清洁和处置微电子装置的方法以及相关工装和组件与流程

清洁和处置微电子装置的方法以及相关工装和组件
1.优先权声明
2.本技术要求2020年12月2日申请的“清洁和处置微电子装置部件的方法以及相关工装和组件(methods of cleaning and handling microelectronic device components and related tooling and assemblies)”的第63/120,260号美国临时专利申请的申请日的权益。
技术领域
3.本公开的实施例大体上涉及清洁和处置微电子装置部件的方法。具体地说，本公开的实施例涉及清洁、拾取、传送和组装微电子装置的部件的方法，且涉及相关工装和组件。


背景技术：

4.随着电子装置和系统的性能提高，存在提升此类系统的微电子部件的性能、同时维持或甚至缩小微电子装置或组件的外观尺寸(即，长度、宽度和高度)的相关联需求。此类需求通常但非排他地与移动装置和高性能装置相关联。为了维持或减小呈微电子装置(例如，半导体裸片)形式的部件组件的占据面积和高度，配备有用于堆叠的部件之间的竖直电(即，信号、电力、接地/偏置)通信的所谓的穿硅通孔(tsv)的经堆叠部件的三维(3d)组件已变得较常见，其结合了对部件厚度的减小以及在接合线(即，经堆叠部件之间的空间)中采用预制电介质膜以减小接合线厚度的同时增大接合线均匀性。此类电介质膜包含例如所谓的不导电膜(ncf)和晶片级底胶(wluf)，此类术语通常可互换地使用。虽然在减小3d微电子装置组件的高度方面有效，但将例如半导体裸片的微电子装置的厚度减小到约50μm或更小(例如，30μm、20μm)会增大装置脆弱性和在应力下的易开裂性，所述应力具体是压缩(即，冲击)应力和弯曲应力。减小接合线厚度还可能加重此类极薄微电子装置的易损坏性，因为当例如装置堆叠在另一装置上以形成3d组件时，接合线中的薄电介质材料(例如，ncf)可能不再提供任何缓冲效果或容纳接合线中的微粒污染物的能力。包含可能遭受应力引发的开裂的经堆叠微电子装置的微电子装置组件的非限制性实例包含单独的或与其它裸片功能(例如，逻辑)组合的半导体存储器裸片的组件，包含所谓的高带宽存储器(hbmx)、混合存储器立方体(hmc)和芯片到晶片(c2w)组件。


技术实现要素：

5.本公开的一些实施例可包含一种处理微电子装置部件的方法。所述方法可包含在半导体裸片表面的一部分上供应流体。所述方法还可包含从所述半导体裸片表面的另一部分抽吸所述流体。所述方法可进一步包含在供应和抽吸所述流体之后从支撑元件提升所述半导体裸片。所述方法还可包含在所述半导体裸片的相对表面的一部分上供应所述流体。所述方法可进一步包含从所述半导体裸片的所述相对表面的另一部分抽吸所述流体。所述方法还可包含将所述半导体裸片定位在另一微电子装置部件上。
6.本公开的其它实施例可包含一种方法。所述方法可包含移除半导体裸片与支撑元件之间的粘合剂的至少一部分。所述方法可进一步包含利用拾取工具通过对所述半导体裸片的一侧和所述支撑元件施加真空而从所述支撑元件拾取所述半导体裸片。所述方法还可包含利用所述拾取工具提升所述半导体裸片。所述方法可进一步包含利用所述拾取工具将所述半导体裸片传送到另一位置。
7.本公开的其它实施例可包含一种用于处置微电子装置的设备。所述设备可包含至少一个喷嘴。所述喷嘴可包含流体出口通口，所述流体出口通口经配置且可定位以在微电子装置的表面上供应流体。所述喷嘴可进一步包含抽吸通口，所述抽吸通口经配置以从所述微电子装置的所述表面接收所供应的流体。所述设备可进一步包含具有拾取表面的拾取臂，所述拾取表面经配置且可定位以通过对所述表面施加真空而将所述微电子装置接收于所述拾取表面上。
8.本公开的其它实施例可包含一种用于处置微电子装置的设备。所述设备可包含清洁设备和拾取设备。所述清洁设备可包含多个喷嘴，所述多个喷嘴经配置且可定位以将清洁流体供应到多个半导体裸片的表面且同时从所述表面抽吸所述清洁流体。所述清洁设备可进一步包含与所述多个喷嘴选择性连通的清洁流体储集器。所述清洁设备还可包含真空源，其经配置以通过所述多个喷嘴抽吸所述清洁流体。所述拾取设备可包含拾取头，在已供应以及从半导体裸片抽吸所述清洁流体之后，所述拾取头可定位成接近所述半导体裸片。所述拾取设备可进一步包含真空源，所述真空源与所述拾取头选择性连通以将经清洁半导体裸片吸引到所述拾取头。
附图说明
9.尽管本说明书利用确切地指出且清楚地主张本公开的实施例的权利要求进行总结，但本公开的实施例的优势可在结合附图阅读时从本公开的实施例的以下描述更轻松地确定，在附图中：
10.图1说明经堆叠微电子装置的示意图；
11.图2a和2b是经堆叠微电子装置的放大视图，展示归因于微粒污染物的存在而减损的电连接；
12.图3a和3b说明微电子装置的电子显微镜图像，展示由微粒污染物造成的损坏；
13.图4说明根据本公开的实施例的在切割过程之后的半导体裸片的晶片的横截面图；
14.图5说明根据本公开的实施例的在清洁过程期间的半导体裸片的晶片的横截面图；
15.图6说明根据本公开的实施例的在拾取过程期间的半导体裸片的晶片的横截面图；
16.图7说明根据本公开的实施例的在拾取过程之后的半导体裸片的横截面图；
17.图8说明根据本公开的实施例的喷嘴的横截面图；
18.图9说明根据本公开的实施例的在切割过程之后的半导体裸片的晶片的横截面图；
19.图10说明根据本公开的实施例的在清洁过程期间的半导体裸片的晶片的横截面
图；
20.图11说明根据本公开的实施例的在拾取过程期间的半导体裸片的晶片的横截面图；
21.图12说明根据本公开的实施例的拾取工具的正面图；
22.图13说明根据本公开的实施例的在粘合剂剥离过程期间的半导体裸片的晶片的横截面图；
23.图14说明根据本公开的实施例的微电子装置处置工具的示意图；
24.图15说明根据本公开的实施例的清洁半导体裸片的方法的流程图表示；以及
25.图16说明根据本公开的实施例的处置半导体裸片的方法的流程图表示。
具体实施方式
26.本文中呈现的图示并非意在作为任何特定微电子装置、微电子装置组装工具或其部件的实际视图，而仅仅是用以描述说明性实施例的理想化表示。各图未必按比例绘制。
27.如本文中所使用，关于给定参数的用语“基本上”意指并包含所属领域的技术人员将理解的给定参数、特性或条件满足小的变异度(例如在可接受制造公差内)的程度。举例来说，基本上满足的参数可为至少约90％满足、至少约95％满足、至少约99％满足，或甚至至少约100％满足。
28.如本文中所使用，关系用语，例如“第一”、“第二”、“顶部”、“底部”等，用于清楚和方便地理解本公开和附图，而不暗示或取决于任何特定偏好、取向或次序，除非上下文另有明确指示。
