄层435-b位于第二电极材料的第二部分430-b与第二电极材料的第三部分430-c之间。
77.在一些实例中，截面400-a可包含第三薄层(例如，第三薄层)435-c。如同第一薄层435-a和第二薄层435-b，第三薄层435-c可通过在第二电极层的第二部分上方沉积包含铪、
铝、氧或其任何组合的材料形成。第三薄层435-c可包含与第一薄层435-a、第二薄层435-b或这两者相同的或不同的电阻性材料。举例来说，第二薄层435-b可由不同的材料或不同的材料的组合或不同水平的氧化铪(hfox)、氧化铝(alox)、氧化锆(zrox)或氮化硅(sin)(例如，较高浓度的一个或另一个)组成，并且可增大存储器单元(例如，由存储器材料425组成的存储器单元)的电阻以防止在存取操作期间的不期望的电流尖峰。举例来说，第三薄层435-c可由相同的材料和/或材料的相同的组合组成，例如相对相同水平的氧化铪(hfox)、氧化铝(alox)、氧化锆(zrox)或氮化硅(sin)(例如，相对相同浓度的一个或另一个或这两者)，并且可增大存储器单元(例如，由存储器材料425组成的存储器单元)的电阻以防止在存取操作期间的不期望的电流尖峰。
78.第一薄层435-a、第二薄层435-b和第三薄层435-c可共同地增大存储器单元的电阻率，这可在存取操作期间更好的保护存储器单元免受不期望的电流尖峰。举例来说，第一薄层435-a、第二薄层435-b和第三薄层435-c的存在可相对于wsin(或另一导电材料)增大存储器单元的电阻率。额外地或替代地，与仅第一薄层435-a和/或第二薄层435-b包含在材料的堆叠中相比第三薄层435-c的存在可进一步增大存储器单元的电阻率。最终，存储器单元的电阻率可由于第一薄层435-a、第二薄层435-b和第三薄层435-c的共同的厚度而增大。如本文中所描述，薄层435中的每一个的厚度可小于或等于1nm。
79.截面400-a可包含第二金属材料440。第二金属材料440可通过在第二电极材料430上方(例如，到其上)(或在第二电极材料的一部分上方(例如，到其上))沉积金属材料形成。第二金属材料440可对应于可用于存取一或多个存储器单元的存取线，例如字线或位线。在一些实例中，如果第一金属材料410对应于字线，那么第二金属材料440可对应于位线，或反之亦然。第一电极材料420和第二电极材料430可将导电连接件提供到第一金属材料410或第二金属材料440或这两者。如本文中所描述，“材料”可以是或可包含至少一个“层”。在一些实例中，术语“材料”可用于描述材料的层，例如通过沉积材料形成的层。
80.图4b描绘截面400-b，其可表示在一或多个沉积和一或多个移除过程已经完成之后形成的一或多个柱450的截面。举例来说，柱450可表示蚀刻由截面400-a表示的材料的不同的堆叠的结果。柱450可各自包含存储器单元105并且可在执行一或多个移除程序之后形成以移除第一金属材料410-a的一部分、材料415-a、第一电极材料420-a、存储器材料425-a、第二电极材料430的一或多个部分、薄层435的一或多个部分，以及第二金属材料445-a。移除过程可包含平坦化过程，例如cmp，和/或蚀刻过程，例如化学蚀刻(也被称作“湿式蚀刻”)、等离子体蚀刻(也被称作“干式蚀刻”)、其它实例，或其任何组合。
81.在截面400-b中描绘的第一柱450-a可包含第一金属材料410-a、材料415-a、第一电极材料420-a、存储器材料425-a、第二电极材料430-d、薄层435-d，以及第二金属材料440-a。第一柱350-a可包含存储器单元105-c，其可包含第一电极材料420-a、存储器材料425-a，以及第二电极材料的第一部分430-c。薄层435-d可以或可以不包含在存储器单元105-c中。
82.在截面400-b中描绘的第二柱450-b可包含第一金属材料410-a、材料415-a、第一电极材料420-a、存储器材料425-a、第二电极材料的第一部分430-e、第一薄层435-e、第二电极材料的第二部分430-f、第二薄层435-f，以及第二金属材料440-a。第二柱450-b可包含存储器单元105-d，其可包含第一电极材料420-a、存储器材料425-a、第二电极材料的第一
