含氟醚化合物、磁记录介质用润滑剂及磁记录介质的制作方法

1.本发明涉及适合于磁记录介质的润滑剂用途的含氟醚化合物、包含它的磁记录介质用润滑剂及磁记录介质。
2.本技术基于2019年11月7日在日本技术的特愿2019-202285号主张优先权，并将其内容援引于此。


背景技术：

3.为了提高磁记录再生装置的记录密度，已进行了适于高记录密度的磁记录介质的开发。
4.以往，作为磁记录介质，有在基板上形成记录层、在记录层上形成碳等保护层的磁记录介质。保护层保护记录层中记录的信息，同时提高磁头的滑动性。但是，仅通过在记录层上设置保护层，不能充分获得磁记录介质的耐久性。因此，通常在保护层的表面上涂布润滑剂而形成润滑层。
5.作为形成磁记录介质的润滑层时使用的润滑剂，例如，已提出了含有在氟类聚合物的末端具有羟基等极性基团的化合物的润滑剂，所述氟类聚合物具有包含cf2的重复结构(例如，参见专利文献1、2)。
6.具体而言，专利文献1中公开了在两个末端部分具有多个羟基的化合物。
7.另外，专利文献2中公开了一种化合物，其具有全氟聚醚主链，分子的端基是包含2个以上的极性基团、各极性基团分别与不同的碳原子键合、上述极性基团所键合的碳原子彼此通过包含极性基团未键合的碳原子的连接基团进行键合的端基。
8.现有技术文献
9.专利文献
10.专利文献1：日本专利第4632144号公报
11.专利文献2：日本特开2018-24614号公报


技术实现要素：

12.发明所要解决的问题
13.在磁记录再生装置中，需要提高记录密度的同时要求更高的可靠性。例如，耐化学物质性的提高、粘着抑制。所谓耐化学物质性是指对由环境物质引起的磁记录介质的污染的耐受性，所谓粘着抑制是指对润滑层中的含氟醚化合物作为异物(污渍)附着于磁头的抑制力。
14.本发明是鉴于上述情况而完成的，其课题在于提供一种含氟醚化合物，其可以适合用作磁记录介质用润滑剂的材料，所述磁记录介质用润滑剂可以形成与保护层的密合性良好、能够抑制粘着，并且耐化学物质性优异的润滑层。
15.另外，本发明的课题还在于提供包含本发明的含氟醚化合物的磁记录介质用润滑剂。
16.另外，本发明的课题还在于提供具备包含本发明的含氟醚化合物的润滑层的、具有优异的可靠性和耐久性的磁记录介质。
17.解决问题的手段
18.为了解决上述课题，本发明人反复进行了深入研究。
19.结果发现，只要是具有刚性的全氟聚醚(以下有时记载为“pfpe”)在链的至少一个末端配置有特定结构的多个羟基的含氟醚化合物即可，从而想到了本发明。
20.即，本发明涉及以下内容。
21.[1]一种含氟醚化合物，其特征在于，由下述式(1)表示，
[0022]
r1－ch2－r2－ch2－r3ꢀꢀꢀ
(1)
[0023]
(式(1)中，r2为下述式(2)表示的全氟聚醚链。r1为通过ch2与r2键合的端基，由下述式(3)表示。r3为通过ch2与r2键合、具有1个以上羟基的端基，可以与r1相同也可以不同。)
[0024]
－(cf2)
p-1
－o－((cf2)
p
o)q－(cf2)
p-1
－
ꢀꢀꢀ
(2)
[0025]
(式(2)中，p表示2～3的整数，q为平均聚合度且表示1～20。)
[0026][0027]
(式(3)中，n为1～8的整数。)
[0028]
[2][1]中所述的含氟醚化合物，所述式(1)中的r3为所述式(3)表示的端基。
[0029]
[3][2]中所述的含氟醚化合物，所述式(1)表示的化合物为下述式(d)～(g)表示的化合物中的任一种，
[0030][0031]
(式(d)中，xd为平均聚合度且表示1～14。)
[0032]
(式(e)中，xe为平均聚合度且表示1～14。)
[0033]
(式(f)中，xf为平均聚合度且表示1～14。)
[0034]
(式(g)中，xg为平均聚合度且表示1～14。)
[0035]
[4][2]中所述的含氟醚化合物，所述式(1)表示的醚化合物为下述式(n)～(q)表示的化合物中的任一种，
[0036][0037]
(式(n)中，yn为平均聚合度且表示1～20。)
[0038]
(式(o)中，yo为平均聚合度且表示1～20。)
[0039]
(式(p)中，yp为平均聚合度且表示1～20。)
[0040]
(式(q)中，yq为平均聚合度且表示1～20。)
[0041]
[5][1]中所述的含氟醚化合物，所述式(1)中的r3为羟基、下述式(4-1)、下述式(4-2)中任一式表示的端基，
[0042]-o-ch
2-ch(oh)-ch
2-oh
ꢀꢀꢀꢀ
(4-1)
[0043]-o-ch
2-ch(oh)-ch
2-o-(ch2)
k-oh
ꢀꢀꢀꢀꢀ
(4-2)
[0044]
(式(4-2)中，k表示1～5的整数。)
[0045]
[6][5]中所述的含氟醚化合物，所述式(1)中的r3为所述式(4-2)表示的端基。
[0046]
[7][5]中所述的含氟醚化合物，所述式(1)表示的醚化合物为下述式(c)和(h)表示的化合物中的任一种，
[0047][0048]
(式(c)中，xc为平均聚合度且表示1～14。)
[0049]
(式(h)中，xh为平均聚合度且表示1～14。)
[0050]
[8][5]中所述的含氟醚化合物，所述式(1)表示的醚化合物为下述式(m)和(r)表示的化合物中的任一种，
[0051][0052]
(式(m)中，ym为平均聚合度且表示1～20。)
[0053]
(式(r)中，yr为平均聚合度且表示1～20。)
[0054]
[9][1]～[8]中任一项所述的含氟醚化合物，数均分子量在400～3000的范围内。
[0055]
[10]一种磁记录介质用润滑剂，其特征在于，包含[1]～[8]中任一项所述的含氟醚化合物。
[0056]
[11]一种磁记录介质，其为在基板上至少依次设置有磁性层、保护层和润滑层的磁记录介质，其特征在于，所述润滑层包含[1]～[8]中任一项所述的含氟醚化合物。
[0057]
[12][11]中所述的磁记录介质，所述润滑层的平均膜厚为0.5nm～1.5nm。
[0058]
发明效果
[0059]
本发明的含氟醚化合物适合作为磁记录介质用润滑剂的材料。
[0060]
本发明的磁记录介质用润滑剂，由于包含本发明的含氟醚化合物，因此与保护层的密合性良好，可以抑制粘着，并且可以形成耐化学物质性优异的润滑层。
[0061]
本发明的磁记录介质，设置有与保护层的密合性良好，能够抑制粘着，并且耐化学物质性优异的润滑层，因此具有优异的可靠性和耐久性。
附图说明
[0062]
图1是显示本发明的磁记录介质的一个实施方式的剖面示意图。
具体实施方式
[0063]
以下，对本发明的含氟醚化合物、磁记录介质用润滑剂(以下，有时简称为“润滑剂”)及磁记录介质进行详细说明。需要说明的是，本发明并不仅局限于以下所示的实施方式。
[0064]
[含氟醚化合物]
[0065]
本实施方式的含氟醚化合物由下述式(1)表示。
[0066]
r1－ch2－r2－ch2－r3ꢀꢀ
(1)
[0067]
(式(1)中，r2为下述式(2)表示的全氟聚醚链，r1为通过ch2与r2键合的端基，由下述式(3)表示。r3为通过ch2与r2键合、具有1个以上羟基的端基，可以与r1相同也可以不同。)
[0068]
－(cf2)
p-1
－o－((cf2)
p
o)q－(cf2)
p-1
－
ꢀꢀ
(2)
[0069]
(式(2)中，p表示2～3的整数，q为平均聚合度且表示1～20。)
[0070]
[0071]
(式(3)中，n为1～8的整数。)
[0072]
式(2)中，p为2～3的整数，q为平均聚合度且表示1～20。
[0073]