29.如本文中所使用，用语“和/或”意指并包含相关联的所列项目中的一或多者的任何组合和所有组合。
30.如本文所使用，用语“竖直”和“横向”是指如图所描绘的取向。
31.图1说明微电子装置100。微电子装置100可包含布置成堆叠的多个半导体裸片102。电介质膜104，例如不导电膜(ncf)或晶片级底胶(wluf)，可定位在半导体裸片102中的每一者之间。微电子装置100可包含与呈导电柱108p形式的接触件对准的穿硅通孔(tsv)106，所述导电柱任选地用焊料108s封盖且接合到邻近半导体裸片102的端子垫108t，从而提供半导体裸片102之间和/或贯穿裸片堆叠的电接触。举例来说，tsv 106和经对准接触件可提供电力、接地/偏置和信号连接。
32.可通过减小半导体裸片102和/或电介质膜104的厚度来减小微电子装置100的高度。减小半导体裸片102的厚度可能使半导体裸片102更易碎且在拾取和堆叠过程期间容易发生呈微裂缝、开裂和边缘碎裂形式的损坏，如下文进一步详细描述。减小电介质膜104的厚度可能降低电介质膜104提供任何缓冲效果的能力或在接合线中容纳微粒污染物而不损坏半导体裸片102的能力。举例来说，半导体裸片102之间的污染物颗粒可使半导体裸片102中的一或多者因在从载体拾取半导体裸片102、将其传送到接合端或堆叠于另一半导体裸片102或衬底上时由于污染物颗粒的存在引起的应力集中而弯曲和/或破裂。在一些实施例中，半导体裸片102之间的污染物颗粒可能基本上阻止了导电柱108p中的一或多者与经对准端子垫108t电接触。
33.图2a和2b说明两个半导体裸片102之间归因于微粒污染物的存在而减损的电连接
点的放大视图。如图2a和2b中所说明，例如有机(例如，聚合物)材料或无机(例如，硅)材料颗粒的颗粒202可存在于半导体裸片102之间的接合线中。半导体裸片102之间的接合线可包含电介质膜104和焊料108s，所述焊料经配置以提供导电柱108p与邻近半导体裸片102的经对准端子垫108t之间的电连接。在一些情况下，颗粒202可能位于一或多组导电柱108p和端子垫108t之间，如图2a和2b中展示，使得颗粒202可能中断或移位焊料108s。在采用将导电柱108p直接扩散接合到端子垫108t或如图2a和2b所描绘使用热压接合来熔化焊料108s以将导电柱108p接合到端子垫108的组件中，颗粒202可阻止所述导电柱和所述端子垫相互接触。
34.颗粒202可导致相关联微电子装置100失效。举例来说，颗粒202可基本上阻止至少一个导电柱108p与端子垫108t之间的可操作电连接。在一些情况下，颗粒202可能允许焊料108s的部分形成导电柱108p和端子垫108t的一部分之间的连接，同时基本上阻止导电柱108p和端子垫108t的另一部分之间的连接。导电柱108p与端子垫108t之间的部分连接可通过初始测试，但展现增大的电阻，从而产生可使连接过早失效的热。在其中采用连接之间的极紧密间距(即，空间)的一些情况下，颗粒202可使焊料108s移位且在横向邻近的两对接触件之间形成电连接，从而造成短路。
35.图3a和3b说明具有损坏的半导体裸片102的视图，所述损坏因半导体裸片102之间的接合线中存在污染物颗粒302而产生。如上文所描述，减小半导体裸片102的厚度可使半导体裸片102更易碎，且减小电介质膜104的厚度可降低电介质膜104提供任何缓冲效果的能力或在接合线中容纳微粒污染物的能力。当半导体裸片102被堆叠且按压在一起时，半导体裸片102之间的空间中的颗粒302可使半导体裸片102的一部分升高和/或破裂，从而产生半导体裸片102的破裂部分304(例如，剥离部分、裂缝、碎片等)。
36.当电介质膜104厚度减小时，较小污染物颗粒302可在半导体裸片102中造成微裂缝或甚至裂缝。举例来说，在目前正在开发的近零接合线(near zero bondline，nzb)组件和混合接合技术中，电介质膜104可包括氧化硅或极薄聚合物，从而允许接合线厚度小于约1微米(μm)，例如小于约500纳米(nm)。在小于约1μm的接合线的情况下，类似大小范围内的污染物颗粒302，例如在约600nm与约1μm之间的污染物颗粒302，可导致邻近半导体裸片102之间的应力集中，从而产生开裂或微裂缝。
37.破裂部分304可致使相关联半导体裸片102无用。因为半导体裸片102的堆叠可能直到整个堆叠被组装且热压接合之后才经历大量压力，所以半导体裸片102可能直到半导体裸片102的堆叠被组装和接合之后才开裂。因此，破裂部分304可致使半导体裸片102的整个堆叠无用。因此，在使用合格的已知良好裸片(kgd)的微电子装置的生产期间，归因于由污染物颗粒造成的装配后结构损坏以及由污染物颗粒导致的电连接问题，半导体裸片102的堆叠的接合线中污染物颗粒的存在可导致显著的良率损失。
38.在一些情况下，可能在拾取过程期间在从例如切割带或载体晶片的载体材料移除单分的半导体裸片102时造成半导体裸片102中的微裂缝、裂缝或边缘碎裂。单分的半导体裸片102的下表面可通过粘合剂耦合到载体材料的上表面，以在拾取过程之前维持位置和对准。然而，当从载体材料提升或拾取半导体裸片102时，粘合剂的阻力(且具体来说，在与半导体裸片102接触的粘合剂的不同部分接合强度不同的情况下)可足以使半导体裸片102在其从载体材料提升时开裂。举例来说，如果沿着半导体裸片102的周边的粘合剂未与粘合
剂的中心部分同时从半导体裸片102剥离，则半导体裸片102会在从载体材料提升时由于弯曲力而开裂或破裂。由于半导体裸片102的厚度减小且半导体裸片102变得更易碎，因此半导体裸片102在拾取过程期间可能由于要剥离的粘合剂的阻力或不均匀阻力而变得更容易发生损坏。
39.图4说明在切割操作之后且在拾取操作之前的若干半导体裸片402。切割操作可用于在半导体晶片的个别半导体裸片402之间形成道404，从而将半导体晶片分离或“单分”成个别半导体裸片402。切割操作可包含激光切割操作(例如隐形切割)或等离子体切割。不同切割操作可影响道的宽度(例如锯口宽度)。举例来说，激光切割操作可产生约40μm与约20μm之间的道宽，且等离子体切割操作可产生约10μm与约5μm之间的道宽。
40.切割操作和/或额外部件、工装、材料、邻近半导体裸片402等的移动可产生或引入污染物颗粒406到半导体裸片402的表面和/或半导体裸片402之间的道404。如上文所描述，在将半导体裸片402布置到裸片堆叠或其它微电子装置组件中后，污染物颗粒406可潜在地损坏相关联半导体裸片402或邻近半导体裸片402。因此，在从载体材料拾取之前移除污染物颗粒406可提高所得微电子装置的可靠性和/或通过减少因一或多个有缺陷的半导体裸片402或微电子装置组件中的连接而导致无用的微电子装置的数目来提高微电子装置制造过程的良率。
