等离子体工艺装置及利用其的半导体装置的制造方法与流程

1.本发明涉及等离子体工艺装置及利用其的半导体装置的制造方法。


背景技术：

2.通常，半导体装置或平板显示装置通过在基板上选择性地且重复地执行扩散、沉积、光刻、蚀刻、离子注入等工艺而形成。在这种制造工艺中，蚀刻、扩散、沉积等工艺在密闭的工艺腔室中在预定的环境下投入工艺气体，从而以在工艺腔室中的基板上发生反应的方式执行工艺。
3.在工艺腔室中执行利用等离子体的工艺时，等离子体的状态根据工艺腔室中的位置而不同地形成，由此存在难以预测等离子体工艺的问题。因此，为了解决这种问题，正在进行用于监测工艺腔室中的等离子体的状态的研究。


技术实现要素：

4.本发明要解决的技术问题是提供将oes(optical emission spectroscopy，光发射光谱)透镜布置成与竖直方向上的多个位置对应，从而能够接收从在腔室的内部沿着竖直方向彼此间隔开的多个位置处的等离子体生成的光的等离子体工艺装置及利用等离子体工艺装置制造半导体装置的方法。由此，等离子体工艺装置及利用等离子体工艺装置制造半导体装置的方法能够有效地监测在腔室的内部生成的等离子体的状态，从而提高等离子体工艺的可靠性。
5.本发明的技术问题不限于以上提及的技术问题，本领域技术人员可以通过下面的记载清楚地理解未提及的其它技术问题。
6.用于解决上述技术问题的本发明的等离子体工艺装置的一个方面包括：腔室，在所述腔室中执行等离子体工艺；卡盘，布置在所述腔室的内部，并且晶片被提供到所述卡盘；气体供应器，布置在所述卡盘的上方，并且向所述腔室的内部提供工艺气体；oes端口，沿着所述腔室的侧壁在竖直方向上延伸，并且接收从第一位置处的等离子体放出的第一光和从第二位置处的等离子体放出的第二光中的每个，所述第二位置比所述第一位置更靠近所述气体供应器；oes传感器，通过感测所述第一光来测量第一等离子体数据，并且通过感测所述第二光来测量第二等离子体数据；以及控制部，利用所述第一等离子体数据和所述第二等离子体数据来控制所述等离子体工艺。
7.用于解决上述技术问题的本发明的等离子体工艺装置的另一方面包括：腔室，在所述腔室中执行等离子体工艺；凸缘，沿着所述腔室的侧壁在竖直方向上延伸，并且所述凸缘在所述竖直方向上的宽度大于在水平方向上的宽度；oes透镜，被所述凸缘围绕，并且接收从第一位置处的等离子体放出的第一光和从第二位置处的等离子体放出的第二光中的每个，所述第二位置在所述竖直方向上与所述第一位置间隔开；oes传感器，通过感测所述第一光来测量第一等离子体数据，并且通过感测所述第二光来测量第二等离子体数据；光缆，连接在所述oes透镜和所述oes传感器之间；以及控制部，利用所述第一等离子体数据和
所述第二等离子体数据来控制所述等离子体工艺。
8.用于解决上述技术问题的本发明的半导体装置的制造方法的一个方面包括以下步骤：向执行等离子体工艺的腔室的内部提供晶片；在所述腔室的内部生成等离子体；通过形成于所述腔室的侧壁的oes端口向oes传感器提供从第一位置处的等离子体放出的第一光和从第二位置处的等离子体放出的第二光中的每个，所述第二位置在所述竖直方向上与所述第一位置间隔开；通过感测所述第一光来测量第一等离子体数据，并且通过感测所述第二光来测量第二等离子体数据；以及利用所述第一等离子体数据和所述第二等离子体数据来控制等离子体工艺，其中，所述oes端口在所述竖直方向上的宽度大于在水平方向上的宽度。
9.其它实施例的具体事项包括在详细的说明及附图中。
附图说明
10.图1是用于说明根据本发明的一些实施例的等离子体工艺装置的图。
11.图2是用于说明根据本发明的一些实施例的等离子体工艺装置的oes端口的图。
12.图3是用于说明根据本发明的一些实施例的半导体装置的制造方法的流程图。
13.图4是用于说明根据本发明的另一些实施例的等离子体工艺装置的图。
14.图5是用于说明根据本发明的另一些实施例的等离子体工艺装置的oes端口的图。
15.图6是用于说明根据本发明的另一些实施例的半导体装置的制造方法的流程图。