p在上述取值范围内时，适于形成厚度为以下的薄膜。如果p小于2，则全氟聚醚链的刚直性不足，含氟醚化合物容易在保护层上凝聚。另外，如果p超过3，全氟聚醚链变得过于刚直，难以得到与保护层的密合性。
[0074]
在本实施方式中，式(2)的p为2～3的整数，q为平均聚合度且表示1～20，因此含氟醚化合物的数均分子量成为优选的范围。另外，由于式(2)的p为2～3的整数，作为平均聚合度的q为1～20，因此pfpe链中的氧原子数(醚键(-o-)数)相对于碳原子数的比例变得适当，形成具有适度刚性的含氟醚化合物。
[0075]
此外，由于式(2)的p为2～3的整数，作为平均聚合度的q为1～20，因此涂布在保护层上的含氟醚化合物中的极性基团的朝向容易因pfpe链的刚直性而得到保持，含氟醚化合物在保护层上不易凝聚。其结果是在本实施方式的含氟醚化合物中，能够以充分的被覆率在保护层上形成厚度薄的润滑层，并且pfpe链能够在保护层上形成环结构。式(2)中p为3时，平均聚合度q优选为1～14，更优选为4～10。式(2)中p为2时，平均聚合度q优选为5～16，更优选为6～12。
[0076]
式(1)中的式(3)表示的端基r1是包含3个羟基、各羟基分别与不同的碳原子键合、上述羟基所键合的碳原子彼此通过包含羟基未键合的碳原子的连接基团进行键合的碳原子数为8～15的有机端基。
[0077]
式(3)中n的值为1～8的整数。n的值优选为1～4，更优选为2～4，进一步优选为2或3。如果n的值在该范围内，则与保护层的密合性良好，可以防止含氟醚化合物作为异物(污渍)附着于磁头。
[0078]
在式(1)中的r3为上述式(3)表示的端基的情况下，r1与r3中的n的值可以相同，也可以不同。为了成为在保护层上容易通过pfpe链形成环结构的式(1)表示的含氟醚化合物，且同时能够以少的制造工序制造，在r3为上述式(3)表示的端基的情况下，更优选r1和r3中的n的值相同。
[0079]
在式(1)中的端基r3为与r1不同的端基的情况下，r3表示的端基中所含的羟基的数量优选为1～2，更优选为2。
[0080]
r3表示的端基中包含的碳原子数优选为10以下，更优选为8以下。r3表示的端基可以设定为不含氟原子的基团。
[0081]
特别是r3表示的端基为碳数10以下且羟基数为1～2时，与碳数为8～15且羟基数为3的r1表示的端基的平衡性变得良好，在保护层上容易通过pfpe链形成环结构，与保护层的密合性变得更进一步的良好。
[0082]
r3表示的端基优选不具有双键及三键。另外，在r3表示的端基的链状结构中，优选在与r2相反侧的端部配置有羟基。在该情况下，在式(1)表示的含氟醚化合物的两个最末端配置有羟基，能够与保护层更牢固地密合。
[0083]
r3表示的端基所包含的极性基团优选仅为羟基。r3表示的端基中所含的极性基团全部为羟基时，与r1表示的端基的平衡性变得良好。
[0084]
r3优选为羟基、下述式(4-1)、下述式(4-2)中的任意之一表示的端基。
[0085]-o-ch
2-ch(oh)-ch
2-oh (4-1)
[0086]-o-ch
2-ch(oh)-ch
2-o-(ch2)
k-oh
ꢀꢀꢀꢀꢀ
(4-2)
[0087]
(式(4-2)中，k表示1～5的整数。)
[0088]
其中，r3更优选为式(4-1)或式(4-2)，最优选为式(4-2)。
[0089]
式(4-1)和式(4-2)表示的端基分别包含2个羟基。r3为式(4-1)或式(4-2)表示的端基时，通过r3所含的2个羟基和r1所含的羟基，能够在pfpe链的两个末端与保护层密合。进而，r3为式(4-2)时，2个羟基分别与不同的碳原子键合，羟基所键合的碳原子彼此通过包含羟基未键合的碳原子的连接基团进行键合。而且，羟基所键合的碳原子彼此之间包含醚键。因此，如果r3为式(4-2)，对保护层的密合性和被覆性变得更进一步的良好。
[0090]
式(4-2)中的k的值为1～5的整数。k的值在该范围内时，与保护层的密合性变得良好。k的值优选为2～4的整数，更优选为2或3。k的值为2或3时，羟基所键合的碳原子彼此的距离变得适当，对保护层的密合性和被覆性变得更进一步的良好。
[0091]
式(1)表示的含氟醚化合物中的r1具有的羟基为3个。式(1)表示的含氟醚化合物中的r3具有的羟基为1个以上，优选为1个或2个。
[0092]
在式(1)表示的含氟醚化合物中，在r3为与r1同样为式(3)表示的端基的情况下，式(1)中的羟基的总数为6。另外，在式(1)表示的含氟醚化合物中，在r3为与r1不同的端基的情况下，式(1)中的羟基的总数为4以上，优选为4～5，更优选为5。
[0093]
在式(1)表示的含氟醚化合物中，如果羟基的总数在上述范围内，则密合性良好，能够防止作为异物(污渍)附着于磁头。特别是羟基的总数为5或6时，可得到良好的密合性，粘着抑制效果提高。
[0094]
式(1)中的r1和r3可以根据包含含氟醚化合物的润滑剂所需要的性能等进行适当选择。
[0095]
此处，对于本实施方式的含氟醚化合物，通过具有r2表示的pfpe链和与r2连结的端基r1，从而在使用包含它的润滑剂在磁记录介质的保护层上形成润滑层的情况下，可得到与保护层的密合性良好、可以抑制粘着、并且耐化学物质性优异的润滑层的原因进行说明。
[0096]
本实施方式的含氟醚化合物，如式(1)所示具有r2表示的pfpe链。在包含本实施方式的含氟醚化合物的润滑层中，r2表示的pfpe链被覆保护层的表面的同时，对润滑层赋予润滑性，使磁头与保护层的摩擦力降低。进而，在包含本实施方式的含氟醚化合物的润滑层中，具有由直链状氟化烷基醚基形成的具有刚直性的重复单元的式(2)表示的pfpe链，通过分别配置于其两端的端基所具有的羟基，密合(吸附)于保护层上。因此，pfpe链能够在保护层上形成环结构。其结果是形成了与保护层的密合性良好的润滑层。
[0097]
另外，式(1)中的r1为通过ch2与r2键合的端基，由式(3)表示。式(3)表示的r1中，羟基所键合的碳原子彼此通过包含羟基未键合的碳原子的连接基团进行键合。因此，在涂布润滑剂的保护层由碳或含氮的碳形成的情况下，起到以下两个作用。第一，r1的羟基不凝聚，在保护层上容易润湿扩展，成为容易提高被覆性的配置。第二，r1所具有的3个羟基相对于保护层的表面容易朝向同一方向，形成羟基相对于保护层面容易密合的立体配置。
[0098]
因此，推断包含本实施方式的含氟醚化合物的润滑层，特别是在保护层由碳或包含氮的碳形成的情况下，可以得到与保护层的密合性更进一步变得良好，能够抑制粘着、且耐化学物质性优异的润滑层。
[0099]
本实施方式的含氟醚化合物，具体而言，优选为下述式(a)～(v)表示的任一化合
物。
[0100]
下述式(a)～(j)、(u)中的xa～xj、xu相当于式(2)的q。另外，下述式(k)～(t)、(v)中的yk～yt、yv相当于式(2)的q。式(a)～(v)中的xa～xj、xu、yk～yt、yv表示的重复数为表示平均聚合度的值，因此未必是整数。
[0101]
下述式(a)～(c)、(h)～(m)、(r)～(t)、(u)、(v)表示的化合物均为式(1)中r3为与r1不同的端基的化合物。另外，下述式(d)～(g)、(n)～(q)表示的化合物均为式(1)中r3为与r1相同的端基的化合物。
[0102]
下述式(a)～(c)、(h)～(m)、(r)～(t)表示的化合物中，r1均由式(3)表示，式(3)中的n为1。下述式(u)、(v)表示的化合物中，r1均由式(3)表示，式(3)中的n为2。另外，式(a)、(k)表示的化合物的r3均为羟基。式(b)、(l)表示的化合物的r3均为式(4-1)。式(c)、(h)～(j)、(m)、(r)～(t)、(u)、(v)表示的化合物的r3均为式(4-2)。