41.在整个切割操作中，半导体裸片402可由载体材料412(例如膜框架上的切割带)支撑，且直到拾取操作为止。载体材料412可包含粘合剂408和背衬410。背衬410可提供支撑以维持邻近半导体裸片402之间的相对位置以及旋转取向，且阻止半导体裸片402移动。载体材料412可支撑且定位半导体裸片402，使得拾取工具可在微电子装置的组装期间的适当时间定位且提升来自载体材料412的个别半导体裸片402。
42.图5说明从半导体裸片402移除污染物颗粒406的过程动作。喷嘴502可用于将流体供应到半导体裸片402且从所述半导体裸片移除流体。喷嘴502可包含喷嘴出口506和喷嘴入口504。喷嘴出口506可经大小设定且经配置以在半导体裸片402上供应清洁流体，且喷嘴入口504可经大小设定且经配置以从半导体裸片402抽吸清洁流体和任何悬浮污染物颗粒。在一些实施例中，清洁流体可以是水，例如去离子水(di水)。在一些实施例中，清洁流体可以是溶剂，例如醇、酯或酮。
43.在一些实施例中，喷嘴出口506和喷嘴入口504可如图5中所说明而布置，使喷嘴出口506位于中心位置且喷嘴入口504定位在喷嘴502的外部部分上，接近相关联半导体裸片402的周边。喷嘴出口506可在半导体裸片402上供应清洁流体，使得清洁流体可根据箭头508从半导体裸片402的中心区域流到半导体裸片402的顶部表面510(例如，作用表面)上，且通过靠近半导体裸片402的周边的喷嘴入口504回到喷嘴502中。清洁流体还可流入半导体裸片402之间的道404中。清洁流体可从半导体裸片402的顶部表面510以及半导体裸片402之间的道404中捕捉污染物颗粒406且使污染物颗粒406悬浮于清洁流体内，使得当流体通过喷嘴入口504流到喷嘴502中时，污染物颗粒406可随着清洁流体被移除。
44.在其它实施例中，喷嘴入口504可定位在中心位置，而喷嘴出口506定位在喷嘴502的接近相关联半导体裸片402的周边的外部部分上，如图8中更详细地说明和描述。
45.喷嘴502可经配置以使得由喷嘴出口506供应的基本上所有清洁流体被喷嘴入口504移除。举例来说，喷嘴入口504可经配置以移除(例如，抽吸、真空吸取等)与喷嘴出口506
经配置以供应的至少相同量的清洁流体。在一些实施例中，喷嘴出口506和喷嘴入口504的横向横截面积可基本相同。在一些实施例中，喷嘴入口504的横截面积可大于喷嘴出口506。较大喷嘴入口504可补偿流出喷嘴出口506的清洁流体与半导体裸片402上的清洁流体之间的压力差。在一些实施例中，较大喷嘴入口504可使得喷嘴502能够更容易地移除清洁流体中悬浮和/或捕捉的较大污染物颗粒406。
46.在一些实施例中，可通过调整喷嘴出口506中的流体压力和喷嘴入口504中的真空压力来平衡喷嘴出口506与喷嘴入口504之间的流量。举例来说，可降低喷嘴出口506中的流体压力且可增加喷嘴入口504中的真空压力，直到进入喷嘴入口504中的流量基本上等于离开喷嘴出口506的流量为止。
47.在一些实施例中，清洁流体可例如通过超声波脉冲输送而呈脉冲式，以提供额外清洁特性。举例来说，清洁流体的超声波脉冲输送可产生擦洗动作以增强对污染物颗粒406的移除。超声波脉冲输送可在清洁流体中产生空化气泡，所述空化气泡可从半导体裸片402的表面和小腔(例如半导体裸片402之间的道404或顶部表面510上的导电元件(即，导电柱)之间的空间)移走污染物颗粒406。
48.在一些实施例中，粘合剂408可经调配以被清洁流体弱化或移除。举例来说，粘合剂408可以是水溶性粘合剂，例如由迪思科公司(disco corporation)出售的在其它实施例中，粘合剂408可溶于特定溶剂中。当清洁流体由喷嘴502提供于半导体裸片402上时，清洁流体可进入道404且接触道404中以及半导体裸片402下侧的粘合剂408。如图6中所说明，清洁流体可从半导体裸片402下方至少部分地移除粘合剂408。举例来说，如图6中所说明，在围绕半导体裸片402下侧的周边的区域中的粘合剂408的一部分可基本上被移除。
49.图6说明经执行以移除半导体裸片402的拾取过程。如上文所描述，清洁流体可移除粘合剂408的一部分。在一些情况下，清洁流体可在半导体裸片402下方形成底切部604。底切部604可以是半导体裸片402下方基本上不含粘合剂408的区域。粘合剂残余部分606可保持在半导体裸片402的中心区域中。从底切部604移除的粘合剂408的量可取决于粘合剂408相对于清洁流体的可溶性以及喷嘴502在半导体裸片402上供应清洁流体的时间量。在一些情况下，喷嘴502和相关联的工装可经配置以在半导体裸片402上供应清洁流体约1秒(s)与约60s之间，例如约1与约30s之间。
50.如上文所描述，一些半导体裸片402可因粘合剂408产生的阻力而在拾取过程期间破裂或开裂。阻力可随着粘合剂残余部分606的大小(即，占据面积)减小而减小。因此，随着底切部604的大小增大，半导体裸片402在拾取过程期间破裂或开裂的可能性可减小。此外，在拾取过程期间，半导体裸片402的周边区域是粘合剂408最可能抵抗从半导体裸片402的剥离且使半导体裸片402在由拾取工具施加的真空力提升的应力下破裂或开裂的区域。因此，从半导体裸片402下侧的周边区域移除粘合剂408不仅可降低半导体裸片402到背衬410的粘合力，还可在拾取期间使粘合力沿着向上的移动方向集中，从而消除弯曲力且充分降低使半导体裸片402破裂或开裂的可能性。
51.在拾取过程中，拾取工具602可经配置以拉动半导体裸片402远离背衬410。拾取工具602可使用抽吸或真空将半导体裸片402的顶部表面510固定到拾取工具602。在拾取工具602固定到半导体裸片402后，拾取工具602可在远离背衬410的方向上对半导体裸片402施
加向上力。当拾取工具602施加远离背衬410的向上力时，推顶器608可从背衬410的相对侧同时施加补充的向上力，从而在朝向拾取工具602且远离背衬410的方向上推动半导体裸片402。在由拾取工具602和推顶器608产生的力的影响下，例如通过断开、剪切或撕开粘合剂残余部分606，粘合剂残余部分606可使半导体裸片402从背衬410剥离。
52.现参考图7，在从背衬410拾取半导体裸片402之后，可通过喷嘴704清洁半导体裸片402的后表面702。举例来说，拾取工具602可移动半导体裸片402，使得半导体裸片402的后表面702可暴露。喷嘴704可接近半导体裸片402的暴露后表面702定位。拾取工具602可将半导体裸片402移动到接近喷嘴704的位置。在一些实施例中，喷嘴704可移动到接近半导体裸片402的后表面702的位置。在其它实施例中，喷嘴704可保持基本固定，且拾取工具602可将半导体裸片402移动到接近喷嘴704的位置。
