显示面板的制作方法

1.本技术涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板。


背景技术：

2.有机发光二极管显示面板应用于大尺寸显示面板时会出现亮度不均匀的现象，严重影响大尺寸有机发光二极管显示面板的显示效果。
3.因此，有必要提出一种技术方案以解决大尺寸有机发光显示面板亮度不均匀的问题。


技术实现要素：

4.本技术的目的在于提供一种显示面板，以解决大尺寸有机发光二极管显示面板亮度不均匀的问题。
5.为实现上述目的，技术方案如下：
6.一种显示面板，所述显示面板包括：
7.基板；
8.辅助电极，设置于所述基板的一侧；
9.绝缘层，设置于所述辅助电极远离所述基板的一侧，所述绝缘层包括底切结构，所述底切结构贯穿所述绝缘层且对应所述辅助电极设置，所述底切结构远离所述基板的一端的尺寸小于所述底切结构靠近所述基板的一端的尺寸；以及
10.发光器件层，设置于所述绝缘层远离所述辅助电极的一侧，所述发光器件层包括阴极层，所述底切结构断开所述阴极层对应所述底切结构设置的部分，且所述阴极层的部分沿着所述底切结构的侧壁延伸至与所述辅助电极接触。
11.在一些实施例中，所述底切结构包括：
12.凸出部，位于所述底切结构远离所述基板的一端，所述凸出部相对于所述底切结构靠近所述基板的一端向所述底切结构的中心方向凸出，所述凸出部断开所述阴极层对应所述底切结构设置的部分；以及
13.倾斜部，所述倾斜部的部分位于所述辅助电极上且与所述凸出部相对设置，所述倾斜部的坡度大于0度且小于90度，所述阴极层的部分沿着倾斜部的侧壁延伸至与所述辅助电极接触。
14.在一些实施例中，所述绝缘层包括：
15.钝化层，所述钝化层位于所述辅助电极与所述发光器件层之间，且所述钝化层包括所述凸出部；
16.所述显示面板还包括平坦化层，所述平坦化层位于所述钝化层与所述发光器件层之间，所述平坦化层包括第一通孔，所述第一通孔贯穿所述平坦化层且与所述底切结构连通，所述第一通孔的尺寸大于所述底切结构远离所述基板的一端的尺寸。
17.在一些实施例中，所述绝缘层包括：
18.钝化层，所述钝化层位于所述辅助电极与所述发光器件层之间；以及
19.平坦化层，所述平坦化层位于所述钝化层与所述发光器件层之间；
20.其中，所述钝化层和所述平坦化层包括所述凸出部。
21.在一些实施例中，所述显示面板还包括：
22.像素定义层，所述像素定义层位于所述绝缘层与所述阴极层之间，所述像素定义层包括多个像素开口和围绕所述像素开口设置的堤坝，所述堤坝包括：
23.第二通孔，所述第二通孔贯穿所述堤坝且与所述底切结构连通设置；
24.其中，所述第二通孔的尺寸大于所述底切结构远离所述基板的一端的尺寸。
25.在一些实施例中，所述堤坝包括：
26.多个沿第一方向间隔排布的亲水性堤坝；以及
27.多个沿第二方向间隔排布的疏水性堤坝，设置于多个所述亲水性堤坝远离所述基板的一侧，所述第二方向与所述第一方向不同；
28.其中，所述底切结构对应所述疏水性堤坝设置；
29.至少一个所述第二通孔贯穿所述疏水性堤坝，和/或，至少一个所述第二通孔贯穿所述疏水性堤坝和所述亲水性堤坝交叠的部分。
30.在一些实施例中，所述疏水性堤坝的高度大于所述亲水性堤坝的高度。
31.在一些实施例中，所述发光器件层还包括有机发光层，所述有机发光层包括：
32.多个发光单元，设置于多个所述像素开口中，相邻两个所述疏水性堤坝之间设置有发出相同颜色色光的至少两个发光单元，相邻两个所述亲水性堤坝之间设置有发出不同颜色色光的至少两个发光单元。
33.在一些实施例中，所述显示面板还包括：