部分430-e、第一薄层435-e，以及第二电极材料的第二部分430-f。第二薄层435-f可以或可以不包含在存储器单元105-d中。与第一柱450-a相比，第二柱450-b可包含额外的薄层435，其可进一步增大存储器单元的电阻率。
83.在截面400-b中描绘的第三柱450-c可包含第一金属材料410-a、材料415-a、第一电极材料420-a、存储器材料425-a、第二电极材料的第一部分430-g、第一薄层435-g、第二电极材料的第二部分430-h、第二薄层435-h、第二电极材料的第三部分430-i、第三薄层435-i，以及第二金属材料440-a。第三柱450-c可包含存储器单元105-e，其可包含第一电极材料420-a、存储器材料425-a、第二电极材料的第一部分430-g、第一薄层435-g、第二电极材料的第二部分430-h、第二薄层435-h，以及第二电极材料的第三部分430-i。第三薄层435-i可以或可以不包含在存储器单元105-e中。与第二柱450-b相比，第三柱450-c可包含额外的薄层435，其可进一步增大存储器单元的电阻率。
84.第一柱450-a、第二柱450-b和第三柱450-c可各自基于一或多次蚀刻材料的堆叠形成，所述材料的堆叠可包含在截面400-a中说明的材料中的一或多种。在一些实例中，材料可在多个方向上(例如，在两个方向上)经蚀刻，并且材料可以是在单个蚀刻过程之前或之后沉积的以在存储器单元的叠组中形成第一柱450-a、第二柱450-b和/或第三柱450-c。
85.举例来说，第一柱450-a、第二柱450-b或第三柱450-c的第一金属材料410-a可在经沉积之前经图案化(例如，经蚀刻)。图案化第一金属材料410-a可引起非自对准存取线。在其它实例中，第一柱450-a、第二柱450-b或第三柱450-b的第一金属材料410-a可在经沉积之后经图案化(例如，经蚀刻)。图案化第一金属材料410-a可引起自对准存取线。
86.因此，具有包含例如氧化铪(hfox)、氧化铝(alox)、氧化锆(zrox)或氮化硅(sin)的氧化物材料的一或多个薄层435并且具有与至少一些(如果不是所有)其它材料(例如，在截面400-a中所示的材料)相比相对高的电阻率可缓解在存取操作期间原本存在的不期望的电流尖峰以及实现与其它技术相比更加流线化且简化的生产过程。如本文中所描述，“材料”可以是或可包含至少一个“层”。在一些实例中，术语“材料”可用于描述材料的层，例如通过沉积材料形成的层。
87.图5a示出根据本公开的实例的在材料的层已经沉积在衬底上作为制造存储器装置的过程的序列的部分之后的存储器装置的一部分的截面500-a。各种沉积过程可用于沉积图5a的层，包含但不限于化学气相沉积(cvd)、金属有机化学气相沉积(mocvd)、等离子体增强型cvd(pecvd)、物理气相沉积(pvd)、溅镀沉积、原子层沉积(ald)，或分子束外延法(mbe)，或其任何组合，以及其它技术。
88.截面500-a可包含衬底505。在一些实例中，衬底505可以是硅衬底、例如二氧化硅或氮化硅的绝缘衬底、多晶硅衬底，其它实例，或其任何组合。在一些实例中，存储器装置的其它组件可形成在衬底505的其它部分上，例如与存储器控制器相关联的逻辑电路系统、感测组件，或其它组件。
89.截面500-a可包含第一金属材料(例如，第一金属层)510。第一金属材料510可以是通过在衬底505上方(例如，到其上)沉积金属材料形成的导电层，所述金属材料例如包含钨、铝、钛、氮化钛、硅、多晶硅或其任何组合的材料。第一金属材料510可对应于可用于存取存储器装置的一或多个存储器单元的存取线，例如字线或位线。
90.截面500-a可包含材料(例如，电阻性材料)515。材料515可通过在第一金属材料
510上方(例如，到其上)沉积具有相对高的电阻率的材料形成，所述材料例如包含钨、硅、氮或其任何组合的材料。举例来说，材料515可由氮化钨硅(wsin)材料组成，所述材料可具有与第一金属材料510相比较高的电阻率。
