隔膜清洁设备的制作方法

隔膜清洁设备
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2019年10月22日递交的欧洲申请19204455.0和2019年11月22日递交的欧洲申请19210882.7的优先权，并且这些欧洲申请的全部内容通过引用并入本文中。
技术领域
3.本发明涉及一种隔膜清洁设备和一种相关联的方法。所述设备和方法可以具有用于清洁光刻设备中所使用的表膜的特定应用。


背景技术：

4.光刻设备是被构造成将期望的图案施加至衬底上的机器。例如，光刻设备可以将被设置在图案形成装置(例如，掩模)上的图案投影至被设置在衬底(例如，硅晶片)上的辐射敏感材料层上。光刻设备可以用于集成电路的制造中。
5.为了将图案投影于衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长确定可以形成在所述衬底上的特征的最小大小。与使用例如具有193nm的波长的辐射的光刻设备相比，使用具有在4nm至20nm的范围内(例如6.7nm或13.5nm)的波长的极紫外(euv)辐射的光刻设备可以用以在衬底上形成较小特征。
6.存在于图案形成装置上的不想要的颗粒可能促成被赋予至辐射束的图案。在光刻设备中，这可能导致施加至所述衬底的图案出现误差。因此，防止颗粒到达所述图案形成装置且由此污染所述图案形成装置是重要的。已知在光刻设备中的图案形成装置与颗粒源之间设置隔膜以防止颗粒到达所述图案形成装置。用于这样的目的的隔膜在本领域中被称为表膜。
7.所述表膜与所述图案形成装置间隔开，使得其不处于场平面中，并且因此被设置在所述表膜上的任何颗粒不应被成像(并且因此不应促成施加至所述衬底的所述图案中的误差)。然而，表膜上的颗粒可能导致在衬底曝光期间对辐射的吸收增加，并且因此导致所述表膜上的局部热斑，所述热斑可能导致所述表膜的失效。另外，所述表膜的面向所述图案形成装置的表面上的颗粒可以被转印至所述图案形成装置，由此所述颗粒可能导致被施加至所述衬底的图案中的误差。
8.可能期望提供用于清洁隔膜(例如，表膜)的设备和关联方法。


技术实现要素：

9.根据本发明的第一方面，提供一种用于从隔膜的表面移除颗粒的隔膜清洁设备，所述设备包括：隔膜支撑件，所述隔膜支撑件用于支撑所述隔膜；和清洁物质输送机构，所述清洁物质输送机构用于将清洁物质输送到与待清洁的表面相反的隔膜表面。
10.可能需要从所述隔膜的特定表面移除污染物颗粒。隔膜的这种表面可以被称为临界表面或关键表面，或者替代地，也可以被称为第一表面。所述隔膜通常仅具有两个表面。所述隔膜的与临界/第一表面相反的表面可以被称为非临界或不关键/第二表面。根据本发
明的第一方面的设备提供了一种布置，其中可以通过将清洁物质输送至所述隔膜的与所述第一表面相反的第二表面来从所述隔膜的所述第一表面移除颗粒。
11.特别地，根据本发明的第一方面的设备利用了所述隔膜通常可以是薄的和/或可变形的事实。在使用中，当所述清洁物质入射到所述隔膜的第二表面上时，所述清洁物质可以将动量传递至所述隔膜。此动量的至少一部分随后可以被转移至被设置于所述隔膜的第一表面上的一个或更多个污染物颗粒。这可能导致所述一个或更多个污染物颗粒从所述隔膜的所述第一表面(背离所述隔膜)喷射出。
12.清洁物质可以是可以被输送至所述隔膜的物质(例如，呈一个或更多个颗粒的形式)，并且在传递动量至所述隔膜之后，可能易于经受转变成气体形式的相变。所述清洁物质可以是以气体形式、以液体形式和/或以固体形式而被输送至所述隔膜的物质。所述清洁物质可以是以多相形式而被输送至所述隔膜的物质。使用这种清洁物质来清洁所述隔膜可以有利地在所述隔膜上不留下残留物。
13.根据本发明的第二方面，提供了一种用于从隔膜移除颗粒的隔膜清洁设备，所述隔膜清洁设备包括：腔室；控制系统，所述控制系统用于控制所述腔室内的压力和/或温度；隔膜支撑件，所述隔膜支撑件用于在所述腔室内支撑所述隔膜；以及清洁物质输送机构，所述清洁物质输送机构用于将清洁物质输送至所述隔膜；其中，所述控制系统被配置成控制所述腔室内的压力和/或温度，使得所述清洁物质的至少一部分在所述腔室内经历转变成气体的相变。
14.所述相变可以包括从固体到气体的转变。
15.所述相变可以包括从液体到气体的转变。
16.在使用中，隔膜，当由隔膜支撑件支撑时，可以被设置在所述腔室内。这可能允许所述控制系统控制所述隔膜周围的环境(特别地，压力和/或温度)。此环境(可以指代所述腔室内的环境)可以被控制，使得所述清洁物质易于经受转变成气体的相变。特别地，所述控制系统可以控制所述隔膜周围的环境，使得所述清洁物质在被输送到所述隔膜之后经历转变成气体的相变。
17.根据本发明的第二方面的设备可以通过所述清洁物质的爆炸性升华来从所述隔膜移除污染物颗粒。有利地，这种爆炸升华可以产生气流，所述气流可以从隔膜的输送所述清洁物质的表面移除污染物颗粒。另外地或可选地，根据本发明的第二方面的设备可以通过将动量从清洁物质转移到污染物颗粒(如上文参考本发明的第一方面所描述的)来从所述隔膜移除污染物颗粒。有利地，所述清洁产品的升华可以导致在所述隔膜上没有由所述清洁产物留下的残留物。
18.根据本发明的第三方面，提供了一种用于从隔膜移除颗粒的隔膜清洁设备，所述隔膜清洁设备包括：隔膜支撑件，所述隔膜支撑件用于支撑所述隔膜；和清洁物质输送机构，所述清洁物质输送机构用于将清洁物质输送至所述隔膜，其中所述清洁物质包括二氧化碳。
19.在第一方面、第二方面和第三方面中的任一方面中，所述清洁物质输送机构可以被布置成提供包括气体射流、两相流、或多相流的清洁物质。这种两相流可以包括气体和固体的射流、气体和液体的射流、或液体和固体的射流。这种多相流可以包括气体、液体和固体的射流。
20.在根据第一方面、第二方面或第三方面的设备内，所述清洁物质可以包括二氧化碳。
21.二氧化碳可以由所述清洁物质输送机构以一个或更多个颗粒的形式输送。有利地，二氧化碳颗粒可以被产生为具有与可以被设置于隔膜的临界表面上的污染物颗粒相当的大小的颗粒。这对于将动量传递给污染物颗粒并且随后从所述隔膜喷射所述颗粒来说可能是特别有用的。
22.二氧化碳可能特别适合在隔膜清洁设备内的环境中升华成气体形式。二氧化碳在入射到所述隔膜的非临界表面上之后不久，可以从固体形式升华为气体形式。因此，有利地，二氧化碳可以在所述隔膜的表面上不留下残留物。
23.购买二氧化碳可能是相对便宜的。由于在使用所述隔膜清洁设备期间可以消耗所述清洁物质，因此使用二氧化碳用于清洁物质可以有利地导致所述隔膜清洁设备的相对较低的运行成本。
24.根据第一方面或第三方面的设备还可以包括：腔室，所述腔室内设置有所述隔膜支撑件；和控制系统，所述控制系统用于控制所述腔室内的压力和/或温度。
25.所述控制系统可以被布置成将所述腔室内的压力维持为低于所述腔室所设置于的环境的压力。
26.例如，腔室内的环境压力可以被维持在约1kpa至10kpa之间。维持所述腔室内的环境处于低压可以导致所述隔膜附近存在相对较少的气体分子(例如，来自空气)数。这可以导致由在环境内移动的任何物体所经历的相对较低的空气阻力量。因此，有利地，通过维持所述腔室内的环境处于低压，所述清洁物质可以在入射到隔膜上之前传播较长的距离(与没有被维持处于低压的环境相比)。此外，当所述隔膜被设置于低压环境中时，可能较易于(至少部分地)使所述隔膜变形。这对于本发明的实施例是特别有利的，在本发明的实施例中，动量从所述清洁物质转移至所述隔膜且随后转移至污染物颗粒，以便从所述隔膜喷射任何污染物颗粒。
27.所述隔膜，当由隔膜支撑件支撑时，可以被设置于所述隔膜清洁设备的所述腔室内。所述清洁物质输送机构可以被设置于此腔室的外部。
28.可以由所述腔室的内部与所述腔室的外部之间的压差(例如来自滞留点)来朝向所述隔膜加速所述清洁物质。如下文所解释的，可以使用具有孔的第一掩模来提供这种滞留。由喷嘴(可能形成所述清洁物质输送机构的一部分)所产生的清洁物质可以具有在1bar至100bar范围内的滞留压力，所述滞留压力可能太强以致于无法被直接施加至(易碎的)隔膜。所述腔室的内部与所述腔室所处的环境之间的压差允许所述清洁物质以受控方式被部分地提取并且朝向所述隔膜加速。
29.此外，由于腔室的内部与腔室的外部之间的压差，由清洁物质输送机构所提供的清洁物质的颗粒和/或分子的流在进入腔室时可能以其它方式有利地被扰动。特别地，如果所述腔室的内部被维持处于较低的压力，则对于其中的清洁物质包括多相流(多相流包括气流中所夹带的液体和/或固体颗粒)的实施例，这些颗粒可以更容易部分地与气体流动线路解耦即分离，以便撞击于所述隔膜上。(应理解，气体流动线路将绕所述隔膜流动)。
30.在第一方面、第二方面和第三方面中的任一个方面中，所述清洁物质输送机构可以包括被配置成提供呈雪的形式的所述清洁物质的第一射流的机构，使得所述第一射流的
至少一部分入射到隔膜的当由所述隔膜支撑件支撑时的表面上。
