显示装置的制作方法

1.本公开的一个或多个实施方式涉及显示装置和制造显示装置的方法。


背景技术：

2.随着多媒体技术的发展，显示装置正变得越来越重要。因此，已经使用了诸如有机发光二极管(oled)显示装置、液晶显示(lcd)装置等的各种显示装置。
3.显示装置包括能够显示图像的显示面板，诸如oled显示面板或lcd面板。显示面板包括诸如发光二极管(led)的发光元件，并且led可被分类为使用有机材料作为例如荧光物质的oled和使用无机材料作为荧光物质的无机led。


技术实现要素：

4.本公开的一个或多个实施方式提供了能够有利于发光元件的对准并改善光学效率的显示装置以及制造该显示装置的方法。
5.然而，本公开的实施方式不限于本文中阐述的实施方式。通过参考以下给出的本公开的详细描述，本公开的以上和其它实施方式对于本公开所属领域中的普通技术人员将变得更加显而易见。
6.根据本公开的一个或多个实施方式，显示装置可包括：第一电极，在衬底上；堤部，覆盖第一电极的边缘；多个发光元件，在第一电极上并且相对于第一电极竖直对准；导电聚合物层，在第一电极上，以填充多个发光元件中的相邻的发光元件之间的间隙；绝缘层，在导电聚合物层上，以填充多个发光元件中的相邻的发光元件之间的间隙；以及第二电极，在堤部、绝缘层和多个发光元件上。
7.在一个或多个实施方式中，多个发光元件的第一端部部分可与第一电极接触，多个发光元件的第二端部部分在绝缘层的顶表面上方突出，或者多个发光元件的第二端部部分与绝缘层的顶表面对准并重合。
8.在一个或多个实施方式中，多个发光元件可包括相对于参考线限定的下部分和上部分，参考线与多个发光元件的长度方向交叉并且穿过多个发光元件的长度的约50％。
9.在一个或多个实施方式中，导电聚合物层可与多个发光元件的下部分接触，并且导电聚合物层的厚度可以是多个发光元件的长度的约20％至约40％。
10.在一个或多个实施方式中，绝缘层可与多个发光元件的上部分接触并且可暴露多个发光元件的第二端部部分，并且其中，绝缘层的厚度可以是多个发光元件的长度的约40％至约70％。
11.在一个或多个实施方式中，多个发光元件的第二端部部分可与第二电极接触。
12.在一个或多个实施方式中，多个发光元件可以以不规则的间隔彼此间隔开。
13.在一个或多个实施方式中，多个发光元件的长度可小于堤部的厚度。
14.在一个或多个实施方式中，显示装置还可包括在第一电极与多个发光元件之间的反射电极，其中，反射电极与第一电极的顶表面和堤部的侧表面接触，并且绝缘层可覆盖反
射电极。
15.在一个或多个实施方式中，多个发光元件中的每个可包括第一半导体层、第二半导体层以及在第一半导体层与第二半导体层之间的至少一个发光层，并且第一半导体层、第二半导体层和至少一个发光层可被绝缘膜围绕。
16.根据本公开的上述和其它实施方式，可提供使用发光元件的新的显示装置。
17.此外，可容易地制造包括竖直地对准在两个电极之间的发光元件的显示装置。
18.此外，由于反射电极能够反射来自发光元件的光，因此可改善发光元件的发射效率。
19.根据以下详细描述、附图和权利要求，其它特征和实施方式可以是显而易见的。
附图说明
20.通过参考附图更详细地描述本公开的实施方式，本公开的以上和其它实施方式和特征将变得更加显而易见，在附图中：
21.图1是根据本公开的一个或多个实施方式的显示装置的平面图；
22.图2是图1的显示装置的第一衬底的电路的布局图；
23.图3是图1的显示装置的像素的等效电路图；
24.图4是图1的显示装置的剖视图；
25.图5是图1的显示装置的像素的剖视图；
26.图6是根据本公开的一个或多个实施方式的发光元件的立体图；
27.图7是图5的区域a的放大剖视图；
28.图8是图5的像素的平面图；
29.图9是图1的显示装置的另一像素的剖视图；
30.图10是根据本公开的另一实施方式的显示装置的像素的剖视图；
31.图11是图10的区域b的放大剖视图；
32.图12是示出根据本公开的一个或多个实施方式的制造显示装置的方法的流程图；
33.图13至图25是示出图12的方法的剖视图；以及
34.图26至图29是示出根据本公开的一个或多个其它实施方式的制造显示装置的方法的剖视图。
具体实施方式
35.现在将在下文中参考附图更全面地描述本公开的主题，在附图中示出了本公开的实施方式。然而，本公开可以以不同的形式实现，并且不应被解释为限于本文中阐述的实施方式。确切地说，提供这些实施方式使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域中技术人员完全传达本公开的范围。
36.将理解的是，当层被称为在另一层或衬底“上”时，该层可直接在所述另一层或衬底上(它们之间没有居间层)，或者也可存在居间层。在整个说明书中，相同的参考标记表示相同的组件。
37.将理解的是，虽然本文中可使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不背
离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可被称为第二元件。类似地，第二元件也可被称为第一元件。
38.如本文中所使用的，单数形式“一个”、“一种”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。
39.还将理解的是，当在本说明书中使用时，术语“包括(include)”、“包括(including)”、“包括(comprise)”和/或“包括(comprising)”指定所陈述的特征、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但是不排除一个或多个其它特征、步骤、操作、元件、组件和/或其组的存在或添加。
40.如本文中所使用的，术语“使用(use)”、“使用(using)”和“使用(used)”可分别被认为与术语“利用(utilize)”、“利用(utilizing)”和“利用(utilized)”同义。
41.如本文中所使用的，诸如，
“…
中的至少一个”、
“…
中的一个”和“选自”的表述，当在元素列表之后时，修饰元素的整个列表，而不是修饰列表中的单独元素。
42.如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关所列项目中的一个或多个的任何和所有组合。
43.此外，当描述本公开的实施方式时，“可”的使用是指“本公开的一个或多个实施方式”。
44.为了便于描述，可在本文中使用空间相对术语，诸如“下面”、“下方”、“下”、“上方”、“上”、“底部”、“顶部”等来描述如图中所示的一个元件或特征与另一元件(多个元件)或特征(多个特征)的关系。将理解的是，除了附图中描绘的定向之外，空间相对术语还旨在包含装置在使用或操作中的不同定向。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为在其他元件或特征“下方”或“下面”的元件将随之被定向在其他元件或特征“上方”或“上面”。因此，术语“下方”可包含上方或下方的定向两者。装置可被另外地定向(旋转90度或处于其他定向)，并且本文中使用的空间相对描述语应相应地进行解释。
45.如本文中所使用的，术语“基本上”、“约”和类似的术语用作近似术语而不用作程度术语，并且旨在解释将由本领域中普通技术人员认识到的测量值或计算值的固有偏差。如本文中所使用的，“约”或“近似”包括所述值以及在如由本领域中普通技术人员在考虑到所讨论的测量和与特定量的测量相关联的误差(即，测量系统的限制)时所确定的特定值的可接受偏差范围内的平均值。例如，“约”可意指在一个或多个标准偏差内，或在所述值的
±
30％、
±
20％、
±
10％、
±
5％内。
46.本文中所记载的任何数值范围旨在包括包含在所记载范围内的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围旨在包括在所记载的最小值1.0与所记载的最大值10.0之间(以及包括所记载的最小值1.0与所记载的最大值10.0)的所有子范围，即，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值，诸如例如2.4至7.6。本文中所记载的任何最大数值限制旨在包括包含在其中的所有更低的数值限制，并且本说明书中所记载的任何最小数值限制旨在包括包含在其中的所有更高的数值限制。因此，申请人保留修改包括权利要求书在内的本说明书的权利，以清楚地叙述包含在本文中所明确记载的范围内的任何子范围。
47.本公开的各种实施方式的特征中的每个可部分地或整体地组合或彼此组合，并且技术上各种相互关联和驱动是可能的。每个实施方式可彼此独立地实现，或者可关联地一
起实现。
48.下文中将参考附图描述本公开的实施方式。
49.图1是根据本公开的一个或多个实施方式的显示装置的平面图。
50.参考图1，显示装置1可以可应用于智能电话、移动电话、平板个人计算机(pc)、个人数字助理(pda)、便携式多媒体播放器(pmp)、电视(tv)、游戏控制台、手表型电子装置、头戴式显示器(hmd)、pc监视器、膝上型计算机、汽车导航装置、汽车仪表板、数码相机、可携式摄像机、外部广告牌、电子显示板、医疗装置、检查装置和/或各种合适的家用电器(诸如冰箱和/或洗衣机)，但是本公开不限于此。下文中将描述显示装置1是例如具有高分辨率或超高分辨率(诸如高清晰度(hd)、超高清晰度(uhd)、4k或8k)的tv，但是本公开不限于此。
51.显示装置1可根据其如何显示图像以各种合适的方式进行分类。显示装置1可以是例如有机发光二极管(oled)显示装置、无机发光二极管(led)显示装置、量子点发射(qed)显示装置、微型led显示装置、纳米led显示装置、等离子体显示面板(pdp)装置、场发射显示(fed)装置、阴极射线管(crt)显示装置、液晶显示(lcd)装置和/或电泳显示(epd)装置。下文中将描述显示装置1是例如oled显示装置，并且除非另有说明，否则oled显示装置在下文中将被简称为显示装置。然而，本公开不限于此，并且在不背离本公开的范围的情况下，各种其它合适的显示装置也可以可应用于显示装置1。
52.在平面图中，显示装置1可具有正方形形状，或者例如矩形形状。在显示装置1是tv的情况下，显示装置1的长侧可布置在水平方向上，但是本公开不限于此。在一个或多个实施方式中，显示装置1的长侧可布置在竖直方向上，或者显示装置1可以可旋转地安装成使得其长侧可水平地或竖直地布置。