53.喷嘴704可具有类似于上文所描述的喷嘴502的配置。举例来说，喷嘴704可包含在中心位置的喷嘴出口706和在接近半导体裸片402的周边区域的外部位置的喷嘴入口708。喷嘴出口706可经配置以在半导体裸片402的后表面702上供应清洁流体，且喷嘴入口708可经配置以从半导体裸片402的后表面702抽吸清洁流体和任何悬浮污染物颗粒。在一些实施例中，清洁流体可以是水，例如di水，或是溶剂，例如醇、酯或酮。
54.喷嘴出口706可在半导体裸片402的后表面702上供应清洁流体，使得清洁流体可根据箭头710从半导体裸片402的中心区域流到半导体裸片402的后表面702上，且通过靠近半导体裸片402的周边的喷嘴入口708回到喷嘴704中。清洁流体可从半导体裸片402的后表面702捕捉污染物颗粒406且使污染物颗粒406悬浮于清洁流体内，使得当流体通过喷嘴入口708流到喷嘴704中时，污染物颗粒406可随着清洁流体被移除。
55.在一些实施例中，可通过调整喷嘴出口706中的流体压力和喷嘴入口708中的真空压力来平衡喷嘴出口706与喷嘴入口708之间的流量。举例来说，可降低喷嘴出口706中的流体压力且可增加喷嘴入口708中的真空压力，直到进入喷嘴入口708中的流量基本上等于离开喷嘴出口706的流量为止。
56.在一些实施例中，清洁流体可例如通过超声波脉冲输送而呈脉冲式，以提供额外清洁特性。如上文所描述，超声波脉冲输送可在清洁流体中产生空化气泡，所述空化气泡可从半导体裸片402的表面和小腔或裂缝移走污染物颗粒406。
57.图8说明喷嘴802。喷嘴802可用于在图5中说明的过程和/或图7中说明的过程中移除污染物颗粒406。喷嘴802可包含在中心位置的喷嘴入口806和在接近半导体裸片402的周边区域的外部位置的喷嘴出口804。喷嘴出口804可经配置以在半导体裸片402上供应清洁流体，且喷嘴入口806可经配置以从半导体裸片402抽吸清洁流体和任何悬浮污染物颗粒。
58.喷嘴出口804可在半导体裸片402上供应清洁流体，使得清洁流体可根据箭头808从半导体裸片402的周边区域流到半导体裸片402的表面上，且通过靠近半导体裸片402的中心区域的喷嘴入口806回到喷嘴802中。清洁流体可从半导体裸片402捕捉污染物颗粒406且使污染物颗粒406悬浮于清洁流体内，使得当流体通过喷嘴入口806流到喷嘴802中时，污染物颗粒406可随着清洁流体被移除。
59.在一些实施例中，喷嘴出口804可定位在半导体裸片402周边外部的区域中，例如半导体裸片402之间的道404的区域中。因此，在图5中说明的清洁过程中，喷嘴出口804可将清洁流体供应到道404中，且清洁流体接着可从道404流出且流到半导体裸片402上。在其它
实施例中，喷嘴出口804可定位在半导体裸片402的周边内部，使得喷嘴出口804可将清洁流体供应到半导体裸片402的顶部表面510或后表面702上。
60.图9说明在切割操作之后且在拾取操作之前的若干半导体裸片902。切割操作可用于在个别半导体裸片902之间形成道904，从而分离半导体裸片902。切割操作可包含锯切操作、激光切割操作(例如隐形切割)或等离子体切割。
61.切割操作和/或额外部件、工装、材料等的移动(例如引入或移除)可产生或引入污染物颗粒906到半导体裸片902的表面和/或半导体裸片902之间的道904。如上文所描述，在将半导体裸片902布置到例如裸片堆叠的微电子装置组件中后，污染物颗粒906可潜在地损坏相关联半导体裸片902或邻近半导体裸片902。
62.半导体裸片902可在切割操作期间由载体材料910支撑，且直到拾取操作为止。载体材料910可以是基本上刚性的材料，例如载体晶片、玻璃或陶瓷衬底等。半导体裸片902可通过粘合剂908固定到载体材料910。
63.图10说明从半导体裸片902移除污染物颗粒906的过程步骤。喷嘴1002可用于将流体供应到半导体裸片902且从所述半导体裸片移除流体。喷嘴1002可包含喷嘴出口1004和喷嘴入口1006。喷嘴出口1004可经配置以在半导体裸片902上供应清洁流体，喷嘴入口1006可经配置以从半导体裸片902抽吸清洁流体和任何悬浮污染物颗粒。在一些实施例中，清洁流体可以是水，例如去离子水(di水)，或是溶剂，例如醇、酯或酮。
64.在一些实施例中，喷嘴出口1004和喷嘴入口1006可如图10中所说明而布置，使喷嘴出口1004位于中心位置且喷嘴入口1006定位在喷嘴1002的外部部分上，接近相关联半导体裸片902的周边。喷嘴出口1004可在半导体裸片902上供应清洁流体，使得清洁流体可根据箭头1008从半导体裸片902的中心区域流到半导体裸片902的顶部表面1014上，且通过靠近半导体裸片902的周边的喷嘴入口1006回到喷嘴1002中。清洁流体还可流入半导体裸片902之间的道904中。在其它实施例中，喷嘴出口1004和喷嘴入口1006可如上文图8中所说明而布置，使喷嘴出口1004位于喷嘴1002的外部部分上且喷嘴入口1006位于喷嘴1002的中心位置。清洁流体可从半导体裸片902的顶部表面1014和/或半导体裸片902之间的道904中捕捉污染物颗粒906且使污染物颗粒906悬浮于清洁流体内，使得当流体通过喷嘴入口1006流到喷嘴1002中时，可通过清洁流体移除污染物颗粒906。
65.如上文所描述，喷嘴1002可经配置以使得由喷嘴出口1004供应的基本上所有清洁流体被喷嘴入口1006移除。在一些实施例中，可通过调整喷嘴出口1004中的流体压力和喷嘴入口1006中的真空压力来平衡喷嘴出口1004与喷嘴入口1006之间的流量。在一些实施例中，喷嘴入口1006可经配置以使得喷嘴1002能够移除额外材料，例如清洁流体中悬浮和/或捕捉的污染物颗粒906。
66.在一些实施例中，清洁流体可例如通过超声波脉冲输送而呈脉冲式，以提供额外清洁特性。如上文所描述，超声波脉冲输送可在清洁流体中产生空化气泡，所述空化气泡可从半导体裸片902的表面和小腔或裂缝(例如半导体裸片902之间的道904)移走污染物颗粒906。
67.在一些实施例中，粘合剂908可经调配以被清洁流体移除。举例来说，粘合剂908可以是水溶性粘合剂。在其它实施例中，粘合剂908可溶于特定溶剂中。当清洁流体由喷嘴1002提供到半导体裸片902上时，清洁流体可进入道904且接触粘合剂908。清洁流体可从半
导体裸片902下方至少部分地移除粘合剂908，从而形成底切部1010。底切部1010可以是半导体裸片902下方基本上不含粘合剂908的区域。粘合剂残余部分1012可保持在半导体裸片902的中心区域中。从底切部1010移除的粘合剂908的量可取决于粘合剂908相对于清洁流体的可溶性以及喷嘴1002在半导体裸片902上供应清洁流体的时间量。在一些情况下，喷嘴1002和相关联的工装可经配置以在半导体裸片902上供应清洁流体约1秒(s)与约60s之间，例如约1s与约30s之间。如上文所描述，从半导体裸片902的周边区域移除粘合剂908可充分降低使半导体裸片902破裂或开裂的可能性。