31.如本文中所使用的“雪”可以被视为指代固体颗粒和气体的混合物。这可以被描述为两相混合物。固体颗粒和气体可以是同一物质的不同状态。例如，当清洁物质包含二氧化碳时，清洁物质输送机构可以包括被配置成输送与二氧化碳颗粒混合的二氧化碳气体的射流的机构。也就是说，所述清洁物质输送机构可以包括被配置成输送二氧化碳雪的第一射流的机构。
32.射流可以是用于输送所述清洁物质的特别有利的机制，因为它可以相对容易地控制所述第一射流的主方向。此外，产生二氧化碳雪的射流可能相对容易。例如，压缩后的液体二氧化碳可以通过喷嘴而被排出。可商购的设备可以被用于产生二氧化碳雪的射流。
33.将理解，在一些实施例中，可以提供清洁物质的仅单个射流。使用术语“第一射流”不应被视为暗示存在多于一个射流，也不应采用术语“第一射流”来暗示仅存在一个射流。术语“第一平面”是非限制性标签。
34.在第一方面、第二方面和第三方面中的任一方面中，所述清洁物质输送机构还可以包括被配置成提供补充流的机构，其中所述补充流的至少一部分被提供在所述第一射流附近。
35.补充流可以指代可以被提供呈流体流的形式的任何物体。例如，补充流可以包括一种或更多种气体。补充流可以包括一种或更多种气体中所携带的一个或更多个颗粒。补充流可以包括干燥空气。补充流可以包括干燥氮气。补充流可以包括干燥空气和干燥氮气的混合物。补充流可以包括任何干燥气体或干燥气体的混合物。补充流在隔膜清洁设备内通常可以是化学惰性的。
36.补充流可以是相对较冷的。这可以将第一射流的固体颗粒与第一射流周围的相对温暖的环境隔离开。有利地，这可以防止第一射流的固体颗粒在这些颗粒到达隔膜之前升华。也就是说，补充流可以促成呈固体形式的清洁物质的颗粒的有效传播。在一些实施例中，这可能导致从第一射流至污染物颗粒(经由隔膜)的动量传递的相对较高效能或效率。
37.在第一方面、第二方面和第三方面中的任一方面中，所述设备可以包括外壳，所述外壳将所述补充流的至少一部分约束于所述第一射流附近。
38.所述外壳可以至少部分地围绕所述第一射流和所述补充流。所述外壳对于整形所述补充流可能特别有用。有利地，所述外壳通常可以在第一射流的附近维持所述补充流。这可能有助于实现如上所描述的提供所述补充流的优点。
39.在第一方面、第二方面和第三方面中的任一方面中，所述设备还可以包括第一射流膨胀组件，所述第一射流膨胀组件被配置成将所述补充流朝向所述第一射流引导，使得所述补充流的至少一部分与所述第一射流的至少一部分混合以便增加所述第一射流的横向于所述第一射流的主行进方向的横截面。
40.第一射流膨胀组件可以被设置于所述外壳内。所述第一射流膨胀组件，与所述补充流结合，可以膨胀即扩张所述第一射流(且由此降低所述第一射流的密度)。所述第一射流膨胀组件，与所述补充流结合，可以降低所述第一射流在其主行进方向上的速度。特别地，所述第一射流膨胀组件，与所述补充流结合，可以降低所述第一射流中的清洁物质的固体颗粒的速度。
41.如上文所描述的，所述隔膜通常可能是脆弱的。有利地，所述清洁物质的固体颗粒
在第一射流中的速度可以被降低到使得所述隔膜不被所述第一射流损坏的程度。然而，所述清洁物质的固体颗粒在所述第一射流中的速度仍然可以足够高，使得在一些实施例中，被传递到所述隔膜的表面上的任何污染物颗粒的动量足以从所述表面喷射所述颗粒。
42.在第一方面、第二方面和第三方面中的任一个方面中，所述第一射流膨胀组件可以包括多个同轴地对准的、轴向地间隔开的流整形构件，每个流整形构件具有孔，其中所述流整形构件布置成：使得所述第一射流传播通过所述流整形构件的孔；和引导所述补充流通过介于相邻流整形构件之间的一个或更多个间隙，以便将所述补充流与所述第一射流混合。
43.每个流整形构件可以具有不同的大小。所述多个流整形构件可以按大小的顺序布置。
44.每个流整形构件的孔口可以具有不同的大小。所述孔可以按大小的顺序布置。所述孔可以被布置成使得所述第一射流从最小孔传播至最大孔。
45.一个或更多个流整形构件可以是大致碟形的。
46.一般而言，每个流整形构件可以是具有一个或更多个孔的大致平面部件的形式。
47.所述第一射流膨胀组件可以包括一个或更多个流整形构件。每个流整形构件可以包括多个孔，所述多个孔被布置成使得所述第一射流传播通过所述多个孔。
48.流整形构件可以是具有被布置呈规则图案的孔阵列的大致平面部件的形式，使得这种流整形构件可以被描述为网格。流整形构件可以包括网。
49.可以设置流整形构件加热机构。所述流整形构件加热机构可以被布置成加热一个或更多个流整形构件。有利地，这可以防止清洁物质在使用中的一个或更多个流整形构件周围积聚。清洁物质的这种积聚可以限制和/或堵塞或阻挡清洁物质的流动路径。
50.在第一方面、第二方面和第三方面中的任一方面中，所述补充流可以包括呈雪的形式的所述清洁物质的第二射流。所述第二射流可以被布置成在所述第一射流的至少一部分入射到当由隔膜支撑件支撑时的隔膜的表面上之前与所述第一射流混合。
51.被布置成与第一射流混合的第二射流可以使第一射流膨胀即扩张(并且由此降低第一射流的密度)。被布置成与第一射流混合的第二射流可以降低第一射流的朝向隔膜传播的一部分的速度。被布置成与第一射流混合的第二射流可以降低第一射流中的清洁物质的固体和液体颗粒的速度。特别地，被布置成与第一射流混合的第二射流可以导致滞留平面附近的混合射流的降低的密度和/或降低的速度。这可以导致降低的压力被施加到隔膜(其通常是易碎的)上。有利地，第一射流中的清洁物质的颗粒的速度可以被降低到使得隔膜不被第一射流损坏的程度。然而，在第一射流中的清洁物质的颗粒速度可能仍然足够高，使得在一些实施例中，被传递到隔膜的表面上的任何污染物颗粒的动量足以从所述表面喷射所述颗粒。
52.在第一方面、第二方面和第三方面中的任一方面中，补充流可以包括干燥气体的射流，干燥气体的射流被布置成在所述第一射流的至少一部分入射到当由隔膜支撑件支撑时的隔膜的表面上之前与所述第一射流混合。
53.干燥气体可以包括干燥空气。干燥气体可以包括干燥氮气。干燥气体可以包括干燥空气和干燥氮气的混合物。干燥气体可以包括任何干燥气体或干燥气体的混合物。在隔膜清洁设备内，所述干燥气体通常是化学惰性的。
54.水蒸气在隔膜上的冷凝可以增加污染物颗粒与隔膜之间的粘附力。这可以降低所述隔膜清洁设备的清洁效能，这可能是不利的。有利地，所述干燥气体可能减少所述隔膜清洁设备中存在的水蒸气的量(与没有被提供的干燥气体相比)。这可以降低水蒸气在所述隔膜上冷凝的可能性。
55.被布置成与所述第一射流混合的干燥气体的射流可以使第一射流膨胀即扩张(并且由此降低第一射流的密度)。被布置成与第一射流混合的干燥气体的射流可以降低第一射流的朝向隔膜传播的一部分的速度。特别地，被布置成与第一射流混合的干燥气体的射流可以降低第一射流中的清洁物质的固体颗粒的速度。有利地，清洁物质的固体颗粒在第一射流中的速度可以降低到使得所述隔膜不被所述第一射流损坏的程度。然而，所述清洁物质的固体颗粒在第一射流中的速度可能仍然足够高，使得在一些实施例中，被传递到隔膜的表面上的任何污染物颗粒上的动量足以从所述表面喷射所述颗粒。
56.在第一方面、第二方面和第三方面中的任一方面中，所述设备还可以包括具有孔的第一掩模。所述第一掩模可以被布置以形成所述腔室的壁的一部分并且可以被布置于所述清洁物质输送机构与当由所述隔膜支撑件支撑时的隔膜之间。
57.有利地，这种布置包括以下两者：腔室和控制系统，所述控制系统用于控制所述腔室内的压力和/或温度；以及孔，所述孔形成所述腔室的壁的一部分。利用这种布置，具有较大滞留压力的清洁物质的供应可以被衰减，使得其将不会损坏由所述隔膜支撑件所支撑的隔膜。所述腔室的壁和所述孔可以被用于导致清洁物质的流的滞留，并且控制所述腔室内部和外部的相对压力可以允许这种滞留流的一部分被朝向由所述隔膜支撑件支撑的隔膜引导。
58.所述第一掩模可以被配置成：阻挡所述第一射流的至少一部分朝向当由所述隔膜支撑件支撑时的隔膜传播；和在第一掩模的孔附近提供所述第一射流的滞留点。
59.具有孔的所述第一掩模可以被称为孔口。
60.典型的可用清洁物质输送机构，例如二氧化碳雪枪，可以提供具有1bar至100bar之间的压力的射流。隔膜通常是易碎的。因此，从已知的清洁物质输送机构直接施用可以损坏隔膜。有利地，包括具有孔的第一掩模的隔膜清洁设备提供了一种机构，通过所述机构，来自已知清洁物质输送机构的射流可以被衰减和/或控制。特别地，可能的情况是，由这种输送机构所产生的两相流不损坏相对脆弱的隔膜。
61.在使用中，具有孔的所述第一掩模可以构成针对第一射流的流或流动的障碍。因此，所述第一射流的流可以至少部分地滞留于所述孔附近。所述清洁物质可以被吸入所述隔膜清洁设备的腔室中，并且可以由所述腔室的内部与所述腔室的外部之间的压差朝向所述隔膜加速。有利地，所述第一射流的流量可以由第一掩模衰减，而同时至少部分地保留由所述清洁物质输送机构所产生的清洁物质的颗粒。
62.将理解，如本文所使用的，“滞留”可以被认为是指代流的部分或完全滞留。