53.显示装置1可包括显示区域dpa和非显示区域nda。显示区域dpa可以是其中显示图像的有效区域。在平面图中，显示区域dpa可具有与显示装置1相似的形状，例如，矩形形状，但是本公开不限于此。
54.显示区域dpa可包括多个像素px。像素px可布置在行方向和列方向上。像素px在平面图中可具有矩形或正方形形状，但是本公开不限于此。在一个或多个实施方式中，像素px可具有菱形形状，该菱形形状具有相对于显示装置1的侧边的方向倾斜的侧边。像素px可包括各种合适颜色的像素px。在一个或多个示例性实施方式中，像素px可包括第一颜色像素px(例如，蓝色像素)、第二颜色像素px(例如，红色像素)和第三颜色像素px(例如，绿色像素)。第一颜色像素px、第二颜色像素px和第三颜色像素px可以以条纹或图案或样式(是由三星显示有限公司拥有的注册商标)交替布置。
55.非显示区域nda可在显示区域dpa周围。非显示区域nda可围绕显示区域dpa的部分或整个显示区域dpa。显示区域dpa可具有矩形形状，并且非显示区域nda可与显示区域dpa的四个侧边相邻。非显示区域nda可形成显示装置1的边框。
56.在非显示区域nda中，可设置用于驱动显示区域dpa的驱动电路或元件。在一个或多个示例性实施方式中，在分别与显示装置1的第一长侧和第二长侧(例如，底侧和顶侧)相邻的第一非显示区域nda和第二非显示区域nda中，焊盘单元可设置在显示装置1的显示衬底上，并且外部装置exd可安装在焊盘单元的焊盘电极上。外部装置exd的示例包括连接膜、印刷电路板(pcb)、驱动器集成电路dic、连接器和布线连接膜。在一个或多个示例性实施方
式中，在与显示装置1的第一短侧(例如，左侧)相邻的第三非显示区域nda中，可设置扫描驱动器sdr并且扫描驱动器sdr可直接形成在显示装置1的显示衬底上。
57.图2是图1的显示装置的第一衬底的电路的布局图。
58.参考图2，多条线在第一衬底上。多条线可包括扫描线scl、感测信号线ssl、数据线dtl、参考电压线rvl和第一电源线elvdl。
59.参考图1和图2，扫描线scl和感测信号线ssl可在第一方向dr1上延伸。扫描线scl和感测信号线ssl可连接(例如，电联接)到扫描驱动器sdr。扫描驱动器sdr可包括驱动电路，该驱动电路包括电路层(例如，由电路层组成)。扫描驱动器sdr可在第一衬底上在第三非显示区域nda中，但是本公开不限于此。在一个或多个实施方式中，扫描驱动器sdr可在与显示装置1的第二短侧(例如，右侧)相邻的第四非显示区域nda中，或在第三非显示区域nda和第四非显示区域nda两者中。扫描驱动器sdr可连接(例如，电联接)到信号连接线cwl，并且信号连接线cwl的至少一个端部可在第一非显示区域nda和/或第二非显示区域nda中形成布线焊盘wpd_cw，并且可连接(例如，电联接)到图1的外部装置exd。
60.数据线dtl和参考电压线rvl可在与第一方向dr1相交的第二方向dr2上延伸。第一电源线elvdl可包括在第二方向dr2上延伸的部分。第一电源线elvdl还可包括在第一方向dr1上延伸的部分。第一电源线elvdl可形成网状结构，但是本公开不限于此。
61.布线焊盘wpd可设置在数据线dtl、参考电压线rvl和第一电源线elvdl中的每个的至少一个端部处。布线焊盘wpd可在非显示区域nda的焊盘部分pda中。数据线dtl的布线焊盘wpd_dt(在下文中，数据焊盘wpd_dt)可在第一非显示区域nda的焊盘部分pda中，以及参考电压线rvl的布线焊盘wpd_rv(在下文中，参考电压焊盘wpd_rv)和第一电源线elvdl的布线焊盘wpd_elvd(在下文中，第一电源焊盘wpd_elvd)可在第二非显示区域nda的焊盘部分pda中。在一个或多个实施方式中，数据焊盘wpd_dt、参考电压焊盘wpd_rv和第一电源焊盘wpd_elvd可都在相同的区域(例如，第一非显示区域nda)中。图1的外部装置exd可安装在布线焊盘wpd上。外部装置exd可经由各向异性导电膜和/或经由超声接合安装在布线焊盘wpd上。
62.第一衬底上的像素px可包括像素驱动电路。多条线可穿过像素px以将驱动信号施加到像素驱动电路。像素驱动电路中的每个可包括晶体管和电容器。像素驱动电路中的每个的晶体管和电容器的数量可变化。下文中将描述像素驱动电路具有“3t1c”结构(具有三个晶体管和一个电容器)，但是本公开不限于此。在一个或多个实施方式中，可将诸如“2t1c”、“7t1c”或“6t1c”结构的各种经修改的像素结构应用于像素驱动电路。
63.图3是图1的显示装置的像素的等效电路图。
64.参考图3，像素px可包括发光二极管ed，并且还可包括例如驱动晶体管dtr、第一开关晶体管str1和第二开关晶体管str2的三个晶体管以及一个存储电容器cst。
65.发光二极管ed根据经由驱动晶体管dtr施加到发光二极管ed的电流而发射光。发光二极管ed可被实现为oled、微型led或纳米led。
66.发光二极管ed的第一电极(例如，阳极电极)可连接(例如，联接)到驱动晶体管dtr的源电极，并且发光二极管ed的第二电极(例如，阴极电极)可连接(例如，联接)到第二电源线elvsl，比高电位电压(或第一电源电压)低的低电位电压(或第二电源电压)从第一电源线elvdl施加到第二电源线elvsl。
67.驱动晶体管dtr可根据其栅电极与源电极之间的电压差来控制从第一电源电压所施加到的第一电源线elvdl流到发光二极管ed的电流。驱动晶体管dtr的栅电极可连接(例如，联接)到第一开关晶体管str1的第一源/漏电极，驱动晶体管dtr的源电极可连接(例如，联接)到发光二极管ed的第一电极，以及驱动晶体管dtr的漏电极可连接(例如，联接)到第一电源电压所施加到的第一电源线elvdl。
68.第一开关晶体管str1由来自扫描线scl的扫描信号导通，并将数据线dtl连接(例如，联接)到驱动晶体管dtr的栅电极。第一开关晶体管str1的栅电极可连接(例如，联接)到扫描线scl，第一开关晶体管str1的第一源/漏电极可连接(例如，联接)到驱动晶体管dtr的栅电极，以及第一开关晶体管str1的第二源/漏电极可连接(例如，联接)到数据线dtl。
69.第二开关晶体管str2由来自感测信号线ssl的感测信号导通，并将参考电压线rvl连接(例如，联接)到驱动晶体管dtr的源电极。第二开关晶体管str2的栅电极可连接(例如，联接)到感测信号线ssl，第二开关晶体管str2的第一源/漏电极可连接(例如，联接)到参考电压线rvl，以及第二开关晶体管str2的第二源/漏电极可连接(例如，联接)到驱动晶体管dtr的源电极。
70.第一开关晶体管str1和第二开关晶体管str2的第一源/漏电极两者可以是源电极，以及第一开关晶体管str1和第二开关晶体管str2的第二源/漏电极两者可以是漏电极。在一个或多个实施方式中，第一开关晶体管str1和第二开关晶体管str2的第一源/漏电极两者可以是漏电极，以及第一开关晶体管str1和第二开关晶体管str2的第二源/漏电极两者可以是源电极。
71.存储电容器cst可形成在驱动晶体管dtr的栅电极与源电极之间。存储电容器cst可存储与驱动晶体管dtr的栅电压和源电压之间的差相对应的差分电压。
72.驱动晶体管dtr以及第一开关晶体管str1和第二开关晶体管str2可形成为薄膜晶体管(tft)。图3示出了驱动晶体管dtr以及第一开关晶体管str1和第二开关晶体管str2是n型金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)，但是本公开不限于此。在一个或多个实施方式中，驱动晶体管dtr以及第一开关晶体管str1和第二开关晶体管str2可都是p型mosfet。在一个或多个实施方式中，驱动晶体管dtr以及第一开关晶体管str1和第二开关晶体管str2中的一些可以是n型mosfet，并且驱动晶体管dtr以及第一开关晶体管str1和第二开关晶体管str2中的其它可以是p型mosfet。
73.图4是图1的显示装置的剖视图。
74.参考图4，显示装置1可包括显示衬底10、面对显示衬底10的颜色转换衬底30、以及在显示衬底10与颜色转换衬底30之间的填充件70。
75.显示衬底10可包括第一衬底110。第一衬底110可以是绝缘衬底。第一衬底110可包括透明材料。在一个或多个示例性实施方式中，第一衬底110可包括诸如玻璃和/或石英的透明绝缘材料。第一衬底110可以是刚性衬底，但是本公开不限于此。在一个或多个实施方式中，第一衬底110可包括诸如聚酰亚胺的塑料，并且可具有诸如可弯曲性、可折叠性和/或可卷曲性的柔性。多个发射区域la1、la2和la3和非发射区域nla可限定在第一衬底110上。
76.多个开关元件t1、t2和t3可在第一衬底110上。在一个或多个示例性实施方式中，第一开关元件t1可在第一衬底110的第一发射区域la1中，第二开关元件t2可在第一衬底110的第二发射区域la2中，以及第三开关元件t3可在第一衬底110的第三发射区域la3中。
然而，本公开不限于该示例。在另一示例中，从第一开关元件t1、第二开关元件t2和第三开关元件t3中选择的至少一个可在非发射区域nla中。
77.在一个或多个示例性实施方式中，第一开关元件t1、第二开关元件t2和第三开关元件t3可以是包括非晶硅、多晶硅和/或氧化物半导体的薄膜晶体管(tft)。在一个或多个实施方式中，向开关元件t1、t2和t3发送信号的多条信号线(例如，栅极线、数据线和/或电力线)还可设置在第一衬底110上。
78.平坦化膜130可设置在第一开关元件t1、第二开关元件t2和第三开关元件t3上。在一个或多个示例性实施方式中，平坦化膜130可形成为有机膜。平坦化膜130可包括例如丙烯酸树脂、环氧树脂、酰亚胺树脂和/或酯树脂。在一个或多个示例性实施方式中，平坦化膜130可包括正感光材料或负感光材料。
79.第一像素电极pe1、第二像素电极pe2和第三像素电极pe3可在平坦化膜130上。第一像素电极pe1、第二像素电极pe2和第三像素电极pe3可分别用作第一led“ed1”、第二led“ed2”和第三led“ed3”的第一电极，并且可以是阳极或阴极。第一像素电极pe1可在第一发射区域la1中，并且甚至可至少部分地延伸到非发射区域nla中。第二像素电极pe2可在第二发射区域la2中，并且甚至可至少部分地延伸到非发射区域nla中。第三像素电极pe3可在第三发射区域la3中，并且甚至可至少部分地延伸到非发射区域nla中。第一像素电极pe1可通过平坦化膜130连接(例如，联接)到第一开关元件t1，第二像素电极pe2可通过平坦化膜130连接(例如，联接)到第二开关元件t2，以及第三像素电极pe3可通过平坦化膜130连接(例如，联接)到第三开关元件t3。