16.图7是用于说明根据本发明的又一些实施例的半导体装置的制造方法的流程图。
17.图8是用于说明根据本发明的又一些实施例的等离子体工艺装置的图。
18.图9是用于说明根据本发明的又一些实施例的等离子体工艺装置的oes端口的图。
19.图10和图11是用于说明根据本发明的又一些实施例的等离子体工艺装置的oes端口的操作的图。
20.图12是用于说明根据本发明的又一些实施例的半导体装置的制造方法的流程图。
具体实施方式
21.下面，将参照附图详细描述本发明的优选的实施例。本发明的优点和特征以及实现这些优点和特征的方法将通过参照下面与附图一起详细描述的实施例而变得清楚。然而，本发明并不限于以下所公开的实施例，而是能够以彼此不同的多种形态实现，本实施例只是为了使本发明的公开完整，并向本发明所属技术领域的普通技术人员完整地告知发明的范围而提供的，本发明仅由权利要求书的范围限定。在整个说明书中，相同的附图标记指代相同的构成要素。
22.为了容易地描述如图所示的一个元件或构成要素与另一个元件或构成要素的相关关系，可以使用空间相对术语“下方(below)”、“下面(beneath)”、“下部(lower)”、“上方(above)”、“上部(upper)”等。应该理解的是，除了图中所示的方向之外，空间相对术语是还包括元件在使用或操作时的彼此不同的方向的术语。例如，当图中所示的元件被翻转时，被描述为在另一个元件的“下方(below)”或“下面(beneath)”的元件可以位于另一个元件的“上方(above)”。因此，示例性的术语“下方”可以包括下方和上方两种方向。元件也可以以另一个方向定向，由此空间相对术语可以根据定向进行解释。
23.虽然术语“第一”、“第二”等用于描述各种元件、构成要素和/或部分，但是这些元件、构成要素和/或部分显然不被这些术语所限制。这些术语仅用于区分一个元件、构成要素和/或部分与另一个元件、构成要素和/或部分。因此，以下提及的第一元件、第一构成要素或第一部分在本发明的技术思想之内显然也可以是第二元件、第二构成要素或第二部分。
24.本说明书中使用的术语是为了说明实施例，并不是为了限制本发明。在本说明书中，除非在句中特别提及，单数形式也包括复数形式。说明书中使用的“包括(comprises)”和/或“包括(comprising)”不排除除了所提及的构成要素、步骤、操作和/或元件之外存在或增加一个以上的其它构成要素、步骤、操作和/或元件。
25.如果没有其它定义，则在本说明书中使用的所有术语(包括技术和科学术语)可以以本发明所属领域的普通技术人员能够共同理解的含义所使用。此外，在通常使用的词典中定义的术语，除非明确地特别定义，否则不被理想地或过度地解释。
26.以下，参照附图详细说明本发明的实施例，在参照附图说明时，与附图标记无关地，相同或对应的构成要素被赋予相同的参照标号，并省略对其的重复说明。
27.以下，参照图1和图2，对根据本发明的一些实施例的等离子体工艺装置进行说明。
28.图1是用于说明根据本发明的一些实施例的等离子体工艺装置的图。图2是用于说明根据本发明的一些实施例的等离子体工艺装置的oes端口的图。
29.参照图1和图2，根据本发明的一些实施例的等离子体工艺装置包括腔室100、接地线103、气体供应器104、气体源105、气体供应线106、排气口107、卡盘(chuck)110、挡板(baffle)单元120、oes端口130、视口140、oes传感器150、光缆160和控制部170。
30.腔室100可以起到在其内部包括其它构成要素的壳体的作用。腔室100可以是用于在晶片10上执行等离子体工艺的一种隔离空间。由于腔室100与外部隔离，因此可以调节等离子体工艺的工艺条件。例如，可以将腔室100的内部的温度或压力等工艺条件调节成与外部不同。
31.气体供应器104可以布置在腔室100的顶部。气体供应器104可以位于卡盘110的上方。气体供应器104可以通过接地线103接地。气体供应器104可以向安置在卡盘110上的晶片10的上表面提供气体。