34.薄膜晶体管阵列层，设置于所述绝缘层与所述基板之间，所述薄膜晶体管阵列层包括多个金属层，所述薄膜晶体管阵列层的多个金属层中的至少一者包括所述辅助电极。
35.在一些实施例中，所述薄膜晶体管阵列层包括：
36.半导体层，设置于所述基板的一侧；
37.栅极金属层，所述栅极金属层位于半导体层远离所述基板的一侧，所述栅极金属层包括栅极；以及
38.源漏电极金属层，所述源漏电极金属层位于所述栅极金属层远离所述半导体层的一侧，所述源漏电极金属层包括所述辅助电极以及源漏电极。
39.在一些实施例中，所述发光器件层还包括：
40.功能层，所述功能层位于所述阴极层与所述辅助电极之间，所述底切结构断开所述功能层对应所述底切结构的部分，所述阴极层位于所述底切结构中的部分覆盖所述功能层且与所述辅助电极接触。
41.有益效果：本技术提供一种显示面板，位于辅助电极与阴极层之间的绝缘层包括底切结构，底切结构断开阴极层对应底切结构设置的部分，且阴极层的部分沿着底切结构的侧壁延伸至与辅助电极接触，以改善阴极层的电阻压降问题，解决由于电阻压降导致的显示亮度不均问题。另外，底切结构的设计能断开功能层，避免功能层覆盖辅助电极而导致阴极层无法与辅助电极接触。
附图说明
42.图1为本技术第一实施例显示面板的示意图；
43.图2为图1所示像素定义层、有机发光层的平面示意图；
44.图3为图1所示底切结构的局部放大示意图；
45.图4为本技术第二实施例显示面板的示意图；
46.图5为图4所示显示面板的局部放大示意图；
47.图6a-图6n为制造图4所示显示面板的过程示意图。
具体实施方式
48.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
49.如图1及图2所示，图1为本技术第一实施例显示面板的示意图，图2为图1所示像素定义层、有机发光层的平面示意图。显示面板10具有显示区101和焊盘区102，焊盘区102位于显示区101的外围。
50.显示面板10包括基板11、遮光金属层12、缓冲层13、半导体层14、栅极绝缘层15、栅极金属层16、层间绝缘层17、源漏电极金属层18、钝化层19、平坦化层20、像素定义层21以及发光器件层。其中，半导体层14、栅极绝缘层15、栅极金属层16、层间绝缘层17、源漏电极金属层18组成薄膜晶体管阵列层。
51.在本实施例中，基板11为玻璃基板。在其他实施例中，基板11可以为柔性基板。
52.在本实施例中，遮光金属层12位于基板11的一侧，且遮光金属层12位于基板11上。遮光金属层12包括遮光块121和下电极板122，遮光块121与下电极板122间隔地设置于显示区101。遮光金属层12的厚度为1000埃-10000埃。遮光金属层12的制备材料包括钼、铝、钛、铜、银中的至少一种。
53.在本实施例中，缓冲层13覆盖遮光金属层12和基板11，且从显示区101延伸至焊盘区102。缓冲层13的厚度为1000埃-5000埃。缓冲层13的制备材料包括氮化硅以及氧化硅中的至少一种。
54.在本实施例中，半导体层14位于缓冲层13远离基板11的一侧。半导体层14包括间隔设置于显示区101的有源图案141和上电极板142，有源图案141包括沟道，有源图案141对应遮光块121设置，上电极板142对应下电极板122设置。半导体层14的厚度为100埃-1000埃。半导体层14的制备材料为铟镓锌氧化物、铟锡锌氧化物以及铟镓锌锡氧化物中的任意一种。
55.需要说明的是，上电极板142是对部分半导体层进行导体化处理得到，导体化处理的方式包括离子注入等。上电极板142、下电极板122以及上电极板142和下电极板122之间的缓冲层13组成电容器。