[0103]
下述式(a)～(c)、(h)～(j)、(u)表示的化合物的r2中的p均为3。下述式(k)～(m)、(r)～(t)、(v)表示的化合物的r2中的p均为2。
[0104]
下述式(d)、(n)表示的化合物中，r1和r3均由式(3)表示，式(3)中的n为1。下述式(e)、(o)表示的化合物中，r1和r3均由式(3)表示，式(3)中的n为2。下述式(f)、(p)表示的化合物中，r1和r3均由式(3)表示，式(3)中的n为3。下述式(g)、(q)表示的化合物中，r1和r3均由式(3)表示，式(3)中的n为4。
[0105]
下述式(d)～(g)表示的化合物的r2中的p均为3。下述式(n)～(q)表示的化合物的r2中的p均为2。
[0106][0107]
(式(a)中，xa为平均聚合度且表示1～14。)
[0108]
(式(b)中，xb为平均聚合度且表示1～14。)
[0109]
(式(c)中，xc为平均聚合度且表示1～14。)
[0110][0111]
(式(d)中，xd为平均聚合度且表示1～14。)
[0112]
(式(e)中，xe为平均聚合度且表示1～14。)
[0113]
(式(f)中，xf为平均聚合度且表示1～14。)
[0114]
(式(g)中，xg为平均聚合度且表示1～14。)
[0115][0116]
(式(h)中，xh为平均聚合度且表示1～14。)
[0117]
(式(i)中，xi为平均聚合度且表示1～14。)
[0118]
(式(j)中，xj为平均聚合度且表示1～14。)
[0119]
(式(u)中，xu为平均聚合度且表示1～14。)
[0120]
[0121]
(式(k)中，yk为平均聚合度且表示1～20。)
[0122]
(式(l)中，yl为平均聚合度且表示1～20。)
[0123]
(式(m)中，ym为平均聚合度且表示1～20。)
[0124][0125]
(式(n)中，yn为平均聚合度且表示1～20。)
[0126]
(式(o)中，yo为平均聚合度且表示1～20。)
[0127]
(式(p)中，yp为平均聚合度且表示1～20。)
[0128]
(式(q)中，yq为平均聚合度且表示1～20。)
[0129][0130]
(式(r)中，yr为平均聚合度且表示1～20。)
[0131]
(式(s)中，ys为平均聚合度且表示1～20。)
[0132]
(式(t)中，yt为平均聚合度且表示1～20。)
[0133]
(式(v)中，yv为平均聚合度且表示1～20。)
[0134]
在式(1)表示的含氟醚化合物为式(a)～(v)表示的任一化合物的情况下，可得到与保护层的密合性更良好、可以抑制粘着、并且耐化学物质性优异的润滑层，因此是优选的。
[0135]
式(a)～(v)表示的含氟醚化合物中，特别是式(c)、(d)、(e)、(m)、(n)、(o)表示的
含氟醚化合物可以形成与保护层的密合性良好的润滑层，因此是优选的。
[0136]
本实施方式的含氟醚化合物的数均分子量优选为400～3000的范围内。如果数均分子量为400以上，则包含本实施方式的含氟醚化合物的润滑剂不易蒸腾，可以防止润滑剂蒸腾而转移到磁头上。含氟醚化合物的数均分子量更优选为800以上。此外，如果数均分子量为3000以下，则含氟醚化合物的粘度变得适当，通过涂布包含它的润滑剂，可以容易地形成厚度薄的润滑层。含氟醚化合物的数均分子量更优选为2500以下。
[0137]
含氟醚化合物的数均分子量(mn)是通过采用
ブルカー
·
バイオスピン
公司制avanceiii400进行1h-nmr和
19
f-nmr测定后的值。具体而言，由通过
19
f-nmr测定的积分值算出pfpe链的重复单元数，求出数均分子量。需要说明的是，重复单元数表示平均值，因此有时也用小数点以下的数字表示。在nmr(核磁共振)的测定中，将试样在六氟苯/d-丙酮(4/1v/v)溶剂中稀释，用于测定。
19
f-nmr化学位移的基准是将六氟苯的峰视为-164.7ppm，1h-nmr化学位移的基准是将丙酮的峰视为2.2ppm。
[0138]“制造方法”[0139]
本实施方式的含氟醚化合物的制造方法没有特别限制，可以使用以往公知的制造方法来制造。本实施方式的含氟醚化合物例如可以使用以下所示的制造方法来制造。
[0140]
首先，准备在与式(1)中的r2对应的全氟聚醚链的两个末端分别配置有羟基甲基(-ch2oh)的氟类化合物。接着，将配置于氟类化合物的两个末端(或一个末端)的羟甲基的羟基用具有由式(1)中的r1构成的有机端基的化合物取代。
[0141]
作为含氟醚化合物，在制造r3为羟基的式(1)表示的含氟醚化合物的情况下，在上述的取代反应时，相对于全氟聚醚链，使用约0.5～1当量的具有由r1构成的有机端基的化合物。此外，作为含氟醚化合物，在制造r3为与r1相同的端基的式(1)表示的含氟醚化合物的情况下，在上述的取代反应时，相对于全氟聚醚链使用约2当量的具有由r1构成的有机端基的化合物。
[0142]
在式(1)表示的含氟醚化合物中，在r3为与r1相同的端基的情况下，能够容易地制造，是优选的。
[0143]
作为含氟醚化合物，在制造r3为与r1不同的端基的式(1)表示的含氟醚化合物的情况下，使用相对于全氟聚醚链为约0.5～1当量的具有由r1构成的有机端基的化合物进行上述取代反应后，用式(1)中的具有由r3构成的端基的化合物取代在氟类化合物的未被由r1构成的有机端基取代的那个末端配置的羟甲基的羟基。r3为与r1不同的端基的式(1)表示的含氟醚化合物也包括r1和r3为式(3)表示的端基、且r1和r3中的n的数值不同的情况。在制造式(1)中r3为与r1不同的端基的含氟醚化合物的情况下，全氟聚醚链的羟甲基与由r1构成的有机端基的取代反应、和全氟聚醚链的羟甲基与由r3构成的端基的取代反应先进行哪一个都可以。
[0144]
这些取代反应可以使用以往公知的方法进行，可以根据式(1)中的r1和r3的种类等适当确定。
[0145]
本实施方式的含氟醚化合物为上述式(1)表示的化合物。因此，如果使用包含它的润滑剂在保护层上形成润滑层，则保护层的表面被式(1)中r2表示的pfpe链被覆的同时，磁头与保护层的摩擦力被降低。另外，在使用包含本实施方式的含氟醚化合物的润滑剂所形成的润滑层中，通过配置在r2的一端的r1和配置在另一端的r3表示的端基所具有的4个以上
的羟基，含氟醚化合物被牢固地密合在保护层上，可得到优异的粘着抑制性，并且耐化学物质性优异。
[0146]
[磁记录介质用润滑剂]
[0147]
本实施方式的磁记录介质用润滑剂包含式(1)表示的含氟醚化合物。
[0148]
本实施方式的润滑剂，只要在不损害包含式(1)表示的含氟醚化合物所带来的特性的范围内，则可以根据需要混合使用作为润滑剂的材料使用的公知材料。
[0149]
作为公知材料的具体例子，可以列举例如，fomblin(注册商标)zdiac、fomblin zdeal、fomblin am-2001(以上为solvay solexis公司制)、moresco a20h(moresco公司制)等。与本实施方式的润滑剂混合使用的公知材料的数均分子量优选为400～3000左右。
[0150]
在本实施方式的润滑剂包含式(1)表示的含氟醚化合物以外的其他材料的情况下，本实施方式的润滑剂中的式(1)表示的含氟醚化合物的含量优选为50质量％以上，更优选为70质量％以上。
[0151]