91.在一些实例中，截面500-a可包含第一电极材料520，所述第一电极材料包含一或多个部分。举例来说，第一电极层可包含第一电极材料的第一部分520-a、第一电极材料的第二部分520-b，以及第一电极材料的第三部分520-c。第一电极材料的第一部分520-a可通过在材料415上方(例如，到其上)沉积第一电极材料形成，所述材料例如基于导电碳的材料。举例来说，第一电极材料的第二部分520-b和第一电极材料520的第一电极材料的第三部分520-c可以与第一电极材料的第一部分520-a是相同的材料，或者可以是不同的导电材料，例如不同的金属材料。第一电极材料520的部分可沉积在一或多个薄层535上方或下方。举例来说，截面500-a可包含一个、两个或三个薄层535以及第一电极材料520的一个、两个或三个部分。如本文中所描述，薄层535可包含在存储器单元中并且可包含在存取操作期间缓解不期望的电流尖峰的材料性质。
92.截面500-a可包含薄层535，所述薄层包含一或多个部分。举例来说，薄层535可包含第一部分535-a、第二部分535-b，以及第三部分535-c。薄层535的部分可通过在第一电极材料520的一或多个部分上方或下方沉积具有相对高的电阻率的材料形成，所述材料例如包含铪、铝、氧或其任何组合的材料。举例来说，截面500-a可包含一个、两个或三个薄层535以及第一电极材料520的一个、两个或三个部分。
93.薄层535的每个部分可由氧化铪(hfox)、氧化铝(alox)、氧化锆(zrox)或氮化硅(sin)组成，并且可增大存储器单元(例如，由存储器材料525组成的存储器单元)的电阻以防止在存取操作期间的不期望的电流尖峰。薄层的部分可沉积在通常将包含wsin的位置中。用薄层535代替wsin可进一步增大存储器单元的电阻率，这可在存取操作期间更好的保护存储器单元免受不期望的电流尖峰。举例来说，在存储器材料525下方包含一或多个薄层可缓解原本将由从第一金属材料510到存储器材料525的电流流动所引起的电流尖峰。此外，薄层535可以与同材料的堆叠中的其它元件相同或类似的蚀刻速率相关联。因此，薄层535可减少跨越存储器材料525的不期望的电流尖峰，同时简化相关联的存储器装置的制造过程，这是由于对较少的蚀刻和/或材料移除步骤的需要。
94.截面500-a可包含在第一电极材料520和薄层535上方的存储器材料。存储器材料425可通过在薄层535上方(例如，到其上)(例如，在上部薄层535上方(例如，到其上))沉积存储器材料525形成。举例来说，单元存储材料可以是可变电阻材料、硫族化物材料或相变材料，并且可以沉积以引起在第一电极材料520上方形成存储器单元。
95.在一些实例中，第二电极材料530可包含一或多个部分。举例来说，第二电极材料的第一部分530-a可通过在存储器材料525上方(例如，到其上)沉积第二电极材料形成。第二电极材料的第一部分530-a可以是与第一电极材料相同的材料，例如，基于导电碳的材料，或者可以是不同的导电材料，例如不同的金属材料。第二电极材料的第一部分530-a可首先沉积(例如，在第二电极材料的第二部分530-b之前)，使得薄层(例如，薄层)535-j可沉积在层之间(例如，在沉积第二电极材料的第一部分530-a之后并且在沉积第二电极材料的第二部分530-b之前)。如本文中所描述，薄层535-j可被包含为整体所引起的存储器单元的部分并且可包含在存取操作期间缓解不期望的电流尖峰的材料性质，例如相对高的电阻率
等等，以及其它益处。在一些实例中，薄层535-j具有大于第一金属材料510的电阻率，所述材料可包含wsin材料。在某一实例中，薄层535-j可具有大于截面500-a中所示的所有材料(例如，除其它薄层535之外)的电阻率。
96.第二电极材料530可通过在存储器材料525上方(例如，到其上)沉积第二电极材料形成。第二电极材料530可以是与第一电极材料相同的材料，例如，基于导电碳的材料，或者可以是不同的导电材料，例如不同的金属材料。共同地，第一电极材料520、存储器材料525和第二电极材料530可用于形成一或多个存储器单元，其中的至少一些(如果不是其中的每一个)可与第一金属材料510耦合(例如，连接到所述第一金属材料、与所述第一金属材料接触)。存储器材料可被用作存储器单元的存储元件以存储存储器单元的逻辑状态以及在一些实例中作为选择器装置以实现所引起的存储器单元的选择。