32.气体供应器104可以利用多个喷嘴向腔室100的内部提供用于生成等离子体的工艺气体。在一些实施例中，气体供应器104可以包括用于等离子体工艺的上部电极。在另一些实施例中，气体供应器104可以直接起到上部电极的作用。
33.等离子体工艺可以包括利用用于等离子体的气体对晶片10的上表面执行干法蚀刻(dry etching)的工艺。即，气体供应器104可以向腔室100的内部提供用于等离子体工艺的气体。
34.气体供应线106可以与气体供应器104连接。气体供应线106可以与腔室100的顶部连接。气体供应线106可以在腔室100的外部与气体源105连接。气体供应线106可以向腔室100的内部提供由气体源105提供的用于等离子体的气体。图1示出了气体供应线106布置在腔室100的顶部，但是气体供应线106的位置不限于此。气体供应线106的位置可以根据腔室100的结构、位置和气体源105的位置而变化。
35.气体源105可以存储用于生成等离子体的气体，并在执行等离子体工艺时向腔室
100的内部提供气体。图1示出了气体源105在腔室100的外部通过气体供应线106提供气体，但本发明的技术思想并不限于此。在另一些实施例中，气体源105可以直接附接于腔室100。
36.卡盘110可以布置在腔室100的内部。晶片10可以被提供到卡盘110的上表面上。例如，卡盘110可以是静电卡盘。即，卡盘110可以利用向卡盘110提供的rf(射频)信号产生静电引力从而夹持(chucking)晶片10。
37.卡盘110可以包括下部电极111、rf杆112、接地极113、绝缘板114和聚焦环115。
38.rf杆112可以布置在腔室100的底表面上。rf杆112可以在竖直方向dr3上延伸。rf杆112可以向下部电极提供rf信号。
39.下部电极111可以布置在rf杆112上。下部电极111可以形成卡盘110的上部。晶片10可以被提供到下部电极111的上表面上。下部电极111可以利用从rf杆112提供的rf信号来夹持(chucking)晶片10。
40.接地极113可以围绕rf杆112的侧壁。接地极113可以与rf杆112的侧壁间隔开。另外，接地极113可以与下部电极111间隔开。
41.绝缘板114可以围绕下部电极111的侧壁。绝缘板114可以与下部电极111接触。绝缘板114可以形成卡盘110的外侧壁。绝缘板114可以包括绝缘物质，例如陶瓷。
42.聚焦环115可以布置在下部电极111的上表面的边缘和绝缘板114的上表面的至少一部分上。聚焦环115可以围绕下部电极111的上部中一部分的侧壁。聚焦环115可以在由第一水平方向dr1和垂直于第一水平方向dr1的第二水平方向dr2限定的平面上具有环形形状。聚焦环115可以包括绝缘物质。
43.挡板单元120可以布置在绝缘板114与腔室100的侧壁100s之间。挡板单元120可以与腔室100的侧壁100s和绝缘板114的侧壁中的每个接触。然而，本发明的技术思想并不限于此。
44.挡板单元120可以具有环形形状。挡板单元120可以包括在竖直方向dr3上贯通挡板单元120的多个挡板孔。多个挡板孔可以彼此间隔开。通过形成于挡板单元120的挡板孔，存在于腔室100的内部的工艺气体可以排出。穿过挡板单元120的工艺气体可以通过形成于腔室100的底表面的排气口107排出到腔室100的外部。
45.oes端口130可以布置于腔室100的侧壁100s。oes端口130可以包括凸缘131和oes透镜132。凸缘131可以连接于腔室100的内壁。oes端口130可以通过凸缘131连接于腔室100的内壁。oes透镜132可以被凸缘131围绕。
46.oes端口130可以沿着腔室100的侧壁100s在竖直方向dr3上延伸。oes端口130的竖直方向dr3上的宽度w1可以大于oes端口130的第二水平方向dr2上的宽度w2。即，凸缘131的竖直方向dr3上的宽度w1可以大于凸缘131的第二水平方向dr2上的宽度w2。