80.第一像素电极pe1、第二像素电极pe2和第三像素电极pe3可以是反射电极。第一像素电极pe1、第二像素电极pe2和第三像素电极pe3可具有其中钛氧化物(tio2)、铟锡氧化物(ito)、铟锌氧化物(izo)、锌氧化物(zno)、铟锡锌氧化物(itzo)和/或镁氧化物(mgo)的高功函数层以及银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、铅(pb)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)或其混合物的反射材料层堆叠的结构。高功函数层可在反射材料层上，靠近发光元件ned。第一像素电极pe1、第二像素电极pe2和第三像素电极pe3可各自独立地具有ito/mg、ito/mgf2、ito/al或ito/ag/ito的多层结构，但是本公开不限于此。
81.堤部150可在第一像素电极pe1、第二像素电极pe2和第三像素电极pe3上。堤部150可覆盖第一像素电极pe1、第二像素电极pe2和第三像素电极pe3的边缘。堤部150可包括开口，该开口暴露第一像素电极pe1、第二像素电极pe2和第三像素电极pe3并且可限定第一发射区域la1、第二发射区域la2和第三发射区域la3以及非发射区域nla。例如，第一像素电极pe1的未被堤部150覆盖但被堤部150暴露的部分可以是第一发射区域la1，第二像素电极pe2的未被堤部150覆盖但被堤部150暴露的部分可以是第二发射区域la2，以及第三像素电极pe3的未被堤部150覆盖但被堤部150暴露的部分可以是第三发射区域la3。定位有堤部150的区可以是非发射区域nla。
82.堤部150可包括有机绝缘材料，诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯树脂、聚苯硫醚树脂和/或苯并环丁烯(bcb)。
83.在一个或多个示例性实施方式中，堤部150可与将在下文中描述的颜色转换衬底30的颜色图案和遮光构件重叠。在一个或多个示例性实施方式中，堤部150可与第一遮光构件221、第二遮光构件222和第三遮光构件223重叠。堤部150还可与第一颜色图案251、第二
颜色图案252和第三颜色图案253重叠。堤部150还可与本文中将描述的防混色构件370(例如，减混色构件370)重叠。
84.在一个或多个示例性实施方式中，堤部150可用作分隔壁，该分隔壁防止或减少包括发光元件ned的油墨在每对相邻的像素之间溢出。堤部150的表面可进行疏水处理，使得油墨不会散布在其上。
85.发光元件ned、导电聚合物层cpo和绝缘层inl可在第一像素电极pe1、第二像素电极pe2和第三像素电极pe3上。下面将参考图5描述发光元件ned、导电聚合物层cpo和绝缘层inl。
86.公共电极ce可在发光元件ned上。公共电极ce可分别用作第一led“ed1”、第二led“ed2”和第三led“ed3”的第二电极，并且可以是阳极或阴极。在一个或多个示例性实施方式中，公共电极ce可具有半透明性或透明性。在公共电极ce具有半透明性的情况下，公共电极ce可包括ag、mg、cu、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr、li、ca、lif/ca、lif/al、mo、ti、其化合物或其混合物，例如，ag和mg的混合物。在公共电极ce为数十埃至数百埃的情况下，公共电极ce可具有半透明性。
87.在公共电极ce具有透明性的情况下，公共电极ce可包括透明导电氧化物(tco)。在一个或多个示例性实施方式中，公共电极ce可包括tio2、ito、izo、zno、itzo和/或mgo。
88.第一像素电极pe1、发光元件ned和公共电极ce可形成第一led“ed1”，第二像素电极pe2、发光元件ned和公共电极ce可形成第二led“ed2”，以及第三像素电极pe3、发光元件ned和公共电极ce可形成第三led“ed3”。第一led“ed1”、第二led“ed2”和第三led“ed3”可发射光，并且该光可提供给颜色转换衬底30。
89.薄膜封装层170可在公共电极ce上。薄膜封装层170可公共地位于第一发射区域la1、第二发射区域la2和第三发射区域la3以及非发射区域nla中并遍及第一发射区域la1、第二发射区域la2和第三发射区域la3以及非发射区域nla。在一个或多个示例性实施方式中，薄膜封装层170可直接覆盖公共电极ce。覆盖公共电极ce的封盖层还可设置在薄膜封装层170与公共电极ce之间。在这种情况下，薄膜封装层170可直接覆盖封盖层。
90.在一个或多个示例性实施方式中，薄膜封装层170可包括依次堆叠在公共电极ce上的第一封装无机膜171、封装有机膜173和第二封装无机膜175。
91.第一封装无机膜171和第二封装无机膜175可包括硅氮化物、铝氮化物、锆氮化物、钛氮化物、铪氮化物、钽氮化物、硅氧化物、铝氧化物、钛氧化物、锡氧化物、铈氧化物、硅氮氧化物(sion)和/或锂氟化物。封装有机膜173可包括丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯、乙烯基树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、纤维素树脂和/或二萘嵌苯树脂。然而，薄膜封装层170的结构不受特别限制，而是可变化。
92.颜色转换衬底30可定位成面对显示衬底10。
93.颜色转换衬底30可包括第二衬底310。第二衬底310可以是绝缘衬底。第二衬底310可包括透明材料。在一个或多个示例性实施方式中，第二衬底310可包括诸如玻璃和/或石英的透明绝缘材料。第二衬底310可以是刚性衬底，但是本公开不限于此。在一个或多个实施方式中，第二衬底310可包括诸如聚酰亚胺的塑料，并且可具有诸如可弯曲性、可折叠性和/或可卷曲性的柔性。多个透光区域ta1、ta2和ta3和遮光区域ba可限定在第二衬底310上。
94.第一滤色器231和颜色图案250可在第二衬底310的面对显示衬底10的表面上。
95.第一滤色器231可选择性地透射通过其的第一颜色光(例如，蓝光)，并且可吸收第三颜色光(例如，绿光)。在一个实施方式中，第一滤色器231可以是蓝色滤色器，并且可包括诸如蓝色染料和/或蓝色颜料的蓝色着色剂。如本文中使用的，术语“着色剂”可涵盖染料和颜料。
96.颜色图案250可通过吸收从显示装置1外部引入颜色转换衬底30的光中的一些来减少外部光的反射。外部光中的大部分被反射并引起颜色转换衬底30的颜色再现性的失真。然而，由于颜色图案250设置在第二衬底310上，因此可减少外部光的反射和由外部光引起的颜色的失真。
97.在一个或多个示例性实施方式中，颜色图案250可包括蓝色着色剂，诸如蓝色染料和/或蓝色颜料。颜色图案250可由与第一滤色器231相同的材料形成，并且可在形成第一滤色器231期间形成。例如，第一滤色器231和颜色图案250可通过在第二衬底310的表面上施加包括蓝色着色剂的感光有机材料并对感光有机材料进行曝光和显影而同时(或并发地)形成。
98.在颜色图案250包括蓝色着色剂的情况下，穿过颜色图案250的外部光或反射光可具有蓝色波长范围。人眼的颜色敏感性可从一种颜色到另一种颜色而有所不同。例如，相比于绿色波长的光和红色波长的光，用户可更不敏感地识别蓝色波长的光。因此，由于颜色图案250包括蓝色着色剂，因此用户可更不敏感地识别反射光。
99.颜色图案250可在第二衬底310的表面上以与遮光区域ba重叠。颜色图案250也可与非发射区域nla重叠。在一个或多个示例性实施方式中，颜色图案250可与第二衬底310的表面接触。在另一示例中，在缓冲层设置在第二衬底310的表面上以防止或减少杂质的渗透的实施方式中，颜色图案250可与缓冲层直接接触(例如，物理接触)。
100.遮光构件220可在第二衬底310的面对显示衬底10的表面上。遮光构件220可与遮光区域ba重叠以阻挡或减少光的透射。遮光构件220在平面视图中可以以网格形式布置。
101.在一个或多个示例性实施方式中，遮光构件220可包括有机遮光材料，并且可通过涂覆和暴露(例如，暴露于光)有机遮光材料来形成。遮光构件220可包括遮光染料和/或颜料，并且可以是黑矩阵。
102.如上所述，外部光可使颜色转换衬底30的颜色再现性失真。然而，由于遮光构件220在第二衬底310上，因此外部光中的至少一些可被遮光构件220吸收。因此，可减小由外部光引起的颜色失真。遮光构件220可防止或减少光在每对相邻的透光区域之间的渗透，并且因此可防止或减少颜色的混合(例如，不希望的混合)。因此，可改善显示装置1的颜色再现性。
103.遮光构件220可在颜色图案250上。在一个或多个示例性实施方式中，第一遮光构件221、第二遮光构件222和第三遮光构件223可在第一颜色图案251、第二颜色图案252和第三颜色图案253上。如图4中所示，第一滤色器231在第三方向dr3上的厚度th1可小于第一颜色图案251在在第三方向dr3上的厚度th2。
104.如图4中所示，第二滤色器233和第三滤色器235可在第二衬底310的面对显示衬底10的表面上。
105.第二滤色器233和第三滤色器235可分别与第二透光区域ta2和第三透光区域ta3
重叠。在一个或多个示例性实施方式中，第二滤色器233的一侧可与第一遮光区域ba1重叠，并且可在第一颜色图案251和第一遮光构件221上，以及第二滤色器233的另一侧可与第二遮光区域ba2重叠，并且可在第二颜色图案252和第二遮光构件222上。
106.在一个或多个示例性实施方式中，第三滤色器235的一侧可与第二遮光区域ba2重叠，并且可在第二颜色图案252和第二遮光构件222上，以及第三滤色器235的另一侧可与第三遮光区域ba3重叠，并且可在第三颜色图案253和第三遮光构件223上。
107.第二滤色器233可阻挡或吸收(例如，减少)第一颜色光(例如，蓝光)。例如，第二滤色器233可用作能够阻挡或减少蓝光的蓝色滤色器。第二滤色器233可选择性地透射通过其的第二颜色光(例如，红光)，并且可阻挡或吸收第一颜色光和第三颜色光(例如，绿光)(例如，减少第一颜色光和第三颜色光的透射)。在一个或多个示例性实施方式中，第二滤色器233可以是红色滤色器，并且可包括诸如红色染料和/或红色颜料的红色着色剂。