97.截面500-a可包含第二金属材料540。第二金属材料540可通过在第二电极材料530上方(例如，到其上)沉积金属材料形成。第二金属材料540可对应于可用于存取一或多个存储器单元的存取线，例如字线或位线。在一些实例中，如果第一金属材料510对应于字线，那么第二金属材料540可对应于位线，或反之亦然。第一电极材料520和第二电极材料530可将导电连接件提供到第一金属材料510或第二金属材料540或这两者。如本文中所描述，“材料”可以是或可包含至少一个“层”。在一些实例中，术语“材料”可用于描述材料的层，例如通过沉积材料形成的层。
98.图5b描绘截面500-b，其可表示在一或多个沉积和一或多个移除过程已经完成之后形成的一或多个柱550的截面。举例来说，柱550可表示蚀刻由截面500-a表示的材料的不同的堆叠。柱550可各自包含存储器单元105并且可在执行一或多个移除程序之后形成以移除第一金属材料510-a的一部分、材料515-a、第一电极材料520的一或多个部分、薄层535的一或多个部分、存储器材料525-a、第二电极材料530-a，以及第二金属材料545-a。移除过程可包含平坦化过程，例如cmp，和/或蚀刻过程，例如化学蚀刻(也被称作“湿式蚀刻”)、等离子体蚀刻(也被称作“干式蚀刻”)、其它实例，或其任何组合。
99.在截面500-b中描绘的第一柱550-a可包含第一金属材料510-a、材料515-a、第一电极材料520-d、薄层535-d、存储器材料525-a、第二电极材料530-a，以及第二金属材料540-a。第一柱350-a可包含存储器单元105-f，其可包含第一电极材料520-d、薄层535-d、存储器材料525-a，以及第二电极材料530-a。
100.在截面500-b中描绘的第二柱550-b可包含第一金属材料510-a、材料515-a、第一电极材料的第一部分520-e、第一薄层535-e、第一电极材料的第二部分520-f、第二薄层535-f、存储器材料525-a、第二电极材料530-a，以及第二金属材料540-a。第二柱550-b可包含存储器单元105-g，其可包含第一电极材料的第一部分520-e、第一薄层535-e、第一电极材料的第二部分520-f、第二薄层535-f、存储器材料525-a、第二电极材料530-a。与第一柱550-a相比，第二柱550-b可包含额外的薄层535，其可进一步增大存储器单元的电阻率。
101.在截面500-b中描绘的第三柱550-c可包含第一金属材料510-a、材料515-a、第一电极材料的第一部分520-g、第一薄层535-g、第一电极材料的第二部分520-h、第二薄层535-h、第一电极材料的第三部分520-i、第三薄层535-i、存储器材料525-a、第二电极材料530-a，以及第二金属材料540-a。第三柱550-c可包含存储器单元105-h，其可包含第一电极材料的第一部分520-e、第一薄层535-e、第一电极材料的第二部分520-f、第二薄层535-f、
第一电极材料的第三部分520-i、第三薄层535-i、存储器材料525-a、第二电极材料530-a。与第二柱550-b相比，第三柱550-c可包含额外的薄层535，其可进一步增大存储器单元的电阻率。
102.第一柱550-a、第二柱550-b和第三柱550-c可各自基于蚀刻(例如，一或多次)材料的堆叠形成，所述材料的堆叠可包含在截面500-a中说明的材料中的一或多种。在一些实例中，材料可在多个方向上(例如，在两个方向上)经蚀刻，并且材料可以是在单个蚀刻过程之前或之后沉积的以在存储器单元的叠组中形成第一柱550-a、第二柱550-b和/或第三柱550-c。