47.oes透镜132可以沿着腔室100的侧壁100s在竖直方向dr3上延伸。oes透镜132的竖直方向dr3上的宽度w3可以大于oes透镜132的第二水平方向dr2上的宽度w4。
48.oes端口130可以接收从在腔室100的内部生成的等离子体放出的光。具体地，布置于oes端口130的oes透镜132可以接收从在腔室100的内部生成的等离子体放出的光。
49.例如，oes透镜132可以接收从与晶片10相邻的第一位置p1处的等离子体放出的第一光l1。另外，oes透镜132可以接收从与气体供应器104相邻的第二位置p2处的等离子体放出的第二光l2。第二位置p2可以比第一位置p1更靠近气体供应器104。第二位置p2可以在竖
直方向dr3上与第一位置p1间隔开。
50.视口140可以布置在腔室100的内部与oes端口130之间。视口140可以使从腔室100的内部的等离子体生成的光通过视口140。视口140可以在腔室100执行等离子体工艺的期间保护oes透镜132。然而，本发明的技术思想并不限于此。在另一些实施例中，视口140可以被省略。
51.光缆160可以连接于oes端口130。具体地，光缆160可以与布置于oes端口130的oes透镜132连接。
52.oes传感器150可以连接于光缆160。oes传感器150可以通过光缆160连接于oes端口130。图1示出了oes传感器150布置在腔室100的外部，但是本发明的技术思想并不限于此。在另一些实施例中，oes传感器150可以布置在腔室100的内部。
53.从第一位置p1处的等离子体生成的第一光l1和从第二位置p2处的等离子体生成的第二光l2中的每个可以通过oes透镜132和光缆160被提供到oes传感器150。
54.oes传感器150可以通过利用第一光l1感测第一位置p1处的等离子体状态来测量第一等离子体数据。另外，oes传感器150可以通过利用第二光l2感测第二位置p2处的等离子体状态来测量第二等离子体数据。
55.控制部170可以利用由oes传感器150测量的第一等离子体数据和第二等离子体数据来控制腔室100的内部的等离子体工艺。
56.以下，参照图1至图3，对根据本发明的一些实施例的半导体装置的制造方法进行说明。
57.图3是用于说明根据本发明的一些实施例的半导体装置的制造方法的流程图。
58.参照图1至图3，可以向腔室100的内部提供晶片10(s110)。可以向布置于腔室100的内部的卡盘110上提供晶片10。接着，可以利用从气体供应器104提供的工艺气体，在腔室100的内部生成等离子体(s120)。
59.接着，oes透镜132可以接收从与晶片10相邻的第一位置p1处的等离子体放出的第一光l1和从与气体供应器104相邻的第二位置p2处的等离子体放出的第二光l2。第一光l1和第二光l2中的每个可以通过光缆160被提供到oes传感器150。
60.oes传感器150可以通过利用第一光l1感测第一位置p1处的等离子体状态来测量第一等离子体数据。另外，oes传感器150可以通过利用第二光l2感测第二位置p2处的等离子体状态来测量第二等离子体数据(s130)。
61.可以同时测量第一等离子体数据和第二等离子体数据。即，oes传感器150可以在通过利用第一光l1感测第一位置p1处的等离子体状态来测量第一等离子体数据的期间，通过利用第二光l2感测第二位置p2处的等离子体状态来测量第二等离子体数据。然而，本发明的技术思想并不限于此。
62.在另一些实施例中，可以依次测量第一等离子体数据和第二等离子体数据。即，oes传感器150可以在通过利用第一光l1感测第一位置p1处的等离子体状态来测量第一等离子体数据之后，通过利用第二光l2感测第二位置p2处的等离子体状态来测量第二等离子体数据。在这种情况下，可以重复对第一等离子体数据的测量和对第二等离子体数据的测量。
63.接着，控制部170可以利用由oes传感器150测量的第一等离子体数据和第二等离
子体数据来控制腔室100的内部的等离子体工艺(s140)。