本实施方式的润滑剂由于包含式(1)表示的含氟醚化合物，因此即使减薄厚度，也可以以高被覆率被覆保护层的表面，可以形成与保护层的密合性优异的润滑层。另外，本实施方式的润滑剂包含式(1)表示的含氟醚化合物，因此不与保护层密合(吸附)而存在的润滑剂层中的含氟醚化合物不易凝聚。因此，能够防止含氟醚化合物凝聚而作为异物(污渍)附着于磁头。
[0152]
[磁记录介质]
[0153]
图1是表示本发明的磁记录介质的一个实施方式的剖面示意图。本实施方式的磁记录介质10形成了在基板11上依次设置有附着层12、软磁性层13、第1基底层14、第2基底层15、磁性层16、保护层17和润滑层18的结构。
[0154]“基板”[0155]
作为基板11，例如，可以使用在由al或al合金等金属或合金材料构成的基体上形成了由nip或nip合金构成的膜的非磁性基板等。另外，作为基板11，可以使用由玻璃、陶瓷、硅、碳化硅、碳、树脂等非金属材料形成的非磁性基板，也可以使用在由这些非金属材料形成的基体上形成了nip或nip合金的膜的非磁性基板。
[0156]“附着层”[0157]
附着层12，在将基板11与设置于附着层12上的软磁性层13相接触配置的情况下，防止基板11的腐蚀的进行。附着层12的材料例如可以从cr、cr合金、ti、ti合金等中适当选择。附着层12例如可以通过溅射法形成。
[0158]“软磁性层”[0159]
软磁性层13优选具有依次层叠了第1软磁性膜、由ru膜构成的中间层和第2软磁性膜的结构。即，软磁性层13优选具有通过在两层软磁性膜之间夹入由ru膜构成的中间层，中间层上下的软磁性膜进行了反铁磁耦合(afc)结合的结构。软磁性层13具有afc结合的结构时，能够提高对来自外部的磁场的耐受性、以及对作为垂直磁记录特有问题的water(wide area track erasure)现象的耐受性。
[0160]
第1软磁性膜和第2软磁性膜优选为由cofe合金形成的膜。在第1软磁性膜和第2软磁性膜为由cofe合金形成的膜的情况下，能够实现高饱和磁通密度bs(1.4(t)以上)。
[0161]
另外，在第1软磁性膜和第2软磁性膜中使用的cofe合金中，优选添加zr、ta、nb中
的任意之一。由此，第1软磁性膜和第2软磁性膜的非晶质化得到促进，能够提高第1基底层(晶种层)的取向性，并且能够降低磁头的上浮量。
[0162]
软磁性层13例如可以通过溅射法形成。
[0163]“第1基底层”[0164]
第1基底层14是用于控制设置于其上的第2基底层15和磁性层16的取向、结晶尺寸的层。
[0165]
作为第1基底层14，可以列举例如，cr层、ta层、ru层、或crmo、cow、crw、crv、crti合金层等。
[0166]
第1基底层14例如可以通过溅射法形成。
[0167]“第2基底层”[0168]
第2基底层15是实施控制以使磁性层16的取向变得良好的层。第2基底层15优选为由ru或ru合金构成的层。
[0169]
第2基底层15可以是由1层构成的层，也可以由多层构成。在第2基底层15由多层构成的情况下，可以是全部的层由相同的材料构成，也可以是至少一层由不同的材料构成。
[0170]
第2基底层15例如可以通过溅射法形成。
[0171]“磁性层”[0172]
磁性层16由易磁化轴相对于基板面朝向垂直或水平方向的磁性膜构成。磁性层16是包含co和pt的层，为了进一步改善snr特性，也可以是包含氧化物、cr、b、cu、ta、zr等的层。
[0173]
作为磁性层16中含有的氧化物，可以列举sio2、sio、cr2o3、coo、ta2o3、tio2等。
[0174]
磁性层16可以由1层构成，也可以由包含组成不同的材料的多个磁性层构成。
[0175]
例如，在磁性层16由从下方起依次层合的第1磁性层、第2磁性层和第3磁性层这3层构成的情况下，第1磁性层优选为由包含co、cr、pt，并进而包含氧化物的材料构成的粒状结构。作为第1磁性层中含有的氧化物，优选使用例如，cr、si、ta、al、ti、mg、co等的氧化物。其中，特别优选使用tio2、cr2o3、sio2等。另外，第1磁性层优选由添加有2种以上的氧化物的复合氧化物形成。其中，可以特别优选使用cr2o
3-sio2、cr2o
3-tio2、sio
2-tio2等。
[0176]
第1磁性层除了co、cr、pt、氧化物以外，还可以包含选自b、ta、mo、cu、nd、w、nb、sm、tb、ru、re中的1种以上的元素。第2磁性层可以使用与第1磁性层相同的材料。第2磁性层优选为粒状结构。
[0177]
第3磁性层优选为由包含co、cr、pt且不包含氧化物的材料形成的非粒状结构。第3磁性层除了co、cr、pt以外，还可以包含选自b、ta、mo、cu、nd、w、nb、sm、tb、ru、re、mn中的1种以上的元素。
[0178]
在磁性层16由多个磁性层形成的情况下，优选在相邻的磁性层之间设置非磁性层。在磁性层16由第1磁性层、第2磁性层和第3磁性层这3层构成的情况下，优选在第1磁性层与第2磁性层之间、以及第2磁性层与第3磁性层之间设置非磁性层。
[0179]
设置于磁性层16的相邻磁性层间的非磁性层可以优选使用例如，ru、ru合金、cocr合金、cocrx1合金(x1表示选自pt、ta、zr、re、ru、cu、nb、ni、mn、ge、si、o、n、w、mo、ti、v、b中的1种或2种以上的元素。)等。
[0180]
设置于磁性层16的相邻磁性层间的非磁性层优选使用包含氧化物、金属氮化物或
金属碳化物的合金材料。具体而言，作为氧化物，可以使用例如，sio2、al2o3、ta2o5、cr2o3、mgo、y2o3、tio2等。作为金属氮化物，可以使用例如，aln、si3n4、tan、crn等。作为金属碳化物，可以使用例如，tac、bc、sic等。
[0181]
非磁性层例如可以通过溅射法形成。
[0182]
为了实现更高的记录密度，磁性层16优选为易磁化轴朝向与基板面垂直的方向的垂直磁记录的磁性层。磁性层16也可以是面内磁记录的磁性层。
[0183]
磁性层16可以通过蒸镀法、离子束溅射法、磁控溅射法等以往公知的任何方法来形成。磁性层16通常通过溅射法形成。
[0184]“保护层”[0185]
保护层17保护磁性层16。保护层17可以由一层构成，也可以由多层构成。作为保护层17的材料，可以列举碳、含氮的碳、碳化硅等。
[0186]
作为保护层17，可以优选使用碳类保护层，特别优选无定形碳保护层。如果保护层17为碳类保护层，则与润滑层18中的含氟醚化合物所包含的极性基团(特别是羟基)的相互作用进一步提高，因此是优选的。
[0187]
碳类保护层与润滑层18的附着力可以通过将碳类保护层设定为氢化碳和/或氮化碳，并调节碳类保护层中的氢含量和/或氮含量来控制。碳类保护层中的氢含量通过氢前向散射法(hfs)测定时优选为3～20原子％。另外，碳类保护层中的氮含量通过x射线光电子能谱分析法(xps)测定时，优选为4～15原子％。
[0188]
碳类保护层中所含的氢和/或氮不需要在碳类保护层整体中均匀地含有。碳类保护层例如优选设定为使保护层17的润滑层18侧含有氮、使保护层17的磁性层16侧含有氢的组成倾斜层。在该情况下，磁性层16和润滑层18与碳类保护层的附着力更进一步提高。
[0189]
保护层17的膜厚可以设定为1nm～7nm。如果保护层17的膜厚为1nm以上，则可充分获得作为保护层17的性能。保护层17的膜厚为7nm以下时，从保护层17的薄膜化观点考虑是优选的。
[0190]
作为保护层17的成膜方法，可以采用使用含碳靶材的溅射法、使用乙烯、甲苯等烃原料的cvd(化学蒸镀法)法、ibd(离子束蒸镀)法等。
[0191]