108.第三滤色器235可阻挡或吸收第一颜色光(例如，减少第一颜色光的透射)。例如，第三滤色器235也可用作能够阻挡或减少蓝光的蓝色滤色器。第三滤色器235可选择性地透射通过其的第三颜色光，并且可阻挡或吸收第一颜色光和第二颜色光(例如，减少第一颜色光和第二颜色光的透射)。在一个或多个示例性实施方式中，第三滤色器235可以是绿色滤色器，并且可包括诸如绿色染料和/或绿色颜料的绿色着色剂。
109.如图4中所示，覆盖遮光构件220、颜色图案250以及第一滤色器231、第二滤色器233和第三滤色器235的第一封盖层391可在第二衬底310的表面上。第一封盖层391可防止或减少由来自外部的诸如湿气和/或空气的杂质对第一滤色器231、第二滤色器233和第三滤色器235的损坏或对它们的污染。在一个或多个实施方式中，第一封盖层391可防止或减少第一滤色器231、第二滤色器233和第三滤色器235的着色剂扩散到其它元件中。第一封盖层391可与第一滤色器231、第二滤色器233和第三滤色器235的表面(例如，底表面)直接接触(例如，物理接触)。
110.第一封盖层391可由无机材料形成。在一个或多个示例性实施方式中，第一封盖层391可包括硅氮化物、铝氮化物、锆氮化物、钛氮化物、铪氮化物、钽氮化物、硅氧化物、铝氧化物、钛氧化物、锡氧化物和/或硅氮氧化物。
111.透光图案330可在第一封盖层391上。在一个或多个示例性实施方式中，透光图案330可通过施加感光材料并对感光材料进行曝光和显影来形成，但是本公开不限于此。在另一示例中，透光图案330、第一波长转换图案340和第二波长转换图案350可通过喷墨打印形成。
112.透光图案330可在第一封盖层391上并且可与第一透光区域ta1重叠。透光图案330可透射通过其的入射光。来自第一led“ed1”的发射光l1可以是蓝光。发射光l1可通过透光图案330和第一滤色器231发射出显示装置1。例如，从第一透光区域ta1发射的第一光la可以是蓝光。
113.在一个或多个示例性实施方式中，透光图案330可包括第一基础树脂331，并且还可包括分散在第一基础树脂331中的第一散射体333。
114.第一基础树脂331可由具有高透光率的材料形成。在一个或多个示例性实施方式中，第一基础树脂331可由有机材料形成。第一基础树脂331可包括诸如例如环氧树脂、丙烯酸树脂、卡多(cardo)树脂和/或酰亚胺树脂的有机材料。
115.第一散射体333可具有与第一基础树脂331不同的折射率，并且可与第一基础树脂331形成光学界面。在一个或多个示例性实施方式中，第一散射体333可以是光散射颗粒。第一散射体333的材料不受特别限制，只要其能够适当地散射发射光l1中的至少一些即可。第一散射体333可以是例如金属氧化物的颗粒和/或有机材料的颗粒。金属氧化物可以是例如tio2、锆氧化物(zro2)、铝氧化物(al2o3)、铟氧化物(in2o3)、zno和/或锡氧化物(sno2)，以及有机材料可以是例如丙烯酸树脂和/或聚氨酯树脂。不管入射光的入射方向如何，第一散射体333可在随机(各种)方向上散射入射光，而基本上不改变穿过透光图案330的入射光的波长。
116.第一波长转换图案340和第二波长转换图案350可在第一封盖层391上。
117.第一波长转换图案340可在第一封盖层391上并且可与第二透光区域ta2重叠。第一波长转换图案340可将入射光的峰值波长转换或移位为设定或特定的峰值波长。在一个或多个示例性实施方式中，第一波长转换图案340可将来自第二led“ed2”的发射光l1转换为具有约610nm至约650nm的峰值波长的红光，并且可发射红光。例如，从第二透光区域ta2发射的第二光lb可以是红光。
118.第一波长转换图案340可包括第二基础树脂341和分散在第二基础树脂341中的第一波长移位器345，并且还可包括也分散在第二基础树脂341中的第二散射体343。
119.第二基础树脂341可由具有高透光率的材料形成。在一个或多个示例性实施方式中，第二基础树脂341可由有机材料形成。第二基础树脂341可由与第一基础树脂331相同的材料形成，或者可包括第一基础树脂331中可包括的上述材料中的至少一种，但是本公开不限于此。
120.第一波长移位器345可将入射光的峰值波长转换或移位为设定或特定的峰值波长。在一个或多个示例性实施方式中，第一波长移位器345可将来自第二led“ed2”的第一颜色光(例如，蓝光)转换为具有约610nm至约650nm的单峰值波长的红光，并且可发射红光。
121.第一波长移位器345的示例包括量子点、量子棒和磷光体。在一个或多个示例性实施方式中，量子点可以是响应于电子从导带跃迁到价带而发射特定颜色的光的颗粒材料。
122.量子点可以是半导体纳米晶体材料。因为量子点根据其组成和尺寸具有设定或预定的带隙，所以量子点吸收光并发射设定或预定波长的光。半导体纳米晶体材料可包括iv族元素和化合物、ii-vi族化合物、iii-v族化合物、iv-vi族化合物或其任何组合。
123.ii-vi族化合物可选自由以下组成的组：选自cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、mgse、mgs及其混合物中的二元化合物；选自inznp、agins、cuins、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、mgznse、mgzns及其混合物中的三元化合物；以及选自hgzntes、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete、hgznste及其混合物中的四元化合物。
124.iii-v族化合物可选自由以下组成的组：选自gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb及其混合物中的二元化合物；选自ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、ingap、innp、inalp、innas、innsb、inpas、inpsb及其混合物中的三元化合物；以及选自gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas、inalpsb及其的
混合物中的四元化合物。
125.iv-vi族化合物可选自由以下组成的组：选自sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte及其混合物中的二元化合物；选自snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte及其混合物中的三元化合物；以及选自snpbsse、snpbsete、snpbste及其混合物中的四元化合物。iv族元素可选自由si、ge及其混合物组成的组。iv族化合物可以是选自sic、sige及其混合物中的二元化合物。
126.这些二元化合物、三元化合物和/或四元化合物可以以均匀的浓度或部分不同的浓度存在于颗粒中。量子点可具有其中一个量子点围绕另一量子点的核-壳结构。量子点的核与壳之间的界面可具有浓度梯度，在该浓度梯度中，量子点的壳中的元素的浓度朝向量子点的壳的中央逐渐减小。
127.在一个或多个示例性实施方式中，量子点可具有包括核和壳的核-壳结构(例如，由核和壳组成)，其中，核包括上述半导体纳米晶体材料，以及壳围绕核(例如，在核周围)。量子点的壳可用作保护层，用于通过防止或减少量子点的核的化学变性来保持量子点的半导体特性，和/或用作充电层，用于向量子点赋予电泳特性。量子点的壳可具有单层结构或多层结构。相应量子点的核与壳之间的界面可具有浓度梯度，在该浓度梯度中，在量子点的壳处的元素的浓度朝向相应量子点的壳的中央逐渐减小。量子点的壳可包括金属氧化物、非金属氧化物、半导体化合物或其组合。
128.在一个或多个示例性实施方式中，金属氧化物和非金属氧化物可各自独立地为诸如sio2、al2o3、tio2、zno、mno、mn2o3、mn3o4、cuo、feo、fe2o3、fe3o4、coo、co3o4和/或nio的二元化合物和/或诸如mgal2o4、cofe2o4、nife2o4和/或comn2o4的三元化合物，但是本公开不限于此。
129.在一个或多个示例性实施方式中，半导体化合物可以是cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、znses、zntes、gaas、gap、gasb、hgs、hgse、hgte、inas、inp、ingap、insb、alas、alp和/或alsb，但是本公开不限于此。
130.由第一波长移位器345发射的光可具有约45nm或更小、约40nm或更小或者约30nm或更小的半峰全宽(fwhm)，并且因此，可进一步改善由显示装置1显示的颜色的纯度和显示装置1的颜色再现性。此外，第一波长移位器345可在各个方向上发射光，而与光的入射方向无关。可改善在第二透光区域ta2中显示的第二颜色的侧部可视性。
131.来自第二led“ed2”的发射光l1中一些可通过第一波长转换图案340发射，而不被第一波长移位器345转换成红光。在来自第二led“ed2”的发射光l1的光束中，穿过第一波长转换图案340的蓝光可被第二滤色器233阻挡。由第一波长转换图案340从来自第二led“ed2”的发射光l1获得的红光可通过第二滤色器233发射出显示装置1。例如，从第二透光区域ta2发射的第二光lb可以是红光。
132.第二散射体343可具有与第二基础树脂341不同的折射率，并且可与第二基础树脂341形成光学界面。在一个或多个示例性实施方式中，第二散射体343可包括光散射颗粒。第二散射体343与第一散射体333基本上相同或相似，并且因此将省略其详细描述。
133.第二波长转换图案350可在第一封盖层391上并且可与第三透光区域ta3重叠。第二波长转换图案350可将入射光的峰值波长转换或移动为特定的峰值波长。在一个或多个示例性实施方式中，第二波长转换图案350可将来自第三led“ed3”的发射光l1转换为具有
约510nm至约550nm的峰值波长的绿光，并且可发射绿光。例如，从第三透光区域ta3发射的第三光lc可以是绿光。