56.在本实施例中，栅极绝缘层15位于半导体层14远离基板11的一侧。栅极绝缘层15包括间隔设置于显示区101的第一栅极绝缘图案151和第二栅极绝缘图案152，第一栅极绝缘图案151设置于有源图案141上且对应有源图案141的沟道设置，第二栅极绝缘图案152设
5.0微米。平坦化层20的制备材料包括聚丙烯酸酯以及聚酰亚胺中的一种。
66.在本实施例中，钝化层19和平坦化层20包括底切结构191，底切结构191贯穿钝化层19和平坦化层20，底切结构191对应辅助电极183设置。底切结构191远离基板11的一端的尺寸小于底切结构191靠近基板11的一端的尺寸。
67.如图3所示，底切结构191包括凸出部1911以及倾斜部1912，凸出部1911与倾斜部1912相对设置。
68.凸出部1911起到切断下文中功能层的作用，避免功能层覆盖辅助电极183而导致下文中阴极层无法与辅助电极183接触。凸出部1911位于底切结构191远离基板11的一端，凸出部1911相对于底切结构191靠近基板11的一端向底切结构191的中心方向凸出，凸出部1911包括平坦化层20和钝化层19。
69.倾斜部1912的设计有利于下文中阴极层沿着倾斜部1912的侧壁延伸至与辅助电极183接触，进而改善下文中阴极层的电阻压降导致的显示不均问题。倾斜部1912的部分位于辅助电极183上，倾斜部1912的坡度大于0度且小于90度，倾斜部1912包括平坦化层20和钝化层19。倾斜部1912的坡度可以为45度、60度、70度或者80度。
70.具体地，底切结构191包括第一侧壁191a、第二侧壁191b、连接侧壁191c以及第三侧壁191d，第一侧壁191a、第二侧壁191b以及第三侧壁191d均相对于显示面板10的厚度方向倾斜，连接侧壁191c与显示面板10的厚度方向垂直。凸出部1911包括第一侧壁191a和连接侧壁191c，第一侧壁191a和第二侧壁191b位于底切结构191的同一侧且位于底切结构191的相对两端，连接侧壁191c连接第一侧壁191a和第二侧壁191b。倾斜部1912包括第三侧壁191d，倾斜部1912与第一侧壁191a和第二侧壁191b均连接。
71.其中，第一侧壁191a与连接侧壁191c之间的夹角大于0度且小于90度，例如为45度、60度、70度或者80度；第二侧壁191b与连接侧壁191c之间的夹角大于90度且小于180度，例如为145度、120、110度或者100度。第三侧壁191d向远离第一侧壁191a的方向倾斜，且第三侧壁191d与垂直于显示面板10厚度的方向之间的夹角大于0度且小于90度，例如为145度、120、110度或者100度。
72.在本实施例中，像素定义层21位于平坦化层20远离基板11的一侧且位于显示区101。像素定义层21包括像素开口211以及堤坝212，堤坝212围绕像素开口211设置。
73.其中，堤坝212包括第二通孔212a，第二通孔212a贯穿堤坝212且与底切结构191连通设置，第二通孔212a的尺寸大于底切结构191远离基板11的一端的尺寸，以使得下文中阴极层能沉积至第二通孔212a的侧壁和底切结构191的侧壁上，进而能与辅助阴极183之间实现搭接。其中，第二通孔212a远离基板11的一端的尺寸大于第二通孔212a靠近基板11的尺寸。
74.具体地，堤坝212包括多个亲水性堤坝2121、多个疏水性堤坝2122以及第二通孔212a。