在形成碳类保护层作为保护层17的情况下，例如可以通过dc磁控溅射法进行成膜。特别地，在形成碳类保护层作为保护层17的情况下，优选通过等离子体cvd法形成无定形碳保护层。通过等离子体cvd法成膜的无定形碳保护层的表面均匀，粗糙度小。
[0192]“润滑层”[0193]
润滑层18防止磁记录介质10的污染。另外，润滑层18使在磁记录介质10上滑动的磁记录再生装置的磁头的摩擦力降低，使磁记录介质10的耐久性提高。
[0194]
如图1中所示的那样，润滑层18相接触地形成于保护层17上。润滑层18包含本实施方式的含氟醚化合物。
[0195]
在配置于润滑层18之下的保护层17为碳类保护层的情况下，润滑层18尤其与保护层17以高结合力结合。其结果是即使润滑层18的厚度薄，也容易得到以高被覆率被覆保护层17的表面的磁记录介质10，可以有效地防止磁记录介质10的表面污染。
[0196]
润滑层18的平均膜厚优选为更优选为
如果润滑层18的平均膜厚为0.5nm以上，则润滑层18不会成为岛状或网眼状而以均匀的膜厚形成。因此，通过润滑层18，能够以高被覆率被覆保护层17的表面。另外，通过使润滑层18的平均膜厚为1.5nm以下，能够使润滑层18充分地薄膜化，能够充分减小磁头的上浮量。
[0197]
在保护层17的表面没有被润滑层18以充分高的被覆率被覆的情况下，吸附于磁记录介质10的表面上的环境物质穿过润滑层18的间隙而侵入到润滑层18之下。侵入到润滑层18的下层的环境物质与保护层17吸附、结合而生成污染物质。而且，在磁记录再生时，该污染物质(凝聚成分)以污渍的形式附着(转印)于磁头，使磁头破损，或使磁记录再生装置的磁记录再生特性降低。
[0198]
作为生成污染物质的环境物质，可以列举例如，硅氧烷化合物(环状硅氧烷、直链硅氧烷)、离子性杂质、二十八烷等分子量比较高的烃、邻苯二甲酸二辛酯等增塑剂等。作为离子性杂质中所含的金属离子，可以列举例如，钠离子、钾离子等。作为离子性杂质中所含的无机离子，可以列举例如，氯离子、溴离子、硝酸根离子、硫酸根离子、铵离子等。作为离子性杂质中所含的有机物离子，可以列举例如，草酸根离子、甲酸根离子等。
[0199]“润滑层的形成方法”[0200]
作为形成润滑层18的方法，可以列举例如，准备在基板11上形成了直至保护层17为止的各层的制造中途的磁记录介质，在保护层17上涂布润滑层形成用溶液，并使其干燥的方法。
[0201]
润滑层形成用溶液可通过使上述的实施方式的磁记录介质用润滑剂根据需要分散溶解于溶剂，制成适于涂布方法的粘度和浓度而得到。
[0202]
作为润滑层形成用溶液中使用的溶剂，可以列举例如
バートレル
(注册商标)xf(商品名，三井
デュポンフロロケミカル
社制)等氟类溶剂等。
[0203]
润滑层形成用溶液的涂布方法没有特别限制，可以列举例如，旋涂法、喷涂法、纸涂(
ペーパーコート
)法、浸渍法等。
[0204]
在使用浸渍法的情况下，例如可以使用以下所示的方法。首先，在放入到浸涂装置的浸渍槽中的润滑层形成用溶液中，浸渍形成了直到保护层17为止的各层的基板11。接着，从浸渍槽以规定的速度提起基板11。由此，将润滑层形成用溶液涂布于基板11的保护层17上的表面。
[0205]
通过使用浸渍法，可以将润滑层形成用溶液均匀地涂布于保护层17的表面，可以在保护层17上以均匀的膜厚形成润滑层18。
[0206]
在本实施方式中，优选对形成了润滑层18的基板11实施热处理。通过实施热处理，提高了润滑层18与保护层17的密合性，并且提高了润滑层18与保护层17的附着力。
[0207]
热处理温度优选设定为90～180℃。如果热处理温度为90℃以上，则可充分获得使润滑层18与保护层17的密合性提高的效果。另外，通过使热处理温度为180℃以下，能够防止润滑层18的热分解。热处理时间优选设定为10～120分钟。
[0208]
本实施方式的磁记录介质10在基板11上至少依次设置有磁性层16、保护层17和润滑层18。在本实施方式的磁记录介质10中，在保护层17上相接触地形成了包含本实施方式的含氟醚化合物的润滑层18。该润滑层18即使厚度薄，也会以高被覆率被覆保护层17的表面。因此，在本实施方式的磁记录介质10中，防止了生成离子性杂质等污染物质的环境物质
从润滑层18的间隙侵入。因此，本实施方式的磁记录介质10的表面上存在的污染物质少。另外，本实施方式的磁记录介质10中的润滑层18不易产生异物(污渍)，可以抑制粘着。因此，本实施方式的磁记录介质10具有优异的可靠性和耐久性。
[0209]
实施例
[0210]
以下，通过实施例和比较例对本发明进行更具体的说明。需要说明的是，本发明并不仅限定于以下的实施例。
[0211]
(实施例1)
[0212]
通过以下所示的方法，制造下述式(a)表示的化合物。
[0213]
在氮气气氛下，在100ml茄形烧瓶中加入hoch2cf2cf2o(cf2cf2cf2o)
x
cf2cf2ch2oh(式中的x为5.0。)表示的化合物(数均分子量1108，分子量分布1.1)22.2g(20mmol)、下述式(7)表示的化合物3.84g(12mmol)和叔丁醇18ml，在室温下搅拌至变得均匀。在该均匀液体中进一步加入叔丁醇钾0.674g(6.0mmol)，在70℃下搅拌10小时使其反应后，放冷至室温。在反应液中加入10％氯化氢-甲醇溶液(商品名x0041，氯化氢-甲醇试剂(5-10％)，东京化成工业株式会社制)40ml，在室温下搅拌2小时，将作为来自式(7)表示的化合物的保护基的甲氧基甲基(mom)和四氢吡喃基(thp)脱保护。在得到的反应液中加入5％碳酸氢钠水溶液直至反应液的ph变为碱性，再加入水20ml。将该反应液用乙酸乙酯100ml萃取2次。将通过萃取得到的有机相进行水洗，利用无水硫酸钠进行脱水。将干燥剂过滤分离后，浓缩滤液，用硅胶柱色谱纯化残渣，得到下述式(a)表示的化合物(a)10.42g。
[0214]
式(7)表示的化合物使用以下所示的方法进行合成。将市售的3-烯丙氧基-1,2-丙二醇的伯羟基用叔丁基二甲基甲硅烷基(tbs)基保护后，将仲羟基用甲氧基甲基保护。然后，从化合物上将tbs基脱保护，使生成的伯羟基与2-(2-溴乙氧基)四氢-2h-吡喃反应后，进行氧化。通过以上的工序，得到式(7)表示的化合物。
[0215][0216]
(式(a)中，xa为5.0。)
[0217]
对得到的化合物(a)进行1h-nmr测定，通过以下结果确定了结构。
[0218]
化合物(a)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0219]
δ[ppm]3.4～4.2(22h)
[0220]
(实施例2)
[0221]
进行与实施例1同样的反应后，在得到的反应液中，不加入10％氯化氢-甲醇溶液(商品名x0041，氯化氢-甲醇试剂(5-10％)，东京化成工业株式会社制)，而加入水50ml，用乙酸乙酯100ml萃取2次。将通过萃取得到的有机相进行水洗，利用无水硫酸钠进行脱水。将干燥剂过滤分离后，浓缩滤液，用硅胶柱色谱纯化残渣，得到下述式(21)表示的化合物11.45g。
[0222][0223]
(式(21)中，x为5.0。)
[0224]