134.第二波长转换图案350可包括第三基础树脂351和分散在第三基础树脂351中的第二波长移位器355，并且还可包括也分散在第三基础树脂351中的第三散射体353。
135.第三基础树脂351可由具有高透光率的材料形成。在一个或多个示例性实施方式中，第三基础树脂351可由有机材料形成。第三基础树脂351可由与第一基础树脂331相同的材料形成，或者可包括第一基础树脂331中可包括的上述材料中的至少一种，但是本公开不限于此。
136.第二波长移位器355可将入射光的峰值波长转换或移位为设定或特定的峰值波长。在一个或多个示例性实施方式中，第二波长移位器355可将具有约440nm至约480nm的峰值波长的蓝光转换为具有约510nm至约550nm的峰值波长的绿光。
137.第二波长移位器355的示例包括量子点、量子棒和磷光体。第二波长移位器355与第一波长移位器345基本上相同或相似，并且因此，将省略其详细描述。
138.第三散射体353可具有与第三基础树脂351不同的折射率，并且可与第三基础树脂351形成光学界面。在一个或多个示例性实施方式中，第三散射体353可包括光散射颗粒。第三散射体353与第一散射体333基本上相同或相似，并且因此，将省略其详细描述。
139.来自第三led“ed3”的发射光l1可提供给第二波长转换图案350，并且第二波长移位器355可将来自第三led“ed3”的发射光l1转换为具有约510nm至约550nm的峰值波长的绿光，并且可发射绿光。
140.来自第三led“ed3”的发射光l1中的一些可通过第二波长转换图案350发射，而不被第二波长移位器355转换为绿光。在来自第三led“ed3”的发射光l1的光束中，穿过第二波长转换图案350的蓝光可被第三滤色器235阻挡。由第二波长转换图案350从来自第三led“ed3”的发射光l1获得的绿光可通过第三滤色器235发射出显示装置1。例如，从第三透光区域ta3发射的第三光lc可以是绿光。
141.如果发射光l1是深蓝光和浅蓝光的混合，并且具有长波长分量和短波长分量两者，则可延长入射到第二波长转换图案350上的发射光的移动路径。因此，可增加提供给第二波长移位器355的发射光l1的量和第二波长转换图案350的光转换效率。因此，可进一步改善显示装置1的颜色再现性。
142.如图4中所示，第二封盖层392可在透光图案330、第一波长转换图案340和第二波长转换图案350上。第二封盖层392可覆盖透光图案330、第一波长转换图案340和第二波长转换图案350。第二封盖层392可与第一封盖层391接触并且可密封透光图案330、第一波长转换图案340和第二波长转换图案350。因此，可防止或减少由来自外部的诸如湿气和/或空气的杂质对透光图案330、第一波长转换图案340和第二波长转换图案350的损坏以及对它们的污染。
143.第二封盖层392可由无机材料形成。在一个或多个示例性实施方式中，第一封盖层391可包括硅氮化物、铝氮化物、锆氮化物、钛氮化物、铪氮化物、钽氮化物、硅氧化物、铝氧化物、钛氧化物、锡氧化物和/或硅氮氧化物。
144.在第一封盖层391和第二封盖层392两者都由无机材料形成的情况下，可在第一封盖层391和第二封盖层392彼此直接接触(例如，物理接触)的区中形成无机-无机键，并且因
此，可有效地防止或减少来自外部的湿气和/或空气的渗透。
145.如图4中所示，防混色构件370(例如，减混色构件370)可在第二封盖层392上。防混色构件370(例如，减混色构件370)可在遮光区域ba中以阻挡或减少光的透射。例如，防混色构件370(例如，减混色构件370)可在透光图案330与第一波长转换图案340之间以及第一波长转换图案340与第二波长转换图案350之间，以防止或减少每对相邻的透光区域之间的混色(例如，不期望的混色)。
146.防混色构件370(例如，减混色构件370)可包括有机遮光材料，并且可通过涂覆有机遮光材料并且对有机遮光材料进行曝光(例如，光曝光)来形成。在一个或多个示例性实施方式中，防混色构件370(例如，减混色构件370)可包括遮光颜料和/或染料，并且可以是黑矩阵。
147.填充件70可在颜色转换衬底30与显示衬底10之间的空间中。如图4中所示，填充件70可在第二封盖层392与薄膜封装层170之间以及防混色构件370(例如，减混色构件370)与薄膜封装层170之间。填充件70可与第二封盖层392和防混色构件370(例如，减混色构件370)直接接触(例如，物理接触)。
148.图5是图1的显示装置的像素的剖视图。图6是根据本公开的一个或多个实施方式的发光元件的立体图。图7是图5的区域a的放大剖视图。图8是图5的像素的平面图。图9是图1的显示装置的另一像素的剖视图。
149.参考图5，显示装置1可包括在第一像素电极pe1与公共电极ce之间的多个发光元件ned。发光元件ned可在第三方向dr3上定位成彼此间隔开，并且可基本上彼此平行地对准。发光元件ned可在一个方向上延伸，并且发光元件ned在其中延伸的方向可与第一像素电极pe1的顶表面交叉(例如，可与第一像素电极pe1的顶表面基本上垂直)。然而，本公开不限于此。在一个或多个实施方式中，发光元件ned可相对于第一像素电极pe1的顶表面对角地定位。
150.发光元件ned中的每个可包括掺杂有不同导电类型的掺杂剂的半导体层。发光元件ned中的每个可包括多个半导体层并且可在第一像素电极pe1上对准，使得其一个端部部分可在设定或特定方向上定向。发光元件ned中的每个可包括发光层，并且因此可发射设定或特定波长范围的光。发光元件ned可根据其发光层的材料而发射不同波长范围的光，但是本公开不限于此。在一个或多个实施方式中，发光元件ned可发射相同颜色的光。
151.发光元件ned可在由堤部150限定的空间中在第一像素电极pe1上。在一个或多个示例性实施方式中，发光元件ned的第一端部部分可面对第一像素电极pe1，以及发光元件ned的第二端部部分可面对公共电极ce。发光元件ned的长度可小于堤部150的厚度。
152.在发光元件ned中的每个中，可在与第一像素电极pe1的顶表面交叉(例如，垂直)的方向上布置多个层。发光元件ned可定位成使得发光元件ned在其中延伸的方向可与第一像素电极pe1的顶表面交叉(例如，可与第一像素电极pe1的顶表面垂直)，并且包括在发光元件ned中的每个中的多个半导体层可在第三方向dr3上依次布置，该第三方向dr3与第一像素电极pe1的顶表面交叉(例如，垂直)。然而，本公开不限于此。在一个或多个实施方式中，包括在发光元件ned中的每个中的多个半导体层可布置在与第一像素电极pe1的顶表面基本上平行的方向上。
153.发光元件ned中的每个的两个端部部分可与第一像素电极pe1或公共电极ce接触。
当半导体层或电极层的部分在长度方向上在发光元件ned中的每个的任一端表面上暴露时，半导体层或电极层的暴露部分可与第一像素电极pe1或公共电极ce接触(例如，物理接触)，但是本公开不限于此。
154.参考图6，发光元件ned可以是led，例如，具有几微米或纳米的尺寸的无机led。
155.发光元件ned可具有在一个方向上延伸的形状。发光元件ned可具有圆柱体、棒、线和/或管的形状，但是发光元件ned的形状不受特别限制。在一个或多个实施方式中，发光元件ned可具有诸如规则的立方体、长方体或六边形柱的多边形柱的形状，或者可具有在一个方向上延伸但具有部分倾斜的外表面的形状。包括在发光元件ned中的多个半导体可在其中发光元件ned延伸的方向上依次堆叠。
156.发光元件ned可包括掺杂有设定导电类型(例如，p型或n型)的杂质的半导体层。半导体层可从外部电源接收电信号以发射特定波长范围的光。
157.参考图6，发光元件ned可包括第一半导体层31、第二半导体层32、发光层36、电极层37和绝缘膜38。
158.第一半导体层31可包括n型半导体。在发光元件ned发射蓝色波长范围的光的实施方式中，第一半导体层31可包括例如al
x
gayin
1-x-y
n(其中0≤x≤1、0≤y≤1且0≤x y≤1)的半导体材料，并且al
x
gayin
1-x-y
n可以是例如选自掺杂有n型掺杂剂的algainn、gan、algan、gainn、aln和inn中的至少一种。第一半导体层31可掺杂有n型掺杂剂，并且n型掺杂剂可以是si、ge、se或sn。例如，第一半导体层31可以是掺杂有n型si的n-gan。第一半导体层31可具有约1.5μm至约5μm的长度，但是本公开不限于此。
159.第二半导体层32在发光层36上。第二半导体层32可包括p型半导体。在发光元件ned发射蓝色或绿色波长范围的光的实施方式中，第二半导体层32可包括例如al
x
gayin
1-x-y
n(其中0≤x≤1、0≤y≤1且0≤x y≤1)的半导体材料，并且al
x
gayin
1-x-y
n可以是例如选自掺杂有p型掺杂剂的algainn、gan、algan、gainn、aln和inn中的至少一种。第二半导体层32可掺杂有p型掺杂剂，并且p型掺杂剂可以是mg、zn、ca或ba。例如，第二半导体层32可以是掺杂有p型mg的p-gan。第二半导体层32可具有约0.05μm至约0.10μm的长度，但是本公开不限于此。
160.图6示出了第一半导体层31和第二半导体层32形成为单层，但是本公开不限于此。在一个或多个实施方式中，第一半导体层31和第二半导体层32中的每个可包括多于一个的层。在一个或多个示例性实施方式中，根据发光层36的材料，第一半导体层31和第二半导体层32中的每个还可包括例如包覆层和/或拉伸应变势垒减小(tsbr)层。
161.发光层36在第一半导体层31与第二半导体层32之间。发光层36可包括单量子阱结构材料或多量子阱结构材料。在发光层36包括具有多量子阱结构的材料的情况下，发光层36可具有其中多个量子层和多个阱层交替堆叠的结构。发光层36可通过根据经由第一半导体层31和第二半导体层32施加到发光层36的电信号复合电子-空穴对来发射光。在发光层36发射蓝色波长范围的光的情况下，量子层可包括诸如algan和/或algainn的材料。例如，在发光层36具有其中多个量子层和多个阱层交替堆叠的多量子阱结构的实施方式中，量子层可包括诸如algan和/或algainn的材料，并且阱层可包括诸如gan和/或alinn的材料。例如，在发光层36包括algainn作为其量子层和alinn作为其阱层的实施方式中，发光层36可发射具有约450nm至约495nm的中央波长范围的蓝光。