75.多个亲水性堤坝2121沿第一方向间隔排布，多个疏水性堤坝2122沿第二方向间隔排布，第二方向与第一方向不同，多个疏水性堤坝2122位于多个亲水性堤坝2121远离基板11的一侧，相邻两个亲水性堤坝2121与相邻两个疏水性堤坝2122交叉围合的区域限定出像素开口211，多个亲水性堤坝2121与多个疏水性堤坝2122限定出多个像素开口211。
76.其中，第一方向与第二方向垂直。疏水性堤坝2122和亲水性堤坝2121的纵截面均
为梯形。
77.至少一个第二通孔212a贯穿疏水性堤坝2122，和/或，至少一个第二通孔212a贯穿疏水性堤坝2122和亲水性堤坝2121交叠的部分，对应地，底切结构191对应疏水性堤坝2122设置，以利用疏水性堤坝2122的疏水性避免下文中堵塞第二通孔212a而导致阴极层无法与辅助电极183有效接触。
78.其中，第二通孔212a靠近基板11的一端的尺寸小于第二通孔212a远离基板11的一端的尺寸，以保证阴极层沿着第二通孔212a的侧壁延伸至底切结构191的侧壁上，进而与辅助电极183接触。
79.在本实施例中，疏水性堤坝2122的高度大于亲水性堤坝2121的高度，以避免下文中有机发光层中发出不同颜色色光的发光单元之间发生串扰。
80.具体地，疏水性堤坝2122的高度为0.3微米-1.0微米，亲水性堤坝2121的高度为0.5微米-2.0微米。例如，疏水性堤坝2122的高度为0.5微米，亲水性堤坝2121的高度为1.0微米。
81.在本实施例中，疏水性堤坝2122的制备材料为疏水性有机材料，例如为包括脂肪链的有机化合物；亲水性堤坝2121的制备材料为亲水性有机材料，例如包括亲水性基团的有机化合物。
82.另外，亲水性堤坝2121的制备材料为正性光阻或负性光阻中的任意一种，疏水性堤坝2122的制备材料为正性光阻或负性光阻中的任意一种。
83.在本实施例中，发光器件层位于平坦化层20远离基板11的一侧，发光器件层包括阳极层231、有机发光层232、阴极层233以及功能层234。阳极层231位于平坦化层20上，有机发光层232位于阳极层231与阴极层233之间，功能层234位于阴极层233与有机发光层232之间。可以理解的是，功能层234也可以位于阳极层231与有机发光层232之间。
84.在本实施例中，阳极层231包括多个阳极。像素定义层21覆盖每个阳极的部分，且像素开口211对应阳极设置。阳极层231的制备材料包括氧化铟锡、铟、铜中的至少一种。
85.在本实施例中，有机发光层232包括多个发光单元，多个发光单元包括发出至少两种不同颜色色光的发光单元，例如包括发出红光的第一发光单元r1、发出绿光的第二发光单元g1以及发出蓝光的第三发光单元b1。
86.多个发光单元一对一地设置于像素开口211中且位于阳极上，相邻两个疏水性堤坝2122之间设置有发出相同颜色色光的至少两个发光单元，相邻两个亲水性堤坝2121之间设置有发出不同颜色色光的至少两个发光单元，以避免发出不同颜色的发光单元之间发生串扰。
87.例如，发出红光的第一发光单元r1和发出红光的第一发光单元r2设置于相邻的两个疏水性堤坝2122之间，发出红光的第一发光单元r1、发出绿光的第二发光单元g1以及发出蓝光的第三发光单元b1均设置于相邻的两个亲水性堤坝2121之间。
88.在本实施例中，功能层234位于阴极层233与辅助电极183之间，功能层234至少覆盖有机发光层232和像素定义层21，底切结构191断开功能层234对应底切结构191的部分。
89.其中，功能层234位于阴极层233与有机发光层232之间时，功能层234可以为电子传输层或者空穴阻挡层；功能层234位于阳极层231与有机发光层232之间时，功能层234可以为空穴传输层或电子阻挡层。