63.此外，由所述清洁物质输送机构所提供的所述清洁物质的颗粒和/或分子的流在进入腔室时可以由于腔室的内部与腔室的外部之间的压差而以其它方式有利地被扰动。
64.为了控制被输送至所述隔膜的清洁物质的特性，可以选择若干参数。例如，为了控制被输送至所述隔膜的清洁物质的特性，可以选择腔室的内部与外部之间的压力差、第一射流的源与第一掩模之间的距离、和/或第一掩模与隔膜之间的距离。选择这些参数可以允
许控制入射到所述隔膜上的所述清洁物质的颗粒的大小和/或速度。
65.所述清洁物质的典型颗粒可以具有小于100μm，或优选小于10μm的尺寸。所述清洁物质的典型颗粒可以至少部分地与所述腔室内的气体流动线路解耦即分离，且因此被引导至所述隔膜，即使这些气体流动线路与所述隔膜平行。
66.所述第一掩模的位于孔附近的部分可以被加热。有利地，这可以防止所述清洁物质(可以经由所述第一射流而被输送)在孔周围积聚，且因此堵塞或阻挡所述孔。
67.在第一方面、第二方面和第三方面中的任一方面中，所述设备还可以包括第二掩模，其中所述第二掩模被布置在所述清洁物质输送机构与当由所述隔膜支撑件支撑时的隔膜之间，并且其中所述第二掩模被配置成阻挡所述第一射流的至少一部分朝向当由隔膜支撑件支撑时的隔膜传播。
68.所述第二掩模可以被定位和/或确定尺寸以便确定清洁物质的固体颗粒的大小，这些颗粒可以朝向或可以不朝向隔膜传播。特别地，所述第二掩模可以被定位和/或确定尺寸以便防止某一大小的清洁物质的固体颗粒朝向所述隔膜传播。
69.所述第二掩模可以与所述第一射流基本上对准，以便阻挡所述第一射流的中心部分朝向当由隔膜支撑件支撑时的隔膜传播。
70.所述第二掩模可以与所述第一射流基本上对准，以阻挡所述第一射流的中心部分朝向当由所述隔膜支撑件支撑时的隔膜传播。在这种布置中，所述第二掩模可以防止相对较大的和/或相对较快的清洁物质的固体颗粒朝向所述隔膜传播。
71.所述第一射流的中心部分(位于滞留平面附近，在没有第二掩模的情况下与所述腔室中的所述隔膜重合)可以包括所述第一射流中的清洁物质的最大固体颗粒。这可能是由于这些颗粒的最大惯性，使颗粒与流动线路最大程度解耦即分离。具有足够大惯性的颗粒不能沿循所述流动线路，且将与所述流解耦即分离并且撞击于隔膜上，从而有损坏所述隔膜的风险。清洁物质的这些最大固体颗粒可能以相对较高的速度和/或以相对较高的能量行进。如果清洁物质的这些最大固体颗粒入射到所述隔膜上，则所述隔膜可以受损。因此，所述第二掩模对于防止所述第一射流的中心部分朝向所述隔膜传播可能是特别有利的。当存在所述第二掩模时，滞留平面与所述第二掩模重合，并且这些可能有问题的较大颗粒将撞击于所述第二掩模(而不是所述隔膜)上。
72.在第一方面、第二方面和第三方面中的任一方面中，所述设备还可以包括具有孔的第三掩模。所述第三掩模可以被设置在由所述腔室所限定的空腔内。所述第三掩模可以被配置成阻挡所述第一射流的外侧部分朝向当由所述隔膜支撑件支撑时的隔膜传播。
73.可以选择所述第三掩模的孔相对于所述第一射流的位置。可以选择所述孔的尺寸。第一射流中(或可能是第二射流中)的清洁物质的固体颗粒通常可以沿循流动线路。可以至少部分地由所述颗粒的质量来确定由所述清洁物质的特定颗粒所沿循的流动线路。因此，通过适当地定位所述孔和/或确定所述孔的尺寸，可以允许仅具有特定质量的第一射流中的清洁物质的固体颗粒穿过所述孔并且朝向隔膜传播。
74.在第一方面、第二方面和第三方面中的任一方面中，所述清洁物质输送机构可以包括：固体的清洁物质块；和激励机构，所述激励机构可操作以使清洁物质块中的清洁物质的至少一部分升华，使得所述清洁物质的所述至少一部分离开所述清洁物质块并且朝向当由所述隔膜支撑件支撑时的隔膜传播。
75.所述清洁物质的远离所述清洁物质块且朝向所述隔膜扩散的至少一部分可以包括气体射流或两相射流。例如，所述至少一部分可以包括固体和气体二氧化碳的混合物。所述清洁物质的离开所述清洁物质块且朝向所述隔膜传播的所述至少一部分可以包括多相射流(例如气体、液体和固体的混合物)。
76.所述激励机构可以被配置成向所述固体的清洁物质块提供能量。所述激励机构可以被调谐或调整，以便将所述清洁物质的固体颗粒与所述清洁物质的气体一起喷射。可以调节所述激励机构，以便产生期望的以下各项：待升华的清洁物质的量；和/或清洁物质的固体颗粒的大小和/或速度。有利地，这提供了一种能够容易地控制的布置，所述布置可以被定制以从隔膜移除各种大小的污染物颗粒。
77.此外，所述固体的清洁物质块和所述隔膜的布置(特别地，固体的清洁物质块与隔膜之间的环境的压力和/或固体的清洁物质块与隔膜之间的距离)可以至少部分地使清洁物质的颗粒在朝向隔膜传播时减速。这可以有利地降低这种颗粒的动能并且因此防止对隔膜的损坏。将理解，固体的清洁物质块与隔膜的布置可以被配置成实现清洁物质的颗粒的期望的减速。
78.所述激励机构可以包括辐射源，所述辐射源被配置成向所述清洁物质块的表面提供辐射。
79.所述激励机构可以包括激光器，并且可以是可操作的以产生激光辐射。来自所述激光器的辐射可以以一个或更多个脉冲的形式被提供至所述清洁物质块的表面。
80.可以选择激光的波长，使得固体的清洁物质中的吸收深度是所述清洁物质颗粒的最佳尺寸的0.1倍至10倍。
81.所述激励机构可以被配置成使得所述激光辐射的波长在4.0μm与4.5μm之间。所述激励机构可以被配置成使得所述激光辐射的波长在4.1μm与4.4μm之间。
82.所述激励机构可以被配置成使得在辐射的每个脉冲中所提供的能量大于0.1mj。
83.激励机构可以被配置为使得在辐射的每个脉冲中所提供的能量大于1mj。^
84.所述激励机构可以被配置成使得所述激光辐射的吸收深度在所述固体的清洁物质块中在1μm与100μm之间。
85.所述激励机构可以被配置成使得所述激光辐射的吸收深度在所述固体的清洁物质块中在5μm与50μm之间。
86.所述设备可以被配置成使得直接地或经由当由所述隔膜支撑件支撑时的隔膜而间接地向所述固体的清洁物质块的表面提供辐射。
87.所述设备可以被配置成使得辐射在首先透射通过当由所述隔膜支撑件支撑时的隔膜之后被提供至所述固体的清洁物质块的表面。
88.所述设备可以被配置成使得辐射在不首先透射通过当由所述隔膜支撑件支撑时的隔膜的情况下被提供至所述固体的清洁物质块的表面。
89.所述激励机构可以被配置成提供激光辐射，使得所述辐射的入射到所述固体的清洁物质块上的空间功率强度是不均匀的。例如，所述辐射的入射到固体的清洁物质块上的空间功率强度可以是调制后的或周期性的。
90.所述空间功率强度可以包括重复形状的图案。一个或更多个重复形状可以具有1μm与100μm之间的尺寸。
91.例如，可以在固体的清洁物质块的表面上产生所述激光辐射的干涉图案。通过具有特定尺寸的空间功率强度的重复形状，可以优先生成所述特定尺寸的清洁物质的颗粒。有利地，这可以允许产生所述清洁物质的颗粒，所述清洁物质的颗粒在从隔膜移除颗粒时特别有效。
92.辐射源可能特别适合于激励选定量的清洁物质块。
93.辐射源可以被设置于在使用中设置有所述隔膜的环境的外部。
94.在第一方面、第二方面和第三方面中的任一方面中，所述设备还可以包括加热机构，所述加热机构被配置成加热当由所述隔膜支撑件支撑时的隔膜。
95.所述加热机构可以包括辐射型加热机构。所述加热机构可以包括感应加热机构。所述加热机构可以包括电阻加热机构。所述加热机构可以包括对流加热机构。所述加热机构可以被视为构成所述设备的用于控制所述设备的腔室内的压力和/或温度的控制系统的一部分。
96.将清洁物质输送至隔膜可以冷却所述隔膜的温度。这可以导致水蒸气在所述隔膜上的冷凝。如上文所描述的，水蒸气在所述隔膜上的冷凝可以降低所述隔膜清洁设备的清洁效能。有利地，提供一种被配置成加热所述隔膜的加热机构可以减少所述隔膜上的水蒸气冷凝。
97.此外，可能易于在所述隔膜上形成可以被描述为“冰”(可以由清洁物质构成)的层。这样的冰层将会降低所述隔膜清洁设备的清洁效能。提供一种被配置成加热所述隔膜的加热机构可以有利地在所述清洁物质的固体颗粒入射到所述隔膜上之后促进所述清洁物质的固体颗粒的升华。因此，有利地，提供一种被配置成加热所述隔膜的加热机构可以防止在所述隔膜上形成这样冰层。
98.在第一方面、第二方面和第三方面中的任一方面中，所述设备还可以包括布置于所述隔膜附近的污染物收集板。
99.从所述隔膜移除的污染物颗粒可能入射到污染物收集板上。污染物颗粒可能残留在污染物收集板的表面上。例如，分子间作用力可以防止这些污染物颗粒离开所述污染物收集板的表面。有利地，所述污染收集板可以防止已从所述隔膜移除的污染物颗粒朝向所述隔膜往回传播或回传。
100.在第一方面、第二方面和第三方面中的任一方面中，所述清洁物质输送机构可以是可操作的以产生具有小于100μm的尺寸的清洁物质的颗粒。
101.在第一方面、第二方面和第三方面中的任一方面中，所述清洁物质输送机构可以是可操作的以产生清洁物质的具有小于10μm的尺寸的颗粒。