加入式(21)表示的化合物11.43g(8.0mmol)、下述式(8)表示的化合物1.27g(8.0mmol)和叔丁醇22ml，在室温下搅拌至变得均匀。在该均匀液体中进一步加入叔丁醇钾0.135g(1.2mmol)，在70℃下搅拌120小时使其反应后，放冷至室温。在反应液中加入10％氯化氢-甲醇溶液(商品名x0041，氯化氢-甲醇试剂(5-10％)，东京化成工业株式会社制)20ml，在室温下搅拌2小时，将作为来自式(7)表示的化合物的保护基的甲氧基甲基(mom)基和四氢吡喃基(thp)基脱保护。在得到的反应液中加入5％碳酸氢钠水溶液直至反应液的ph变为碱性，进一步加入水16ml。将该反应液用乙酸乙酯100ml萃取2次。将通过萃取得到的有机相进行水洗，利用无水硫酸钠进行脱水。将干燥剂过滤分离后，浓缩滤液，用硅胶柱色谱纯化残渣，得到下述式(b)表示的化合物(b)10.42g。
[0225]
式(8)表示的化合物是将市售的2-烯丙氧基四氢吡喃氧化而得到的。
[0226][0227]
(式(b)中，xb为5.0。)
[0228]
对得到的化合物(b)进行1h-nmr测定，通过以下结果确定了结构。
[0229]
化合物(b)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0230]
δ[ppm]3.4～4.2(28h)
[0231]
(实施例3)
[0232]
使用下述式(9)表示的化合物1.62g代替式(8)表示的化合物，除此之外，进行与实施例2同样的操作，得到下述式(c)表示的化合物(c)7.94g。
[0233]
式(9)表示的化合物是使用二氢吡喃对市售的乙二醇单烯丙基醚的羟基进行保护，然后将双键氧化而合成的。
[0234][0235]
(式(c)中，xc为5.0。)
[0236]
对得到的化合物(c)进行1h-nmr测定，通过以下结果确定了结构。
[0237]
化合物(c)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0238]
δ[ppm]3.4～4.2(32h)
[0239]
(实施例4)
[0240]
在氮气气氛下，在100ml茄形烧瓶中加入hoch2cf2cf2o(cf2cf2cf2o)
x
cf2cf2ch2oh(式中的x为5.0。)表示的化合物(数均分子量1108，分子量分布1.1)11.1g(10mmol)、式(7)表示的化合物6.41g(20mmol)和叔丁醇30ml，在室温下搅拌至变得均匀。在该均匀液体中进一步加入叔丁醇钾0.168g(1.5mmol)，在70℃下搅拌20小时使其反应后，放冷至室温。在反应液中加入10％氯化氢-甲醇溶液(商品名x0041，氯化氢-甲醇试剂(5-10％)，东京化成工业株式会社制)40ml，在室温下搅拌2小时，将作为来自式(7)表示的化合物的保护基的甲氧基甲基(mom)和四氢吡喃基(thp)脱保护。在得到的反应液中加入5％碳酸氢钠水溶液直至反应液的ph变为碱性，再加入水20ml。将其用乙酸乙酯100ml萃取2次。将通过萃取得到的有机相进行水洗，利用无水硫酸钠进行脱水。将干燥剂过滤分离后，浓缩滤液，用硅胶柱色谱纯化残渣，得到下述式(d)表示的化合物(d)10.45g。
[0241][0242]
(式(d)中，xd为5.0。)
[0243]
对得到的化合物(d)进行1h-nmr测定，通过以下结果确定了结构。
[0244]
化合物(d)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0245]
δ[ppm]3.4～4.2(38h)
[0246]
(实施例5)
[0247]
使用下述式(10)表示的化合物6.69g代替式(7)表示的化合物，除此之外，进行与实施例4同样的操作，得到下述式(e)表示的化合物(e)10.64g。
[0248]
下述式(10)表示的化合物与式(7)表示的化合物同样地使用2-(3-溴丙氧基)四氢-2h-吡喃进行合成。
[0249][0250]
(式(e)中，xe为5.0。)
[0251]
对得到的化合物(e)进行1h-nmr测定，通过以下结果确定了结构。
[0252]
化合物(e)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0253]
δ[ppm]1.6～1.8(4h)、3.4～4.2(38h)
[0254]
(实施例6)
[0255]
使用下述式(11)表示的化合物6.97g代替式(7)表示的化合物，除此以外，进行与
实施例4同样的操作，得到下述式(f)表示的化合物(f)10.07g。
[0256]
下述式(11)表示的化合物与式(7)表示的化合物同样地使用2-(4-氯丁氧基)四氢吡喃进行合成。
[0257][0258]
(式(f)中，xf为5.0。)
[0259]
对得到的化合物(f)进行1h-nmr测定，通过以下结果确定了结构。
[0260]
化合物(f)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0261]
δ[ppm]1.6～1.8(8h)、3.4～4.2(38h)
[0262]
(实施例7)
[0263]
使用下述式(12)表示的化合物7.20g代替式(7)表示的化合物，除此以外，进行与实施例4同样的操作，得到下述式(g)表示的化合物(g)9.46g。
[0264]
下述式(12)表示的化合物与式(7)表示的化合物同样地使用由5-溴-1-戊醇衍生的2-(5-溴戊氧基)四氢-2h-吡喃进行合成。
[0265][0266]
(式(g)中，xg为5.0。)
[0267]
对得到的化合物(g)进行1h-nmr测定，通过以下结果确定了结构。
[0268]
化合物(g)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0269]
δ[ppm]1.4～1.8(12h)、3.4～4.2(38h)
[0270]
(实施例8)
[0271]
使用下述式(13)表示的化合物1.73g代替式(9)表示的化合物，除此以外，进行与实施例3同样的操作，得到下述式(h)表示的化合物(h)7.68g。
[0272]
式(13)表示的化合物由将1,3-丙二醇的一个羟基用thp保护的化合物和环氧氯丙烷合成。
[0273][0274]
(式(h)中，xh为5.0。)
[0275]
对得到的化合物(h)进行1h-nmr测定，通过以下结果确定了结构。
[0276]
化合物(h)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0277]
δ[ppm]1.6～1.8(2h)、3.4～4.2(32h)
[0278]
(实施例9)
[0279]
使用1.84g的下述式(14)表示的化合物代替式(9)表示的化合物，除此以外，进行与实施例3同样的操作，得到下述式(i)表示的化合物(i)8.58g。
[0280]
下述式(14)表示的化合物由将1，4-丁二醇的一个羟基用thp保护的化合物和环氧氯丙烷合成。
[0281][0282]
(式(i)中，xi为5.0。)
[0283]
对得到的化合物(i)进行1h-nmr测定，通过以下结果确定了结构。
[0284]
化合物(i)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0285]
δ[ppm]1.6～1.8(4h)、3.4～4.2(32h)
[0286]
(实施例10)
[0287]
使用下述式(15)表示的化合物1.96g代替式(9)表示的化合物，除此以外，进行与实施例3同样的操作，得到下述式(j)表示的化合物(j)8.88g。
[0288]
下述式(15)表示的化合物由将1,5-戊二醇的一个羟基用四氢吡喃基(thp)基保护的化合物和环氧氯丙烷合成。
[0289][0290]
(式(j)中，xj为5.0。)
[0291]
对得到的化合物(j)进行1h-nmr测定，通过以下结果确定了结构。