68.图11说明对半导体裸片902执行的拾取过程。在拾取过程中，拾取工具1102可经配置以拉动半导体裸片902远离载体材料910。拾取工具1102可使用抽吸或真空将半导体裸片902的顶部表面1014固定到拾取工具1102。在拾取工具1102固定到半导体裸片902后，拾取工具1102可在远离载体材料910的向上方向上施加力。当从刚性载体材料910(例如载体晶片)拾取半导体裸片902时，拾取工具1102可以是在远离载体材料910的方向上施加力的仅有工具(例如，不存在经配置以从载体材料910的相对侧施加补充力的推顶器)。在由拾取工具1102产生的真空和向上力的影响下，例如通过断开、剪切或撕开粘合剂残余部分1012，粘合剂残余部分1012可使半导体裸片902从载体材料910剥离。
69.载体材料910可由平台工具1104固定，所述平台工具经配置以抵抗由拾取工具1102产生的向上力，使得当拾取工具1102将半导体裸片902提升远离载体材料910时，载体材料910仍在适当位置。所述平台工具可经配置以例如通过抽吸或真空而耦合到或吸引载体材料910的底部表面1106。载体材料910的底部表面1106可以是与粘合剂908和/或半导体裸片902相对的载体材料表面。
70.图12说明平台工具1104的正面图。平台工具1104可包含经配置以与载体材料910的底部表面交接的工具面1202。工具面1202可经配置以抵靠着载体材料910的底部表面平坦搁置，使得工具面1202驻留在接近于底部表面且大体上平行于底部表面的平面中。
71.工具面1202可包含多个真空通口1204。真空通口1204可经配置以使得真空源能够在工具面1202处产生真空或抽吸。当工具面1202中的真空通口1204的数目增加，在工具面1202处产生的真空力可增加。在一些实施例中，真空通口1204可以是工具面1202中的孔洞或通道。在一些实施例中，真空通口1204可布置在平台工具1104的工具面1202上的同心环中。举例来说，真空通口1204可在约四个同心环与约十个同心环之间中布置，例如约五个同心环与约八个同心环之间，或约六个同心环。在一些实施例中，所述同心环可以是形成每个同心环的一系列孔洞。在其它实施例中，所述同心环可各自为形成相关联同心环的通道。
72.在一些实施例中，平台工具1104可由例如多孔陶瓷材料的多孔材料形成。真空源可在工具面1202处通过多孔材料中的孔产生真空或抽吸。因此，如果平台工具1104的材料更多孔，则平台工具1104的抽吸力可增加。增加平台工具1104的抽吸力可使拾取工具1102能够利用更大抽吸力。如上文所描述，当从刚性载体材料910拾取半导体裸片902时，在无从载体材料910的相对侧供应补充力的推顶器的帮助的情况下，拾取工具1102可能需要较大抽吸力来拾取半导体裸片902。
73.图13说明针对半导体裸片902的粘合剂剥离过程。在一些实施例中，半导体裸片902与载体材料910之间的粘合剂908可通过单独过程剥离。举例来说，粘合剂908可经配置以热剥离(例如，当暴露于热时剥离或分解)。在图5或图10中说明的清洁过程之后，加热装
置1302可经定位以加热半导体裸片902周围的区域。加热装置1302可通过例如激光束的射束1304加热半导体裸片902下方和周围的区域。射束1304可射在半导体裸片902的顶部表面1014上，从而加热半导体裸片902，直到半导体裸片902与载体材料910之间的粘合剂908基本上剥离或分解。
74.在一些实施例中，加热装置1302可经定位以通过载体材料910加热粘合剂908。举例来说，加热装置1302可布置在载体材料910的与半导体裸片902相对的一侧，使得射束1304可射在载体材料910的与半导体裸片902相对的一侧上，从而加热载体材料910后侧的粘合剂908。通过载体材料910加热粘合剂908可使得粘合剂剥离过程能够与和半导体裸片902的顶部表面1014交接的另一过程重叠或与所述另一过程至少部分地同时执行以增加处理量。举例来说，可在图5或10的清洁过程期间和/或在图6或11的拾取过程期间通过载体材料910执行粘合剂剥离过程。
75.在剥离粘合剂908后，粘合剂908在图6或11的拾取过程期间可几乎不提供阻力。因此，热剥离粘合剂908可充分减少在拾取过程期间破裂或开裂的半导体裸片902的数目。
76.在图11中说明的过程中从载体材料910拾取半导体裸片902之后，可以与图7中所说明的基本上相同的方式清洁半导体裸片902的后侧。举例来说，拾取工具1102可布置半导体裸片902以使得半导体裸片902的背面暴露于喷嘴，例如喷嘴704，其经配置以在半导体裸片902的后表面上供应清洁流体且从半导体裸片902的后表面抽吸清洁流体和任何悬浮污染物颗粒906。
77.本公开的一些实施例可包含一种用于处置微电子装置的设备。所述设备可包含至少一个喷嘴和拾取臂。所述至少一个喷嘴可包含流体出口通口，所述流体出口通口经配置且可定位以在微电子装置的表面上供应流体。所述至少一个喷嘴可进一步包含抽吸通口，所述抽吸通口经配置以从所述微电子装置的所述表面接收所供应的流体。所述拾取臂可包含拾取表面，所述拾取表面经配置且可定位以通过对所述表面施加真空而将所述微电子装置接收于所述拾取表面上。
78.本公开的其它实施例可包含一种用于处置微电子装置的设备。所述设备可包含清洁设备和拾取设备。所述清洁设备可包含多个喷嘴，所述多个喷嘴经配置且可定位以将清洁流体供应到多个半导体裸片的表面且同时从所述表面抽吸所述清洁流体。所述清洁设备可进一步包含与所述多个喷嘴选择性连通的清洁流体储集器。所述清洁设备还可包含真空源，其经配置以通过所述多个喷嘴抽吸所述清洁流体。所述拾取设备可包含拾取头，在已供应以及从半导体裸片抽吸所述清洁流体之后，所述拾取头可定位成接近所述半导体裸片。所述拾取设备可进一步包含真空源，所述真空源与所述拾取头选择性连通以将经清洁半导体裸片吸引到所述拾取头。
79.图14说明用于拾取过程的工装的示意图。如图14中所展示，通过切割过程单分成多个个别半导体裸片402的晶片支撑于载体材料412上且粘合到所述载体材料。如上文所描述，载体材料412可在将个别半导体裸片402分离的切割操作期间支撑半导体晶片。类似工装可用于从载体材料910拾取半导体裸片902，如图9到12中所说明。
80.所述工装可包含清洁设备1410和拾取设备1426。清洁设备1410和拾取设备1426可由控制器1408控制。控制器1408可经配置以通过处理器1404和存储器1406存储以及执行指令。控制器1408可经配置以相对于半导体裸片402定位清洁设备1410和拾取设备1426，且使