102.在第一方面、第二方面和第三方面中的任一方面中，所述清洁物质输送机构可以是能够操作的以产生具有在约1m/s至100m/s范围内的速度(例如，在3m/s至30m/s范围内的速度)的清洁物质颗粒。
103.在第一方面、第二方面和第三方面中的任一方面中，所述清洁物质输送机构可以是能够操作的以产生具有在约1μm至100μm范围内的尺寸(例如，在1μm至10μm范围内的尺寸)的清洁物质颗粒。
附图说明
104.现在将仅作为示例参考随附示意性附图来描述本发明的实施例，在所述附图中：
[0105]-图1示意性描绘光刻系统，其演示在使用中的表膜；
[0106]-图2示意性描绘根据本发明的隔膜清洁设备，以及隔膜的实施例；
[0107]-图3示意性描绘根据本发明的隔膜清洁设备，以及隔膜的另一实施例；
[0108]-图4示意性描绘根据本发明的隔膜清洁设备，以及隔膜的另一实施例；
[0109]-图5示意性描绘根据本发明的隔膜清洁设备，以及隔膜的另一实施例；
[0110]-图6示意性描绘根据本发明的隔膜清洁设备，以及隔膜的另一实施例；以及
[0111]-图7示意性描绘根据本发明的隔膜清洁设备，以及隔膜的另一实施例。
具体实施方式
[0112]
图1示出包括辐射源so和光刻设备la的光刻系统。辐射源so被配置成产生euv辐射束b且将euv辐射束b供应至光刻设备la。光刻设备la包括照射系统il、被配置成支撑图案形成装置ma(例如，掩模)的支撑结构mt、投影系统ps、以及被配置成支撑衬底w的衬底台wt。
[0113]
照射系统il被配置成在euv辐射束b入射到图案形成装置ma上之前调节所述euv辐射束b。另外，照射系统il可以包括琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11。琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11一起向euv辐射束b提供期望的横截面形状和期望的强度分布。除了琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11以外、或代替琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11，照射系统il可以包括其它反射镜或装置。
[0114]
在如此调节之后，euv辐射束b与图案形成装置ma相互作用。作为这种相互作用的结果，产生被图案化的euv辐射束b’。投影系统ps被配置成将被图案化的euv辐射束b’投影至衬底w上。出于所述目的，投影系统ps可以包括被配置成将被图案化的euv辐射束b’投影至由所述衬底台wt所保持的衬底w上的多个反射镜13、14。投影系统ps可以将减小因子应用于被图案化的euv辐射束b’，因而形成具有与所述图案形成装置ma上的对应特征相比更小的特征的图像。例如，可以应用值为4或8的减小因子。虽然投影系统ps在图1中被图示为仅具有两个反射镜13、14，但投影系统ps可以包括不同数目个反射镜(例如，六个或八个反射镜)。
[0115]
衬底w可以包括先前形成的图案。在这样的情况下，所述光刻设备la将由被图案化的euv辐射束b’所形成的图像与先前形成在衬底w上的图案对准。
[0116]
可以在辐射源so中、在照射系统il中、和/或在投影系统ps中提供相对真空，即，处于充分地低于大气压力的压力的少量气体(例如氢气)。
[0117]
辐射源so可以是激光产生等离子体(lpp)源、放电产生等离子体(dpp)源、自由电子激光器(fel)或能够产生euv辐射的任何其它辐射源。
[0118]
一些光刻设备(例如，euv和duv光刻设备)包括表膜15。表膜15可以被附接至支撑结构mt，或替代地，所述表膜15可以直接地附接至图案形成装置ma。所述表膜15包括被安装在框架17上的透射膜(通常小于约70nm)的隔膜16。表膜隔膜16与图案形成装置ma间隔离开几mm(通常小于10mm，例如2mm)。表膜隔膜16上所接收的颗粒相对于图案形成装置ma的图案处于远场中，并且因此对由光刻设备la投影至衬底w上的图像的品质不具有显著影响。如果不存在表膜15，则这样的颗粒可能位于图案形成装置ma上且将会模糊所述图案形成装置ma
上的图案的一部分，由此防止图案被正确地投影至衬底w上。表膜15因而在防止颗粒不利地影响由光刻设备la形成在衬底w上的图像方面发挥重要作用。
[0119]
在所述表膜15被附接至支撑结构mt或图案形成装置ma以用于光刻设备la中之前，所述表膜隔膜16可能变脏。即，颗粒可能在所述表膜15用于光刻设备la之前入射到所述表膜隔膜16上，如上文所描述的。诸如输送所述表膜15、封装所述表膜15和安装所述表膜隔膜16至框架17的活动可能导致颗粒入射到所述表膜隔膜16上。
[0120]
已发现在光刻曝光期间存在于所述表膜隔膜16上的一些颗粒从所述表膜隔膜16脱离且行进至所述图案形成装置ma，并且由此不利地影响被投影至所述衬底w上的图案。具有介于0.5μm与5μm之间的尺寸的颗粒已被报告将移动。应理解，在其它设置中，具有这种范围之外的一个或更多个尺寸的颗粒可能移动。
[0121]
表膜15可以由可以形成在支撑衬底上的一个或更多个层形成。所述支撑衬底允许形成所述表膜15的薄隔膜16，而不会有隔膜16断裂的风险。一旦已形成所述隔膜16的多层，则可以(例如通过蚀刻)移除所述支撑衬底以形成最终厚度的隔膜16。具有被发现对于使用而言太脏的隔膜16的表膜15可以被舍弃。虽然存在用于清洁表膜15的一些方法，但这些方法通常在已实现所述隔膜16的最终厚度之前使用，即当所述隔膜16仍被设置在所述支撑衬底上时。用于表膜清洁的这些已知方法包括湿式清洁或施加热。然而，一旦已实现所述隔膜16的最终厚度，则所述已知方法就不适合使用，这是由于所述已知方法会存在使薄的表膜隔膜16断裂的风险。此外，涉及施加热的清洁方法也可能促成表膜隔膜16的弱化，由此降低所述表膜15的操作寿命，这主要由于具有不同热膨胀系数的多种材料的界面处的应力和/或由于温度不均一性转换成机械应力。
[0122]
本发明的实施例涉及用于从所述隔膜移除颗粒的设备和相关联的方法。特别地，本发明的实施例涉及使用被输送到隔膜的清洁物质从所述隔膜上移除颗粒的装置和相关方法。本发明的实施例可以特别适合并且适于清洁易碎的相对较薄的隔膜(诸如例如表膜隔膜)。
[0123]
现在参考图2描述根据本发明的实施例的隔膜清洁设备200的实施例。
[0124]
图2示出了穿过所述隔膜清洁设备200的横截面，所述隔膜清洁设备包括：支撑件202；腔室204；真空泵206；窗口208；加热设备210；孔口212；隔膜屏蔽件216；外壳218；入口220；和喷嘴222。
[0125]
孔口212可以被称为第一掩模。孔口212包括腔室204的壁上的开口。所述开口可以被称为孔。所述开口可能具有在0.1mm2与10mm2之间的面积。孔口212被布置以形成所述腔室204的壁的一部分。所述孔口212被布置在喷嘴222和支撑件202之间。所述孔口212进一步由孔口围绕件214限定。所述孔口围绕件214被设置于腔室204的外部，靠近于孔口212，并且通常围绕孔口212。孔口围绕件214可以具有通常为环形形状的横截面。孔口212和孔口围绕件214提供在腔室204内的环境205与布置有所述隔膜清洁设备200的环境之间的流体连通。
[0126]
图2中也示出了表膜，所述表膜包括被安装至框架17的隔膜16。所述支撑件202被设置在腔室204内。所述支撑件202被布置成支撑所述框架17。在使用中，所述支撑件202支撑所述表膜的框架17。
[0127]
真空泵206被连接至腔室204的壁。为了简单起见，图2中仅示出了真空泵206与腔室204的连接。真空泵206可操作以控制腔室204内的环境205的压力。真空泵206可操作以将
真空腔室204的压力降低至接近真空状况。在隔膜清洁设备200的操作期间，环境205的压力可以被维持在约1kpa与10kpa之间。
[0128]
喷嘴222被设置在腔室204的外部。喷嘴222可以包含清洁物质224。喷嘴222可操作以提供清洁物质224的射流j1。喷嘴222被设置在外壳218的壁内。外壳218基本上(但并非完全地)围绕介于腔室204的孔口212与喷嘴222之间的空间。
[0129]
所述隔膜清洁设备200的喷嘴222包含液态的被压缩的二氧化碳224。在使用中，喷嘴222提供二氧化碳雪的射流j1。将理解，如本文中所使用的“雪”可以被视为指代固体颗粒和气体的混合物。这可以被描述为两相混合物、或多相混合物。固体颗粒和气体可能是同一物质的不同状态。例如，射流j1可以包括与二氧化碳颗粒混合的二氧化碳气体。射流可以是用以输送所述清洁物质224(即二氧化碳)的特别有利的机制，因为它可以相对容易地控制射流j1的主方向。射流j1朝向所述孔口212传播。此外，产生二氧化碳雪的射流可能相对容易。可商购设备可以用于产生二氧化碳雪的射流j1。