90.在本实施例中，阴极层233覆盖功能层234，底切结构191断开阴极层233对应底切结构191设置的部分，且阴极层233的部分沿着第二通孔212a的侧壁和倾斜部1912的第三侧壁191d延伸至与辅助电极183接触，以使阴极层233位于底切结构191中的部分覆盖功能层234且与辅助电极接触。其中，阴极层233的制备材料为镁银合金。
91.本实施例显示面板通过位于辅助电极与阴极层之间的钝化层和平坦化层包括底切结构，底切结构断开阴极层对应底切结构设置的部分，且阴极层的部分沿着底切结构的侧壁延伸至与辅助电极接触，以改善阴极层的电阻压降问题，解决由于电阻压降导致的显示亮度不均问题。另外，底切结构的设计能断开功能层，避免功能层覆盖辅助电极而导致阴极层无法与辅助电极接触。
92.请参阅图4，其为本技术第二实施例显示面板的示意图。图4所示显示面板与图1所示显示面板基本相似，不同之处在于，底切结构191仅仅贯穿钝化层19，且钝化层19包括凸出部1911，底切结构191的形状与图1相同，此处不作详述；平坦化层20包括第一通孔20b，第一通孔20b贯穿平坦化层20且与底切结构191以及第二通孔212a连通，第一通孔20b的尺寸大于底切结构191远离基板11的一端的尺寸，第二通孔212a的尺寸大于第一通孔20b的尺寸。其中，第一通孔20b的纵截面为倒梯形。
93.在本实施例中，如图5所示，在垂直显示面板10的厚度方向上，凸出部1911的第二侧壁191b位于靠近凸出部1911的第四侧壁201远离凸出部1911的第一侧壁191a的一侧，以避免采用正性光阻制备疏水性堤坝2122时导致底切结构191出现堵塞。
94.进一步地，凸出部1911的第一侧壁191a和第一通孔20b靠近凸出部1911的第四侧壁201之间的间距h大于或等于2微米且小于或等于10微米，例如为3微米、4微米、5微米或者7微米，以避免采用正性光阻制备疏水性堤坝2122时导致底切结构191出现堵塞的同时，避免第一通孔20b占用的空间太大。
95.本实施例显示面板通过钝化层上设置底切结构，平坦化层上设置第一通孔，像素定义层上设置第二通孔，第一通孔与底切结构以及第二通孔均连通，以使得阴极层与辅助电极接触。
96.本技术还提供制造图4所示显示面板的过程示意图，制造方法包括如下步骤：
97.s101：于基板上形成遮光金属层。
98.具体地，提供一基板11，基板11上定义有显示区101和焊盘区102，采用物理沉积于基板11上形成整面的第一金属膜层，采用第一次构图工艺对第一金属膜层进行图案化，得到遮光金属层，遮光金属层包括设置于显示区101的遮光块121和下电极板122，如图6a所示。其中，遮光金属层的厚度为1000埃-10000埃，遮光金属层的制备材料包括钼、铝、钛、铜、银中的至少一种。
99.s102：于遮光金属层远离基板的一侧形成半导体层。
100.具体地，采用化学气相沉积形成覆盖遮光金属层和基板11的缓冲层13，缓冲层13从显示区101延伸至焊盘区102。其中，缓冲层13的厚度为1000埃-5000埃。缓冲层13的制备材料包括氮化硅以及氧化硅中的至少一种。
101.接着，采用化学气相沉积形成整面的半导体膜层，采用第二次构图工艺进行图案化，得到图案化半导体膜层，图案化半导体膜层包括第一半导体图案143和第二半导体图案144，如图6b所示。其中，图案化半导体膜层的厚度为100埃-1000埃。图案化半导体膜层的制
备材料包括铟镓锌氧化物、铟锡锌氧化物以及铟镓锌锡氧化物中的任意一种。