64.接着，在腔室100的内部的等离子体工艺未完成的情况下，可以再次重复利用oes传感器150的对第一等离子体数据和第二等离子体数据的测量以及利用控制部170的对等离子体工艺的控制(s150)。
65.当腔室100的内部的等离子体工艺完成时，可以停止利用oes传感器150的对第一等离子体数据和第二等离子体数据的测量以及利用控制部170的对等离子体工艺的控制。
66.在根据本发明的一些实施例的等离子体工艺装置及利用等离子体工艺装置制造半导体装置的方法中，通过将oes透镜132布置成在竖直方向dr3上延伸，能够接收从在腔室100的内部沿着竖直方向dr3彼此间隔开的多个位置处的等离子体生成的光。由此，根据本发明的一些实施例的等离子体工艺装置及利用该等离子体工艺装置制造半导体装置的方法能够有效地监测在腔室100的内部生成的等离子体的状态，从而提高等离子体工艺的可靠性。
67.以下，参照图4和图5，对根据本发明的另一些实施例的等离子体工艺装置进行说明。将主要说明与图1和图2所示的等离子体工艺装置的不同之处。
68.图4是用于说明根据本发明的另一些实施例的等离子体工艺装置的图。图5是用于说明根据本发明的另一些实施例的等离子体工艺装置的oes端口的图。
69.参照图4和图5，根据本发明的另一些实施例的等离子体工艺装置的oes端口230可以包括凸缘231、第一oes透镜232-1和第二oes透镜232-2。
70.图4和图5示出了oes端口230包括在竖直方向dr3上彼此间隔开的两个oes透镜232-1、232-2，但是本发明的技术思想并不限于此。在另一些实施例中，oes端口230可以包括三个以上的oes透镜。以下，以oes端口230包括在竖直方向dr3上彼此间隔开的两个oes透镜232-1、232-2的结构为例进行说明。
71.第二oes透镜232-2可以在竖直方向dr3上与第一oes透镜232-1间隔开。第一oes透镜232-1和第二oes透镜232-2中的每个可以被凸缘231围绕。
72.第一oes透镜232-1可以接收从第一位置p1处的等离子体放出的第一光l1。第二oes透镜232-2可以接收从第二位置p2处的等离子体放出的第二光l2。
73.第一oes透镜232-1可以通过第一光缆261连接于第一oes传感器251。第二oes透镜232-2可以通过第二光缆262连接于第二oes传感器252。
74.第一oes传感器251可以通过利用经由第一oes透镜232-1提供的第一光l1感测第一位置p1处的等离子体状态来测量第一等离子体数据。第二oes传感器252可以通过利用经由第二oes透镜232-2提供的第二光l2感测第二位置p2处的等离子体状态来测量第二等离子体数据。
75.控制部270可以利用由第一oes传感器251测量的第一等离子体数据和由第二oes传感器252测量的第二等离子体数据来控制腔室100的内部的等离子体工艺。
76.以下，参照图4至图6，对根据本发明的另一些实施例的半导体装置的制造方法进行说明。将主要说明与图3所示的半导体装置的制造方法的不同之处。
77.图6是用于说明根据本发明的另一些实施例的半导体装置的制造方法的流程图。
78.参照图4至图6，在利用从气体供应器104提供的工艺气体在腔室100的内部生成等离子体(s120)之后，可以同时执行利用第一oes传感器251的对第一等离子体数据的测量和
利用第二oes传感器252的对第二等离子体数据的测量。
79.即，在第一oes传感器251通过利用第一光l1感测第一位置p1处的等离子体状态来测量第一等离子体数据的期间，第二oes传感器252可以通过利用第二光l2感测第二位置p2处的等离子体状态来测量第二等离子体数据(s230)。
80.接着，控制部270可以利用由第一oes传感器251测量的第一等离子体数据和由第二oes传感器252测量的第二等离子体数据来控制腔室100的内部的等离子体工艺(s140)。
81.接着，在腔室100的内部的等离子体工艺未完成的情况下，可以再次重复执行利用第一oes传感器251的对第一等离子体数据的测量、利用第二oes传感器252的对第二等离子体数据的测量以及利用控制部270的对等离子体工艺的控制(s150)。