[0130]
孔口212被配置成：当由支撑件202支撑时，阻挡射流j1的至少一部分朝向隔膜16传播；并且提供第一射流j1的位于孔口212附近的驻点即滞留点(stagnation point)。本文所用的“滞留”可以被认为是指代流动的部分或完全滞留。射流j1中的清洁物质224的流动在孔口212附近减慢或停止。
[0131]
射流j1的在滞留点处滞留的至少一部分可以由于腔室204内部(可能在约1kpa与10kpa之间)与腔室204外部之间的压差而被吸入腔室204内。然后，清洁物质224的颗粒可以由腔室204内部与腔室204外部之间的压差而朝向所述隔膜16加速。此外，由于腔室204内部与腔室204外部之间的压差，由清洁物质输送机构所提供的清洁物质224的颗粒和/或分子的流在进入腔室204时可能以其它方式有利地被扰动。
[0132]
隔膜16是通常较薄和/或可变形的。在使用中，当清洁物质224的颗粒入射到隔膜16上时，清洁物质224可以将动量传递到隔膜16上。此动量的至少一部分随后可以被传递至被设置于所述隔膜16上的一个或更多个污染物颗粒232。这可能导致所述一个或更多个污染物颗粒232从所述隔膜16(背离所述隔膜16)喷射出。因此，可以清洁所述隔膜16。
[0133]
典型的可用清洁物质输送机构，例如二氧化碳雪枪，可以提供具有1bar至100bar之间的压力的射流。隔膜通常是易碎的。因此，从已知的清洁物质输送机构直接施用可以损坏隔膜。有利地，包括孔口212的隔膜清洁设备200提供了一种机构，通过所述机构，来自已知清洁物质输送机构的射流j1可以被衰减和/或控制。特别地，由这种输送机构所产生的两相流可能不再损坏相对脆弱的隔膜(由于这种衰减和/或控制)。有利地，所述射流j1的流动可以由孔口212衰减，同时至少部分地保留由所述清洁物质输送机构所产生的清洁物质的颗粒。
[0134]
清洁物质224(诸如二氧化碳雪)可以是可以被输送至所述隔膜16的物质(例如，呈一个或更多个颗粒的形式)，并且在将动量传递至隔膜16以从隔膜16移除污染物颗粒232之后，可能易于经历至气体形式的相变。清洁物质224可以是呈气体形式、呈液体形式和/或呈固体形式(或其任何混合物)而被输送到隔膜16的物质。使用这种清洁物质来清洁所述隔膜16可以有利地不在所述隔膜16上留下残留物。
[0135]
隔膜屏蔽件216可以被称为第二掩模。隔膜屏蔽件216比隔膜16更小。隔膜屏蔽件216被设置在腔室204内。隔膜屏蔽件216被设置在隔膜16与孔口212之间。隔膜屏蔽件216被
配置成阻挡射流j1的至少一部分朝向隔膜16传播。
[0136]
隔膜屏蔽件216被定位和确定尺寸，以便确定清洁物质224的固体颗粒的大小，这些颗粒可以朝向会或可以不朝向隔膜16传播。特别地，隔膜屏蔽件216被定位和确定尺寸以便防止某一大小的清洁物质224的固体颗粒朝向隔膜16传播。隔膜屏蔽件216被布置以便与射流j1基本对准。隔膜屏蔽件216被布置以便阻挡射流j1的中心部分朝向隔膜16传播。
[0137]
隔膜屏蔽件216扰动所述腔室内的清洁物质224的颗粒的流动线路。相对较小的雪颗粒228a、228b(具有较小惯性)通常可以沿循所述腔室204内的流动线路，而相对较大的雪颗粒230a、230b由于惯性，可以至少部分地与流动线路解耦即分离(在无隔膜屏蔽件216的情况下将会与隔膜16重合的滞留平面处发生解耦即分离)。相对较小的雪颗粒228a、228b入射到隔膜16上，因此通过以上描述的机构来从隔膜16移除污染物颗粒232。相对较大的雪颗粒230a、230b替代地由隔膜屏蔽件216拦截。相对较大的雪颗粒230a、230b可以以相对较高的速度和/或相对较高的能量行进。如果这样的颗粒230a、230b入射到隔膜16上，则隔膜16可以损坏。因此，隔膜屏蔽件216对于防止射流j1的中心部分朝向隔膜16传播特别有利。
[0138]
为了控制被输送至隔膜的清洁物质的特性，可以选择若干参数。例如，可以选择腔室内部和外部之间的压力差、第一射流的源与第一掩模之间的距离、第一掩模与隔膜之间的距离、和/或隔膜屏蔽件216的尺寸和位置，以便控制被输送至隔膜的清洁物质的特性。选择这些参数可以允许入射到隔膜上的清洁物质的颗粒的大小和/或速度受控。
[0139]
清洁物质224的典型颗粒可以具有小于100μm，或优选地小于10μm的尺寸。清洁物质224的典型颗粒(包括相对较小的颗粒228a、228b)可以至少部分地与腔室204内的流动线路解耦即分离。因此，清洁物质224的典型颗粒(包括相对较小的颗粒228a、228b)可以入射到隔膜16上，即使流动线路平行于隔膜16。
[0140]
外壳218包括入口220。所述入口220可操作以提供补充流226。补充流226可以指代可以被提供呈流体流的形式的任何物体。例如，补充226流可以包括一种或更多种气体。补充流226可以包括一种或更多种气体中所携带的一个或更多个颗粒。补充流226可以包括干燥空气。补充流226可以包括干燥氮气。补充流226可以包括干燥空气和干燥氮气的混合物。补充流226可以包括任何干燥气体或干燥气体的混合物。补充流226在隔膜清洁设备200内通常可以是化学惰性的。
[0141]
补充流226可以是相对较冷的。这可以将射流j1的固体颗粒与射流j1周围的相对温暖的环境隔离开。有利地，这可以防止射流j1的固体颗粒在这些颗粒到达隔膜16之前升华。也就是说，补充流226可以促成射流j1的呈固体形式的颗粒的有效传播。在一些实施例中，这可能导致从射流j1到污染物颗粒232(经由隔膜16)的动量传递的相对较高效能或效率。
[0142]
外壳218至少部分包围射流j1和补充流226。外壳218可以是对于成形所述补充流226特别有用的。有利地，外壳218通常可以将补充流226维持于第一射流附近。这可以有助于实现如上所描述的提供补充流226的优点。
[0143]
窗口208被设置在腔室204的壁内。所述窗口被设置在与孔口212相对的腔室204的壁内。加热设备210被设置在腔室204的外部。加热设备210被设置在窗口208附近。加热设备210可操作以提供辐射(诸如红外辐射)。窗口208对由加热设备210所提供的辐射是至少部分地透明的。
[0144]
加热设备210可以被描述为辐射加热机构。在当前实施例的变型中，加热设备210可以包括感应加热机构、电阻加热机构、或对流加热机构中的一种或更多种。加热设备210可以被视为构成隔膜清洁设备200的控制系统的一部分，所述控制系统用于控制腔室204内的压力和/或温度。
[0145]
将清洁物质224输送到隔膜16可以冷却所述隔膜16的温度。这可能导致水蒸气在隔膜16上的冷凝。水蒸气在隔膜16上的冷凝可以降低隔膜清洁设备200的清洁效能。有利地，提供被配置用以加热所述隔膜16的加热设备210可以减少水蒸气在隔膜16上的冷凝。
[0146]
此外，可以被描述为“冰”(可以由清洁物质224形成)的层可以易于在隔膜16上形成。这样的冰层将会降低所述隔膜清洁设备200的清洁效能。提供被配置用以加热所述隔膜16的加热设备210可以有利地在所述固体颗粒入射到隔膜16上之后促进清洁物质224的固体颗粒的升华。因此，有利地，提供被配置成加热所述隔膜16的加热设备210可以防止在隔膜16上形成这样的冰层。
[0147]
孔口212的一部分也可以被加热。特别地，孔口围绕件214可以被加热。有利地，这可以防止清洁物质224(经由射流j1输送)在由孔口212所限定的开口周围积聚，并且因此堵塞或阻挡所述开口。
[0148]
现在参考图3描述根据本发明的实施例的隔膜清洁设备300，图3示出穿过隔膜清洁设备300的横截面。
[0149]
图3中示出的隔膜清洁设备300与本文所描述的隔膜清洁设备的其它实施例共用的若干共同特征。通常与其它实施例的特征对应，并且可以与其它实施例的特征大致相同的图3中示出的隔膜清洁设备300的任何特征共用的共同附图标记。以下对图3中示出的隔膜清洁设备300的描述将集中于这种隔膜清洁设备300的与先前描述的隔膜清洁设备的实施例不同的特征。将理解，在下文未描述部件或其功能性的情况下，应假定所述部件或其功能性是如参考先前描述的实施例所描述的。
[0150]
图3中示出的隔膜清洁设备300与图2中示出的隔膜清洁设备200之间的主要区别在于，在图3中，在腔室204内提供了雪的射流j1。而且，腔室204内的环境305的压力可能高于之前描述的实施例中的压力，例如1bar或更低。环境305可以包含干燥空气、干燥氮气、或任何干燥气体。环境305的温度可以低于30℃，优选地低于-10℃。
[0151]
图3中图示的隔膜清洁设备300与图2中图示的隔膜清洁设备200之间的另一个主要区别在于，在图3中，隔膜清洁设备300包括多个同轴地对准的、轴向地间隔开的流整形构件302，每个流整形构件302具有孔。流整形构件302为大致碟形即圆盘形。这些流整形构件302可以被视为构成第一射流膨胀组件的一部分。流整形构件302被布置成使得第一射流j1通过流整形构件302的孔传播。流整形构件302也被布置成引导补充流226(来自入口220)穿过介于相邻的流整形构件302之间的一个或更多个间隙，以便将补充流226与第一射流j1混合。