103.举例来说，第一柱550-a、第二柱550-b或第三柱550-c的第一金属材料510-a可在经沉积之前经图案化(例如，经蚀刻)。图案化第一金属材料510-a可引起非自对准存取线。在其它实例中，第一柱550-a、第二柱550-b或第三柱550-c的第一金属材料510-a可在经沉积之后经图案化(例如，经蚀刻)。图案化第一金属材料510-a可引起自对准存取线。
104.因此，具有包含例如氧化铪(hfox)、氧化铝(alox)、氧化锆(zrox)或氮化硅(sin)的氧化物材料的一或多个薄层535并且具有与至少一些(如果不是所有)其它材料(例如，在截面500-a中所示的材料)相比相对高的电阻率可缓解在存取操作期间原本存在的不期望的电流尖峰以及实现与其它技术相比更加流线化且简化的生产过程。如本文中所描述，“材料”可以是或可包含至少一个“层”。在一些实例中，术语“材料”可用于描述材料的层，例如通过沉积材料形成的层。
105.图6示出根据本公开的方面的说明支持电阻性接口材料的一或多种方法600的流程图。方法600的操作可通过生产系统或与生产系统(例如，其可以是或包含制造装置)相关联的一或多个控制器或如本文中所描述的其组件来实施。举例来说，方法600的操作可通过蚀刻工具、沉积工具、平坦化工具或如参考图3a到5b所描述的其它工具中的一或多个来执行。在一些实例中，制造装置可执行指令的集合以控制制造装置的功能元件以执行所描述的功能。额外地或替代地，制造装置可使用专用硬件来执行所描述的功能的方面。
106.在605处，生产系统(例如，其可以是或包含制造装置，以及其它组件)可在衬底上沉积第一金属材料以形成对应于第一存取线的第一金属材料。605的操作可根据本文中所描述的方法来执行。在一些实例中，605的操作的方面可如本文中所描述通过沉积工具来执行。
107.在610处，生产系统(例如，其可以是或包含制造装置，以及其它组件)可在第一金属材料上方沉积单元存储材料。610的操作可根据本文中所描述的方法来执行。在一些实例中，610的操作的方面可如本文中所描述通过沉积工具来执行。在一些实例中，生产系统可在第一金属材料上方并且在单元存储材料下方沉积电极材料(例如，第二电极材料)。举例来说，生产系统可在发生在605之后且在610之前的处理步骤期间沉积单元存储材料。
108.在615处，生产系统(例如，其可以是或包含制造装置，以及其它组件)可在单元存储材料上方沉积氧化物材料以形成具有与第一金属材料、单元存储材料、电极材料和第二金属材料相比较大电阻率的薄层。615的操作可根据本文中所描述的方法来执行。在一些实例中，615的操作的方面可如本文中所描述通过沉积工具来执行。
109.在620处，生产系统(例如，其可以是或包含制造装置，以及其它组件)可在单元存储材料上方沉积电极材料以形成电极材料的至少一部分。620的操作可根据本文中所描述
的方法来执行。在一些实例中，620的操作的方面可如本文中所描述通过沉积工具来执行。
110.在625处，生产系统(例如，其可以是或包含制造装置，以及其它组件)可在电极材料上方沉积第二金属材料以形成对应于第二存取线的第二金属材料。625的操作可根据本文中所描述的方法来执行。在一些实例中，625的操作的方面可如本文中所描述通过沉积工具来执行。
111.在一些实例中，如本文中所描述的设备可执行一或多种方法，例如方法600。所述设备可包含特征、装置或指令(例如，存储可由处理器执行的指令的非暂时性计算机可读媒体)以用于在衬底上沉积第一金属材料以形成对应于第一存取线的第一金属材料、在第一金属材料上方沉积单元存储材料、在单元存储材料上方沉积氧化物材料以形成具有与第一金属材料、单元存储材料、电极材料和第二金属材料相比较大电阻率的薄层、在单元存储材料上方沉积电极材料以形成电极材料的至少一部分，以及在电极材料上方沉积第二金属材料以形成对应于第二存取线的第二金属材料。
112.本文中所描述的方法600和设备的一些实例可进一步包含操作、特征、装置或指令以用于在薄层上方沉积电极材料以形成电极材料的至少第二部分，其中薄层可位于电极材料的第一部分与电极材料的第二部分之间。