所述清洁设备和所述拾取设备相对于彼此定位。举例来说，控制器1408可经配置以将清洁设备1410定位在紧靠拾取设备1426前方的一或多个半导体裸片402，使得清洁设备1410可清洁半导体裸片402，随后拾取设备1426立即从载体材料412拾取半导体裸片402。
81.清洁设备1410和拾取设备1426中的每一者可包含光学传感器系统1402，所述光学传感器系统经配置而以光学方式确定相应清洁设备1410和/或拾取设备1426相对于半导体裸片402的位置。控制器1408可使用光学传感器系统1402将清洁设备1410和/或拾取设备1426定位在相应半导体裸片402竖直上方(例如，在横向x、y平面中对准且围绕竖直轴线旋转对准)。
82.清洁设备1410可包含喷嘴1416的阵列。喷嘴1416的阵列中的每个喷嘴1416可包含出口1418和入口1420。出口1418可通过流体供应线1424可操作地耦合到流体储集器1414。流体可例如通过泵或压缩机加压，使得流体可在压力下穿过流体供应线1424且从出口1418出来。在一些实施例中，流体储集器1414可被加压。举例来说，泵或压缩机可定位在流体储集器1414之前。入口1420中的每一者可通过真空线1422耦合到真空源1412。真空源1412可经配置以在喷嘴1416处通过入口1420产生真空或抽吸。
83.如上文所描述，清洁设备1410可在半导体裸片402上供应清洁流体持续延长的时间段，例如，10与30秒(s)之间，以清洁半导体裸片402且溶解粘合剂408的至少一部分。对于每个半导体裸片402，拾取操作可在约0.5s与约2s之间完成。因此，为了在拾取和堆叠过程期间维持处理量，清洁设备1410可经配置以每次清洁多个半导体裸片402。举例来说，喷嘴1416的阵列可包含邻近于彼此定位的多个喷嘴1416，使得喷嘴1416的阵列可基本上同时清洁多个邻近半导体裸片402。在一些实施例中，当清洁过程进行时，喷嘴1416可在不同半导体裸片402之间移动，使得喷嘴1416的阵列中的每个喷嘴1416可在某一时间段内定位在每个半导体裸片402上。在整个喷嘴1416的阵列经过单个半导体裸片402后，已通过喷嘴1416的阵列中的不同喷嘴1416供应了清洁流体的半导体裸片402的组合时间段可总计到用以溶解粘合剂408的部分的延长时间段。在一些实施例中，喷嘴1416的阵列可保持基本上固定，且载体材料412可在其下方移动以相对于喷嘴1416定位半导体裸片402。
84.拾取设备1426可包含拾取工具1428。拾取工具1428可经配置以从载体材料412拾取每一个别半导体裸片402。控制器1408可经配置以定位拾取设备1426以拾取邻近喷嘴1416的阵列中的喷嘴1416的半导体裸片402。举例来说，控制器1408可紧接在喷嘴1416的阵列中的最末喷嘴1416经过半导体裸片402之后将拾取工具1428定位在所述半导体裸片402上。在一些实施例中，控制器1408可经配置以相对于拾取设备1426定位载体材料412，以将每个要拾取的半导体裸片402定位在拾取工具1428正下方。拾取工具1428可包含具有拾取头1432的拾取臂1430。拾取头1432可包含在拾取头1432的工具面1434处提供抽吸的真空通口1438。真空通口1438可耦合到真空源1440，所述真空源经配置以通过真空通口1438产生抽吸或真空。
85.一旦在半导体裸片402上对准，则拾取头1432可竖直快速降低，直到拾取头1432的工具面1434与半导体裸片402的顶部表面510之间达到预定的预编程相隔距离，例如在约100μm与约500μm之间，之后，拾取头1432的行进显著减缓，从而实现“软接触”行进以在顶部表面510上接触。在拾取头1432减缓且与顶部表面510进行接触的时间之间，推顶器1436可抵靠着载体材料412向上移动，与拾取头1432同步向上移动，且可将半导体裸片402呈现给
工具面1434。工具面1434中的真空通口1438可将半导体裸片402主动地拉到工具面1434。理想地，拾取头1432和推顶器1436可基本上一致地移动以最小化(即，基本消除)工具面1434与推顶器1436之间的接触力。
86.拾取臂1430可包含一或多个枢轴1442。枢轴1442可经配置以使得拾取臂1430能够将拾取头1432和任何附接的半导体裸片402移动到另一位置，以例如用于清洁半导体裸片402的后表面702，如图7中所说明，或用于将半导体裸片402传送到另一工具，例如接合头。
87.本公开的一些实施例可包含一种处理微电子装置部件的方法。所述方法可包含在半导体裸片表面的一部分上供应流体。所述方法可进一步包含从所述半导体裸片表面的另一部分抽吸所述流体。所述方法还可包含在供应和抽吸所述流体之后从支撑元件提升所述半导体裸片。所述方法可进一步包含在所述半导体裸片的相对表面的一部分上供应所述流体。所述方法还可包含从所述半导体裸片的所述相对表面的另一部分抽吸所述流体。所述方法可进一步包含将所述半导体裸片定位在另一微电子装置部件上。
88.图15说明表示清洁半导体裸片的方法1500的流程图。还参考图4到14。在动作1502中，可切割半导体晶片，从而将半导体晶片分离成多个个别半导体裸片402、902。多个个别半导体裸片402、902可保持耦合到载体材料412、910，例如载体晶片或切割带。载体材料412、910可维持半导体裸片402、902中的每一者之间的相对位置，使得半导体裸片402、902在动作1502中被切割之后保持在基本上相同的位置中。
89.在由载体材料412、910维持在适当位置时，个别半导体裸片402、902的可为作用表面的顶部表面可被清洁。清洁半导体裸片402、902的作用表面可基本上移除半导体裸片402、902上可能存在的任何污染物颗粒，例如尘粒、硅颗粒、聚合物残留颗粒等。在一些情况下，污染物颗粒可能在切割过程期间产生，和/或可能在拾取过程期间从邻近半导体裸片掉落。在动作1504中，可通过在半导体裸片402、902的作用表面上供应流体而从所述作用表面清除污染物颗粒。如上文所描述，流体可以是清洁流体，如di水或溶剂。在一些实施例中，可通过喷嘴加速流体，使得流体可以较大的力冲击半导体裸片402、902的作用表面，以从半导体裸片402、902的作用表面移走污染物颗粒。在一些实施例中，流体可为脉冲式，例如超声波脉冲输送，其可引起空化且从半导体裸片402、902的作用表面移走更多污染物颗粒。