[0152]
每个流整形构件302具有不同的大小，并且多个流整形构件302按大小顺序布置(在第一射流j1的传播方向上从最小到最大。每个流整形构件302的孔具有不同的大小，并且孔按大小顺序布置。特别地，孔被布置成使得第一射流j1从最小孔传播至最大孔)。
[0153]
在传播通过流整形构件302之后的第一射流j1的直径d2可以是在传播通过流整形构件302之前的第一射流j1的直径d1的大约十倍。在传播通过流整形构件302之后的第一射
流j1的密度可以是在传播通过流整形构件302之前的第一射流j1的密度的大约0.1倍至0.5倍。在传播通过流整形构件302之后的第一射流j1的速度可以与在传播通过流整形构件302之前的第一射流j1的速度相比大约小5至10倍即为1/10至1/5。hz可能小于1cm，hy可能小于1mm，wz可以是大约1mm至10mm。
[0154]
多个流整形构件302被设置在外壳218内。多个流整形构件302，与补充流226结合，可以膨胀射流j1(并且由此降低射流j1的密度)。多个流整形构件302，与补充流226结合，可以降低射流j1的在其主行进方向上的速度。特别地，多个流整形构件302，与补充流226结合，可以降低射流j1中的清洁物质224的固体颗粒的速度。
[0155]
如上文所描述的，隔膜16通常可能是易碎的。有利地，射流j1中的清洁物质224的固体颗粒的速度可以被降低到使得隔膜16不被射流j1损坏的程度。然而，射流j1中的清洁物质224的固体颗粒的速度可以仍然是足够高的，使得在一些实施例中，传递到隔膜16表面上的任何污染物颗粒232的动量足以将所述颗粒232从所述表面喷射出去。
[0156]
图3中示出的隔膜清洁设备300和图2中示出的隔膜清洁设备200之间的另一个主要区别在于，在图3中，隔膜清洁设备300包括具有孔306的第三掩模304。第三掩模304被设置在由腔室204所限定的空腔中。第三掩模304被设置在射流j1与当由支撑件202支撑时的隔膜16之间。第三掩模304被配置成阻挡射流j1的外部朝向隔膜16传播。
[0157]
可以选择第三掩模304的孔306相对于射流j1的位置。可以选择孔306的尺寸。射流j1中的清洁物质的较小颗粒通常可以沿循(气流的)流动线路。然而，较大的颗粒(具有较大的惯性)可以至少部分地与这些流动线路解耦即分离，特别地是在流动线路经受方向的显著改变的位置(且这些较大的颗粒具有过大的惯性以致于无法沿循流动线路)，诸如例如在流动中的障碍物处。因此，由清洁物质的特定颗粒所遵循的轨迹可以至少部分由所述颗粒的质量确定。因此，通过适当地定位第三掩模304及其孔306和/或确定第三掩模304及其孔306的尺寸，可以允许射流j1中仅具有特定质量的清洁物质的固体颗粒通过孔306并且朝向隔膜传播。这可以实现所述隔膜清洁设备300被配置成从隔膜16移除特定大小范围的污染物颗粒232(因为如果雪颗粒具有与污染物颗粒相似的大小，则雪颗粒在从隔膜16去除污染物颗粒时可能特别有效)。
[0158]
入射到隔膜16上的雪颗粒的大小选择性即尺寸选择性通过以下组合来实现：使用补充流226由多个流整形构件302来对雪的射流j1进行整形；以及具有孔306的掩模304。
[0159]
在本实施例中，加热设备210被设置在腔室204内(因此不提供窗口)。
[0160]
如上所文描述的，多个流整形构件302构成射流膨胀组件。然而，可以对图3中示出的确切实施例进行改变，并且可以实现基本类似的优点。例如，可以仅设置一个流整形构件。无论是否设置了一个或更多个流整形构件，每个流整形构件都可以包括单个孔(如图3中示出的)，或者一个或更多个流整形构件可以包括多个孔。流整形构件可以是具有一个或更多个孔的大致平面部件的形式。流整形构件可以是具有许多孔的大致平面部件的形式。流整形构件可以是具有被布置呈规则图案的孔阵列的大致平面部件的形式，使得此流整形构件可以被描述为网格。替代地，流整形构件可以包括网。
[0161]
可以设置流整形构件加热机构(尽管这在图3中未示出)。流整形构件加热机构可以被布置成加热一个或更多个流整形构件。有利地，这可以防止清洁物质(经由射流j1输送)在一个或更多个流整形构件302周围积聚，这可以限制和/或阻挡射流j1的流动路径。
[0162]
小于10μm的雪颗粒可以沿循图3中示出的流动线路并且向侧方抛射。具有在10μm与30μm之间的尺寸的雪颗粒可以与这些流动线路解耦即分离，并且传播通过孔306以撞击所述表膜16。
[0163]
将理解，使用图3的隔膜清洁设备300向隔膜16提供清洁物质，可以通过与上文参考图2的隔膜清洁设备200所描述的基本类似的机制或机构来从隔膜移除(即，清洁)颗粒。
[0164]
现在参考图4描述根据本发明的实施例的隔膜清洁设备400，图4示出了穿过隔膜清洁设备400的横截面。
[0165]
图4中示出的隔膜清洁设备400与本文所描述的隔膜清洁设备的其它实施例共用若干共同特征。图4中示出的隔膜清洁设备400的通常与其它实施例的特征相对应、并且可以大致与其它实施例的特征相同的任何特征共用共同的附图标记。以下对图4中示出的隔膜清洁设备400的描述将集中于这种隔膜清洁设备400的与先前描述的隔膜清洁设备的实施例不同的特征。将理解，在下文中未描述部件或其功能性的情况下，应假定所述部件或其功能性是如参考先前描述的实施例所描述的。
[0166]
隔膜清洁设备400包括：支撑件202；第三掩模304；两个喷嘴402、404；加热设备210；和腔室204。所述支撑件202、第三掩模304、喷嘴402、404和加热设备210都被设置在腔室204内。第一喷嘴402可操作以产生第一射流j1，而第二喷嘴404可操作以产生第二射流j2。第一射流j1和第二射流j2两者都包括清洁物质(呈雪的形式)。第二射流j2可以被认为是补充流。两个喷嘴402、404布置成使得，在第一射流j1的至少一部分入射到由隔膜支撑件202支撑时的隔膜16的表面上之前所述第二射流j2与所述第一射流j1混合。两个射流j1、j2形成滞留平面406。
[0167]
被布置成与第一射流j1混合的第二射流j2可以使第一射流j1膨胀即扩张(并且由此降低第一射流的密度)。被布置成与第一射流j1混合的第二射流j2可以降低第一射流j1的朝向隔膜16传播的一部分的速度。被布置成与第一射流j1混合的第二射流j2可以降低第一射流j1中的清洁物质的固体颗粒的速度。特别地，被布置成与第一射流j1混合的第二射流j2可以导致位于滞留平面406附近的混合射流j1、j2的降低的密度和/或降低的速度。这可以导致降低的压力被施加到隔膜16(其通常是易碎的)上。有利地，第一射流j1(和第二射流j2)中的清洁物质的颗粒的速度可以被降低到隔膜16不被第一射流j1(或第二射流j2)损坏的程度。然而，第一射流j1(和第二射流j2)中的清洁物质的颗粒的速度可能仍然足够高，使得在一些实施例中，被传递到隔膜16的表面上的任何污染物颗粒232上的动量足以从所述表面喷射所述颗粒232。
[0168]
在此实施例中，入射到隔膜16上的雪颗粒的尺寸选择性通过以下组合而实现：雪的第一射流j1由雪的第二射流j2成形或整形；以及具有孔306的第三掩模304(以与如何使用图3的隔膜清洁设备300的第三掩模304类似的方法)。
[0169]
参考图4，隔膜16与第三掩模304之间的间隔h可以是大约1mm至10mm。孔306的直径w可以是大约1mm至10mm。两个射流j1、j2的间隔即分离d、射流j1、j2与隔膜16的间隔即分离h，以及射流j1、j2的相对于隔膜16的平面的取向a可以各自被配置成实现两个射流j1、j2的期望的混合。
[0170]
较小的雪颗粒可以沿循图4中示出的流动线路(并且指向滞留平面406)并且可以经由第三掩模304的孔306入射到表膜16上。相反，较大的雪颗粒倾向于以更低的程度沿循
流动线路，与滞留平面406相距更远，并且倾向于被第三掩模304阻挡。
[0171]
现在参照图5描述根据本发明的实施例的隔膜清洁设备500，图5示出穿过隔膜清洁设备500的横截面。
[0172]
图5中示出的隔膜清洁设备500可以与图4中示出的隔膜清洁设备400共用许多共同特征。
[0173]
将理解，图5仅示出了设备500的一部分(例如，腔室204、支撑件202和加热设备210在图4中未示出)。然而，图5中示出的隔膜清洁设备500可以包括图4中示出的隔膜清洁设备400的任何特征。
[0174]