113.本文中所描述的方法600和设备的一些实例可进一步包含操作、特征、装置或指令以用于在电极材料的第二部分上方沉积第二氧化物材料以形成具有与第一金属材料、单元存储材料、电极材料的第一部分、电极材料的第二部分和第二金属材料相比较大电阻率的第二薄层，其中第二薄层可位于电极材料的第二部分与第二金属材料之间。
114.本文中所描述的方法600和设备的一些实例可进一步包含操作、特征、装置或指令以用于在电极材料的第二部分上方沉积氮化钨硅材料，其中氮化钨硅材料可位于第二金属材料与电极材料的第二部分之间。
115.本文中所描述的方法600和设备的一些实例可进一步包含操作、特征、装置或指令以用于在薄层上方沉积电极材料以形成电极材料的至少第二部分、在电极材料的第二部分上方沉积氧化物材料以形成第二薄层，以及在薄层上方沉积电极材料以形成电极材料的至少第三部分，其中电极材料的第三部分可位于第二薄层与第二金属材料之间。
116.本文中所描述的方法600和设备的一些实例可进一步包含操作、特征、装置或指令以用于在电极材料的第二部分上方沉积氧化物材料以形成第三薄层，其中第二薄层和第三薄层可具有与第一金属材料、单元存储材料、电极材料的第一部分、电极材料的第二部分、电极材料的第三部分和第二金属材料相比较大的电阻率，其中第三薄层可位于电极材料的第三部分与第二金属材料之间。
117.在本文中所描述的方法600和设备的一些实例中，氧化物材料可沉积在电极材料上方并且在第二金属材料下方。
118.本文中所描述的方法600和设备的一些实例可进一步包含操作、特征、装置或指令以用于在第一金属材料上方沉积电极材料以形成第二电极材料的至少一部分，并且在第一金属材料上方沉积氧化物材料以形成具有与第一金属材料、单元存储材料、电极材料、第二电极材料和第二金属材料相比较大电阻率的第二薄层，其中第二薄层可位于第一金属材料与单元存储材料之间。
119.本文中所描述的方法600和设备的一些实例可进一步包含操作、特征、装置或指令
以用于在沉积第二金属材料之前在第一方向上执行第一蚀刻过程以移除单元存储材料、电极材料、薄层和第一金属材料的一部分。
120.本文中所描述的方法600和设备的一些实例可进一步包含操作、特征、装置或指令以用于在沉积第二金属材料之后在第二方向上执行第二蚀刻过程以移除单元存储材料、电极材料、薄层和第二金属材料的一部分。
121.本文中所描述的方法600和设备的一些实例可进一步包含操作、特征、装置或指令以用于在第一金属材料上方沉积氮化钨硅材料，其中氮化钨硅材料可位于第一金属材料与单元存储材料之间。
122.在本文中所描述的方法600和设备的一些实例中，薄层包含小于或等于1nm的厚度。
123.应注意，本文中所描述的方法描述了可能的实施方案，且操作和步骤可经重新布置或以其它方式修改，并且其它实施方案是可能的。此外，可组合来自所述方法中的两个或多于两个的部分。
124.描述了一种设备。所述设备可包含：第一金属材料，其形成在衬底上并且对应于第一存取线；存储器材料，其形成在第一金属材料上方，其中存储器材料包含经配置为选择器材料的硫族化物材料；电极材料，其形成在存储器材料上方；薄层，其形成在存储器材料、电极材料的至少一部分或这两者上方，其中薄层包含具有大于第一金属材料、电极材料和第二金属材料的电阻率的氧化物材料；以及第二金属材料，其形成在薄层上方并且对应于第二存取线。
125.在一些实例中，薄层可形成在电极材料上方并且在第二金属材料下方。
126.在一些实例中，薄层的第一部分可接触第二金属材料，并且薄层的第二部分可接触电极材料，其中薄层的第一部分或薄层的第二部分原本将接触氮化钨硅材料。
127.在一些实例中，电极材料可包含操作、特征、装置或指令以用于第一部分和第二部分，其中薄层可形成在电极材料的第一部分与电极材料的第二部分之间。
128.所述设备的一些实例可包含形成在电极材料的第二部分上方的第二薄层，其中第二薄层包含具有大于第一金属材料、电极材料的第一部分、电极材料的第二部分和第二金属材料的电阻率的氧化物材料。
129.在一些实例中，电极材料可包含操作、特征、装置或指令以用于形成在电极材料的第三部分上方的第三薄层，其中第三薄层包含具有大于第一金属材料、电极材料的第一部分、电极材料的第二部分、电极材料的第三部分和第二金属材料的电阻率的氧化物材料。