90.在动作1506中，可从半导体裸片402、902的作用表面吸除所述流体。供应流体的动作1504可与抽吸流体的动作1506基本上同时(例如同时)执行。举例来说，当在动作1504中引入流体时，可在动作1506中抽吸相同流体。可在第一位置中在半导体裸片402、902上供应流体，且从第二位置抽吸流体，使得流体可在半导体裸片402、902的作用表面上从第一位置流到第二位置。去除的污染物颗粒可基本上悬浮于流体中，使得当在动作1506中从半导体裸片402、902的作用表面吸除流体时，悬浮的污染物颗粒也可随着流体被抽吸，从而将污染物颗粒从半导体裸片的作用表面移除。
91.在一些情况下，在动作1506中通过抽吸移除之前，流体可流过半导体裸片402、902的作用表面且进入半导体裸片402、902之间的道中。因此，道中的任何污染物颗粒也可通过流体基本移除。移除道中的污染物颗粒可显著减少在动作1508中移除或拾取相关联半导体裸片402、902时引入到邻近半导体裸片402、902的污染物颗粒的数目。
92.在动作1508中，可通过拾取头从载体材料提升半导体裸片402、902，所述拾取头经配置以通过抽吸将半导体裸片402、902固定到拾取头。所述抽吸可足以例如通过断开或撕
开粘合剂而剥离任何其余的粘合剂。
93.在动作1508中提升或拾取半导体裸片402、902之后，可在动作1510和1512中利用清洁流体清洁半导体裸片402、902的后表面。在一些实施例中，拾取头可将半导体裸片402、902反转，使得后表面在基本向上的方向面向喷嘴。在其它实施例中，拾取头可使半导体裸片402、902在喷嘴上移动，使得后表面保持在基本向下方向且喷嘴向上面向所述后表面。在其它实施例中，拾取头可使半导体裸片402、902成角度地定位以匹配喷嘴的位置。在一些实施例中，喷嘴可移动以迎向半导体裸片402、902的后表面。
94.清洁半导体裸片402、902的后表面可基本上移除半导体裸片402、902上可能存在的任何污染物颗粒，例如尘粒、硅颗粒、聚合物残留颗粒等。如上文所描述，污染物颗粒可能在切割过程期间产生，和/或可能在拾取过程期间从邻近半导体裸片402、902掉落。在一些情况下，污染物颗粒可以是存在于后表面上的粘合剂的残余颗粒或与粘合剂相关联的颗粒。在动作1510中，可通过在半导体裸片402、902的后表面上供应流体而从所述后表面清除污染物颗粒。所述流体可以是清洁流体，例如di水或溶剂。在一些实施例中，可通过喷嘴加速流体，使得流体可以较大的力冲击半导体裸片402、902的后表面，所述较大力经配置以从半导体裸片402、902的后表面移走污染物颗粒。在一些实施例中，流体可为脉冲式，例如超声波脉冲输送，其可引起空化且从半导体裸片402、902的后表面移走更多污染物颗粒。
95.在动作1512中，可从半导体裸片402、902的后表面吸除所述流体。供应流体的动作1510可与抽吸流体的动作1512基本上同时(例如同时)执行。举例来说，当在动作1510中引入流体时，可在动作1512中抽吸相同流体。可在第一位置中在半导体裸片402、902的后表面上供应流体，且从第二位置抽吸流体，使得流体可在半导体裸片402、902的后表面上从第一位置流到第二位置。去除的污染物颗粒可基本上悬浮于流体中，使得当在动作1512中从半导体裸片402、902的后表面吸除流体时，悬浮的污染物颗粒也可随着流体被抽吸，从而将污染物颗粒从半导体裸片402、902的后表面移除。
96.在半导体裸片402、902的两侧(例如作用表面和后表面)被清洁且基本上不含污染物颗粒之后，在动作1514中，可将半导体裸片402、902堆叠在例如半导体裸片、晶片或另一衬底的另一微电子装置上。举例来说，拾取头可将半导体裸片402、902传送到另一工具，例如，经配置以堆叠半导体裸片402、902的接合头。在一些实施例中，拾取头可将半导体裸片402、902直接传送到另一半导体装置上。经堆叠半导体裸片402、902和/或微电子装置可接合在一起以形成经堆叠微电子装置。半导体裸片402、902和/或另一微电子装置可在另一过程或系列过程步骤和/或技术(例如近零接合线或混合接合)中堆叠且接合在一起。
97.本公开的一些实施例可包含一种处置半导体装置的方法。所述方法可包含移除半导体裸片与支撑元件之间的粘合剂的至少一部分。所述方法可进一步包含利用拾取工具通过对所述半导体裸片的一侧和所述支撑元件施加真空而从所述支撑元件拾取所述半导体裸片，且利用所述拾取工具提升所述半导体裸片。所述方法还可包含利用所述拾取工具将所述半导体裸片传送到另一位置。
98.图16说明表示处置半导体裸片的方法1600的流程图。还参考图4到14。在动作1602中，半导体晶片可固定到支撑元件，例如载体材料412、910。例如，晶片可通过粘合剂408、908固定到载体材料412、910。在动作1602中将晶片固定到支撑元件之后，在动作1604中，可将晶片分成个别半导体裸片402、902。如上文所描述，可通过例如锯切、激光切割(例如隐形
切割)或等离子体切割的切割过程分离晶片。
99.在动作1604中将晶片分成个别半导体裸片402、902之后，在动作1606中可移除个别半导体裸片402、902之间的粘合剂408、908的至少一部分。在一些实施例中，粘合剂408、908可溶于例如水溶性或溶剂可溶的清洁流体中，使得对半导体裸片402、902的清洁可同时用以溶解清洁流体所接触的粘合剂408、908的至少一部分。如上文所描述，清洁流体可在相应半导体裸片402、902上供应延长的时间段以溶解较大量的粘合剂408、908。在一些实施例中，粘合剂408、908可经配置以热剥离(例如，当受热时剥离)。可例如利用激光或其它加热装置加热半导体裸片402、902以剥离粘合剂408、908。
100.在动作1606中移除粘合剂408、908的至少一部分之后，在动作1608中，拾取工具602、1102、1428可从支撑元件拾取或提升半导体裸片402、902。如上文所描述，拾取工具602、1102、1428可接触半导体裸片402、902的作用表面或顶部表面。拾取工具602、1102、1428可通过拾取工具602、1102、1428中的真空通口利用抽吸固定到半导体裸片402、902。所述抽吸可足以去除(overcome)、断开或撕开在动作1606中移除粘合剂408、908的部分之后剩余的任何粘合剂408、908。拾取工具602、1102、1428可通过去除、断开或撕开其余的粘合剂且将半导体裸片402、902提升远离支撑元件而从支撑元件移除半导体裸片402、902。
101.在动作1608中从支撑元件拾取或提升半导体裸片402、902之后，在动作1610中，可将半导体裸片402、902堆叠在另一微电子装置(例如其它半导体裸片、晶片或其它微电子装置部件)上。举例来说，拾取工具602、1102、1428可将半导体裸片402、902传送到另一工具，例如可将半导体裸片402、902固定到另一微电子装置的接合头。在一些实施例中，拾取工具602、1102、1428可直接将半导体裸片402、902传送到另一微电子装置。半导体裸片402、902和/或其它微电子装置部件可在另一过程或系列过程步骤和/或技术(例如近零接合线或混合接合)中堆叠且接合在一起。