图5中示出的隔膜清洁设备500可以与图4中示出的隔膜清洁设备400基本相同，除了尽管它包括两个喷嘴502、504，其中仅一个喷嘴提供清洁物质的射流。第一喷嘴502可操作以产生包括清洁物质(呈雪的形式)的第一射流j1。第二喷嘴504可操作以产生包括干燥空气、干燥氮气、和/或任何干燥气体或干燥气体混合物的第二射流j2。第二射流j2可以被冷却，以便保存来自通常是冷的两相射流j1的颗粒。一种或更多种干燥气体在隔膜清洁设备内可以通常是化学惰性的。从喷嘴504所产生的第二射流j2可以用于衰减从喷嘴502(图5)所产生的第一射流j1，以从喷嘴404所产生的第二射流j2可以用于衰减从喷嘴402(图4)所产生的第一射流j1的方式基本相同。即，可以形成滞留平面506，并且通过以下组合实现入射到隔膜16上的雪颗粒的尺寸选择性：由一种或多种干燥气体的第二射流j2对雪的第一射流j1的整形；以及具有孔306的第三掩模304。
[0175]
现在参照图6描述根据本发明的实施例的隔膜清洁设备600，图6示出穿过隔膜清洁设备600的横截面。
[0176]
图6中示出的隔膜清洁设备600与本文描述的隔膜清洁设备的其它实施例共用若干共同的特征。图6中示出的隔膜清洁设备600的通常与其它实施例的特征对应、并且通常可以与其它实施例的特征相同的任何特征共用共同的附图标记。图6中示出的隔膜清洁设备600的以下描述将集中于此隔膜清洁设备600的与之前描述的隔膜清洁设备的实施例不同的特征。将理解，在下文未描述部件或其功能的情况下，应假定所述部件或其功能性是如参考先前描述的实施例所描述的。
[0177]
隔膜清洁设备600包括：固体的清洁物质块602；以及辐射源604(例如激光器)，所述辐射源被配置成通过窗口608向清洁物质块602的表面提供辐射606。固体的清洁物质块602和辐射源604一起可以被认为是清洁物质输送机构，或形成清洁物质输送机构的一部分。辐射源604可以被认为是激励机构，或形成激励机构的一部分。辐射源604可操作以使清洁物质的在清洁物质块602中的至少一部分升华，使得清洁物质的至少一部分610离开清洁物质块602并朝向当由隔膜支撑件202支撑时的隔膜16传播。
[0178]
清洁物质的离开清洁物质块并朝向隔膜传播的至少一部分610可以包括气体射流或两相射流。例如，所述至少一部分可以包括固态和气态二氧化碳的混合物。
[0179]
激励机构可以包括激光器(即，辐射源604可以是激光器)。来自激光器的辐射606可以以一个或更多个脉冲的形式被提供至块602的表面。所述激光器可以被配置成使得清洁物质的颗粒610由脉冲激光辐射606从块602喷射出来。具体地，激光器可以被配置成使得具有特定大小或大小范围(诸如在1μm与100μm之间)的颗粒610从块602喷射出。
[0180]
激光器可以提供具有在4.1μm与4.4μm之间的波长的激光辐射606。激光器可以被
配置成使得在每个辐射脉冲606中所提供的能量大于0.1mj，尽管它可以优选地大于1mj。
[0181]
可以选择激光辐射606的波长以便在固体的清洁物质块中产生介于1μm与100μm之间的吸收深度，尽管可以优选地选择波长以便产生介于5μm与50μm之间的吸收深度。激光器可以被配置成使得块602中的吸收深度在从块602喷射的清洁物质的颗粒的期望大小的0.1倍与10倍之间。
[0182]
激励机构可以被配置成提供激光辐射606，使得辐射606的入射到块602上的空间功率强度是不均匀的。例如，辐射606的入射到块602上的空间功率强度可以是调制后的或是周期性的。空间功率强度可以包括重复形状的图案。一种或更多种重复形状可以具有1μm与100μm之间的尺寸。例如，可以在块602的表面上产生激光辐射606的干涉图案。通过具有特定尺寸的空间功率强度的重复形状，可以优先生成清洁物质的所述特定尺寸的颗粒610。有利地，这可以允许产生清洁物质的颗粒610，其在入射到隔膜16上时在从隔膜16移除污染物颗粒232方面是特别有效的。
[0183]
所述辐射源604可以被配置为向固体的清洁物质块602提供能量。所述辐射源604可以被调谐或调整，以便与清洁物质的气体一起喷射清洁物质的固体颗粒610。可以调整辐射源604以便产生期望的以下各项：待升华的清洁物质610的量；和/或清洁物质的固体颗粒的大小和/或速度。有利地，这提供了一种可容易控制的布置，所述布置可以被定制以从隔膜16移除各种大小的污染物颗粒232。
[0184]
块602与隔膜16的布置(特别地，块602与隔膜16之间的环境压力，和/或块602与隔膜16之间的距离l)可以至少部分地使清洁物质的颗粒610在朝向隔膜16传播时减速。这可以有利地降低这种颗粒610的动能并且因此防止对隔膜16的损坏。将理解，块602与隔膜16的布置可以被配置成实现清洁物质的颗粒610的期望减速。
[0185]
所述辐射源604可能特别适合于激励选定量的清洁物质块602。辐射源604被设置在腔室204内的环境605的外部。在腔室204的壁中设置窗口608，辐射606通过所述窗口传播到固体的清洁物质块602。如图6中可见的，激光辐射606传播通过窗口608然后直接入射到块602上。
[0186]
将理解，使用图6的隔膜清洁设备600向隔膜16提供清洁物质可以通过与上文参考图2的隔膜清洁设备200(同样适用于其它先前描述的实施例)所描述的机制或机构基本相似的机制或机构从隔膜16移除颗粒(即，清洁)。
[0187]
现在参照图7描述根据本发明的实施例的隔膜清洁设备700，图7示出穿过隔膜清洁设备700的横截面。
[0188]
图7中示出的隔膜清洁设备700与图6中示出的隔膜清洁设备600共用许多共同特征。图7中示出的隔膜清洁设备700的通常与其它实施例的特征对应，并且可以与其它实施例的特征大致相同的任何特征共用共同的附图标记。将理解，在下文未描述部件或其功能性的情况下，应假定所述部件或其功能性是如参考先前描述的实施例所描述的。
[0189]
类似于图6中示出的隔膜清洁设备600，隔膜清洁设备700也包括：固体的清洁物质块602；辐射源604(例如激光器)，所述辐射源被配置成经由腔室204的壁中的窗口608向清洁物质块602的表面提供辐射606；图7中示出的隔膜清洁设备700示出这些特征的对于图6中示出的隔膜清洁设备600的替代布置。
[0190]
图7中示出的隔膜清洁设备700和图6中示出的隔膜清洁设备600之间的主要区别
在于，在图7中，激光辐射606传播通过窗口608并且在入射到块602之前透射通过隔膜16。这可以加热所述隔膜16并且实现与如上文参考使用分立的加热设备210的先前实施例所描述的优点相似的优点。而且，当由隔膜支撑件202支撑时，隔膜16通常紧邻于所述块602的有激光辐射606入射到其上的表面。例如，间隔k可以是大约1mm。
[0191]
将理解，使用图7的隔膜清洁设备700向隔膜16提供清洁物质可以通过与上文参考图2的隔膜清洁设备200(同样适用于其它先前描述的实施例)所描述的机制或机构基本相似的机制或机构从隔膜16移除颗粒(即，清洁)。
[0192]
然而，由于隔膜16通常非常靠近于块602，因此清洁物质的气态形式(经由激光辐射606入射到块602上而产生)可以将动量传递至污染物颗粒232(经由隔膜16)以及清洁物质上的固体颗粒。即，激光辐射606入射到块602上可以产生气团710，所述气团：被直接地入射到隔膜16上；并且携带清洁物质的固体颗粒至隔膜16。清洁物质的两种物质状态可以有利地将动量传递至所述隔膜16上的污染物颗粒232，由此喷射所述污染物颗粒232，并且清洁所述隔膜16。辐射源604可以被配置成产生气团710，所述气团具有大约1mm的直径n。
[0193]
尽管二氧化碳雪清洁即二氧化碳除雪是一种已知的清洁技术，但已知的二氧化碳除雪方法不适用于清洁表膜(表膜是相对较薄的且易于破裂)。已知技术涉及二氧化碳射流被聚焦即集中并且通常在没有任何明显障碍或射流衰减的情况下传播的布置。相比之下，许多以上描述的实施例采用新的布置来减慢二氧化碳射流和/或另外限制隔膜的经受任何(衰减后的)二氧化碳射流(或其它颗粒或气体的流)的面积，在便减少力并且防止可能的隔膜破裂。
[0194]
将理解，术语“粒度”或“颗粒大小”和“颗粒质量”可以在上文中以互换的方式使用。较大质量的颗粒通常对应于较大的颗粒，并且通常并不预期在这些术语之间进行区分。
[0195]
将理解，在上文所描述的隔膜清洁设备200、300、400、500、600、700中的任一隔膜清洁设备中，隔膜组件可以是用于euv光刻设备的表膜。特别地，所述隔膜组件可以包括如图1中示出的所述表膜15(所述表膜15包括被安装在框架17上的薄隔膜16)。
[0196]
虽然可以在本文中具体地提及在ic制造中光刻设备的使用，但应理解，本文中所描述的光刻设备可以具有其它应用。可能的其它应用包括制造集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(lcd)、薄膜磁头，等等。
[0197]
虽然可以在本文中具体地提及在光刻设备的情境下的本发明的实施例，但本发明的实施例可以用于其它设备中。本发明的实施例可以形成掩模检查设备、量测设备、或者测量或处理诸如晶片(或其它衬底)或掩模(或其它图案形成装置)之类的物体的任何设备的部分。这些设备通常可以被称为光刻工具。这种光刻工具可以使用真空条件或环境(非真空)条件。