102.s103：于图案化半导体膜层远离基板的一侧形成栅极金属层。
103.具体地，采用化学气相沉积形成覆盖第一半导体图案143、第二半导体图案144以及缓冲层13的整面的栅极绝缘膜层，采用第三次构图工艺对整面的栅极绝缘膜层进行图案处理，得到栅极绝缘层，栅极绝缘层包括第一栅极绝缘图案151和第二栅极绝缘图案152，第一栅极绝缘图案151设置于第一半导体图案143上，第二栅极绝缘图案152设置于缓冲层13上；再采用第四次构图工艺对第二栅极绝缘图案152和缓冲层13进行图案化，得到贯穿第二栅极绝缘图案152和缓冲层13的第一接触孔15a。其中，栅极绝缘层的厚度为1000埃-3000埃，栅极绝缘层的的制备材料包括氮化硅或氧化硅中的至少一种。
104.接着，采用物理沉积形成覆盖第一栅极绝缘图案151、第二栅极绝缘图案152、图案化半导体膜层以及缓冲层13的整面的第二金属膜层，采用第五次构图工艺对整面的第二金属膜层进行图案化，得到栅极金属层，栅极金属层包括栅极161和第一连接金属块162，栅极161设置于第一栅极绝缘图案151上且对应第一半导体图案143设置，第一连接金属块162设置于第二栅极绝缘图案152上且通过第一接触孔15a与下电极板122电性连接。其中，栅极金属层的厚度为1000埃-10000埃。栅极金属层的制备材料包括钼、铝、钛、铜以及银中的至少一种。
105.最后，以栅极161作为掩膜，对第一半导体图案143进行离子掺杂得到有源图案141，有源图案141包括沟道1411和两个掺杂部1412，两个掺杂部1412分别位于沟道1411的相对两侧；对第二半导体图案144进行离子掺杂以导体化第二半导体图案144，得到上电极板142，如图6c所示。
106.s104：于栅极金属层远离基板的一侧形成源漏电极金属层。
107.具体地，采用化学气相沉积以及涂布形成覆盖栅极金属层、缓冲层13、上电极板142以及有源图案141的整面的层间绝缘膜层，采用第六次构图工艺对层间绝缘膜层进行图案化，得到层间绝缘层，层间绝缘层包括第二接触孔17a、第三接触孔17b、第四接触孔17c以及第一开口17d，第二接触孔17a、第三接触孔17b、第四接触孔17c均贯穿层间绝缘层，第一开口17d的深度小于层间绝缘层的厚度，第二接触孔17a和第三接触孔17b分别位于栅极161的相对两侧且对应有源图案141的两个掺杂部1412设置，第四接触孔17c对应第一连接金属块162设置，第一开口17d位于焊盘区102。
108.其中，层间绝缘层的厚度为2000埃-2微米。层间绝缘层的制备材料包括氮化硅、氧化硅、氧化铝、聚酰亚胺中的至少一种。
109.接着，采用物理沉积于第二接触孔17a、第三接触孔17b、第四接触孔17c、第一开口17d以及层间绝缘层上形成整面的第三金属膜层，采用第七次构图工艺对整面的第三金属膜层进行图案化，得到源漏电极金属层，源漏电极金属层包括源极181、漏极182、辅助电极183以及第一导电垫184，源极181、漏极182、辅助电极183均设置于显示区101，第一导电垫184设置于焊盘区102。
110.源极181和漏极182位于栅极161的相对两侧，源极181通过第二接触孔17a与有源图案141的一个掺杂部1412接触，漏极182通过第三接触孔17b与有源图案141的另一个掺杂部1412接触，且漏极182通过第四接触孔17c与第一连接金属块162接触；辅助电极183位于显示区101的层间绝缘层17上；第一导电垫184位于第一开口17d中且位于焊盘区102的层间
绝缘层上，如图6d所示。
