一种高纯度的Mo掺杂ITO靶材的制备方法与流程

技术特征：
1.一种高纯度的mo掺杂ito靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将moo2、sno2、水和分散剂搅拌分散；(2)搅拌分散后，将混合溶液球磨至粒度合格；(3)将in2o3、水、分散剂和粘结剂进行乳化；(4)将步骤(3)乳化后的溶液加入到步骤(2)球磨后的混合液中，继续球磨至粒度合格；(5)将步骤(4)球磨合格的混合溶液进行喷雾干燥造粒；(6)将造粒后的粉体制成靶坯，再进行冷等静压、烧结。2.根据权利要求1所述高纯度的mo掺杂ito靶材的制备方法，其特征在于，所述moo2、sno2、in2o3之间的质量比为1～2：3～10：88～96；所述分散剂为十二烷基磺酸钠；所述粘结剂为聚乙烯醇缩丁醛；所述moo2的纯度≥4.5n；所述in2o3的纯度≥4.5n。3.根据权利要求1所述高纯度的mo掺杂ito靶材的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，moo2和sno2的混合物、水、分散剂之间的质量比为20～70：29.9～79.2：0.1～0.8；分散转速为300～1000rpm，分散时间为0.5～2h。4.根据权利要求1所述高纯度的mo掺杂ito靶材的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，球磨时间为50～150min，球磨的转速为300～1500rpm，球磨使用的锆球粒度为0.3～5μm；粒度合格标准为：粒度d90为0.3～1μm。5.根据权利要求1所述高纯度的mo掺杂ito靶材的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中，in2o3、水、分散剂、粘结剂之间的质量比为50～70：13.5～44.5：0.5～1.5：5～15。6.根据权利要求1所述高纯度的mo掺杂ito靶材的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中，乳化转速为1000～4000rpm，乳化时间为1～5h。7.根据权利要求1所述高纯度的mo掺杂ito靶材的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)中，球磨时间为200～1000min，粒度合格标准为：粒度d90为0.3～1μm。8.根据权利要求1所述高纯度的mo掺杂ito靶材的制备方法，其特征在于，所述步骤(5)中，喷雾的进风温度为150～250℃，出风温度为50～150℃。9.根据权利要求1所述高纯度的mo掺杂ito靶材的制备方法，其特征在于，所述步骤(6)中，冷等静压的压力为200～500mpa，烧结过程中的温度如下：脱脂烧结段的温度为800～1000℃，高温保温段的烧结温度为1350～1550℃，烧结过程中的氧气流量为5～20l/min。10.一种如权利要求1～9任一项所述的制备方法制得的高纯度mo掺杂的ito靶材。

技术总结
本发明提供一种高纯度的Mo掺杂ITO靶材的制备方法，包括以下步骤：(1)将MoO2、SnO2、水和分散剂搅拌分散；(2)搅拌分散后，将混合溶液球磨至粒度合格；(3)将In2O3、水、分散剂和粘结剂进行乳化；(4)将乳化后的溶液加入到步骤(2)球磨后的混合液中，继续球磨至粒度合格；(5)将步骤(4)球磨合格的混合溶液进行喷雾干燥造粒；(6)将造粒后的粉体制成靶坯，再进行冷等静压、烧结。采用本发明制备方法，可以制得一种新的掺杂了高纯度MoO2的ITO靶材，该靶材可以降低靶材的电阻率，提高靶材的导电性，解决靶材的结瘤问题。结瘤问题。结瘤问题。


技术研发人员：张莉兰 徐蒙 钟小华 高建成 凤吾生
受保护的技术使用者：先导薄膜材料有限公司
技术研发日：2022.01.11
技术公布日：2022/6/7