162.然而，本公开不限于此。在一个或多个实施方式中，根据要发射的光的波长，发光层36可具有其中具有大带隙能量的半导体材料和具有小带隙能量的半导体材料交替堆叠的结构，或者可包括iii族或v族半导体材料。由发光层36发射的光的类型(例如，颜色)不受特别限制。发光层36可按需要(或期望)发射红色或绿色波长范围的光，而不是蓝光。发光层36可具有约0.05μm至约0.10μm的长度，但是本公开不限于此。
163.光不仅可在长度方向上从发光元件ned的圆周表面发射，而且可在长度方向上从发光元件ned的两侧发射。从发光层36发射的光的方向性不受特别限制。
164.电极层37可以是欧姆接触电极，但是本公开不限于此。在一个或多个实施方式中，电极层37可以是肖特基(schottky)接触电极。发光元件ned可包括至少一个电极层37。图6示出了发光元件ned包括一个电极层37，但是本公开不限于此。在一个或多个实施方式中，发光元件ned可包括多于一个的电极层37，或者可不设置电极层37。此外，图6示出了电极层37在第二半导体层32的一侧上，但是本公开不限于此。在一个或多个实施方式中，电极层37可在第一半导体层31的一侧上，或者在第一半导体层31的一侧和第二半导体层32的一侧两者上。
165.当发光元件ned电连接(例如，电联接)到电极(或接触电极)时，电极层37可减小发光元件ned与电极(或接触电极)之间的电阻。电极层37可包括导电金属。例如，电极层37可包括选自al、ti、in、au、ag、ito、izo和itzo中的至少一种。在一个或多个实施方式中，电极层37可包括掺杂有n型或p型掺杂剂的半导体材料。电极层37可包括相同的材料或不同的材料，但是本公开不限于此。
166.绝缘膜38可围绕第一半导体层31和第二半导体层32、发光层36以及电极层37。例如，绝缘膜38可至少围绕发光层36并且可在其中发光元件ned延伸的方向上延伸。绝缘膜38可保护第一半导体层31、发光层36、第二半导体层32和电极层37。例如，绝缘膜38可形成为围绕第一半导体层31、发光层36、第二半导体层32和电极层37的侧部，但是在长度方向上暴露发光元件ned的两个端部部分。
167.图6示出了绝缘膜38形成为在发光元件ned的长度方向上延伸并覆盖第一半导体层31、发光层36、第二半导体层32和电极层37的侧部，但是本公开不限于此。绝缘膜38可仅覆盖第一半导体层31和第二半导体层32中的一些以及发光层36的侧部，或者可仅覆盖电极层37的侧部的部分，使得电极层37的侧部可部分地暴露。在剖视图中，绝缘膜38可形成为在与发光元件ned的至少一个端部相邻的区中是圆形的(例如，可具有圆形剖面)。
168.绝缘膜38可具有约10nm至约1.0μm的厚度，但是本公开不限于此。在一个或多个实施方式中，绝缘膜38可具有约40nm的厚度。
169.绝缘膜38可包括具有绝缘特性的材料，诸如例如sio
x
、sin
x
、sio
x
ny、aln和/或al2o3。因此，绝缘膜38可防止或减小当发光层36被放置成与将电信号直接传输到发光元件ned的电极直接接触(例如，物理接触)时可能发生的任何短路的风险。此外，因为绝缘膜38包括(例如，围绕)发光层36以保护发光元件ned的外表面，所以可防止或减小发光元件ned的发射效率的任何劣化。
170.可对绝缘膜38的外表面进行表面处理。发光元件ned可以以分散在设定或预定油墨中的状态喷涂在电极上。这里，可对绝缘膜38的表面进行疏水或亲水处理，以保持发光元件ned分散在油墨中，而不会与其它相邻的发光元件ned聚结。例如，绝缘膜38可用诸如硬脂
酸和/或2,3-萘二甲酸的材料进行表面处理。
171.再次参考图5，导电聚合物层cpo可在第一像素电极pe1上，以填充多个发光元件ned中的相邻的发光元件之间的间隙。导电聚合物层cpo可在暴露第一像素电极pe1的部分的开口op中。例如，导电聚合物层cpo可在开口op中在第一像素电极pe1上。导电聚合物层cpo可在第一像素电极pe1上覆盖发光元件ned中的每个的至少一个端部部分。导电聚合物层cpo可填充堤部150的开口op以覆盖发光元件ned中的每个的至少一个端部部分。导电聚合物层cpo可改善第一像素电极pe1与发光元件ned之间的接触。由于第一像素电极pe1和发光元件ned由无机材料形成，因此第一像素电极pe1和发光元件ned上的导电聚合物层cpo改善第一像素电极pe1与发光元件ned之间的电接触。
172.导电聚合物层cpo可由透明聚合物材料形成，该透明聚合物材料具有导电性并且能够透射通过其的光。在一个或多个示例性实施方式中，可使用具有与第一像素电极pe1相似的电特性的导电聚合物材料来形成导电聚合物层cpo。在一个或多个示例性实施方式中，pedot:pss可用于形成导电聚合物层cpo，以减少与第一像素电极pe1的电异质性，但是本公开不限于此。在另一示例中，可使用聚对亚苯基、聚吡咯、聚噻吩、聚异硫茚、聚苯胺、聚乙炔和/或聚并苯来形成导电聚合物层cpo。
173.绝缘层inl可在导电聚合物层cpo上，以填充多个发光元件ned中的相邻的发光元件之间的间隙。绝缘层inl可在导电聚合物层cpo上在堤部150的开口op中。绝缘层inl可覆盖发光元件ned的在导电聚合物层cpo的顶表面上方突出的的至少部分。绝缘层inl可填充堤部150的开口op以覆盖发光元件ned的至少部分。绝缘层inl可通过填充导电聚合物层cpo与发光元件ned之间的高度差来改善公共电极ce的成膜特性，其中发光元件ned在导电聚合物层cpo的顶表面上方突出。此外，绝缘层inl可固定发光元件ned(例如，将发光元件ned固定就位)，使得发光元件ned可与第一像素电极pe1基本上竖直对准。此外，绝缘层inl可通过增加第一像素电极pe1与公共电极ce之间的距离来最小化或减小第一像素电极pe1与公共电极ce之间的电容。
174.绝缘层inl可由透明有机绝缘材料形成，该透明有机绝缘材料具有绝缘特性并且能够透射通过其的光。透明有机绝缘材料可以是例如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯树脂、聚苯硫醚树脂和/或bcb，但是本公开不限于此。在一个或多个实施方式中，绝缘层inl可由透明无机绝缘材料形成。
175.公共电极ce可在绝缘层inl和发光元件ned上。公共电极ce可形成在整个第一衬底110上，并且可在堤部150、绝缘层inl和发光元件ned上。公共电极ce可与发光元件ned的定位在公共电极ce下方的第二端部部分接触。由于发光元件ned的第一端部部分与第一像素电极pe1接触并且发光元件ned的第二端部部分与公共电极ce接触，因此发光元件ned可发射光。
176.因为发光元件ned、导电聚合物层cpo和绝缘层inl在第一像素电极pe1与公共电极ce之间，所以发光元件ned可根据施加到第一像素电极pe1和公共电极ce的电流而发射光。
177.参考图7，导电聚合物层cpo和绝缘层inl中的每个可具有相对于发光元件ned的长度l的设定或预定厚度。发光元件ned可相对于参考线rl划分为下部分lp和上部分up，该参考线rl与长度l方向交叉并且穿过发光元件ned的长度l的约50％。下部分lp可以是发光元件ned的与第一像素电极pe1相邻的部分，以及上部分up可以是发光元件ned的与公共电极
ce相邻的部分。
178.导电聚合物层cpo可覆盖下部分lp的至少部分并且与下部分lp的该至少部分接触。导电聚合物层cpo可固定发光元件ned(例如，将发光元件ned固定就位)，并且可改善第一像素电极pe1与发光元件ned之间的电接触。为此，导电聚合物层cpo的厚度tt1可以是发光元件ned的长度l的约20％至约40％。如果导电聚合物层cpo的厚度tt1是发光元件ned的长度l的20％或更大，则可改善发光元件ned与第一像素电极pe1之间的电接触，并且可适当地固定发光元件ned。如果导电聚合物层cpo的厚度tt1是发光元件ned的长度l的40％或更小，则可减小第一像素电极pe1与公共电极ce之间的距离，使得可防止或减小第一像素电极pe1与公共电极ce之间的电容的增加。
179.绝缘层inl可覆盖下部分lp的至少部分和上部分up的至少部分，并且与下部分lp的该至少部分和上部分up的该至少部分接触。绝缘层inl可最小化或减小第一像素电极pe1与公共电极ce之间的电容。为此，绝缘层inl的厚度tt2可以是发光元件ned的长度l的约40％至约70％。如果绝缘层inl的厚度tt2是发光元件ned的长度l的40％或更大，则可加宽第一像素电极pe1与公共电极ce之间的距离，并且因此，可最小化或减小第一像素电极pe1与公共电极ce之间的电容。如果绝缘层inl的厚度tt2是发光元件ned的长度l的70％或更小，则可减小导电聚合物层cpo的厚度，使得可防止或减小发光元件ned与第一像素电极pe1之间的电接触的劣化。
180.参考图8，多个发光元件ned可随机地(例如，彼此以不规则的间隔)定位在第一像素电极pe1上。发光元件ned可具有基本上相同的直径并且可随机定位。如将在下文中描述的，发光元件ned可在油墨中混合并且因此可随机定位，但是本公开不限于此。在一个或多个实施方式中，发光元件ned中的至少一些可规则地(例如，彼此以规则的间隔)布置。
181.再次参考图5和图7，发光元件ned的至少部分可在绝缘层inl的顶表面上方突出。发光元件ned的第二端部部分可在绝缘层inl的顶表面上方突出，以便于与公共电极ce接触。公共电极ce可覆盖发光元件ned的突出的第二端部部分，并且因此可容易地(或适当地)与发光元件ned接触。
182.参考图9，发光元件ned的第二端部部分可与绝缘层inl的顶表面对准。例如，绝缘层inl可暴露发光元件ned的端表面，并且可覆盖发光元件ned的在发光元件ned的长度方向上延伸的侧表面。因此，发光元件ned的端表面可与绝缘层inl的顶表面对准。堆叠在绝缘层inl和发光元件ned上的公共电极ce可变为(例如，可制成)平坦的，使得可改善公共电极ce的成膜特性。
183.图10是根据本公开的另一实施方式的显示装置的像素的剖视图。图11是图10的区域b的放大剖视图。
184.参考图10和图11，图10和图11的显示装置1与图1的显示装置1的不同之处在于：图10和图11的显示装置1还包括反射电极rfl，并且对于其第一像素电极pe1具有与图1的显示装置1不同的材料。
185.参考图10，反射电极rfl可在第一像素电极pe1和堤部150上。例如，反射电极rfl可在第一像素电极pe1与发光元件ned之间，使得反射电极rfl的底表面可与第一像素电极pe1接触，并且反射电极rfl的顶表面可与发光元件ned接触。反射电极rfl可在堤部150的侧表面的至少部分上以与堤部150接触。反射电极rfl可形成为不与堤部150的顶表面接触并且