[0292]
化合物(j)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0293]
δ[ppm]1.4～1.8(6h)、3.4～4.2(32h)
[0294]
(实施例11)
[0295]
使用hoch2cf2o(cf2cf2o)ycf2ch2oh(式中的y为8.0。)22.12g代替hoch2cf2cf2o(cf2cf2cf2o)
x
cf2cf2ch2oh(式中的x为5.0。)，除此以外，进行与实施例1同样的操作，得到式(k)所表示的化合物(k)9.92g。
[0296][0297]
(式(k)中，yk为8.0。)
[0298]
对得到的化合物(k)进行1h-nmr测定，通过以下结果确定了结构。
[0299]
化合物(k)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0300]
δ[ppm]3.4～4.2(22h)
[0301]
(实施例12)
[0302]
使用hoch2cf2o(cf2cf2o)ycf2ch2oh(式中的y为8.0。)22.12g代替hoch2cf2cf2o(cf2cf2cf2o)
x
cf2cf2ch2oh(式中的x为5.0。)，除此以外，进行与实施例2同样的操作，得到下述式(l)所表示的化合物(l)7.94g。
[0303][0304]
(式(l)中，yl为8.0)
[0305]
对得到的化合物(l)进行1h-nmr测定，通过以下结果确定了结构。
[0306]
化合物(l)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0307]
δ[ppm]3.4～4.2(28h)
[0308]
(实施例13)
[0309]
使用hoch2cf2o(cf2cf2o)ycf2ch2oh(式中的y为8.0。)22.12g代替hoch2cf2cf2o(cf2cf2cf2o)
x
cf2cf2ch2oh(式中的x为5.0。)，除此以外，进行与实施例3同样的操作，得到下述式(m)所表示的化合物(m)8.17g。
[0310][0311]
(式(m)中，ym为8.0。)
[0312]
对得到的化合物(m)进行1h-nmr测定，通过以下结果确定了结构。
[0313]
化合物(m)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0314]
δ[ppm]3.4～4.2(32h)
[0315]
(实施例14)
[0316]
使用hoch2cf2o(cf2cf2o)ycf2ch2oh(式中的y为8.0。)11.06g代替hoch2cf2cf2o(cf2cf2cf2o)
x
cf2cf2ch2oh(式中的x为5.0。)，除此以外，进行与实施例4同样的操作，得到下述式(n)表示的化合物(n)8.89g。
[0317][0318]
(式(n)中，yn为8.0。)
[0319]
对得到的化合物(n)进行1h-nmr测定，通过以下的结果确定了结构。
[0320]
化合物(n)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0321]
δ[ppm]3.4～4.2(38h)
[0322]
(实施例15)
[0323]
使用hoch2cf2o(cf2cf2o)ycf2ch2oh(式中的y为8.0。)11.06g代替hoch2cf2cf2o(cf2cf2cf2o)
x
cf2cf2ch2oh(式中的x为5.0。)，除此以外，进行与实施例5同样的操作，得到的下述式(o)所表示的化合物(o)8.99g。
[0324][0325]
(式(o)中，yo为8.0。)
[0326]
对得到的化合物(o)进行1h-nmr测定，通过以下结果确定了结构。
[0327]
化合物(o)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0328]
δ[ppm]1.6～1.8(4h)、3.4～4.2(38h)
[0329]
(实施例16)
[0330]
使用hoch2cf2o(cf2cf2o)ycf2ch2oh(式中的y为8.0。)11.06g代替hoch2cf2cf2o(cf2cf2cf2o)
x
cf2cf2ch2oh(式中的x为5.0。)，除此以外，进行与实施例6同样的操作，得到了下述式(p)所表示的化合物(p)9.78g。
[0331][0332]
(式(p)中，yp为8.0。)
[0333]
对得到的化合物(p)进行1h-nmr测定，通过以下结果确定了结构。
[0334]
化合物(p)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0335]
δ[ppm]1.6～1.8(8h)、3.4～4.2(38h)
[0336]
(实施例17)
[0337]
使用hoch2cf2o(cf2cf2o)ycf2ch2oh(式中的y为8.0。)11.06g代替hoch2cf2cf2o(cf2cf2cf2o)
x
cf2cf2ch2oh(式中的x为5.0。)，除此以外，进行与实施例7同样的操作，得到了下述式(q)所表示的化合物(q)9.87g。
[0338][0339]
(式(q)中，yq为8.0。)
[0340]
对得到的化合物(q)进行1h-nmr测定，通过以下结果确定了结构。
[0341]
化合物(q)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0342]
δ[ppm]1.4～1.8(12h)、3.4～4.2(38h)
[0343]
(实施例18)
[0344]
使用hoch2cf2o(cf2cf2o)ycf2ch2oh(式中的y为8.0。)22.12g代替hoch2cf2cf2o(cf2cf2cf2o)
x
cf2cf2ch2oh(式中的x为5.0。)，除此以外，进行与实施例8同样的操作，得到下述式(r)所表示的化合物(r)8.24g。
[0345][0346]
(式(r)中，yr为8.0。)
[0347]
对得到的化合物(r)进行1h-nmr测定，通过以下结果确定了结构。
[0348]
化合物(r)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0349]
δ[ppm]1.6～1.8(2h)、3.4～4.2(32h)
[0350]
(实施例19)
[0351]
使用hoch2cf2o(cf2cf2o)ycf2ch2oh(式中的y为8.0。)22.12g代替hoch2cf2cf2o(cf2cf2cf2o)
x
cf2cf2ch2oh(式中的x为5.0。)，除此以外，进行与实施例9同样的操作，得到下述式(s)所表示的化合物(s)8.24g。
[0352][0353]
(式(s)中，ys为8.0。)
[0354]
对得到的化合物(s)进行1h-nmr测定，通过以下结果确定了结构。
[0355]
化合物(s)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0356]
δ[ppm]1.6～1.8(4h)、3.4～4.2(32h)
[0357]
(实施例20)
[0358]
使用hoch2cf2o(cf2cf2o)ycf2ch2oh(式中的y为8.0。)22.12g代替hoch2cf2cf2o(cf2cf2cf2o)
x
cf2cf2ch2oh(式中的x为5.0。)，除此以外，进行与实施例10同样的操作，得到下述式(t)表示的化合物(t)8.24g。