111.其中，源漏电极金属层的厚度为1000埃-10000埃。源漏电极金属层的制备材料包括钼、铝、钛、铜以及银中的至少一种。
112.s105：于辅助电极上形成牺牲图案。
113.采用物理沉积形成覆盖源漏电极金属层以及层间绝缘层的牺牲膜层，采用第八次构图工艺对牺牲膜层进行图案化，得到牺牲图案sl，牺牲图案sl位于辅助电极183上，且牺牲图案sl的面积小于辅助电极183的面积，如图6e所示。
114.其中，牺牲图案sl的厚度为500埃-5000埃，牺牲图案sl的制备材料为氧化铟锡、氧化锌以及铟镓锌氧化物中的任意一种。
115.s106：于牺牲图案远离基板的一侧形成保护金属层26。
116.具体地，采用化学气相沉积形成覆盖牺牲图案sl、源漏电极金属层以及层间绝缘层的整面的钝化膜层，采用第九次构图工艺对钝化膜层进行图案化，得到钝化层，钝化层包括贯穿钝化层的第五接触孔19a、预备通孔19b以及第二开口19c，第五接触孔19a对应漏极182设置，预备通孔19b对应辅助电极183设置且暴露牺牲图案sl的部分，第二开口19c设置于焊盘区102且与第一开口17d连通。其中，钝化层的厚度为1500埃-5000埃。钝化层的制备材料包括氧化硅或氮化硅中的至少一种。
117.接着，于第五接触孔19a、预备通孔19b、钝化层上以及第二开口19c中形成整面的第四金属膜层，采用第十次构图工艺对第四金属膜层进行图案化处理，得到保护金属层，保护金属层包括第二连接金属块261以及第二导电垫262，第二连接金属块261设置于显示区101且对应漏极182设置，第二连接金属块261通过第五接触孔19a与漏极182接触，第二导电垫262设置于焊盘区102且覆盖第一导电垫184，如图6f所示。其中，保护金属层的厚度为500埃-2000埃。保护金属层的制备材料包括钼、钛中的至少一种。
118.s107：于保护金属层远离基板的一侧形成阳极层。
119.具体地，采用涂布形成整面的第一光阻层，利用第十一次构图工艺对第一光阻层进行曝光显影，得到平坦化层，平坦化层包括贯穿平坦化层的第六接触孔20a、第一通孔20b以及第三开口20c，第六接触孔20a对应第二连接金属块261设置，第一通孔20b与预备通孔19b连通，第三开口20c位于焊盘区102且与第二开口19c连通，如图6g所示。其中，平坦化层的厚度为1.0微米-5.0微米。平坦化层的制备材料包括聚丙烯酸酯以及聚酰亚胺中的一种。
120.接着，采用物理沉积于第六接触孔20a、第一通孔20b、第三开口20c以及平坦化层上形成整面的阳极膜层，采用第十二次构图工艺对阳极膜层进行图案化，得到阳极层231，阳极层231包括多个阳极，阳极通过第六接触孔20a与第二连接金属块261电性连接，如图6h所示。其中，阳极层231包括两个银层以及位于两个银层之间的氧化铟锡层。
121.s108：于阳极层远离基板的一侧形成多个亲水性堤坝。
122.具体地，采用涂布形成覆盖平坦化层和阳极层的整面的第二光阻层213，采用第十三次构图工艺对第二光阻层213进行图案化，得到多个位于显示区101且沿第一方向设置的亲水性堤坝2121，亲水性堤坝2121包括第一子通孔2121a，第一子通孔2121a对应第一通孔20b设置，如图6i和图6j所示。其中，亲水性堤坝2121的高度0.3微米-1.0微米。亲水性堤坝2121的制备材料为负性光阻或正性光阻中的一种。
123.第一子通孔2121a的纵截面为倒梯形，且第一子通孔2121a的尺寸大于第一通孔
20b的尺寸。
124.需要说明的是，如图6i所示，第二光阻层213为负性光阻时，经过光罩的紫光外照射的第二光阻层213交联固化，未经过紫外光照射的第二光阻层213经过显影液处理后去除。