102.本公开的非限制性实施例可包含：
103.实施例1：一种处理微电子装置部件的方法，其包括：在半导体裸片表面的一部分上供应流体；从所述半导体裸片表面的另一部分抽吸所述流体；在供应和抽吸所述流体之后从支撑元件提升所述半导体裸片；在所述半导体裸片的相对表面的一部分上供应所述流体；从所述半导体裸片的所述相对表面的另一部分抽吸所述流体；以及将所述半导体裸片定位在另一微电子装置部件上。
104.实施例2：根据实施例1所述的方法，其进一步包括在供应所述流体时脉冲输送所述流体。
105.实施例3：根据实施例1或2中任一实施例所述的方法，其中从所述半导体裸片表面的另一部分抽吸所述流体包括从所述半导体裸片表面的所述另一部分移除与供应到所述半导体裸片表面的所述部分基本相同的量的流体。
106.实施例4：根据实施例1到3中任一实施例所述的方法，其中从所述相对表面的另一部分抽吸所述流体包括从所述半导体裸片的所述相对表面的所述另一部分移除与供应到所述半导体裸片的所述相对表面的所述部分基本相同的量的流体。
107.实施例5：根据实施例1到4中任一实施例所述的方法，其进一步包括使所述流体流动到接近所述半导体裸片的外周的道中。
108.实施例6：根据实施例1到5中任一实施例所述的方法，其进一步包括使所述半导体
裸片的所述相对表面与所述支撑元件之间的粘合剂与流动到道中的所述流体接触，且利用所述流体溶解所述支撑元件与所述半导体裸片之间的粘合剂的至少一部分。
109.实施例7：根据实施例6所述的方法，其进一步包括在提升所述半导体裸片之前溶解所述粘合剂的所述至少一部分。
110.实施例8：根据实施例1到7中任一实施例所述的方法，其中所述流体包括去离子水或溶剂。
111.实施例9：一种方法，其包括：移除半导体裸片与支撑元件之间的粘合剂的至少一部分；利用拾取工具通过对所述半导体裸片的一侧和所述支撑元件施加真空而从所述支撑元件拾取所述半导体裸片且利用所述拾取工具提升所述半导体裸片；以及利用所述拾取工具将所述半导体裸片传送到另一位置。
112.实施例10：根据实施例9所述的方法，其中所述粘合剂包括水溶性粘合剂。
113.实施例11：根据实施例9或10中任一实施例所述的方法，其中移除所述粘合剂的所述至少一部分包括使流体流动到接近所述半导体裸片与所述支撑元件之间的所述粘合剂的区域中以至少使所述粘合剂降解。
114.实施例12：根据实施例11所述的方法，其进一步包括使所述流体流动到所述区域中持续约1秒(s)与约30s之间的时间段。
115.实施例13：根据实施例9到12中任一实施例所述的方法，其中所述粘合剂包括热可释放粘合剂，且移除所述粘合剂的所述至少一部分包括加热所述粘合剂。
116.实施例14：根据实施例13所述的方法，其中加热所述粘合剂包括利用激光加热所述半导体裸片。
117.实施例15：根据实施例13或14中任一实施例所述的方法，其中加热所述粘合剂包括利用激光加热所述支撑元件。
118.实施例16：一种用于处置微电子装置的设备，所述设备包括：至少一个喷嘴，其包括流体出口通口和抽吸通口，所述流体出口通口经配置且可定位以在微电子装置的表面上供应流体，所述抽吸通口经配置以从所述微电子装置的所述表面接收所供应的流体；以及具有拾取表面的拾取臂，所述拾取表面经配置且可定位以通过对所述表面施加真空而将所述微电子装置接收于所述拾取表面上。
119.实施例17：根据实施例16所述的设备，其中所述至少一个喷嘴包括第二喷嘴，所述第二喷嘴包括：第二流体出口通口，其经配置且可定位以在所述微电子装置被接收于所述拾取臂上时在所述微电子装置的与所述表面相对的另一表面上供应流体；以及第二抽吸通口，其经配置以从所述微电子装置的所述另一表面接收所供应的流体。
120.实施例18：根据实施例16或17中任一实施例所述的设备，其中所述流体出口通口定位在所述喷嘴的中心区域中，且所述抽吸通口定位在所述喷嘴的周边区域中。
121.实施例19：根据实施例16到18中任一实施例所述的设备，其中所述抽吸通口定位在所述喷嘴的中心区域中，且所述流体出口通口定位在所述喷嘴的周边区域中。
122.实施例20：一种用于处置微电子装置的设备，其包括清洁设备和拾取设备，所述清洁设备包括：多个喷嘴，其经配置且可定位以将清洁流体供应到多个半导体裸片的表面且同时从所述表面抽吸所述清洁流体；清洁流体储集器，其与所述多个喷嘴选择性连通；和真空源，其经配置以通过所述多个喷嘴抽吸所述清洁流体；所述拾取设备包括：拾取头，在已
供应以及从半导体裸片抽吸所述清洁流体之后，所述拾取头可定位成接近所述半导体裸片；和真空源，其与所述拾取头选择性连通以将经清洁半导体裸片吸引到所述拾取头。
123.本公开的实施例可降低经堆叠微电子装置的失效数目。举例来说，本公开的实施例可降低微电子装置堆叠中的邻近微电子装置之间存在的污染物颗粒的数目。降低微电子装置堆叠中的邻近微电子装置部件之间的污染物颗粒的数目可降低微电子装置堆叠中的受损微电子装置的数目。降低邻近微电子装置部件之间的污染物颗粒的数目还可基本上防止因介入污染物颗粒造成的电短路或电阻。因介入污染物颗粒引入的受损(例如，开裂、微开裂)微电子装置、电短路和电阻可使得整个相关联的微电子装置堆叠失效。因此，降低微电子装置堆叠的邻近微电子装置之间存在的污染物颗粒的数目可显著降低在组装过程期间造成无用或破裂的微电子装置堆叠的数目。
124.本公开的实施例还可降低在拾取过程期间受损的半导体裸片的数目。降低在拾取过程期间受损的半导体装置的数目可通过降低或消除每个晶片中的受损半导体裸片的数目而增加每个晶片的半导体裸片的良率。
125.通过降低变得无用的受损半导体装置或微电子装置堆叠的数目来增加微电子装置的良率可增加微电子装置的生产良率，即使取放过程略微减缓也如此。增加的良率可使相关联微电子装置的生产的获利能力更大或成本降低。所述微电子装置可被包含于多种不同类型的电子装置中，所述电子装置例如个人电子件(例如移动装置、电话、平板电脑等)、计算机(例如个人计算机、膝上型计算机等)等。降低生产微电子装置的成本可继而降低生产相关联电子装置的成本。
126.上文所描述且在附图中说明的本公开的实施例不限制本发明的范围，因为这些实施例仅仅是本发明实施例的实例，本发明由所附权利要求书和其法定等同物界定。任何等同实施例都旨在处于本公开的范围内。实际上，除本文中所说明和描述的例如所描述元件的替代适用组合的内容以外，对于所属领域的技术人员来说，根据本说明书，本公开的各种修改可变得显而易见。此类修改和实施例也旨在处于所附权利要求书和其法定等同物的范围内。