[0198]
虽然上文已描述本发明的特定实施例，但应理解，可以用与所描述的方式不同的其它方式来实践本发明。以上描述旨在是例示性的，而不是限制性的。因而，本领域技术人员将明白，可以在不背离下文所阐述的权利要求和方面的范围的情况下对所描述的本发明进行修改。
[0199]
1.一种用于从隔膜的表面移除颗粒的隔膜清洁设备，所述隔膜清洁设备包括：
[0200]
隔膜支撑件，所述隔膜支撑件用于支撑所述隔膜；和
[0201]
清洁物质输送机构，所述清洁物质输送机构用于将清洁物质输送到与待清洁的表
面相反的隔膜表面。
[0202]
2.一种用于从隔膜移除颗粒的隔膜清洁设备，所述隔膜清洁设备包括：
[0203]
腔室；
[0204]
控制系统，所述控制系统用于控制所述腔室内的压力和/或温度；
[0205]
隔膜支撑件，所述隔膜支撑件用于在所述腔室内支撑所述隔膜；以及
[0206]
清洁物质输送机构，所述清洁物质输送机构用于将清洁物质输送至所述隔膜；
[0207]
其中，所述控制系统被配置成控制所述腔室内的压力和/或温度，使得所述清洁物质的至少一部分在所述腔室内经历转变成气体的相变。
[0208]
3.根据方面2所述的设备，其中，所述相变包括从固体到气体的转变。
[0209]
4.根据方面2或方面3所述的设备，其中，所述相变包括从液体到气体的转变。
[0210]
5.一种用于从隔膜移除颗粒的隔膜清洁设备，所述隔膜清洁设备包括：
[0211]
隔膜支撑件，所述隔膜支撑件用于支撑所述隔膜；和
[0212]
清洁物质输送机构，所述清洁物质输送机构用于将清洁物质输送至所述隔膜，其中所述清洁物质包括二氧化碳。
[0213]
6.根据方面1至4中任一项所述的设备，其中，所述清洁物质包括二氧化碳。
[0214]
7.根据方面1、5或6中任一项所述的设备，还包括：
[0215]
腔室，所述腔室中设置有所述隔膜支撑件；和
[0216]
控制系统，所述控制系统用于控制所述腔室内的压力和/或温度。
[0217]
8.根据方面2、3、4或7中任一项所述的设备，其中，所述控制系统被布置成将所述腔室内的压力维持为低于所述腔室所设置于的环境的压力。
[0218]
9.根据任一前述方面所述的设备，其中，所述清洁物质输送机构包括被配置成提供呈雪的形式的所述清洁物质的第一射流的机构，使得所述第一射流的至少一部分入射到隔膜的当由所述隔膜支撑件支撑时的表面上。
[0219]
10.根据方面9所述的设备，其中，所述清洁物质输送机构还包括被配置成提供补充流的机构，其中所述补充流的至少一部分被提供在所述第一射流附近。
[0220]
11.根据方面10所述的设备，其中，所述设备包括外壳，所述外壳将所述补充流的至少一部分约束于所述第一射流附近。
[0221]
12.根据方面11所述的设备，其中，所述设备还包括第一射流膨胀组件，所述第一射流膨胀组件被配置成将所述补充流朝向所述第一射流引导，使得所述补充流的至少一部分与所述第一射流的至少一部分混合以便增加所述第一射流的横向于所述第一射流的主行进方向的横截面。
[0222]
13.根据方面12所述的设备，其中，所述第一射流膨胀组件包括多个同轴地对准的、轴向地间隔开的流整形构件，每个流整形构件具有孔，其中所述流整形构件布置成：
[0223]
使得所述第一射流传播通过所述流整形构件的孔；和
[0224]
引导所述补充流通过介于相邻的流整形构件之间的一个或更多个间隙，以便将所述补充流与所述第一射流混合。
[0225]
14.根据方面13所述的设备，其中，每个流整形构件具有不同的大小，所述多个流整形构件按大小顺序布置。
[0226]
15.根据方面13或方面14所述的设备，其中，每个流整形构件的孔口具有不同的大
小，所述孔按大小顺序布置，并且其中所述孔被布置成使得所述第一射流从最小孔传播至最大孔。
[0227]
16.根据方面13至15中任一项所述的设备，其中，一个或更多个流整形构件是大致碟形的。
[0228]
17.根据方面12所述的设备，其中，所述第一射流膨胀组件包括一个或更多个流整形构件，每个流整形构件包括多个孔，所述多个孔被布置成使得所述第一射流传播通过所述多个孔。
[0229]
18.根据方面12至17中任一项所述的设备，还包括流整形构件加热机构，所述流整形构件加热机构被布置成加热一个或更多个流整形构件。
[0230]
19.根据方面10至方面18中任一项所述的设备，其中，所述补充流包括所述清洁物质的呈雪的形式的第二射流，其中所述第二射流被布置成在所述第一射流的至少一部分入射到当由隔膜支撑件支撑时的隔膜的表面上之前与所述第一射流混合。
[0231]
20.根据方面10所述的设备，其中，所述补充流包括干燥气体的射流，所述干燥气体的射流被布置成在所述第一射流的至少一部分入射到当由隔膜支撑件支撑时的隔膜的表面上之前与所述第一射流混合。
[0232]
21.根据当直接地或间接地从属于方面2或7时的任一前述方面所述的设备，其中所述设备还包括具有孔的第一掩模，并且其中所述第一掩模被布置以形成所述腔室的壁的一部分并且被布置于所述清洁物质输送机构与当由所述隔膜支撑件支撑时的隔膜之间。
[0233]
22.根据方面21所述的设备，其中所述第一掩模被配置成：
[0234]
阻挡所述第一射流的至少一部分朝向当由所述隔膜支撑件支撑时的隔膜传播；和
[0235]
在第一掩模的孔附近提供所述第一射流的滞留点。
[0236]
23.根据任一前述方面所述的设备，其中，所述设备还包括第二掩模，并且其中所述第二掩模被布置在所述清洁物质输送机构与当由所述隔膜支撑件支撑时的隔膜之间，并且其中所述第二掩模被配置成阻挡所述第一射流的至少一部分朝向当由隔膜支撑件支撑时的隔膜传播。
[0237]
24.根据方面23所述的设备，其中，所述第二掩模与所述第一射流大致对准，以便阻挡所述第一射流的中心部分朝向当由隔膜支撑件支撑时的隔膜传播。
[0238]
25.根据任一前述方面所述的设备，其中，所述设备包括腔室，其中所述设备还包括具有孔的第三掩模，并且其中所述第三掩模被设置在由所述腔室所限定的空腔内，并且其中所述第三掩模被配置成阻挡所述第一射流的外侧部分朝向当由所述隔膜支撑件支撑时的隔膜传播。
[0239]
26.根据方面1至方面8中任一项所述的设备，其中所述清洁物质输送机构包括：
[0240]
固体的清洁物质块；和
[0241]
激励机构，所述激励机构能够操作以使清洁物质块中的清洁物质的至少一部分升华，使得所述清洁物质的至少一部分离开所述清洁物质块并且朝向当由所述隔膜支撑件支撑时的隔膜传播。
[0242]
27.根据方面26所述的设备，其中，所述激励机构包括辐射源，所述辐射源被配置成向所述清洁物质块的表面提供辐射。
[0243]
28.根据方面27所述的设备，其中，所述激励机构包括激光器，所述激光器能够操
作以产生以一个或更多个脉冲的形式被提供至所述清洁物质块的表面的激光辐射。
[0244]
29.根据方面28所述的设备，其中，所述激励机构被配置成使得所述激光辐射的波长在4.0μm与4.5μm之间。
[0245]
30.根据方面28或方面29所述的设备，其中，所述激励机构被配置成使得在辐射的每个脉冲中所提供的能量大于0.1mj。
[0246]
31.根据方面28至30中任一项所述的设备，其中，所述激励机构被配置成使得所述激光辐射的吸收深度在所述固体的清洁物质块中在1μm与100μm之间。
[0247]
32.根据方面28至31中任一项所述的设备，其中，所述激励机构被配置成使得所述激光辐射的吸收深度在所述固体的清洁物质块中在5μm与50μm之间。
[0248]
33.根据方面27至32中任一项所述的设备，其中，所述设备被配置成使得辐射在首先透射通过当由所述隔膜支撑件支撑时的隔膜之后被提供至所述固体的清洁物质块的表面。
[0249]
34.根据方面27至32中任一项所述的设备，其中，所述设备被配置成使得辐射在不首先透射通过当由所述隔膜支撑件支撑时的隔膜的情况下被提供至所述固体的清洁物质块的表面。
[0250]
35.根据方面28至34中任一项所述的设备，其中，所述激励机构被配置成提供激光辐射，使得所述辐射的入射到所述固体的清洁物质块上的空间功率强度是不均匀的。
[0251]
36.根据方面35所述的设备，其中，所述空间功率强度包括重复形状的图案，并且其中所述重复形状中的一个或更多个重复形状具有1μm与100μm之间的尺寸。
[0252]
37.根据任一前述方面所述的设备，其中，所述设备还包括加热机构，所述加热机构被配置成加热当由所述隔膜支撑件支撑时的隔膜。
[0253]
38.根据任一前述方面所述的设备，其中，所述设备还包括布置于所述隔膜附近的污染物收集板。
[0254]
39.根据任一前述方面所述的设备，其中，所述清洁物质输送机构能够操作以产生具有小于100μm的尺寸的清洁物质的颗粒。