82.当腔室100的内部的等离子体工艺完成时，可以停止利用第一oes传感器251的对第一等离子体数据的测量、利用第二oes传感器252的对第二等离子体数据的测量以及利用控制部270的对等离子体工艺的控制。
83.以下，参照图4、图5和图7，对根据本发明的一些实施例的半导体装置的制造方法进行说明。将主要描述与图3所示的半导体装置的制造方法的不同之处。
84.图7是用于说明根据本发明的又一些实施例的半导体装置的制造方法的流程图。
85.参照图4、图5和图7，在利用从气体供应器104提供的工艺气体在腔室100的内部生成等离子体(s120)之后，可以依次执行利用第一oes传感器251的对第一等离子体数据的测量和利用第二oes传感器252的对第二等离子体数据的测量。
86.即，在第一oes传感器251通过利用第一光l1感测第一位置p1处的等离子体状态来测量第一等离子体数据(s331)之后，第二oes传感器252可以通过利用第二光l2感测第二位置p2处的等离子体状态来测量第二等离子体数据(s332)。
87.接着，控制部270可以利用由第一oes传感器251测量的第一等离子体数据和由第二oes传感器252测量的第二等离子体数据来控制腔室100的内部的等离子体工艺(s140)。
88.接着，在腔室100的内部的等离子体工艺未完成的情况下，可以再次重复执行利用第一oes传感器251的对第一等离子体数据的测量、利用第二oes传感器252的对第二等离子体数据的测量以及利用控制部270的对等离子体工艺的控制(s150)。
89.当腔室100的内部的等离子体工艺完成时，可以停止利用第一oes传感器251的对第一等离子体数据的测量、利用第二oes传感器252的对第二等离子体数据的测量以及利用控制部270的对等离子体工艺的控制。
90.在根据本发明的又一些实施例的等离子体工艺装置及利用等离子体工艺装置制造半导体装置的方法中，可以将多个oes透镜232-1、232-2布置成在竖直方向dr3上彼此间隔开，从而能够接收从在腔室100的内部沿着竖直方向dr3彼此间隔开的多个位置处的等离子体生成的光。由此，根据本发明的一些实施例的等离子体工艺装置及利用等离子体工艺装置制造半导体装置的方法能够有效地监测在腔室100的内部生成的等离子体的状态，从而提高等离子体工艺的可靠性。
91.以下，参照图8至图11，对根据本发明又一些实施例的等离子体工艺装置进行说明。将主要说明与图1和图2所示的等离子体工艺装置的不同之处。
92.图8是用于说明根据本发明的又一些实施例的等离子体工艺装置的图。图9是用于说明根据本发明的又一些实施例的等离子体工艺装置的oes端口的图。图10和图11是用于
说明根据本发明的又一些实施例的等离子体工艺装置的oes端口的操作的图。
93.参照图8至图11，根据本发明的又一些实施例的等离子体工艺装置的oes透镜332可以在竖直方向dr3上移动。
94.oes端口330可以包括凸缘331和由凸缘331围绕的oes透镜332。oes透镜332可以沿着凸缘331在竖直方向dr3上移动。在oes透镜332在竖直方向dr3上移动的期间，凸缘331可以以连接于腔室100的状态固定。
95.oes透镜332可以通过光缆360连接于oes传感器350。光缆360可以以连接于oes透镜332的状态与oes透镜332一起在竖直方向dr3上移动。图8和图10示出了oes传感器350以连接于光缆360的状态与oes透镜332一起在竖直方向dr3上移动，但是本发明的技术思想并不限于此。在另一些实施例中，oes传感器350可以与oes透镜332和光缆360的移动无关地固定。
96.盖380可以设置于腔室100的外侧壁。盖380可以与oes透镜332和光缆360中的每个连接。盖380可以围绕光缆360的至少一部分。
97.盖380可以与oes透镜332和光缆360中的每个一起在竖直方向dr3上移动。盖380可以沿着腔室100的外侧壁在竖直方向dr3上移动。