130.所述设备的一些实例可包含在电极材料的第二部分上方并且在第二金属材料下方的氮化钨硅材料。
131.所述设备的一些实例可包含形成在存储器材料下方和第一存储器材料上方的第二电极材料，以及形成在存储器材料与第一金属材料之间的第四薄层，其中第四薄层包含具有大于第一金属材料、电极材料和第二金属材料的电阻率的氧化物材料。
132.在一些实施例中，薄层可具有小于或等于1nm的厚度。
133.在一些实例中，薄层包含氧化铝、氧化铪、氧化锆、氮化硅，或其组合。
134.描述了一种设备。所述设备可包含：第一金属材料，其形成在衬底上并且对应于第一存取线；第一电极材料，其形成在第一金属材料上方；薄层，其形成在第一电极材料的至
少一部分上方，其中薄层包含具有与第一金属材料和第一电极材料相比较大电阻率的氧化物材料，所述氧化物材料包含氧化铝或氧化铪；存储器材料，其形成在薄层上方，其中存储器材料包含经配置为选择器材料的硫族化物材料；第二电极材料，其形成在存储器材料上方；以及第二金属材料，其形成在第二电极材料上方并且对应于第二存取线。
135.所述设备的一些实例可包含形成在存储器材料上方的第二薄层，其中第二薄层包含具有与第一金属材料和第一电极材料相比较大电阻率的氧化物材料，所述氧化物材料包含氧化铝或氧化铪。
136.在一些实例中，薄层和第二薄层包含相同的氧化物材料。
137.可使用多种不同技艺和技术中的任一个来表示本文中所描述的信息和信号。举例来说，可通过电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光粒子或其任何组合来表示在整个描述中可能参考的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号和芯片。一些图式可将信号说明为单个信号；然而，所属领域的一般技术人员将理解，所述信号可表示信号的总线，其中总线可具有多种位宽度。
138.术语“电子通信”、“导电接触”、“连接”和“耦合”可指代支持信号在组件之间流动的组件之间的关系。如果在组件之间存在可以在任何时间支持信号在组件之间流动的任何导电路径，那么认为组件彼此电子通信(或彼此导电接触、或彼此连接、或彼此耦合)。在任何给定时间，基于包含所连接组件的装置的操作，彼此电子通信(或彼此导电接触，或彼此连接，或彼此耦合)的组件之间的导电路径可以是开路或闭路。所连接组件之间的导电路径可以是组件之间的直接导电路径，或所连接组件之间的导电路径可以是可包含例如开关、晶体管或其它组件的中间组件的间接导电路径。在一些实例中，可例如使用例如开关或晶体管的一或多个中间组件来中断所连接组件之间的信号的流动一段时间。
139.术语“耦合”指代从组件之间的开路关系移动到组件之间的闭路关系的条件，在开路关系中，信号当前不能够通过导电路径在组件之间传送，在闭路关系中，信号能够通过导电路径在组件之间传送。当例如控制器的组件将其它组件耦合在一起时，组件起始允许信号通过先前不准许信号流动的导电路径在其它组件之间流动的改变。
140.术语“隔离”指代信号当前不能够在组件之间流动的组件之间的关系。如果组件之间存在开路，那么组件彼此隔离。举例来说，由定位在两个组件之间的开关分开的所述组件在开关断开时彼此隔离。当控制器隔离两个组件时，控制器实现以下改变：防止信号使用先前准许信号流动的导电路径在组件之间流动。
141.本文中所使用的术语“层”或“层级”指代几何结构(例如，相对于衬底)的层或片。每个层或层级可具有三个维度(例如，高度、宽度和深度)且可覆盖表面的至少一部分。举例来说，层或层级可以是三维结构，其中两个维度大于第三维度，例如，薄膜。层或层级可包含不同元件、组件和/或材料。在一些实例中，一个层或层级可由两个或大于两个子层或子层级组成。
142.如本文中所使用，术语“电极”可指电导体，并且在一些实例中，可用作到存储器阵列的存储器单元或其它组件的电接触件。电极可包含提供存储器阵列的元件或组件之间的导电路径的迹线、导线、导电线、导电层，或类似者。