125.接着，采用湿法蚀刻工艺对牺牲图案sl进行图案化，得到底切结构191，底切结构191与第一子通孔2121a以及第一通孔20b连通。湿法蚀刻工艺采用的溶液可以为草酸等。
126.s109：于多个亲水性堤坝远离基板的一侧形成多个疏水性堤坝。
127.具体地，采用涂布形成覆盖多个亲水性堤坝2121、阳极层231且填充底切结构191、第一子通孔2121a以及第一通孔20b的第三光阻层214，采用第十四次构图工艺对第三光阻层214进行图案化，得到多个位于显示区且沿第二方向排布的疏水性堤坝2122，疏水性堤坝2122包括第二子通孔2122a，第二子通孔2122a位于疏水性堤坝2122与亲水性堤坝2121交叠的位置且对应第一子通孔2121a设置，如图6k所示。其中，第二方向与第一方向垂直；疏水性堤坝2122的高度为0.5微米-2.0微米。
128.第二子通孔2122a的纵截面为倒梯形，且第二子通孔2122a的尺寸大于第一子通孔2121a的尺寸。第二子通孔2122a与第一子通孔2121a组成第二通孔212a。
129.如图6l所示，第三光阻层214为负性光阻时，以光罩作为掩膜板且波长为300纳米-450纳米的紫外光作为光源，穿过光罩的紫外光照射的第三光阻层交联固化，而紫外光没有照射的第三光阻层214被显影液去除。
130.如图6m所示，第三光阻层214为正性光阻时，紫外光照射的第三光阻层214分解且经过显影液显影后去除，而紫外光没有照射的第三光阻层214保留。
131.相较于第三光阻层214为正性光阻，第三光阻层214为负性光阻更有利避免第三光阻层堵塞底切结构191。主要原因在于，第三光阻层为负性光阻时，底切结构191中的第三光阻层无需紫外光照射就可以被显影液去除；而第三光阻层为正性光阻层时，底切结构191中的部分第三光阻层可能为平坦化层遮挡住，平坦化层会吸收紫外光导致光无法照射至底切结构191中的部分第三光阻层，导致底切结构191中的部分第三光阻层在显影后残留而堵塞底切结构191。
132.需要说明的是，相邻两个亲水性堤坝2121和相邻两个疏水性堤坝2122交叉限定的区域为像素开口211，多个亲水性堤坝2121和多个疏水性堤坝2122限定出多个像素开口211。
133.s110：于多个疏水性堤坝远离基板的一侧形成发光器件层。
134.具体地，采用真空蒸镀于像素开口211中形成多个发光单元，相邻两个疏水性堤坝2122之间设置有发出相同颜色色光的至少两个发光单元，相邻两个亲水性堤坝2121之间设置有发出不同颜色色光的至少两个发光单元，以避免发出不同颜色的发光单元之间发生串扰。
135.接着，采用真空蒸镀形成覆盖多个发光单元、多个亲水性堤坝2121和多个疏水性堤坝2122的整面的功能层，底切结构191断开功能层234对应底切结构191的部分。
136.最后，采用真空蒸镀或溅射沉积形成覆盖功能层的整面的阴极层，阴极层233覆盖功能层234，底切结构191断开阴极层233对应底切结构191设置的部分，且阴极层233的部分沿着第二子通孔2122a的侧壁、第一子通孔2121a侧壁、第一通孔20b的侧壁以及倾斜部1912
的第三侧壁191d延伸至与辅助电极183接触，如图6n所示。
137.需要说明的是，上文中的第一次构图工艺至第十次构图工艺以及第十二次构图工艺均是采用传统黄光制程以及蚀刻工艺实现，传统黄光制程以及蚀刻工艺均是常规技术，本技术不作详述。
138.以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例的技术方案的范围。