在不同像素之间隔离开的岛状图案。
186.反射电极rfl可在向上方向上反射由发光元件ned发射的光。当发光元件ned布置为与第一像素电极pe1交叉(例如，垂直)时，相对大量的光可在与发光元件ned的长度方向交叉(例如，垂直)的方向上被发射，并且可能变为丢失。因此，反射电极rfl可设置在堤部150的侧表面和第一像素电极pe1的顶表面上，从而防止或减少光的损失。
187.导电聚合物层cpo可覆盖反射电极rfl，并且反射电极rfl的端部部分可在导电聚合物层cpo的顶表面上方突出。反射电极rfl的突出的端部部分可被设置在导电聚合物层cpo上的绝缘层inl覆盖和绝缘。因此，可防止或减少反射电极rfl到公共电极ce的电连接(例如，不期望的电连接)。
188.当反射电极rfl与发光元件ned的第一端部部分直接接触(例如，物理接触)时，反射电极rfl可用作阳极。为此，反射电极rfl可包括透明导电层rf2，该透明导电层rf2与发光元件ned的第一端部部分接触。
189.参考图11，第一像素电极pe1可由低电阻金属材料形成。第一像素电极pe1可传输由第一开关元件t1提供的电流，并且可不用作阳极。因此，第一像素电极pe1可由诸如例如al、钛(ti)、in、au和/或ag的金属材料形成。
190.因为在第一像素电极pe1上的反射电极rfl与发光元件ned直接接触(例如，物理接触)，所以反射电极rfl可基本上用作阳极。为此，反射电极rfl可具有其中反射层rf1和透明导电层rf2堆叠的结构。反射层rf1可形成反射电极rfl的下层，以及透明导电层rf2可形成反射电极rfl的上层。例如，反射电极rfl可形成为具有其中透明导电层rf2在反射层rf1上的结构。
191.反射层rf1可由具有优异反射率的诸如例如ag、mg、al、pt、pb、au、ni、nd、ir、cr、li、ca或其合金的金属材料形成。透明导电层rf2可由具有高功函数的tco形成。透明导电层rf2可由例如ito、izo、zno和/或in2o3形成。反射电极rfl可具有例如ito/mg、ito/mgf2或ito/ag的双层结构，但是本公开不限于此。在一个或多个实施方式中，反射电极rfl可具有ito/ag/ito的多层结构。
192.因为显示装置1还包括在第一像素电极pe1与发光元件ned之间的反射电极rfl，所以可防止或减少光的损失，并且可改善显示装置1的发射效率。
193.下文中将描述根据本公开的一个或多个实施方式的制造显示装置的方法。
194.图12是示出根据本公开的一个或多个实施方式的制造显示装置的方法的流程图。
195.参考图12，该方法可包括：在基础衬底上生长多个发光元件棒(s10)；在发光元件棒上附着包括致孔剂的聚合物膜(s20)；通过对基础衬底进行热处理以熔化聚合物膜，形成围绕发光元件棒的端部部分的聚合物层(s30)；通过将发光元件棒分开形成发光元件，并且将发光元件混合到包括导电聚合物的发光元件油墨中(s40)；制备包括第一电极的目标衬底(例如，第一衬底)，并且将发光元件油墨施加在第一电极上(s50)；通过干燥发光元件油墨将导电聚合物层和发光元件对准在第一电极上(s60)；在导电聚合物层上形成绝缘层(s70)；从发光元件去除聚合物层(s80)；以及在发光元件上形成第二电极(s90)。
196.下文中将参考图13至图25更详细地描述图12的方法。
197.图13至图25是示出图12的方法的剖视图。图13至图25示出了如何制造图5的显示装置1，并且将不提供或将简化上文已经参考图5描述的元件或特征的描述。
198.参考图13，可在基础衬底410上生长多个发光元件棒(s10)。基础衬底410可包括蓝宝石(al2o3)衬底或诸如玻璃衬底的透明衬底，但是本公开不限于此。在一个或多个实施方式中，基础衬底410可形成为包括gan、sic、zno、si、gap和/或gaas的导电衬底。下文中将描述基础衬底410是蓝宝石衬底。基础衬底410的厚度不受特别限制。在一个或多个示例性实施方式中，基础衬底410可具有约400μm至约1500μm的厚度。
199.此后，在基础衬底410上形成缓冲层430。缓冲层430被示出为单层，但是本公开不限于此。在一个或多个实施方式中，缓冲层430可形成为多层。缓冲层430可减小基础衬底410与下文中将描述的第一半导体材料层之间的晶格常数差。
200.在一个或多个示例性实施方式中，缓冲层430可包括未掺杂半导体并且可包括与第一半导体材料层基本上相同的材料，例如，未掺杂n型或p型掺杂剂的材料。在一个或多个示例性实施方式中，缓冲层430可包括选自未掺杂的algainn、gan、algan、gainn、aln和inn中的至少一种，但是本公开不限于此。根据基础衬底410，可不设置缓冲层430。下文中将描述在基础衬底410上形成包括未掺杂半导体的缓冲层430。
201.此后，在缓冲层430上形成包括第一半导体材料层510、发光材料层520、第二半导体材料层530和电极材料层540的半导体结构500。半导体结构500可包括第一半导体材料层510、在第一半导体材料层510上的发光材料层520、在发光材料层520上的第二半导体材料层530、以及在第二半导体材料层530上的电极材料层540。包括在半导体结构500中的多个材料层可通过一个或多个合适的工艺形成，并且可与包括在上面描述的发光元件ned中的每个中的多个层相对应。例如，第一半导体材料层510、发光材料层520、第二半导体材料层530和电极材料层540可分别包括与上面描述的发光元件ned中的每个的第一半导体层31、发光层36、第二半导体层32和电极层37相同的材料。
202.此后，参考图14，在半导体结构500上形成多个掩模图案msp。例如，其上形成有半导体结构500的基础衬底410涂覆有光刻胶，并且然后进行曝光(例如，光曝光)和显影，从而形成掩模图案msp。掩模图案msp在平面图中可具有圆形形状，但是本公开不限于此。掩模图案msp的形状可根据发光元件ned的形状而变化。
203.此后，参考图15，通过使用掩模图案msp去除半导体结构500的部分来形成发光元件棒570。半导体结构500可通过任何合适的方法蚀刻。在一个或多个示例性实施方式中，半导体结构500可沿着掩模图案msp在与基础衬底410交叉(例如，垂直)的方向上蚀刻。
204.在一个或多个示例性实施方式中，半导体结构500的蚀刻可通过干法蚀刻、湿法蚀刻、反应离子蚀刻(rie)和/或电感耦合等离子体-rce(icp-rie)来执行。半导体结构500可通过干法蚀刻来蚀刻，干法蚀刻是各向异性蚀刻，并且因此可适于竖直蚀刻。在该示例中，cl2或o2可用作蚀刻剂。然而，本公开不限于该示例。在一些实施方式中，半导体结构500可通过干法蚀刻和湿法蚀刻两者来蚀刻。在一个或多个示例性实施方式中，半导体结构500可首先通过干法蚀刻在深度方向上蚀刻，并且然后可通过湿法蚀刻(湿法蚀刻为各向同性蚀刻)来蚀刻，使得半导体结构500的经蚀刻侧壁可放置在与缓冲层430的表面交叉(例如，垂直)的平面上。在去除半导体结构500的部分期间，可不蚀刻缓冲层430。可剥离保留在发光元件棒570上的掩模图案msp。
205.此后，参考图16，可在基础衬底410上形成绝缘材料层580，以围绕形成为彼此间隔开的发光元件棒570的外表面。绝缘材料层580可在后续工艺中被部分蚀刻，从而形成绝缘
膜590(如图17中所示)。绝缘材料层580可围绕缓冲层430的顶表面和发光元件棒570的外表面。因此，绝缘材料层580可围绕发光元件棒570中的每个中的第一半导体材料层510、发光材料层520、第二半导体材料层530和电极材料层540的外表面。
206.绝缘材料层580可通过将绝缘材料施加到被竖直蚀刻的发光元件棒570的外表面上，或者将发光元件棒570浸入绝缘材料中来形成，但是本公开不限于此。在一个或多个示例性实施方式中，绝缘材料层580可通过特应性层沉积(ald)来形成。绝缘材料层580可由sio
x
、sin
x
、sio
x
ny、al2o3和aln中的一种形成。
207.此后，参考图17，通过部分去除绝缘材料层580来形成绝缘膜590。可在基础衬底410的整个表面上执行绝缘材料层580的蚀刻。绝缘材料层580可从发光元件棒570的顶表面以及从发光元件棒570之间的区被蚀刻掉。绝缘材料层580的蚀刻可通过诸如干法蚀刻和/或回蚀刻的各向异性蚀刻来执行。作为绝缘材料层580的蚀刻的结果，可部分地去除绝缘材料层580，并且可暴露电极材料层540的顶表面和缓冲层430的部分。剩余的绝缘材料层580可形成绝缘膜590。
208.在一个或多个实施方式中，可在发光元件棒570上执行离子掺杂工艺。离子掺杂工艺可通过经由低温等离子体方法控制发光元件棒570的表面极性来改善喷墨打印期间发光元件的分散性。
209.离子掺杂工艺可掺杂诸如例如锑(sb)、砷(as)、硼(b)、三氟化硼(bf3)和/或三氢化二硼(b2h3)的n型掺杂剂至浓度为约10e
12
/cm3至约10e
18
/cm3。
210.此后，参考图18，在发光元件棒570上附着包含致孔剂por的聚合物膜pof(s20)。
211.聚合物膜pof可通过混合透明聚合物树脂和致孔剂化合物、以膜的形式制造。例如，制备包含致孔剂por、聚合物树脂和溶剂的聚合物树脂组合物。
212.丙烯酸酯树脂和/或环氧树脂可用作透明聚合物树脂，但是本公开不限于此。可使用可用于制造透明膜的任何合适的聚合物树脂。
213.在400℃或更低的温度下分解以形成孔的几乎所有类型(或种类)的有机材料、无机材料或有机-无机材料可用作致孔剂por。在一个或多个示例性实施方式中，致孔剂por可从以下中选择：聚合物树枝状物；诸如聚酯、聚苯乙烯、pms、聚丙烯酸酯、pma、聚碳酸酯和/或聚醚的可分解的线性聚合物；基于聚碳基的聚合物；具有高沸点的有机溶剂，诸如十四烷和/或基于环糊精的衍生物；诸如十六烷基三甲基溴化铵盐(c
16
tmabr)的离子表面活性剂；诸如聚环氧乙烷-聚苯醚-聚环氧乙烷(peo-ppo-peo)的非离子表面活性剂；聚环氧烷、聚己内酯、聚戊内酯和/或聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)。