143.包含存储器阵列的本文中所论述的装置可形成在半导体衬底上，例如硅、锗、硅锗合金、砷化镓、氮化镓等。在一些实例中，衬底是半导体晶片。在其它实例中，衬底可以是绝
缘体上硅(soi)衬底，例如玻璃上硅(sog)或蓝宝石上硅(sop)，或另一衬底上的半导体材料的外延层。可以通过使用包含但不限于磷、硼或砷的各种化学物质的掺杂来控制衬底或衬底的子区的导电性。可以在衬底的初始形成或生长期间，通过离子植入或通过任何其它掺杂方法来执行掺杂。
144.本文中所论述的开关组件或晶体管可表示场效应晶体管(fet)，并且包括包含源极、漏极和栅极的三端子装置。端子可通过例如金属的导电材料连接到其它电子元件。源极和漏极可以是导电的并且可包括重掺杂(例如，简并)的半导体区。源极和漏极可通过轻掺杂的半导体区或沟道分隔开。如果沟道是n型(即，大部分载流子为电子)，那么fet可被称作n型fet。如果沟道为p型(即，大部分载流子为电洞)，那么fet可被称作p型fet。所述沟道可由绝缘栅极氧化物封端。可通过将电压施加到栅极来控制沟道导电性。举例来说，将正电压或负电压相应地施加到n型fet或p型fet可使得沟道变为导电的。当将大于或等于晶体管的阈值电压的电压施加到晶体管栅极时，晶体管可“接通”或“激活”。当将小于晶体管的阈值电压的电压施加到晶体管栅极时，晶体管可“断开”或“解除激活”。
145.本文中结合附图所阐述的描述内容描述了实例配置，且并不表示可以实施的或在权利要求书的范围内的所有实例。本文中所使用的术语“示例性”意味着“充当实例、例子或说明”，且不比其它实例“优选”或“有利”。具体实施方式包含提供对所描述的技术的理解的具体细节。然而，可在没有这些具体细节的情况下实践这些技术。在一些例子中，以框图的形式示出了众所周知的结构和装置以便避免混淆所描述的实例的概念。
146.在附图中，类似的组件或特征可具有相同的参考标记。此外，可通过在参考标记后面跟着短划线和区分类似组件的第二标记来区分相同类型的各种组件。如果在说明书中仅使用第一参考标记，那么描述适用于具有相同第一参考标记而与第二参考标记无关的类似组件中的任一个。
147.本文中所描述的功能可在硬件、由处理器执行的软件、固件或其任何组合中实施。如果在由处理器执行的软件中实施，那么可将功能作为一或多个指令或代码存储在计算机可读媒体上或通过计算机可读媒体来发射。其它实例和实施方案在本公开及所附权利要求书的范围内。举例来说，由于软件的本质，本文中所描述的功能可以使用由处理器执行的软件、硬件、固件、硬连线或这些中的任一个的组合来实施。实施功能的特征也可在物理上位于各个位点处，包含经分布以使得功能的部分在不同的物理位置处实施。
148.举例来说，可用通用处理器、dsp、asic、fpga或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件或其设计成执行本文中所描述的功能的任何组合来实施或执行结合本文中的公开内容而描述的各种说明性块和模块。通用处理器可以是微处理器，但是在替代方案中，处理器可以是任何处理器、控制器、微控制器或状态机。处理器也可被实施为计算装置的组合(例如，dsp与微处理器的组合、多个微处理器、一或多个微处理器结合dsp核心，或任何其它此类配置)。
149.如本文中所使用，包含在权利要求书中，如在项目的列表(例如，以例如“中的至少一个”或“中的一或多个”等短语开始的项目的列表)中所使用的“或”指示包含性列表，使得例如，a、b或c中的至少一个的列表意味着a或b或c，或者ab或ac或bc，或者abc(即，a和b和c)。并且，如本文中所使用，短语“基于”不应被理解为参考封闭条件集。举例来说，在不脱离本公开的范围的情况下，被描述为“基于条件a”的示例性步骤可基于条件a和条件b两者。换
句话说，如本文中所使用，短语“基于”应同样地解释为短语“至少部分地基于”。
150.提供本文中的描述以使得所属领域的技术人员能够制造或使用本公开。所属领域的技术人员将显而易见对本公开的各种修改，且本文中所定义的一般原理可应用于其它变体而不会脱离本公开的范围。因此，本公开并不限于本文中所描述的实例和设计，而是应符合与本文中所公开的原理和新颖特征相一致的最广范围。