98.盖380可以密封凸缘331与oes透镜332之间的空间。由此，即使oes透镜332在竖直方向dr3上移动，也可以利用盖380密封腔室100。例如，盖380可以具有平板形状，但本发明的技术思想并不限于此。
99.盖380的竖直方向dr3上的宽度w5可以大于oes端口330的竖直方向dr3上的宽度w1。即，盖380的竖直方向dr3上的宽度w5可以大于凸缘331的竖直方向dr3上的宽度w1。
100.如图8和图9所示，oes透镜332可以在与第一位置p1对应的位置处接收从第一位置p1处的等离子体放出的第一光l1。oes传感器350可以在与第一位置p1对应的位置处通过利用经由oes透镜332提供的第一光l1感测等离子体状态来测量第一等离子体数据。
101.接着，如图10和图11所示，oes透镜332可以移动到与第二位置p2对应的位置处并接收从第二位置p2处的等离子体放出的第二光l2。oes传感器350可以在与第二位置p2对应的位置处通过利用经由oes透镜332提供的第二光l2感测等离子体状态来测量第二等离子体数据。
102.以下，参照图8至图12，对根据本发明的又一些实施例的半导体装置的制造方法进行说明。将主要说明与图3所示的半导体装置的制造方法的不同之处。
103.图12是用于说明根据本发明的又一些实施例的半导体装置的制造方法的流程图。
104.参照图8至图12，在利用从气体供应器104提供的工艺气体在腔室100的内部生成等离子体(s120)之后，可以使oes透镜332移动成与第一位置p1对应(s431)。oes透镜332可以在与第一位置p1对应的位置处接收从第一位置p1处的等离子体放出的第一光l1。
105.接着，oes传感器350可以在与第一位置p1对应的位置处通过利用经由oes透镜332提供的第一光l1感测第一位置p1处的等离子体状态来测量第一等离子体数据(s432)。
106.接着，可以使oes透镜332移动成与第二位置p2对应(s433)。oes透镜332可以在与第二位置p2对应的位置处接收从第二位置p2处的等离子体放出的第二光l2。
107.接着，oes传感器350可以与第二位置p2对应的位置处通过利用经由oes透镜332提供的第二光l2感测第二位置p2处的等离子体状态来测量第二等离子体数据(s434)。
108.接着，控制部370可以利用在第一位置p1处测量的第一等离子体数据和在第二位置p2处测量的第二等离子体数据来控制腔室100的内部的等离子体工艺(s140)。
109.接着，在腔室100的内部的等离子体工艺未完成的情况下，可以再次重复执行oes透镜332向与第一位置p1对应的位置处的移动、利用oes传感器350的对第一等离子体数据的测量、oes透镜332向与第二位置p2对应的位置处的移动、利用oes传感器350的对第二等离子体数据的测量、以及利用控制部370的对等离子体工艺的控制(s150)。
110.当腔室100的内部的等离子体工艺完成时，可以停止oes透镜332向与第一位置p1对应的位置处的移动、利用oes传感器350的对第一等离子体数据的测量、oes透镜332向与第二位置p2对应的位置处的移动、利用oes传感器350的对第二等离子体数据的测量、以及利用控制部370的对等离子体工艺的控制。
111.在根据本发明的又一些实施例的等离子体工艺装置及利用等离子体工艺装置制造半导体装置的方法中，通过将oes透镜332布置成能够在竖直方向dr3上移动，能够接收从在腔室100的内部沿着竖直方向dr3彼此间隔开的多个位置处的等离子体生成的光。由此，根据本发明的一些实施例的等离子体工艺装置及利用等离子体工艺装置制造半导体装置的方法能够有效地监测在腔室100的内部生成的等离子体的状态，从而提高等离子体工艺的可靠性。
112.以上参照附图对本发明的实施例进行了说明，但是本发明所属技术领域的普通技术人员应该可以理解，本发明在不改变其技术思想或必要特征的情况下，能够以其它具体形态实施。因此，应该理解，以上描述的实施例在所有方面都是示例性的，而不是限制性的。