214.聚合物树脂组合物可包括相对于100％重量的聚合物树脂组合物的约15％至约30％重量的聚合物树脂和相对于100％重量的聚合物树脂的约10％至约40％重量的致孔剂。在一个或多个实施方式中，还可添加氟基添加剂以赋予聚合物树脂组合物疏水性。聚合物树脂组合物可以以薄膜的形式固化，以制造为包括致孔剂por的聚合物膜pof。聚合物膜pof可以以层压方法附着。
215.此后，参考图19，通过热处理基础衬底410以熔化聚合物膜pof来形成围绕发光元件棒570的端部部分的聚合物层pol(s30)。
216.可对基础衬底410执行热处理，以从聚合物膜pof中蒸发并去除致孔剂por，并且因此形成孔。其上附着有聚合物膜pof的基础衬底410可插入腔室中，并且可以以约0.05mpa至
约2.0mpa的压力和约100℃至约250℃的温度在腔室中热处理10分钟至30分钟。
217.一旦对基础衬底410执行热处理，就可熔化在发光元件棒570上的聚合物膜pof，可蒸发包括在聚合物膜pof中的致孔剂por，并且因此，可形成孔。通过控制致孔剂por的含量，可形成具有约10nm至约1000nm的尺寸的孔。如图19中所示，一旦聚合物膜pof熔化，可形成聚合物层pol以围绕发光元件棒570的上端部部分。由于致孔剂por从聚合物层pol中蒸发时，因此聚合物层pol中可包括多个孔pr。
218.在一个或多个实施方式中，聚合物层pol可通过将发光元件棒570浸在聚合物树脂组合物中，并且然后热处理发光元件棒570来形成。
219.此后，参考图20，通过分离发光元件棒570形成多个发光元件ned，并且可将发光元件ned混合在包括导电聚合物的发光元件油墨中(s40)。
220.在一个或多个实施方式中，将其上形成有聚合物层pol的发光元件棒570与基础衬底410分离。可将发光元件棒570与基础衬底410分离，从而获得发光元件ned。围绕发光元件ned中的每个的端部部分并包括多个孔pr的聚合物层pol可在发光元件ned中的每个上。
221.参考图20，制备包括发光元件ned的发光元件油墨600。发光元件油墨600可包括溶剂620和分散在溶剂620中的发光元件ned和导电聚合物650。发光元件ned和导电聚合物650可均匀地(例如，基本上均匀地)分布在溶剂620中。
222.发光元件油墨600可通过混合发光元件ned、溶剂620和导电聚合物650来获得。还可将分散剂混合到发光元件油墨600中。例如，发光元件油墨600可通过混合发光元件ned、导电聚合物650和溶剂620的初级分散工艺以及向通过初级分散工艺获得的混合物中加入分散剂的次级分散工艺来获得。
223.发光元件ned和导电聚合物650可在溶剂620中混合，并且然后可混合5分钟或更长时间。相对于100份重量的发光元件油墨600，可包括约0.01份至约1份重量的量的发光元件ned，以及相对于100份重量的发光元件油墨600，可包括约1份至约10份重量的量的导电聚合物650。发光元件ned、导电聚合物650和溶剂620的混合可通过超声处理、搅拌和/或研磨来执行。
224.发光元件油墨600可在室温(例如，23℃的温度)下存储。发光元件油墨600中的导电聚合物650可与溶剂620和发光元件ned均匀(例如，基本上均匀)分布。可保持发光元件ned分散而几乎不被沉淀。
225.此后，参考图21，制备包括第一像素电极pe1和堤部150的第一衬底110，并且将发光元件油墨600施加到第一像素电极pe1上(s50)。
226.参考图21，制备包括第一开关元件t1、平坦化膜130、第一像素电极pe1和堤部150的第一衬底110。此后，将发光元件油墨600喷涂到第一衬底110上。在一个或多个示例性实施方式中，发光元件油墨600可通过喷墨打印装置经由喷墨打印喷涂到第一像素电极pe1上。发光元件油墨600可经由包括在喷墨打印装置中的喷墨头的喷嘴进行喷涂。发光元件油墨600可沿着设置在喷墨头中的内部流动路径流动，并且然后可通过喷墨头的喷嘴喷射到第一衬底110上。然后，发光元件油墨600可在第一衬底110上沉积在第一像素电极pe1上。一旦发光元件油墨600被喷涂到第一像素电极pe1上，发光元件油墨600可均匀地(例如，基本上均匀地)散布在堤部150的开口op中，而不溢出堤部150。因此，分散在发光元件油墨600中的发光元件ned和导电聚合物650可均匀地(例如，基本上均匀地)分布在堤部150中。
227.在一个或多个示例性实施方式中，发光元件ned可布置为在相对于第一像素电极pe1交叉(例如，垂直)的方向上漂浮在喷涂在第一像素电极pe1上的发光元件油墨600内。由于在发光元件ned中的每个的一个端部部分处设置有具有多个孔pr的聚合物层pol，因此发光元件ned的定位有聚合物层pol的端部部分的比重可低于发光元件ned的另一端部部分的比重。因此，发光元件ned的定位有聚合物层pol的端部部分可能由于浮力而漂浮在发光元件油墨600的表面上方。由于发光元件ned的不定位有聚合物层pol的端部部分具有相对高的比重，因此发光元件ned的不定位有聚合物层pol的端部部分可沉入发光元件油墨600中，使得发光元件ned可竖直地(或基本上竖直地)对准。
228.此外，作为上述离子掺杂工艺的结果，随着发光元件ned的电子含量增加，电排斥力可对发光元件油墨600的溶剂620起反应，并且因此可有助于发光元件ned的竖直(或基本上竖直)对准。
229.因为在发光元件ned中的每个的一个端部部分处的聚合物层pol由于聚合物的固有性质而具有低表面能，所以可最小化或减小聚合物层pol与发光元件油墨600的溶剂620的接触面积，使得聚合物层pol可漂浮在发光元件油墨600上。因此，发光元件ned的其上具有聚合物层pol的端部部分可漂浮在发光元件油墨600的表面上方。
230.此后，参考图22，通过干燥发光元件油墨600，将导电聚合物层cpo和发光元件ned对准在第一像素电极pe1上(s60)。
231.参考图22，发光元件油墨600的干燥可在能够控制其中压力的腔室中执行。发光元件油墨600的溶剂620可通过在腔室(其中压力被控制)内将热量施加到第一衬底110上而被去除。
232.溶剂620可通过在低压条件下的热处理而被完全去除。在一个或多个示例性实施方式中，溶剂620的去除可在约10-4
托至约1托的温度和约25℃至约150℃的温度下执行。在这种情况下，溶剂620的沸点可降低，并且因此，溶剂620可容易地被去除。热处理可在腔室中执行1分钟至30分钟，但是本公开不限于此。
233.由于溶剂620被去除，因此在第一像素电极pe1上竖直(或基本上竖直)对准的发光元件ned可降低并且可沉积在第一像素电极pe1上。导电聚合物650可保留在第一像素电极pe1上，并且可通过热处理固化，使得可保持和固定发光元件ned的竖直(或基本上竖直)对准。
234.此后，参考图23，在导电聚合物层cpo上形成绝缘层inl(s70)。
235.参考图23，绝缘层inl形成在第一衬底110上，其中第一衬底110上形成有发光元件ned和导电聚合物层cpo。绝缘层inl可通过喷墨印刷施加在导电聚合物层cpo上。如果通过喷墨印刷形成导电聚合物层cpo，则导电聚合物层cpo的厚度可能不容易被控制，并且发光元件ned可能被绝缘层inl完全覆盖。在这种情况下，可通过诸如灰化的方法将绝缘层inl减薄，使得发光元件ned的至少部分，例如，在发光元件ned中的每个的一个端部部分处的聚合物层pol，可在绝缘层inl的顶表面上方暴露。然而，本公开不限于此。在一个或多个实施方式中，绝缘层inl可通过经由溶液工艺(诸如例如旋涂)施加有机材料并图案化有机材料而由有机材料形成。在一个或多个实施方式中，绝缘层inl可通过经由化学气相沉积(cvd)沉积无机材料并图案化无机材料而由无机材料形成。
236.此后，从发光元件ned去除聚合物层pol(s80)。
237.参考图24，去除定位在发光元件ned中的每个的一个端部部分处的聚合物层pol。聚合物层pol可被去除以与将在下文中描述的公共电极ce(参见图25)接触。聚合物层pol可通过蚀刻或灰化被去除。由于聚合物层pol被去除，因此聚合物层pol的孔pr也被去除，使得仅保留发光元件ned。
238.此后，参考图25，在发光元件ned上形成公共电极ce(s90)。
239.参考图25，通过在第一衬底110(该第一衬底110上形成有绝缘层inl)上沉积公共电极材料来形成公共电极ce。以这种方式，可获得图5的显示装置1。
240.根据图12的方法，通过将发光元件竖直(或基本上竖直)对准在第一像素电极上以与公共电极接触，可容易地制造包括发光元件的显示装置。
241.图26至图29是示出根据本公开的一个或多个其它实施方式的制造显示装置的方法的剖视图。
242.图26至图29示出了如何制造图10的显示装置1，并且将不提供或将简化上文已经参考图13至图25描述的元件或特征的描述。
243.参考图26，制备其上形成有第一像素电极pe1和堤部150的第一衬底110，并且在第一衬底110上沉积反射材料层rfll。反射材料层rfll可形成在第一像素电极pe1的顶表面以及堤部150的顶表面和侧表面上。
244.此后，参考图27，如上文已经参考图20至图22所描述的，施加并干燥具有在其中混合的发光元件ned、导电聚合物650和溶剂620的发光元件油墨600，使得导电聚合物层cpo和发光元件ned在第一像素电极pe1上对准在反射材料层rfll上。
245.此后，参考图28，蚀刻发光元件ned中的每个的聚合物层pol和反射材料层rfll。可通过例如灰化来去除聚合物层pol，并且可通过光刻来图案化反射材料层rfll。因此，反射电极rfl可形成在第一像素电极pe1的顶表面上和堤部150的侧表面上。发光元件ned可与反射电极rfl的顶表面接触，并且可竖直(或基本上竖直)对准在第一像素电极pe1上。
246.此后，参考图29，在发光元件ned和反射电极rfl上形成绝缘层inl，并且在绝缘层inl和发光元件ned上形成公共电极ce，从而获得图10的显示装置1。绝缘层inl可完全覆盖反射电极rfl，并且可防止或减小反射电极rfl连接(例如，联接)到公共电极ce的风险。绝缘层inl可形成为暴露发光元件ned的端部部分，并且因此允许发光元件ned与公共电极ce接触。
247.因此，由于形成了能够在向上方向上反射来自发光元件的光的反射电极，所以可改善发光元件的发射效率。
248.在结束详细描述时，本领域中的技术人员将理解，可对本文中描述的实施方式进行许多变化和修改，而基本上不背离如所附权利要求及其等同物中所阐述的本公开的原理。因此，本公开的所公开的实施方式仅在一般和描述性意义上使用，而不是出于限制的目的。