[0359]
[0360]
(式(t)中，yt为8.0。)
[0361]
对得到的化合物(t)进行1h-nmr测定，通过以下结果确定了结构。
[0362]
化合物(t)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0363]
δ[ppm]1.4～1.8(6h)、3.4～4.2(32h)
[0364]
(实施例21)
[0365]
在实施例2所示的与实施例1同样的反应中，使用式(10)表示的化合物4.18g代替式(7)表示的化合物，利用实施例2所示的方法，作为中间体，代替式(21)表示的化合物而得到下述式(16)表示的化合物11.40g。接着，使用式(13)表示的化合物代替式(8)表示的化合物，除此以外，进行与实施例2同样的操作，得到下述式(u)表示的化合物(u)7.59g。
[0366][0367]
(式(16)中，x为5.0。)
[0368]
(式(u)中，xu为5.0。)
[0369]
对得到的化合物(u)进行1h-nmr测定，通过以下结果确定了结构。
[0370]
化合物(u)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0371]
δ[ppm]1.6～1.8(4h)、3.4～4.2(32h)
[0372]
(实施例22)
[0373]
在实施例21所示的与实施例1同样的反应中，使用hoch2cf2o(cf2cf2o)ycf2ch2oh(式中的y为8.0。)22.12g代替hoch2cf2cf2o(cf2cf2cf2o)
x
cf2cf2ch2oh(式中的x为5.0。)，除此以外，进行与实施例21同样的操作，得到式(v)表示的化合物(v)10.02g。
[0374][0375]
(式(v)中，yv为8.0。)
[0376]
对得到的化合物(v)进行1h-nmr测定，通过以下结果确定了结构。
[0377]
化合物(v)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0378]
δ[ppm]1.6～1.8(4h)、3.4～4.2(32h)
[0379]
(比较例1)
[0380]
利用专利文献1中记载的方法合成下述式(x)表示的化合物(x)。
[0381]
[0382]
(式(x)中，a为5.0，b为5.0。)
[0383]
对得到的化合物(x)进行1h-nmr测定，通过以下结果确定了结构。
[0384]
化合物(x)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0385]
δ[ppm]3.4～4.2(26h)
[0386]
(比较例2)
[0387]
使用式(8)表示的化合物代替式(7)表示的化合物，除此以外，进行与实施例4同样的操作合成下述式(y)表示的化合物(y)。
[0388][0389]
(式(y)中，c为5.0。)
[0390]
对得到的化合物(y)进行1h-nmr测定，通过以下结果确定了结构。
[0391]
化合物(y)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0392]
δ[ppm]3.4～4.2(18h)
[0393]
(比较例3)
[0394]
利用专利文献2中记载的方法合成下述式(z)表示的化合物(z)。
[0395][0396]
(式(z)中，d为5.0。)
[0397]
对得到的化合物(z)进行1h-nmr测定，通过以下结果确定了结构。
[0398]
化合物(z)；1h-nmr(cd3cocd3)；
[0399]
δ[ppm]3.4～4.2(26h)
[0400]
将这样得到的实施例1～22和比较例1～3的化合物对应于式(1)时的r1～r3的结构示于表1～表2中。另外，通过上述1h-nmr和
19
f-nmr的测定求出实施例1～22和比较例1～3的化合物的数均分子量(mn)。将其结果示于表1～表2中。
[0401]
表1
[0402][0403]
表2
[0418]
a：结合率为80％以上
[0419]
b：结合率为70％以上且小于80％
[0420]
c：结合率为50％以上且小于70％
[0421]
d：接合率小于50％
[0422]
(粘着抑制试验)
[0423]
在旋转架上安装磁记录介质和磁头，在常温减压下(约250torr)使磁头定点悬浮10分钟。然后，使用esca(electron spectroscopy for chemical analysis)分析装置对磁头的与磁记录介质相对的面(润滑层的表面)进行分析。然后，根据用esca测定的来自氟的峰的强度(信号强度(a.u.))，按照下述表3所示的标准评价润滑剂在磁头上的附着量。将其结果示于表4中。
[0424]
表3
[0425][0426]
(耐化学物质性试验)
[0427]
该评价方法是调查高温环境下生成污染物质的环境物质所引起的磁记录介质的污染的评价方法。在以下所示的评价方法中，使用si离子作为环境物质，作为因环境物质而生成的污染磁记录介质的污染物质的量，测定si吸附量。
[0428]
具体而言，将作为评价对象的磁记录介质在温度85℃，湿度0％的高温环境下，在硅氧烷类si橡胶的存在下保持240小时。接着，使用二次离子质量分析法(sims)对存在于磁记录介质表面的si吸附量进行分析测定，将由si离子引起的污染程度作为si吸附量进行评价。
[0429]
对于si吸附量的评价，将使用比较例3的化合物z得到的磁记录介质的si吸附量的结果视为1.00，使用此时以比较例3为基准相对地求出各实施例、比较例的si吸附量而得到的数值，进行下述的评价。将其结果示于表4。
[0430]“耐化学物质性评价”[0431]
a：小于0.85
[0432]
b：0.85以上且小于1.0
[0433]
c：1.0以上且小于1.2
[0434]
d：1.2以上
[0435]
表4
[0436][0437]
如表4所示，实施例1～22的磁记录介质的密合性(结合率)、粘着抑制、耐化学物质性中全部评价为b或a。推测这是通过在实施例1～22的磁记录介质中，形成润滑层的式(1)表示的化合物中的配置于r2的一端的r1和配置于另一端的r3的羟基与保护层强烈吸附而实现的。
[0438]
另一方面，比较例1和比较例2的含氟醚化合物的粘着抑制的评价为d，密合性(结合率)和耐化学物质性的评价为c。
[0439]
推测这是由于，在比较例1中，与全氟聚醚链的两端键合的羟基的数量少，因此对保护层的密合性不足，而且全氟聚醚链的重复单元中含有(-cf
2-o-)，因而全氟聚醚链的刚性不足，在保护层上容易凝聚。另外，在比较例2中，与全氟聚醚链的两端键合的羟基的数量
少，因此对保护层的密合性不足，而且羟基所结合的碳原子彼此键合，因此被覆性不足。
[0440]
另外，比较例3的含氟醚化合物，粘着抑制的评价为a，密合性(结合率)的评价为b，但耐化学物质性的评价为c。
[0441]
推测这是由于在比较例3中，与全氟聚醚链的两端键合的羟基的数量少，因此在保护层上润湿扩展不足。
[0442]
产业上可利用性
[0443]
通过使用包含本发明的含氟醚化合物的磁记录介质用润滑剂，可以形成与保护层的密合性良好、可以抑制粘着、并且耐化学物质性优异的润滑层。
[0444]
符号说明
[0445]
10
···
磁记录介质，11
···
基板，12
···
附着层，13
···
软磁性层，14
···
第1基底层，15
···
第2基底层，16
···
磁性层，17
···
保护层，18
···
润滑层。